「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a non-halogen-based decorative sheet which is resistant to gasoline and can inhibit the release of a base material from a pressure-sensitive adhesive layer in an interface by shearing force or stress generated during using the sheet.例文帳に追加

耐ガソリン性があり、使用の際に生じるせん断力や応力により基材と粘着剤層との界面での剥離を抑制しうる非ハロゲン系の装飾性シートを提供する。 - 特許庁

The above task is solved by setting up a mechanism abstraction layer that provides an interface consistent with applications executed at various nodes in a cluster.例文帳に追加

上記の課題は、クラスタ内の種々のノードにおいて実行されるアプリケーションに対して一貫したインターフェースを提供する機構抽象化層を設けることによって解決される。 - 特許庁

In such an arrangement, it is sufficient for the trench 5 to be dug to the vicinity of the interface of the N-type drift layer 2 and the P+type base region 3, so the depth of the trench 5 are not increased.例文帳に追加

このような構成では、トレンチ５がＮ−型ドリフト層２とＰ＋型ベース領域３の界面のあたりまで掘られていれば済むため、トレンチ５の深さが増大することもない。 - 特許庁

The bridge device 100 with the function to save the power includes a first and a second interface IF_1, IF_2, a first and a second physical layer processing device 120, 130, and a controller 110.例文帳に追加

省電力機能を有するブリッジ装置１００は、第１及び第２インターフェイスＩＦ_１，ＩＦ_２と、第１及び第２物理層処理装置１２０，１３０と、コントローラ１１０とを含む。 - 特許庁

An electric charge is generated on each interface by spontaneous polarization and piezo-polarization that occur in the layers, and an internal electrode is generated in the base layer 4 by the electric charge, to accelerate electrons.例文帳に追加

各層に生ずる自発分極及びピエゾ分極により各界面に電荷が発生し、この電荷により、ベース層４には、内部電極が電子を加速するように発生する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device in which the front surface of AlGaN layer is formed flat and any damage is not given to two-dimensional gas existing on the AlGaN/GaN interface.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ層の表面を平坦とし、かつ、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ界面に存在する二次元電子ガスにダメージを与えない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To accurately and easily manufacture an optical waveguide which is composed of a completely single layer having no interface in the inside and has a spot size changing part having a smooth tapered form in the direction of the thickness.例文帳に追加

内部に境界面がなく完全単一層からなり、厚さ方向に滑らかなテーパ形状を持つスポットサイズ変換部を有する光導波路を、微細精度よく簡便に作製する。 - 特許庁

The silicide, having variable inner metal concentration which is adjusted to the surface condition in an interface between the silicide and an adjacent layer, is used in an integrated circuit.例文帳に追加

本発明によれば、シリサイドと隣接する層との間の界面における表面条件に対して調節した可変内部金属濃度を有するシリサイドが集積回路において使用される。 - 特許庁

To provide a metallic member for adhesion by vulcanization sufficiently removing an oxide layer on a surface thereof by blast processing, with superior resistance to corrosion and deterioration of an adhesive interface.例文帳に追加

ブラスト処理により表面の酸化物層が十分に除去され、ゴムとの加硫接着性、接着界面の耐腐食劣化性に優れた加硫接着用金属部材を提供する。 - 特許庁

To form gate insulating films which are different in film thickness on the same substrate and also lower reduction in thickness of semiconductor layer, while controlling the deterioration in quality of a gate insulating film interface.例文帳に追加

ゲート絶縁膜界面の品質の劣化を抑制しつつ、膜厚の異なるゲート絶縁膜を同一基板上に形成するとともに、半導体層の薄膜化を低減させる。 - 特許庁

To provide a heat-shrinkable tube showing adhesive strength capable of being subjected to practical use even if an additional adhesive layer is not provided to the interface with an article to be coated and having an extended allowable temperature temperature limit.例文帳に追加

被覆物との界面に付加的な接着層を介さなくても実用に供し得る接着強度を呈し、しかも耐熱温度が拡大された熱収縮チューブを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is less deteriorated in characteristics over aging and where dislocation is prevented from occurring in an interface between a substrate and a selectively grown multi-quantum well layer.例文帳に追加

基板と選択成長した多重量子井戸層の界面における転位の発生が防止され，経時変化に対する特性劣化が低減された半導体装置を提供する。 - 特許庁

When the read-out control falls from the ATM layer side through a UTOPIA interface part 2, an RENB generating part 3 outputs an RENB signal in which 'L' block is 53 clock unit.例文帳に追加

ＵＴＯＰＩＡインタフェース部２を介したＡＴＭレイヤ側から読出し制御がかかった場合、ＲＥＮＢ生成部３は“Ｌ”区間が５３クロック単位のＲＥＮＢ信号を出力する。 - 特許庁

The pn junction is formed on the interface between a low-density n-type impurity layer 3 and a p-type diffusion region 5 nearby the top main surface of an n-type semiconductor substrate 2 of the semiconductor device 1.例文帳に追加

半導体装置１のｎ型半導体基板２の上主面近傍で、低濃度ｎ型不純物層３とｐ型拡散領域５との界面でｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

To provide a sputtering target which makes a crystallization promoting function and optical characteristics of an interface layer film of a phase change recording medium compatible with each other, and which allows deposition etc. of a metal compound film.例文帳に追加

相変化記録媒体の界面層膜の結晶化促進機能と光学的特性とを両立させた金属化合物膜の成膜等を可能にするスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A plurality of metallic particles 8 are two-dimensionally arranged on the interface between the first electrode 2 and the semiconductor layer 3 so as to come in contact with the first electrode 2 and excite plasmons by incident beams.例文帳に追加

金属粒子８は、第１電極２及び半導体層３の界面で第１電極２に接触するように２次元的に複数配置され、光の入射によりプラズモンを励起する。 - 特許庁

To provide a polarizing element such as a polarizing lens, in which peeling at the interface between a polarizing film or polarizing sheet and a transparent synthetic resin layer is avoided during machining.例文帳に追加

偏光レンズ等の偏光素子の機械加工に際して、偏光フィルムまたは偏光シートと透明合成樹脂層との界面に剥離が発生することがない偏光素子を提供すること。 - 特許庁

The IP host is connected to the IP network by a pair of routers 26 and 28 and a network dispather 34, through a layer-2 network 24 as the interface of the IP network 22.例文帳に追加

各ＩＰホストは、一組のルータ（26，28）によって及びネットワーク・ディスパッチャ（34）によって、前記ＩＰネットワーク（22）のインターフェースとなる層２ネットワーク（24）を介して前記ＩＰネットワークに接続される。 - 特許庁

A VPN virtual LAN interface 25 is connected to a virtual private network server connected to the first private network via a Layer 2 Virtual Private Network.例文帳に追加

ＶＰＮ仮想ＬＡＮインタフェース２５は、第１のプライベートネットワークに接続している仮想プライベートネットワークサーバと、Ｌａｙｅｒ ２ Ｖｉｒｔｕａl Ｐｒｉｖａｔｅ Ｎｅｔｗｏｒｋにて接続される。 - 特許庁

There is a strategic jump in germanium and concentration from the buffer side of the interface to the etch-stop material, such that the etch-stop layer is considerably more resistant to the etchant.例文帳に追加

界面のバッファサイドからエッチング停止物質にかけて、エッチング停止層がエッチング剤に対して非常に抵抗力があるように、ゲルマニウムおよび濃度において計画的な飛躍を行う。 - 特許庁

The glass particles 14 are formed so as to be independently scattered in plurality along an interface between at least the one-face 12a side of the transparent conductive film 12 and the porous layer 13.例文帳に追加

このガラス粒子１４は、少なくとも透明導電膜１２の一面１２ａ側と多孔質層１３との界面に沿って、複数、それぞれ独立して散在するように形成されている。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent display device capable of increasing luminance by reducing interface reflection and extracting confined light inside an EL layer and capable of inhibiting generation of moires as well.例文帳に追加

ＥＬ層内の閉じこめ光を界面反射を低減して取り出すことで高輝度化を図ることができ、さらにモアレの発生を抑制することができる有機ＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor crystal and a method for growing the same, by which an interface of a δ dope layer is made sharper and the mobility of electrons is improved in either MOVPE method or MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法であれＭＢＥ法であれ、δドープ層界面をよりシャープにして電子移動度の向上を図った化合物半導体結晶及びその成長法を提供すること。 - 特許庁

At the same time, the electronic supply layer is formed to have a composition rich in Al in the vicinity of the hetero interface, whereby the high sheet carrier density and the high electronic mobility are obtained.例文帳に追加

同時に、電子供給層が、ヘテロ界面近傍においてＡｌリッチな組成を有するように形成されることによって、高いシートキャリア濃度と高い電子移動度とが実現されてなる。 - 特許庁

To provide a surface coated cutting tool having a heteroepitaxial interface excellent in chipping resistance and peeling resistance of a hard coating layer in small-diameter low-speed cutting or high-speed heavy cutting or the like.例文帳に追加

小径低速切削あるいは高速重切削等で、硬質被覆層の耐欠損性、耐剥離性に優れるヘテロエピタキシャル界面を有する表面被覆切削工具を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SOI substrate, which effectively and efficiently makes an interface of an ion-implanted layer brittle without bringing about exfoliation of surfaces bonded to each other and breakage of the substrate.例文帳に追加

貼り合わせ面の剥離や、基板の破損を生じることなく、イオン注入界面を効果的かつ効率的に脆化することができるＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To ensure secure optical contact between the coated prism and uncoated prism, low interface reflection and good throughput, a contact layer is deposited on the dielectric stack.例文帳に追加

被覆されたプリズムと被覆されていないプリズムの安全な光学的接触、低い界面反射および良好な処理量を保証するために、誘電性スタック上に接触層を析出する。 - 特許庁

To provide an optical member can suppress multiple interference due to reflection on the interface between a hardcoat layer and a transparent base material and suppress appearance irregularities due to ripple.例文帳に追加

ハードコート層と透明基材との界面での反射による多重干渉を抑制することができ、リップルによる外観ムラを抑制することができる光学部材を提供する。 - 特許庁

With the two- layer PZT film lamination process, a Pb concentration in the interface between the electrode 6 and the film 4b is restrained, and the generation of a by oxygen defect due to Pt catalytic action is restrained.例文帳に追加

二層のＰＺＴ膜積層工程により、上部電極６とＰＺＴ膜４の界面でのＰｂ濃度が抑えられ、Ｐｔ触媒作用による酸素欠陥の発生が抑えられる。 - 特許庁

When the meter 78 detects that the interface between the suspended material layer and the raw water reaches the upper limit position HL, the controller 82 starts the pump 76 and opens the valves 74, 80 to discharge sludge through the pipe 60.例文帳に追加

懸濁物層と原水との界面が上限位置ＨＬに上昇したことを界面計が検出すると、制御装置は、ポンプを起動し、第１、第２の弁を開放する。 - 特許庁

By forming the reflection interface 31 which totally reflects the leaked light in the clad layer, the penetration of the leaked light into the coupler 14 for tap is prevented and the variation in the tapping rate is reduced.例文帳に追加

漏洩光を全反射する反射界面３１をクラッド層に形成することで、漏洩光のタップ用カプラ１４への進入を防ぎ、タップ率の変動を低減することができる。 - 特許庁

Then, using radiation which penetrates the guide board (generally laser radiation), an interface between the removable layer 37 and the guide board 35 is melted and removed, so that the guide board 35 is cut off.例文帳に追加

次いで、ガイド基板を透過する放射（一般的にレーザ放射）を使用して、除去可能な層３７とガイド基板３５との間の界面を融除し、それによってガイド基板３５を切り離す。 - 特許庁

Consequently, the roughness of the peeling interface of the active layerr 10A is inhibited, the in-plane uniformity of the thickness of the active layer 10A after a peeling is enhanced, and the quantity of a polishing in a polishing process is reduced.例文帳に追加

その結果、活性層１０Ａの剥離界面のラフネスが抑えられ、剥離後の活性層１０Ａの厚さの面内均一性が高まり、研磨工程での研磨量が低減される。 - 特許庁

To provide a mat hard coat transfer material wherein a hard coat can be surely separated from a mat layer along an interface and a mat part is provided, and a decoration having high surface strength can be formed.例文帳に追加

マット層とハードコート層との界面で確実に剥離し、マット部分を有しかつ表面強度に優れた装飾を行うことができるマットハードコート転写材を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing Cu damascene wiring which suppresses a diffusion of Cu spreading on the interface between a Cu wiring pattern and a cap layer, and simultaneously suppresses an increase in resistance of the Cu wiring pattern.例文帳に追加

Ｃｕ配線パターンとキャップ層との界面を伝うＣｕの拡散を抑制し、同時にＣｕ配線パターンの抵抗の増大を抑制するＣｕダマシン配線の製造法を提供する。 - 特許庁

Further, in the film-forming of each layer, oxidation caused by exposure in the atmosphere of the film interface, denaturation due to moisture, and the resultant adverse effect to the battery performance can be eliminated.例文帳に追加

また、各層の成膜において、膜界面が大気中に曝される事で発生する酸化、水分による変質、それに伴う電池性能へ及ぼす悪影響を解消することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flexible printed wiring board capable of displaying high adhesive strength between a conductive metallic foil having a smooth adhesive interface and an insulating resin layer and allowed to be applied to the processing of a fine pattern.例文帳に追加

平滑な接着界面を持つ導電性金属箔と絶縁性樹脂層との高接着力を発現する、ファインパターン加工用途のフレキシブルプリント配線板の製造方法。 - 特許庁

To provide a processing method useful for controlling the physical properties of a ceramic layer, lowering the processing temperature, shortening the processing time and controlling the distribution of cermet concentration on an interface in the direct modification of a metal surface into the cermet.例文帳に追加

金属表面の直接改質サーメット化加工におけるセラミックス層の物性制御、加工温度の低下、加工時間の短縮と界面でのサーメット濃度分布の制御。 - 特許庁

An active area of the 2nd element can be formed avoiding the interface between the base substrate and 2nd semiconductor layer, so leak current can be suppressed and characteristics of a device can be improved.例文帳に追加

上記第２の素子の活性領域を、上記支持基板と第２の半導体層との界面を避けて形成できるので、リーク電流を抑制でき、デバイスの特性を向上できる。 - 特許庁

The group III nitride light emitting device is grown on a textured substrate to reduce the amount of total internal reflection at the interface between the substrate and a group III nitride layer.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物発光素子はテクスチャ形成された基板上で成長し、基板とＩＩＩ族窒化物層との間の境界面における内部全反射量を低減するようにする。 - 特許庁

Each size of interface regions 7 on which the protective agent 6 does not exist is set as the size wherein a plurality of conducting powders 4 constituting the via 3 can abut against the wiring layer 2.例文帳に追加

そして、保護剤６が存在しない界面領域７それぞれの大きさを、ビア３を構成する導電粉４の複数が配線層２に当接可能な大きさに設定する。 - 特許庁

This winding-type electric double layer capacitor is formed on the interface between a polarization electrode and electrolyte, and has a winding core at the center section of a winding element.例文帳に追加

分極性電極と電解液との界面で形成される巻回型電気二重層キャパシタであって、巻回素子の中心部に巻芯を設けた巻回型電気二重層キャパシタとする。 - 特許庁

To provide an oxide film of atom layer level wherein entrance of impurities into an oxidizing process of a silicon crystal surface is suppressed for flatter and evener interface between the oxide film and a semiconductor.例文帳に追加

シリコン結晶表面の酸化工程での不純物混入を抑制し、且つ酸化膜と半導体の界面をより平坦で均一にした原子層レベルの酸化膜を提供すること。 - 特許庁

A p impurity region 3 defining an nMOS region 202 is provided from an upper surface of the n^- semiconductor layer 2 to an interface with the p^- semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ^-半導体層の内部には、ｎ^-半導体層２の上面からｐ^-半導体基板１との界面にかけて、ｎＭＯＳ領域２０２を区分するｐ不純物領域３が設けられている。 - 特許庁

By increasing the Sr content at an interface between the Sr_xTi_yO_3 dielectric layer and the TiN bottom electrode, the interfacial equivalent-oxide thickness (EOT) can be further reduced.例文帳に追加

Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層とＴｉＮ下部電極との間の界面でのＳｒ含有量を増加させることによって、界面の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）をさらに低減できる。 - 特許庁