「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a sulfide solid electrolyte particle capable of suppressing formation of a high resistance layer caused by reactions of an oxide active material and a sulfide solid electrolyte material, and low in interface resistance.例文帳に追加

本発明は、酸化物活物質および硫化物固体電解質材料の反応によって生じる高抵抗層の生成を抑制でき、界面抵抗の低い硫化物固体電解質粒子を提供することを主目的とする。 - 特許庁

The apparatus includes an authentication module, application software, and an interface for communicating with a remote server over a data communication network, wherein the application software includes instructions for using the authentication module to authorize an application layer interaction with the remote server.例文帳に追加

認証モジュールと、アプリケーションソフトウェアと、データ通信ネットワークを介して、リモートサーバと通信するインターフェースとを備え、該アプリケーションソフトウェアは、該認証モジュールを用いて、該リモートサーバにアプリケーション層相互作用を認可する命令を含む装置。 - 特許庁

To improve the mechanical strength and interface adhesion of a low dielectric constant layer containing a methyl group, which is formed on a methyl group content silicon nitride film for Cu diffusion prevention.例文帳に追加

本発明は、Ｃｕ拡散防止のためのメチル基含有窒化珪素膜上に形成される、メチル基を含む低誘電率層の機械的強度や界面密着性を向上できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

To provide a MOS hetero structure wherein structure defects in semiconductor substrates are decreased, or no structure transition layer exists near an interface between an insulation film on a semiconductor substrate and the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板中の構造欠陥が低減されたＭＯＳ型ヘテロ構造、或いは、半導体基板上の絶縁膜における半導体基板との界面の近傍に構造遷移層が存在しないＭＯＳ型ヘテロ構造を提供する。 - 特許庁

To provide a high-speed nonvolatile semiconductor storage device where the rise of both of an interface property between a semiconductor substrate and an insulating layer and a ferroelectric property can be expected, and the dispersion of property is small, and the voltage is low.例文帳に追加

半導体基板と絶縁体層間の界面特性と強誘電特性の両方の向上が望め、特性のばらつきが小さく低電圧で高速不揮発性の半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a substrate which simultaneously satisfies the formation of a seed crystal for crystal growth and the formation of random recesses in the interface of a substrate and a crystal layer, when a crystal for an LED (Light Emitting Diode) is grown on the substrate by CVD (Chemical Vapor Deposition).例文帳に追加

基板の上にＣＶＤでＬＥＤのための結晶成長させるとき、結晶成長の種結晶を形成することと、基板と結晶層の界面にランダムな凹みを設けることを同時に満たす基板を提供する。 - 特許庁

Thereby, the conduction between the barrier rib 14 and the grid electrode 27 is cut off by the intermediate layer 30, and the reduction of the lead glass due to the oxidation of Al at baking is prevented on the interface between the barrier rib 14 and the grid electrode 27.例文帳に追加

これにより、隔壁１４とグリッド電極２７との間の導通が中間層３０で遮断され、隔壁１４とグリッド電極２７との界面において、焼成時のＡｌの酸化による鉛系ガラスの還元が防止される。 - 特許庁

The method for manufacturing a flexible display device, by using a resin substrate comprises the steps of forming the resin substrate on a fixed substrate, having a separation layer; forming at least a TFT element on the resin substrate; and peeling the resin substrate from the fixed substrate within the separation layer at an interface thereof, by irradiating the separation layer with a laser beam.例文帳に追加

分離層を有する固定基板上に樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記分離層にレーザー光を照射することにより、前記分離層の層内または界面において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程とを行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。 - 特許庁

To provide a method by which a surface oxide film formed on a semiconductor layer made of InGaAs or InGaAsP is effectively removed to form a clean flat surface and at the same time to form a semiconductor layer for relieving lattice distortion to relieve accumulated distortion at a growing interface and then a III-V group compound semiconductor layer having less defects and good crystallinity is regrown.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓもしくはＩｎＧａＡｓＰよりなる半導体層上に形成されている表面酸化膜を効果的に除去し、清浄で平坦な表面を形成すると同時に、格子歪みを緩和する半導体層を形成させて、成長界面に歪みの蓄積がなく、再成長膜に欠陥の発生の少ない結晶性の良好なIII−Ｖ族化合物半導体膜を再成長する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery having high output by using polyimide as binder resin, enhancing binding between a negative electrode core and a negative electrode mix layer even if rolled copper foil is used as the negative electrode core, preventing peeling off of the negative electrode mix layer from the negative electrode core, and hardly forming a resistive element on the interface between the negative electrode core and the negative electrode mix layer.例文帳に追加

ポリイミドをバインダー樹脂として用いるとともに、圧延銅箔を負極芯体として用いても、負極芯体と負極合剤層との結着力を向上させて、負極芯体から負極合剤層が剥離しないような負極を得るとともに、負極芯体と負極合剤層との界面に抵抗体が形成されにくくして、高出力の非水電解質二次電池を提供する。 - 特許庁

The method further includes providing a capping layer on the first region between the dielectric layer and the gate electrode to change the work function of the gate electrode on the first region, and embedding species so as to introduce the species at an interface between the dielectric layer and the gate electrode in the second region to change the work function of the gate electrode on the second region.例文帳に追加

上記方法は、さらに、誘電性層とゲート電極との間で第１領域上にキャッピング層を設けることで第１領域上のゲート電極の仕事関数を変更し、及び第２領域における誘電性層とゲート電極との間の界面でスピーシーズを導入するようにスピーシーズを埋め込むことにより第２領域上のゲート電極の仕事関数を変更することを備える。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode in which concentration of an external stress on the vicinity of the top face of the sidewall of a trench can be relaxed by dispersing the stress in a barrier metal layer even when the external stress generated from an electrode metal layer acts on the joint interface of the barrier metal layer and a conductor, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

バリア金属層と導電体との接合界面に電極金属層等から生じる外部応力が作用した場合においても、この応力をバリア金属層内にて分散させることにより、外部応力がトレンチの側壁上面付近に集中するのを緩和することができ、逆方向電流（ＩＲ）を小さくすることができるショットキーバリアダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The photoelectric conversion device includes a semiconductor layer and a dielectric film set to contact the surface of the semiconductor layer, wherein the dielectric film has an impurity as a positive or negative fixed charge near the interface between the dielectric film and the semiconductor layer and has transparent conductive film on its surface, and carriers move the dielectric film by a tunnel effect and are extracted from the transparent film to the outside.例文帳に追加

半導体層と、半導体層の表面に接するように設置された誘電体膜とを含み、誘電体膜は、半導体層との界面近傍に、正または負の固定電荷となる不純物を有し、誘電体膜の表面上に透明導電膜を有しており、キャリアがトンネル効果によって誘電体膜を移動して透明導電膜から外部に取り出される光電変換装置である。 - 特許庁

In the membrane electrode assembly 10 having an anode 12 having a catalyst layer 12b, a cathode 13 having a catalyst layer 13b, and an electrolyte membrane 11 interposed between the catalyst layers, distribution of an ion exchange capacity in the thickness direction of the electrolyte membrane 11 becomes maximum at a point of 10 to 50% from the interface between the electrolyte membrane 11 and the catalyst layer 12b of the anode 12.例文帳に追加

触媒層１２ｂを有するアノード電極１２と、触媒層１３ｂを有するカソード電極１２と、これらの触媒層の間に狭持された電解質膜１１とを有する膜電極接合体１０において、電解質膜１１の厚み方向のイオン交換容量の分布が、前記アノード電極１２が有する触媒層１２ｂとの界面から１０〜５０％の点において最大である該電解質膜１１。 - 特許庁

To provide a solar cell of high energy conversion efficiency by reducing recombination of carrier by partially providing an insulating layer to a junction interface between a back electrode film and a semiconductor thin film which becomes a light absorbing layer, and by reducing defect density and improving carrier concentration by adding Ia group element or Vb group element to a partial insulating layer and diffusing it to the semicondcutor thin film.例文帳に追加

裏面電極膜と光吸収層となる半導体薄膜の接合界面に部分的に絶縁層を設けることによりキャリアの再結合を低減し、かつ部分的な絶縁層にＩａ族元素あるいはＶｂ族元素を添加することにより半導体薄膜へ拡散させて、欠陥密度の低減やキャリア濃度の向上を行い、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。 - 特許庁

The circuit board 14 includes: a single-layer substrate 14a on which an analog circuit 20b and a digital circuit 20a are mounted; and multilayer substrates 14b and 14c which have connectors (an interface 30 for HDMI and a panel output interface 33) for communication with external devices at one end and wiring patterns 31 and 34 for electrically connecting the connectors with the digital circuit 20a.例文帳に追加

回路基板１４において、アナログ回路２０ｂとデジタル回路２０ａとを実装する単層基板１４ａと、一端側に外部との交信を行うコネクタ（ＨＤＭＩ用インターフェース３０、パネル出力インターフェース３３）を実装すると共に、それらコネクタとデジタル回路２０ａとの間を電気的に接続する配線パターン３１、３４が形成された多層基板１４ｂ、１４ｃとを、備える。 - 特許庁

To provide an information recording medium having excellent rewriting performance over a number of times and provided with interface layers having an excellent storage life under humidification environment, in the information recording medium using a high melting point phase transition recording layer material.例文帳に追加

本発明の目的は、高融点相変化記録層材料を使用した情報記録媒体において、多数回書換性能に優れ、なおかつ加湿環境下での保存寿命に優れた界面層を備える情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

A communication unit comprises a TCP/IP application group 31, a transport layer protocol stack 32, an IP protocol stack 33 having no routing function, an Ethernet driver 34 and an Ethernet interface 35, and a driver 36 for an internal bus is connected to the Ethernet driver 34.例文帳に追加

通信ユニットは、ＴＣＰ／ＩＰアプリ群３１と、トランスポート層プロトコルスタック３２と、ルーティング機能を備えていないＩＰプロトコルスタック３３と、イーサネットドライバ３４と、イーサネットインタフェース３５と、を備え、イーサネットドライバ３４に、内部バス用のドライバ３６を接続する。 - 特許庁

In the reflective liquid crystal display device using cholesteric liquid crystal, an alignment layer of which the surface free energy of the surface is between 80 and 125 mN/m is disposed in a position being a liquid crystal interface.例文帳に追加

コレステリック液晶を用いた反射型液晶表示装置に於いて、液晶界面となる位置に表面に於ける表面自由エネルギーが８０ｍＮ／ｍ以上、且つ、１２５ｍＮ／ｍ以下である配向膜を配設してなることを特徴とする。 - 特許庁

To enlarge the area of pn junction interface by preventing the short circuit between an n-electrode and a p-type nitride semiconductor layer and reducing the area of occupation of the n-electrode, in a pn junction type nitride semiconductor element made on an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板上に形成されたｐｎ接合型窒化物半導体素子において、ｎ電極とｐ型窒化物半導体層の短絡を防止すると共にｎ電極の占有面積を減少することにより、ｐｎ接合界面の面積を広げる。 - 特許庁

A laminated ceramic capacitor 10, in which a terminal electrode 4 is formed on an end face of a ceramic main body 1, comprises a base zinc layer 4a on an interface connected to the ceramic main body 1 of the terminal electrode 4.例文帳に追加

本発明の積層セラミックコンデンサ１０は、セラミック本体１の端面に端子電極４を形成してなるセラミック電子部品において、端子電極４のセラミック本体１と接続する界面に下地亜鉛層４ａを有することを特徴とする。 - 特許庁

The oxide interface layer includes β-alumina or an oxide having a chemical composition by formula: AB_12O_19 (A is an alkaline earth metal element or a rare earth metal element: B is one or more trivalent transition metal elements; O is oxygen).例文帳に追加

酸化物界面層として、β−アルミナまたはＡＢ_12Ｏ_19（ここで、Ａ:アルカリ土類金属元素または希土類金属元素、Ｂ:１種類以上の３価の遷移金属元素、Ｏ:酸素を示す）で示される化学組成を有する酸化物が挙げられる。 - 特許庁

To provide a film forming method for obtaining an extremely thin interface oxide film having high in-plane uniformity of film thickness and less defect by performing a low oxygen partial pressure oxidation while the surface of a silicon layer is protected by a chemical oxide film.例文帳に追加

シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことにより、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得ることが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a different material joining joint between a steel sheet and an aluminum alloy sheet whose joining strength can be made high by eliminating production itself of an Al-Fe-based brittle intermetallic compound layer in the joining interface of spot welding, and a different material joining method.例文帳に追加

スポット溶接の接合界面におけるＡｌ−Ｆｅ系の脆い金属間化合物層の生成自体を無くして、高い接合強度とできる、鋼板とアルミニウム合金板との異材接合継手および異材接合方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide an oxide sliding interface-coated silicon carbide-based fiber having an interfacial layer capable of stably existing in a high temperature oxidizing atmosphere, and to provide a ceramic-based composite material reinforced with the fibers and capable of being used in the high temperature oxidizing atmosphere.例文帳に追加

高温の酸化雰囲気で安定して存在できる界面層を有する酸化物摺動界面被覆炭化ケイ素系繊維、及びこの繊維で強化された高温酸化雰囲気で使用可能なセラミックス基複合材料を提供する。 - 特許庁

Since the interface between adhesive and polyimide is eliminated in the vicinity of the micro via hole by providing the pad-like conductor layer, interfacial peeling due to thermal stress is prevented and connection reliability of the micro via hole having a low connection strength can be enhanced.例文帳に追加

微小ビアホール近傍で、パッド状の導体層を設置して接着剤とポリイミドの界面をなくすことにより、熱応力による界面剥離を防止でき、接続強度の低い微小ビアホールの接続信頼性を上げることができる。 - 特許庁

To provide a work fixing table, obtaining high degree of parallelism after machining a work by eliminating a fixing agent layer thickness of an interface between the work and the fixing table for fixing it, a work fixing method and a machining method using the work fixing table.例文帳に追加

ワークとこれを固定する固定台との界面の固定剤膜厚をなくすことにより、ワーク加工後に高い平行度が得られるようにするワーク固定台、ワークの固定方法およびこのワーク固定台を用いた機械加工方法を提供する。 - 特許庁

In a rate comparison section 131, both the ideal number of transmission bits and the number of transmission bits per OFDM symbol in the actual packet are compared, the difference thereof is determined, and said difference is outputted to a high-order layer interface section 120.例文帳に追加

レート比較部１３１では、理想的な伝送ビット数と実際のパケットにおける１ＯＦＤＭシンボル当たりの伝送ビット数との双方のビット数とを比較し、その差分を求め、その差分を上位レイヤインターフェース部１２０に対して出力する。 - 特許庁

With the use of the silicon film 110, the boron ion implanted from above the pillar part 103 in a later process is suppressed from moving/diffusing at the interface between the granular part 102 and the pillar part 103, thus punch-through to the base layer 101 side is prevented.例文帳に追加

このようなシリコン膜１１０によれば、後の工程で柱状部１０３の上部から注入されたホウ素イオンは、粒状部１０２と柱状部１０３との界面で移動・拡散が抑制され、基層１０１側への突き抜けが防止される。 - 特許庁

To provide an antireflection film which is sufficiently reduced in luminous reflectance, exhibits light color in reflection color, is superior in visibility and is suppressed from the occurrence of an iris pattern due to interference fringes of interface reflected light of a hard coat layer.例文帳に追加

視感反射率が十分に低減された反射防止フィルムであって、反射色が淡色で、視認性に優れ、且つハードコート層の界面反射光の干渉縞による虹彩模様の発生が抑えられた反射防止フィルムを提供する。 - 特許庁

The polymer electrolyte membrane/catalyst assembly is structured containing an electrode catalyst layer 1 directly jointed to at least one side face of a polymer electrolyte membrane 2 of a structure expressed in formula (1), with a surface roughness at an interface of the membrane/catalyst of 1 μm or less.例文帳に追加

下記化学式（１）で表される構造の高分子電解質膜２の少なくとも片面に直接に接合した電極触媒層１とを含み、膜／触媒界面の表面粗度が１μｍ以下である、高分子電解質膜／触媒接合体。 - 特許庁

Such construction allows a dense protective coat 5 to prevent the entry of outside air, which allows the opposed electrodes 4 to be prevented from being oxidized or the interface between the opposed electrodes 4 and the organic EL layer 3 to be prevented from peeling.例文帳に追加

このような構成としたことにより、緻密な保護膜５により外気が侵入するのを抑制することができ、対向電極４が酸化されたり対向電極４と有機ＥＬ層３との界面剥離が発生するのを抑制することができる。 - 特許庁

To provide a composite material, wherein a joining can be performed at a low temperature and the generation of residual stress and the oxidation can effectively be prevented without forming a brittle layer on the interface of the joining, and a method and apparatus for producing the composite material.例文帳に追加

低温度で接合が可能であり、接合界面に脆性層が形成されず、残留応力の発生および酸化を効果的に防止することが可能な複合材料、その製造方法および複合材料製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device having excellent resistance to plasma reduction and suppressing reflection loss on a transparent conductive film/photoelectric conversion layer interface, and to provide the photoelectric conversion device having improved battery characteristics.例文帳に追加

良好な耐プラズマ還元性を有するとともに、透明導電膜／光電変換層界面での反射損失を抑制することができる光電変換装置の製造方法、及び、電池特性が改善された光電変換装置を提供する。 - 特許庁

The CNT and Cu are simultaneously sputtered to form the CNT-containing metal layer 13, so that the CNT can be homogeneously mixed into the Cu, and interface resistance between the CNT and the Cu can be reduced to improve the electric conductivity of the wiring.例文帳に追加

ＣＮＴとＣｕを同時にスパッタリングしてＣＮＴ入り金属層１３を形成しているため、ＣＮＴをＣｕ中に均一に混入できると共に、ＣＮＴとＣｕ間の界面抵抗を低減でき配線の電気導電率が向上する。 - 特許庁

In the disclosed thin film transistor 10, the hydrogen feeding layer 8 for diffusing hydrogen to a dangling bond on an interface between a polycrystalline silicon thin film 3 and a gate insulating film 7 in a position between the film 7 and a gate electrode 9.例文帳に追加

開示される薄膜トランジスタ１０は、ゲート絶縁膜７とゲート電極９との間の位置に、多結晶シリコン薄膜３とゲート絶縁膜７との界面のダングリングボンドに水素を拡散するための水素供給層８が形成されている。 - 特許庁

In this structure, a quantity of total reflection light on the interface of the semiconductor layer decreases, resulting in an increase in light extraction efficiency from the optical semiconductor device 3, and the reduction in height of the optical semiconductor apparatus can be achieved by wireless structure.例文帳に追加

これにより、半導体層界面で全反射する光の量が減少することから、光半導体素子３からの光の取り出し効率が向上すると共に、ワイヤレス化により光半導体装置の低背化を実現する事ができる。 - 特許庁

To prevent the peeling of a cycloolefin-based resin film in the vicinity of its adhesion interface with a polarizing film formed of a polyvinylalcohol-based resin in a polarizing plate including the drawn cycloolefin-based resin film bonded to the polarizing film through an adhesive layer.例文帳に追加

ポリビニルアルコール系樹脂からなる偏光フィルムに、延伸されたシクロオレフィン系樹脂フィルムを接着剤層を介して接合してなる偏光板において、偏光フィルムとの接着界面近傍のシクロオレフィン系樹脂フィルムが剥離することを防止する。 - 特許庁

To provide a double-layer coating which is high in the weatherability of an electrodeposition coating and can secure sufficient weatherability without causing a peeling phenomenon at the interface of a top coating and an electrodeposition coating even when an intercoating is omitted in the automobile outer coating.例文帳に追加

電着塗膜の耐候性が高く、自動車の外板塗膜において中塗塗膜を省いても上塗り塗膜と電着塗膜との界面剥離現象を生じることがなく、充分な耐候性を確保することができる複層塗膜を提供する。 - 特許庁

Also, the n-type III-V-based compound semiconductor crystal layer includes a region having composition inclination, and a region for r educing gallium composition ratio X toward an opposite direction from a hetero junction interface by GaXIn1-XP (0≤X≤1).例文帳に追加

また、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層を、組成勾配を有する領域を含む構造、Ｇａ_XＩｎ_1-XＰ（０≦Ｘ≦１）でヘテロ接合界面から反対方向に向けてガリウム組成比Ｘを減少させる領域を含む構造とする。 - 特許庁

The phase difference film has the optical anisotropic layer consisting of liquid crystal composition containing more than a predetermined amount of liquid crystal compound having at least one kind of polymerization group and an additive having at least one kind of polymerization initiating function in an air interface.例文帳に追加

少なくとも一種の重合性基を有する液晶性化合物と、空気界面に少なくとも一種の重合開始能を有する添加剤を所定量以上含有する液晶組成物からなる光学異方性層を有する位相差膜。 - 特許庁

A test apparatus 100 judges a test item, and when carrying out the radio transmission characteristics test, the test apparatus 100 communicates layer 3 signals with the mobile terminal apparatus 150 to implement radio connection over CDMA radio interface and transmits a measurement signal.例文帳に追加

試験装置１００は、試験項目を判断し、無線送信特性試験を行う場合には、移動端末装置１５０との間でレイヤ３信号を伝送してＣＤＭＡ無線インターフェースによる無線接続を実現し、被測定用信号を伝送する。 - 特許庁

The metallized conductor layer 152 of the respective electrodes 111 and 112 is configured while including a nickel metal 157, a nickel oxide 158 and titanic acid barium 159, and the nickel oxide 158 is present on the interface of a nickel metal phase and a perovskite oxide phase.例文帳に追加

各電極１１１，１１２のメタライズ導体層１５２は、ニッケル金属１５７、ニッケル酸化物１５８及びチタン酸バリウム１５９を含んで構成され、ニッケル金属相とペロブスカイト型酸化物相との界面にニッケル酸化物１５８が存在している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device, which suppresses the occurrence of a void on a bonding interface between a light-emitting operation layer and a support substrate to prevent luminous efficiency, lifetime and bonding strength from decreasing; and to provide the semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

発光動作層と支持基板との接合界面においてボイドの発生を抑制し、発光効率、寿命及び接合強度の低下を防止することができる半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置を提供する。 - 特許庁

A testing device 100 decides test items and when performing the wireless transmission characteristic test, a layer-3 signal is transmitted between the device and mobile terminal equipment 150 to realize wireless connection by a CDMA wireless interface, thereby transmitting a signal to be measured.例文帳に追加

試験装置１００は、試験項目を判断し、無線送信特性試験を行う場合には、移動端末装置１５０との間でレイヤ３信号を伝送してＣＤＭＡ無線インターフェースによる無線接続を実現し、被測定用信号を伝送する。 - 特許庁