「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(50ページ目) - Weblio英語例文検索

The method peels the second substrate (S2) from the inside or interface of the peeling layer (3) while giving a vibration (53) to the laminate substrate.例文帳に追加

本発明に係る剥離方法は、剥離層(3)とその上部に形成された半導体素子(55)とを有する第１基板(S1)と、前記第１基板の前記半導体素子形成面と接着層(18)を介して接合された第２基板（S2)とを有する積層基板(S)の剥離方法であって、前記積層基板に振動(53)を与えつつ前記剥離層(3)の層内又は界面から前記第２基板(S2)を剥離する。 - 特許庁

The flat panel display comprises a plurality of connection terminals installed on an array substrate, at least two integrated circuit chips connected to the connection terminals respectively by conductive anisotropic films and at least one interface layer installed in the region between the at least two integrated circuit chips.例文帳に追加

フラットディスプレイパネルであって、アレイ基板上に設置される複数の連接端子と、それぞれ異方性導電膜により前記連接端子と連接される少なくとも二つの集積回路チップと、前記の少なくとも二つの集積回路チップの間の領域に設置される少なくとも一つの界面層と、からなるフラットディスプレイパネル及びその組み立て方法を採用する。 - 特許庁

The proton conduction membrane using no platinum catalyst and having no layer-interface structure is manufactured by making dye molecules, such as porphyrin or phthalocyanin, coexist so as to act as an oxidation catalyst and an oxidation reduction catalyst to an anisotropic conduction polymer membrane obtained by combining Langmuir-Blodgette multilayer film (LB multilayer film) production technique and a conduction polymer production technique.例文帳に追加

ラングミュア‐ブロジェット多層膜（LB多層膜）作製技術と導電性高分子製造技術を組み合わせた異方導電性高分子膜に、ポルフィリンやフタロシアニンなどの色素分子を共存させて水素酸化触媒と酸素還元触媒として動作させ、白金触媒を使用せず層状界面構造を持たないプロトン伝導膜を作製する。 - 特許庁

This semiconductor light emitting device includes: a support substrate 30; a semiconductor film 10 including a luminescent layer 12 formed on the support substrate; a surface electrode formed on a surface of the semiconductor film on a light extraction surface side; and a reflective film 20 formed between the support substrate and the semiconductor film and forming a reflective surface in an interface with the semiconductor film.例文帳に追加

半導体発光装置は、支持基板３０と、支持基板上に設けられた発光層１２を含む半導体膜１０と、半導体膜の光取り出し面側の表面に設けられた表面電極と、支持基板と半導体膜との間に設けられて半導体膜との界面において反射面を形成する反射膜２０と、を含んでいる。 - 特許庁

When resticking a floor material in the adhesion method for a floor structure where the floor material is stuck on a substrate material by an adhesive, the old floor material is peeled in the boundary surface between the rear cushion of an old floor material and an old adhesive for fixing the old floor material (interface breakage), after which a new adhesive is applied on the remaining adhesive layer, and the new floor material is stuck.例文帳に追加

下地材に接着剤によって床材を貼り付ける床構造体の接着工法において、床材を貼り直す作業をする際に、床材の裏面クッションと、床材を固定する接着剤との界面で、床材を剥離（界面破壊）させた後、残存する接着剤層の上に、新たな接着剤を塗布し、新しい床材を貼り付ける。 - 特許庁

After an electrophoretic gel cassette body (1) having an edge face sealing tape (2) pasted on the lower edge face thereof is filled with a first gel solution (3), ultrasonic vibration (4) is applied to the gel cassette body, without having to install an aqueous solvent stratified layer or a shielding structure so as to horizontally form the interface (5) of the first gel comprising a filled separation gel solution, or the like.例文帳に追加

下端面に端面封止テープ(２)を貼り付けた電気泳動用ゲルカセット本体(１)に第１のゲル溶液(３)を充填後、水系溶媒の重層や遮蔽構造物の設置を行うことなく、超音波による振動(４)をゲルカセット本体に与えることにより、充填した分離ゲル溶液などからなる第１のゲルの界面（５）を水平に形成させる。 - 特許庁

The multilayer ceramic capacitor includes a plurality of dielectric ceramic layers and a plurality of internal electrodes formed along a particular interface between the dielectric ceramic layers, and each dielectric ceramic layer includes a dielectric ceramic containing a perovskite compound represented by ABO_3 as a principal component and R (R is La and the like), M (M is Mn and the like) and Si as accessory components.例文帳に追加

複数の誘電体セラミック層および誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成された複数の内部電極を備え、誘電体セラミック層が、ＡＢＯ_３で表わされるペロブスカイト型化合物を主成分とし、副成分として、Ｒ（Ｒは、Ｌａ等）、Ｍ（Ｍは、Ｍｎ等）およびＳｉを含む、誘電体セラミックからなる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element having a nitride semiconductor formed on a hexagonal system SiC substrate, in which nitride semiconductor carrier depletion caused by spontaneous polarization and piezopolarization occurring on the interface between semiconductor layers is reduced to stabilize a drive voltage, and to allow a flat nitride semiconductor layer to grow.例文帳に追加

六方晶系のＳｉＣ基板上に形成された窒化物半導体において、半導体層間の界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができるとともに、平坦な窒化物半導体層を成長させることができる窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

The interface board has one side laid on a second layer surface of the MCM board and the other side extruding into the waveguide hole to guide high frequency signals generated by a high frequency circuit to the waveguide and high frequency signal from the waveguide to the high frequency circuit according to a transmission line pattern 3a connected to a transmission line pattern 1a corresponding to the waveguide hole on the MCM board.例文帳に追加

インタフェース基板は、一方の側がＭＣＭ基板の第２層表面上に載置され、他の側が導波管穴にはみ出し、ＭＣＭ基板の導波管穴対応の伝送線路パターン１ａと接続された伝送線路パターン３ａによって、高周波回路が発生する高周波を導波管へ、導波管からの高周波を高周波回路へ導く。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film semiconductor device in which in-film fixed electric charges in a gate insulating film below a semiconductor thin film as an active layer and an interface level can be lowered without making the gate insulating film thick nor increasing process procedures, and then a bottom gate type TFT with high reliability can be obtained.例文帳に追加

活性層となる半導体薄膜の下層のゲート絶縁膜を厚膜化することなく、かつ工程手順を増加させることなく、当該ゲート絶縁膜中の膜中固定電荷および界面準位を低下させることが可能で、これにより信頼性の高いボトムゲート型ＴＦＴを得ることができる薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an insulated cylinder which can lower a voltage induced by an external semiconductive layer of the insulated cylinder by suppressing contact resistance at an interface between an insulating spacer and the insulated cylinder generated by grease applied to the insulating spacer in order to facilitate the movement of the insulated cylinder when the insulated cylinder is connected to the insulating spacer, and by increasing capacitance.例文帳に追加

絶縁スペーサと結合される際の絶縁筒の移動を容易にするために絶縁スペーサに塗布されるグリスによる絶縁スペーサと絶縁筒の界面における接触抵抗を抑制し、静電容量を大きくすることによって、絶縁筒の外部半導電層に誘起される電圧を小さくすることができる絶縁筒を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel cell having a low loss resistance, high catalyst utilization factor, a reduced cost, and high output characteristics by forming a catalyst layer having high ionic conductivity, and high three-phase interface ratio, and suitable for suppressing crossover; to provide an electrode used for it; to provide its manufacturing method; and to provide electronic equipment having the electrode.例文帳に追加

イオン伝導率および三相界面率が高く、クロスオーバー抑制に適した触媒層を形成することにより、損失抵抗の低減および触媒利用率の向上を達成し、低コストで出力特性に優れる燃料電池、およびそれに用いる電極、その製造方法、ならびに、当該電極を備えた電子機器を提供する。 - 特許庁

To solve a problem which the surface adhesion of a foamed sheet of a synthetic resin is usually weak because of its insufficient flatness when printed or laminated, to cause peeling at the interface between the foamed sheet and an adhesive layer, for example, even when a decorative sheet is laminated and is too weak to occur the breakage of the laminated material.例文帳に追加

合成樹脂発泡シートは、表面の平面性が不十分なため、印刷やラミネートの際の接着性が不十分であり、例えば、化粧シートを接着剤を用いてラミネートしても、発泡シートと接着剤層の界面で剥離が生じ、貼り合せた素材の破壊に至るほどの強い接着力が得られなかった点を改善することを課題としている。 - 特許庁

Accordingly, as the looseness caused by the difference of the thermal expansion coefficient of the interface between the grains 12 with the small thermal expansion coefficient and the binder organization 14 whose constitution component is a synthetic resin binder 18 with a layer thermal expansion coefficient in comparison therewith is restrained, the grinding performance is increased by restraining the drop of the grains 12 favorably.例文帳に追加

したがって、熱膨張係数が小さい砥粒１２とそれに比べて熱膨張係数が大きい合成樹脂結合剤１８を構成成分とする結合剤組織１４との界面の熱膨張係数の差に起因する緩みが抑制されるため、砥粒１２の脱落が好適に抑制されて研削性能が高められる。 - 特許庁

The phase shift mask blank has, at least on a substrate, one or more layers of a phase shift film essentially comprising a metal silicide compound and one or more layers of a metal-containing film, and further has a buffer layer having a continuously varied composition of the film on the interface between the phase shift film and the metal-containing film.例文帳に追加

位相シフトマスクブランクであって、少なくとも、基板上に、金属シリサイド化合物を主成分とする１層以上の位相シフト膜と、１層以上のメタル含有膜を具備し、前記位相シフト膜と前記メタル含有膜との界面に、膜の組成が連続的に変化したバッファ層を有するものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。 - 特許庁

To provide a multilayered rubber bearing having both hardening characteristic and the damping function, without risk of causing rupture and breaking of a multilayered rubber body by stress concentration, without burdening excessive stress to a rubber elastic layer and an adhesive interface, by enabling a designer to use the hardening characteristic as a design element, that is, as a quantitative value.例文帳に追加

設計的要素として、つまり定量的な値としてハードニング特性を設計者が利用でき、ゴム弾性層並びに接着界面へ過大な応力負担をさせず、且つ当該応力集中による積層ゴム体の破断、破壊を惹き起こす虞がないハードニング特性を有する上に減衰機能をも有した積層ゴム支承を提供すること。 - 特許庁

In the polyolefin-based mold constituted by coating the surface of the polyolefin mold (A) with a polarized polymer (B), a polarized segment layer substantially without the delamination of the interface is coated without deteriorating the nature of polyolefin-based material by having the structure in which the polarized polymer (B) couples to the surface of the polyolefin mold (A) via covalent bonds.例文帳に追加

ポリオレフィン成形体（Ａ）表面に極性重合体（Ｂ）がコーティングされたポリオレフィン系成形体であり、当該極性重合体（Ｂ）がポリオレフィン成形体（Ａ）表面に共有結合を介し結合した構造を有することにより、ポリオレフィン基材の性質を損なうことなく、実質的に界面の剥離がない、極性セグメント層がコーティングされる。 - 特許庁

By providing the membrane-electrode assembly (MEA) 31 with a catalyst 33, an electron conducting substance 34, an ion conducting substance 35 and a liquid fuel-impermeable substance layer 36 at least on one side of an electrode 32, the MEA capable of securing electron conductivity while suppressing cross leak of a fuel and of reducing interface resistance can be provided.例文帳に追加

膜−電極接合体（ＭＥＡ）３１が、電極３２の少なくとも一方に触媒３３と、電子伝導性物質３４と、イオン伝導性物質３５と、液体燃料不透過物質層３６を有することによって、燃料のクロスリークを抑制しながら、電子伝導性を確保し、界面抵抗を小さくすることのできるＭＥＡを提供できる。 - 特許庁

Then, even if after the multilayer structure in a layer above the surface of a silicon semiconductor substrate 2 has been formed, the thermal treatment is carried out and a bond of heavy hydrogen to silicon is cut, heavy hydrogen can be continuously supplied to an interface between source/drain diffusion layers 16, 17 of the silicon semiconductor substrate 2 and a gate insulating film 18.例文帳に追加

すると、シリコン半導体基板２の表面より上層の多層構造を形成した後に熱処理が行われ重水素とシリコンの結合が切断されたとしても、シリコン半導体基板２のソース／ドレイン拡散層１６および１７とゲート絶縁膜１８との間の界面に継続的に重水素を供給できるようになる。 - 特許庁

In order to suppress especially transfer characteristics degradation caused by potential barrier wall of a surface shield layer 205 prominent in p/n/n^-/p^+/n structure, a part of a charge accumulation part 204 is formed in such depth as away from a silicon-gate oxide film interface 209 under a transfer gate electrode, directly below the transfer gate electrode 208.例文帳に追加

特に、ｐ／ｎ／ｎ^−／ｐ^＋／ｎ構造において顕著となる表面シールド層２０５によるポテンシャル障壁に起因する転送特性劣化を抑えるために電荷蓄積部２０４の一部を転送ゲート電極２０８の直下であって、且つ、転送ゲート電極下のシリコン−ゲート酸化膜界２０９面から離れた深さに形成する。 - 特許庁

In a method for peeling an adhesive type optical film from a substrate with an optical film on the substrate surface of which the adhesive type optical film is adhered, this is a peeling method for adhesive type optical film to peel in a condition where liquid exists in a peeling interface between the adhesive agent layer of the adhesive type optical film and the substrate.例文帳に追加

基板表面に粘着型光学フィルムが貼付けられている光学フィルム付き基板から粘着型光学フィルムを剥離する粘着型光学フィルムの剥離方法において、粘着型光学フィルムの粘着剤層と基板との剥離界面に液体が存在する状態で剥離することを特徴とする粘着型光学フィルムの剥離方法。 - 特許庁

This ceramic complex for transplantation includes an apatite substrate phase, a secondary phase positioning n the substrate phase and comprising a ceramic material as a reinforcement, and a barrier layer comprising a ceramic material coating on the secondary phase, positioning in between the substrate phase and the secondary phase and suppressing an interface reaction reacted between the substrate phase and the secondary phase.例文帳に追加

アパタイト素地相と、該素地相内に位置する、補強材としてのセラミック材料からなる２次相と、該２次相をコーティングして、前記素地相と前記２次相間に位置し、前記素地相と前記２次相間との間で生じる界面反応を抑制するセラミック材からなる障壁層とを含んでなることを特徴とする生体移植用セラミック複合体。 - 特許庁

To provide a method of obtaining nitride semiconductor chips having excellent light emitting characteristics without deterioration of crystallinity while preventing occurrence of cracking or chipping in a cut surface or an interface when a nitride semiconductor wafer including a nitride semiconductor as a substrate and a light emitting active layer is cut into chips, the cut chips having a predetermined shape and size with good yield.例文帳に追加

窒化物半導体を基板とする光を発する活性層を含む窒化物半導体ウエハーをチップ状に分割する際に、切断面、界面のクラック、チッピングの発生を防止し、結晶性を損なうことなく優れた発光性能を有する窒化物半導体チップを得ると共に、歩留良く所望の形とサイズに切断する方法を提供する。 - 特許庁

The light beam is entered into each of the dielectric blocks 52 with an incident optical system 20 at an incident angle obtained total reflection conditions at an interface between the blocks 52 and a thin film layer 14, and then the strength distribution of the light beam, which are totally reflected at each of the interfaces, individually received with a plurality of the light receiving means 30.例文帳に追加

光ビームは入射光学系２０により、各誘電体ブロック５２に対して、誘電体ブロック５２と薄膜層１４との界面で全反射条件が得られる入射角で入射せしめられ、各界面で全反射した光ビームを複数の受光手段３０で個別に受光し光ビームの強度分布を測定する。 - 特許庁

By using an analog switch 4 extremely reducing internal delay time, ON resistance and load capacity in place of a three-port physical layer LSI 16 based on a conventional P1394 a draft 2.0, a route can be switched by an electric connection or disconnection while suppressing an influence to be exerted upon data 8 of an IEEE1394 interface circuit 3 as much as possible.例文帳に追加

内部遅延時間、ＯＮ抵抗および負荷容量の極めて小さいアナログスイッチ４を、従来のＰ１３９４ａｄｒａｆｔ２．０に準拠した３ポート物理層ＬＳＩ１６の代わりに使用することにより、ＩＥＥＥ１３９４インタフェース回路３のデータ８に与える影響を極力抑えて、電気的に接続又は切断することによる経路の切替えを可能となる。 - 特許庁

A device comprises the capacity element 18 composed of the capacitive insulating film 16 which is formed on a semiconductor substrate 10 made of silicon and composed of a bottom electrode 15 and top electrode 17 made of platinum and the insulating metal oxide sandwiched between them, and a barrier layer 21B which is made of titanium oxide having an interface with the top electrode 17.例文帳に追加

シリコンからなる半導体基板１０の上に形成され、白金からなる下部電極１５及び上部電極１７並びにそれらの間に挟まれた絶縁性の金属酸化物からなる容量絶縁膜１６により構成された容量素子１８と、上部電極１７と界面を持つ窒化チタンからなるバリア層２１Ｂとを備えている。 - 特許庁

Each circuit layer in the multilayer semiconductor stack includes an interlayer interface region that is disposed at substantially the same location such that, when the semiconductor dies 12 upon which circuit layers are disposed are arranged together in a stack, conductors disposed within each semiconductor die are aligned with one another to provide an interlayer bus 16 that is oriented vertically with respect to the individual circuit layers.例文帳に追加

回路層が配置されている半導体ダイ１２がスタック内で互いに配置されたときに、各半導体ダイ内に配置されている個々の回路層に関して垂直方向に配向された導電体の層間バス１６を与えるように互いの位置が一致するようにするために、ほぼ同じ位置に配置された層間インターフェース領域を含む。 - 特許庁

Consequently, the thermal relaxation layer of the soft resin spacer 16 is located between the integrated semiconductor light emitting element body 17 and optical lens 14, and the semiconductor light emitting device can be realized which prevents the interface peeling at each of members against a thermal stress in variation of an external temperature, is high in a light discharge efficiency, and has a high reliability.例文帳に追加

そのため、一体化した半導体発光素子体１７と光学レンズ１４との間に軟質樹脂スペーサ１６による熱応力緩和層を備えたことになり、外部温度変化時の熱応力に対して各部材間の界面剥離を阻止し、光取出し効率の高い、高信頼性の半導体発光装置を実現することができた。 - 特許庁

A region where at least one element of the electrode composition material and one element of the solid electrolyte composition material composes a compound is formed on the interface of at least one of electrodes and the solid electrolyte, and the region is made of at least either of an oxide, a hydroxide, and a nitride, and the thickness of the region layer is made to be 0.01 nm-300 nm.例文帳に追加

少なくとも一方の電極と固体電解質との界面に少なくとも電極構成材料の一元素と固体電解質構成材料の一元素が化合物を構成する領域を形成し、その領域は酸化物、水酸化物、窒化物の少なくともいずれからなり、なおかつ領域層の厚みを０．０１ｎｍ〜３００ｎｍとする。 - 特許庁

The practically opaque material layer (144) is provided with at least one inner side interface (146) delimiting an open range (148) in the shape of a predetermined character (136) and the phosphorous surface is covered by the open range (148) so that one part of the phosphorus surface in the shape of the predetermined character (136) is visible.例文帳に追加

実質的に不透明な材料の層（１４４）は、所定の文字（１３６）の形状をなす開放領域（１４８）を画定する少なくとも１つの内側境界面（１４６）を備え、前記開放領域（１４８）によって、前記所定の文字（１３６）の形状をなす前記燐光表面の一部が見えるように前記燐光表面を覆っている。 - 特許庁

In adjacent light-emitting units 160, each color element 92 of the light-emitting element 90, and a frequency 170 of a vibration added for formation of the ruggedness on the interface of a hole transport layer 54 are arranged in a given alignment pattern so that frequencies 170 of the vibration given at least one or more color elements of the same color are to be different.例文帳に追加

隣接する発光単位１６０において、少なくとも１つ以上の同一色の色要素９２に与える振動の周波数１７０を異なるようにすべく、発光層９０の各色要素９２と、正孔輸送層５４の界面に凸凹を形成すべく付加する振動の周波数１７０とを所定の配置パターンに従い配置する。 - 特許庁

To increase an operating efficiency by solving the problem of improving an interface characteristic and a hole-filling material characteristic in a manufacturing process based on an existing phase change memory technique, making small a contact surface area of layer materials different in simple manufacturing processes, stabilizing a component characteristic, simplifying the manufacturing process, and decreasing an operational current.例文帳に追加

既存の位相変化メモリ技術が持つ製造プロセスでインターフェイスの特性と穴込め材料の特性を改良する問題を解決し、簡単な製造プロセス条件で異なる層材料における接触面積を小さくし、部品特性の安定化を図り、製造プロセスを簡略化し、使用電流を少なくし操作効率を高めることを目的とする。 - 特許庁

Thereby, since the electron emitting source has the carbon system substance and a metal carbide coating film formed on its surface, or a metal carbide layer is formed at the interface between the carbon system substance and the metal coating film, the electron emitting source having an improved electron emission lifetime characteristics without deteriorating electron emission characteristics can be obtained.例文帳に追加

これにより、電子放出源は、カーボン系物質とその表面に金属炭化物コーティング膜が形成されるか、またはカーボン系物質と金属コーティング膜との界面に金属炭化物層が形成されているので、電流放出特性の低下なしに電子放出寿命特性が改善された電子放出源を得ることができる。 - 特許庁

To provide a laminate suitable for a printed circuit board, which is excellent in adhesiveness to an insulating film and is easily capable of forming a conductive layer in an arbitrary solid surface with small irregularity in the interface with the insulating film, and to provide a printed circuit board on a substrate formed thereby, which has fine interconnections with excellent adhesiveness to the insulating film.例文帳に追加

絶縁膜との密着性に優れ、絶縁膜との界面における凹凸が小さい導電性層を任意の固体表面に容易に形成しうるプリント配線板用として好適な積層体、及び、それを用いて形成した基板上に、絶縁膜との密着性に優れた高精細の配線を有するプリント配線板を提供する。 - 特許庁

Wire browser information and a CAN ledger (first design information) obtained by generating a harness connection model and a CAN communication model and a signal name conversion table (second design information) obtained by generating control models are used to generate a connection file defining signal transmission/reception between a plurality of control models in an interface conversion layer computer 30.例文帳に追加

ハーネス結線モデルやＣＡＮコミュニケーションモデルの作成で得られるワイヤブラウザ情報やＣＡＮ台帳（第１の設計情報）と、制御モデルの作成で得られる信号名称変換表（第２の設計情報）とを用いて、インターフェース変換層コンピュータ３０において複数の制御モデル間での信号の送受信を定義した接続ファイルを作成する。 - 特許庁

The piezoelectric actuator is provided with the stack of a piezoelectric layer 64 formed of a piezoelectric material, a plurality of internal electrodes 66, 68 disposed through the stack, an insulating means 72 that at least locally cover at least one surface of the stack for forming a piezoelectric/insulation interface 74, and two side electrodes 60a, 62a or more that are connected to two groups of internal electrodes 66, 68 or more.例文帳に追加

圧電アクチュエータは、圧電材料でできた圧電層６４スタックと、スタックを通して配置された複数の内部電極６６、６８と、圧電／絶縁インターフェース７４の形成のためスタックの少なくとも一表面を少なくとも部分的に覆う絶縁手段７２と、２以上の内部電極６６，６８群に接続する２以上の側部電極６０ａ，６２ａとを備える。 - 特許庁

The polymer electrode film/catalyst bonding material mainly composed of hydrogen with a surface roughness ≤1 μm in its interface contains a polymer electrode film 2 mixed with 85 to 95 wt.% polymer (A) and 5 to 15 wt.% polymer (B), and an electrode catalyst layer 1 directly bonded at least to one side of the polymer electrode film.例文帳に追加

ポリマー（Ａ）８５〜９５重量％およびポリマー（Ｂ）５〜１５重量％が混合されてなる高分子電解質膜２と、該高分子電解質膜の少なくとも片面に直接接合された電極触媒層１とを含み、膜／触媒界面の表面粗度が1μｍ以下であることを特徴とする、水素を燃料とする燃料電池用の高分子電解質膜／触媒接合体。 - 特許庁

A joint body 21 is formed by injecting a thermoplastic resin into a cavity 61 in a state that a pipe end of the composite pipe 1 is exposed into the cavity 61 of a die 6, and at least an inner layer 12 of the composite pipe 1 is continuously fused with the joint body 21 on its interface in a circumferential direction, thereby integrating the composite pipe 1 with the joint body 21.例文帳に追加

金型６のキャビティ６１内に複合管１の管端部を臨ませた状態で、熱可塑性樹脂をキャビティ６１内に射出充填して継手本体２１を成形すると同時に、少なくとも複合管１の内層１２と、継手本体２１とをその界面で周方向に連続して融着することによって複合管１と継手本体２１とを一体化した。 - 特許庁

The semiconductor device includes an interlayer insulation film 36 formed above a semiconductor substrate 10, the conductor 50 containing Cu formed in the interlayer insulation film 36, and a barrier metal film 46 formed between the interlayer insulation film 36 and the conductor 50 and formed of a multilayer film of a Ti film 42 and a Ta film 44, and an interface layer 54 containing Ti and Si is formed on the surface of the conductor 50.例文帳に追加

半導体基板１０の上方に形成された層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜３６内に形成されたＣｕより成る配線５０と、層間絶縁膜３６と配線５０の間に形成され、Ｔｉ膜４２とＴａ膜４４との積層膜より成るバリアメタル膜４６とを有し、配線５０表面に、ＴｉとＳｉとを含む界面層５４が形成されている。 - 特許庁

The method peels the first substrate and the second substrate from the inside or interface of the peeling layer (3) of the multilayer substrate under a negative pressure.例文帳に追加

本発明に係る剥離方法は、剥離層(3)とその上部に形成された半導体素子(55)とを有する第１基板(S1)と、前記第１基板の前記半導体素子形成面と接着層(18)を介して接合された第２基板（S2)とを有する積層基板(S)の剥離方法であって、負圧状態下で、前記積層基板の前記剥離層(3)の層内又は界面から前記第１基板と前記第２基板とを剥離する。 - 特許庁

In the liquid crystal display having a liquid crystal panel structure comprising a pair of substrates disposed opposite to each other and a liquid crystal encapsulated between the substrates, a resin layer having a network structure formed by curing of a curing resin containing a monofunctional monomer and a multifunctional monomer intervenes at the interface between the liquid crystal and a liquid crystal panel constituent.例文帳に追加

一対の対向して配置された基板と、それらの基板の間に封入された液晶とを含むパネル構造をもった液晶表示装置において、液晶と液晶パネル構成要素の界面に、単官能性モノマー及び多官能性モノマーを含む硬化性樹脂の硬化によって形成された網目構造をもった樹脂層が介在せしめられているように構成する。 - 特許庁

To provide an exterior container which constitutes a vacuum heat insulating material improving the effect on an ethylene/vinyl ester copolymer saponified film due to plasma etching, preventing the yellowing thereof and the formation of a weak interface layer and superior in its adhesion and gas barrier properties.例文帳に追加

エチレン−ビニルエステル共重合体ケン化物フィルムへのプラズマエッチングによる影響を改善し、その黄変、弱界面層の形成を防止し、エチレン−ビニルエステル共重合体ケン化物フィルムと無機酸化物からなる薄膜層との密着強度等を改良し、その密着性に優れ、かつ、ガスバリア性に優れ、更に、これを使用した真空断熱材を構成する外装容器を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive capable of forming an adhesive layer that has good adhesion to an adherend, and does not cause foaming, lifting, peeling or also an optical leakage phenomenon in an applied interface, even if exposed to a high temperature and high humidity and the like for a long period of time after applied to the adherend, but excels in workability, as well as to provide an optical adhesive sheet.例文帳に追加

本発明の目的は、被着体への密着性が良く、被着体に貼着後、高温高湿下等に長期間曝されても、貼着界面に発泡が生じず、かつ浮き・剥がれも生じず、さらに光漏れ現象も発生しないだけではなく、加工性にも優れる粘着層の形成が可能な粘着剤、及びその光学用粘着シートを提供することにある。 - 特許庁

A first insulating film 2 is formed on a semiconductor substrate 1, a wiring groove 3 is formed in the first insulating film 2, a first wiring 6 is formed by burying a metal film 5 in the wiring groove 3, a protection film 7 is formed on the first insulating film 2 and the first wiring 6, and a reaction layer 8 is formed on an interface between the first wiring 6 and the protective film 7.例文帳に追加

半導体基板１の上に第１の絶縁膜２を形成し、第１の絶縁膜２に配線溝３を形成し、配線溝３の内部に金属膜５を埋め込んで第１の配線６を形成し、第１の絶縁膜２及び第１の配線６の上に保護膜７を形成し、第１の配線６と保護膜７との界面に反応層８を形成する。 - 特許庁

To provide a deterioration preventing agent for nonaqueous electrolytic solution electrical doublelayered capacitor which can keep an electrical characteristics such as electrical conductivity, etc., and prevent deterioration of the nonaqueous electrolytic solution by adding it to the nonaqueous electrolytic solution in a nonaqueous electrolytic solution electric double-layer capacitor, and which can make the interface resistance of the nonaqueous electrolytic solution to be lower and realize superior low-temperature characteristic.例文帳に追加

非水電解液電気二重層キャパシタにおける非水電解液に添加することによって、十分な電気伝導性等の電気特性を維持させつつ、非水電解液の劣化を防止し、さらに非水電解液の小界面抵抗化が可能で、優れた低温特性を付与し得る非水電解液電気二重層キャパシタ用劣化防止剤を提供すること。 - 特許庁