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interface layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2528



例文

To provide a reflectively backed photosensitive element used for black-and-white and color reflective liquid crystal displays, etc., particularly a reflectively backed photosensitive element which improves resistance to the peeling of a metallic film caused at the interface between a reflectively backed photosensitive resin layer described in a claim and the metallic film vapor- deposited on the top of the layer and can enhance production yield in subsequent steps.例文帳に追加

白黒並びにカラー反射液晶表示装置等に用いられる反射下地感光性エレメント、詳しくは請求項記載の反射下地感光性樹脂層とこの上面に蒸着される金属膜との界面で発生する金属膜はがれの耐性を向上し、後工程での製造歩留りを向上することができる反射下地感光性エレメントを提供する。 - 特許庁

A semiconductor element protective resin 205 formed on a semiconductor element 101 by covering it is also formed in an outer peripheral surface region between an intermediate junction layer 203 of the semiconductor element 101 and a solder junction layer 204 by covering it; and thereby crack resistance in the semiconductor element 101 and a relaxation property of stress applied to an interface between the semiconductor element 101 and a solder material 104 are improved.例文帳に追加

半導体素子101上に被覆形成される半導体素子保護樹脂205を、半導体素子101の中間接合層203とはんだ接合層204の間の外周面域にも被覆形成させ、半導体素子101内部の耐クラック性、および半導体素子101とはんだ材料104との界面に加わる応力の緩和性を向上させる。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes a step of forming an insulating film on a wafer whose surface is formed of a silicon carbide layer, and a nitriding processing step of nitriding an interface between the silicon carbide layer and an insulating film by heat-treating the wafer after insulating film formation at a predetermined processing temperature in a nitrogen oxide gas atmosphere to which carbon monoxide gas is added.例文帳に追加

本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、表面が炭化珪素層から成るウエハ上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜形成後のウエハを一酸化炭素ガスが添加された酸化窒素系ガス雰囲気中で所定の処理温度で熱処理することにより炭化珪素層と絶縁膜との界面を窒化する窒化処理工程と、を備える。 - 特許庁

The printed circuit board 100 includes: a core substrate 30 where a fiber base material is embedded in a first resin; a pair of second resin layers 10 arranged to hold the core substrate 30 between them; and a conductor 7 arranged on at least one of a surface 100a opposed to the core substrate 30 in the resin layer 10 or the interface of the resin layer and the core substrate.例文帳に追加

プリント配線板100は、繊維基材が第1の樹脂に埋設されてなるコア基板30と、コア基板30を挟むように設けられる一対の第2の樹脂層10と、樹脂層10のコア基板30側とは反対側の面100a上または前記樹脂層と前記コア基板の界面の少なくとも一方に設けられる導体7とを備える。 - 特許庁

例文

Writing of information is performed only once by generating a photochromic phenomenon by two photon absorption at a core layer in which information is to be written by using gate light GL introduced as a wave light to the core layer and data light WL on which information is superimposed and which is introduced from an interface of a plane type optical waveguide and forming a scattering factor of the wave light.例文帳に追加

情報を書き込むコア層に導波光として導入したゲート光GLと、情報が重畳され平面型光導波路の界面から導入したデータ光WLとにより、情報を書き込むコア層に、2光子吸収によるホトクロミック現象を生じさせ、導波光の散乱要因を形成することにより、1度だけ情報の書込を行う。 - 特許庁


例文

The photoelectric conversion element comprises a semiconductor substrate having protrusions and recesses formed on the surface, and a metal electrode formed on the protrusions and recesses which are formed on the surface of the semiconductor substrate, a glass layer existing at least partially on the interface of the surface of the semiconductor substrate and the metal electrode, and metal particles existing in the glass layer in contact with the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

表面に凹凸が形成された半導体基板と、前記半導体基板表面の凹凸上に形成された金属電極と、前記半導体基板表面と前記金属電極との界面の少なくとも一部に存在するガラス層と、ガラス層中であって前記半導体基板表面に接触して存在する金属粒子と、を有する光電変換素子。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of a transistor structure having a first interlayer insulating film, a first wiring layer, a second interlayer insulating film and a second wiring layer on a semiconductor substrate, which can prevent disconnection of electrode wiring at an interface between the first and second interlayer insulating films at the time of making a contact hole in the interlayer insulating films to form the transistor structure.例文帳に追加

半導体基板上にトランジスタ構造、第1層間絶縁膜、第1配線層、第2層間絶縁膜、第2配線層を有する半導体装置において、第1及び第2層間絶縁膜にコンタクト孔を形成し電極構造を作成する際、層間絶縁膜界面での電極断線を防ぐ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a preferable single film for optical having no problem (heat-resistance, interface adhesion property, interference stripe and optical anisotropy) as an optical film using a PET film and a TAC film and by laminating of a hard coat layer for compensating it and a primer layer for laminating it, and having self-support property solving cost increase by multiple steps for giving function.例文帳に追加

PETフィルムやTACフィルムを用い、それを補完するためのハードコート層およびそれを積層するためのプライマー層などの積層による光学フィルムとしての課題(耐熱性、界面接着性、干渉縞、光学異方性)が無く、機能付与のための多工程によるコストアップなどを解決した自己支持性を有する光学用に好適な単独フィルムを提供する。 - 特許庁

In the battery, a negative electrode active material layer 12 containing at least one kind out of Sn and a compound thereof is formed at the negative electrode current collector 11 by a gas phase method, a liquid phase method or a sintering method, and the negative electrode current collector 11 and the negative electrode active material layer 12 are alloyed at least in one part of the interface.例文帳に追加

基材11Aに突起部11Bを設けた負極集電体11に、気相法,液相法または焼結法により、Snの単体および化合物からなる群のうちの少なくとも1種を含む負極活物質層12を形成し、負極集電体11と負極活物質層12とを界面の少なくとも一部において合金化したものである。 - 特許庁

例文

The positive current collector 10 is composed of a conductive layer 14 with conductivity laminated on a base material 12 made of aluminum or aluminum alloy, and the base material 12 has a surface oxidized film 16 on an interface between the base material body and the conductive layer 14 and the thickness of the surface oxidized film 16 is 3 nm or less.例文帳に追加

本発明によって提供される正極集電体10は、アルミニウムまたはアルミニウム合金製の基材12上に、導電性を有する導電層14を積層してなる正極集電体10であって、該基材12は基材本体と導電層14との界面に表面酸化膜16を有し、この表面酸化膜16の厚さが3nm以下である。 - 特許庁

例文

An ohmic electrode structure has an SiC substrate 1, p-type SiC area 2 formed on the surface of the substrate 1, thermally reacted layer 8 formed on the surface of the area 2, thermally oxidized film 3 covering the interface between the substrate 1 and area 2, upper insulating film 4 arranged on the surface of the oxidized film 3, and electrode film 7 arranged on the reacted layer 8.例文帳に追加

SiC基板1、SiC基板1の表面に形成されたp型SiC領域2、このp型SiC領域2の表面に形成された加熱反応層8、SiC基板1とp型SiC領域2との界面を覆う熱酸化膜3、熱酸化膜3の表面に配置された上部絶縁膜4、加熱反応層8の上部に配置された電極膜7とを有する。 - 特許庁

The second direction is chosen such that, when, among light rays passing through the first light deflection liquid crystal cell, a polarization component whose vibration direction of an electric vector is orthogonal to the first direction reaches the interface between the liquid crystal layer and prism layer of the second light deflection liquid crystal cell, a vibration direction of an electric vector of the polarization component is parallel to the second direction.例文帳に追加

第1の光偏向液晶セルを透過した光線のうち、電気ベクトルの振動方向が第1の方向と直交する偏光成分が、第2の光偏向液晶セルの液晶層とプリズム層との界面に到達したとき、当該偏光成分の電気ベクトルの振動方向と第2の方向とが平行になるように、第2の方向が選択されている。 - 特許庁

The separator 3 for the fuel cell obtained by nitriding the surface of a substrate 10 comprising alloy containing a transition metal element selected from Fe, Cr, Ni, and Mo has a nitrided layer 11 having hexagonal system crystal structure in the depth direction from the surface 10a of the substrate 10, and the substrate 10 contains nitrogen in an interface region 10b between the substrate 10 and the nitrided layer 11.例文帳に追加

Fe、Cr、Ni及びMoの中から選ばれた遷移金属元素を含む合金からなる基材10の表面を窒化処理することにより得られる燃料電池用セパレータ3であって、基材10の表面10aから深さ方向に立方晶の結晶構造を有する窒化層11を備え、基材10は窒化層11との界面領域10bに窒素を含有する。 - 特許庁

An outer resin layer 1 not containing a substance changed photochemically by laser beam and an inner resin layer 2 containing the substance changed photochemically by laser beam are provided and the substance changed photochemically by laser beam contained in the inner resin layer 2 is changed to form a marking part 3 and the outer and inner resin layers 1, 2 are integrally formed so that no gap is present in the interface 4 between both layers.例文帳に追加

レ−ザ−光により光化学的に変化する物質を含まない外層側樹脂層1及びレ−ザ−光により光化学的に変化する物質を含む内層側樹脂層2を設け、内層側樹脂層2に含まれているレ−ザ光により光化学的に変化する物質を変化させてマ−キング部3を形成するとともに、外層側樹脂層1と内層側樹脂層2とを両者間の界面4に間隙が存在しないよう一体に形成する。 - 特許庁

In the high-frequency module, a channel layer for running a channel has a hetero junction made of at least two types of hetero materials, and an MMIC having a field effect transistor where the height of the potential barrier of the interface of the hetero material is less than 0.22 eV is mounted.例文帳に追加

本願発明は、キャリアを走行させるチャネル層が2種類以上の異種材料のヘテロ接合を有して構成され、かつ、該異種材料の界面のポテンシャル障壁の高さが、0.22eV未満である電界効果トランジスタを有するMMICを搭載した高周波用モジュールである。 - 特許庁

For example, if the chemical substance layer forming processing is performed after the press molding, the crevice 30 produced in the interface of the mother material 10 and the conductive intervening thing 20 is filled by volume expansion of the mother material 10, and the fault, which is produced when the crevice 30 existed, can be canceled.例文帳に追加

例えば、プレス成形後に化学物層形成処理を行うと、プレス成形によって母材10と導電性介在物20との界面に生じていた隙間30が母材10の体積膨張により埋められ、隙間30が存在することによって生じていた不具合が解消される。 - 特許庁

Before the lamination of the ion-exchange membrane disposed on the biological interface with a medicine solution holding layer in a production process of the iontophoresis apparatus, a counter ion of an ion exchange radical of the ion-exchange membrane is substituted by a medicine ion by the impregnation beforehand with the medicine solution, or the like.例文帳に追加

イオントフォレーシス装置の製造工程において、生体界面上に配されるイオン交換膜を薬剤溶液保持層と積層するに先立ち、予め薬剤溶液に含浸させるなどして、該イオン交換膜の有するイオン交換基の対イオンを薬剤イオンと置換しておく。 - 特許庁

To provide a stress measuring instrument for microtome for correctly transmitting energy to a high-sensitivity force converter even if a change in stress is slight in cutting on an interface between minute substance mixtures or thin layer bodies, and to provide a sample determining device for microtome.例文帳に追加

微細物質混入体あるいは薄積層体の界面における切削時の応力が微弱な変化であっても、その際のエネルギーが高感度力変換器に正しく伝達できるミクロトーム用応力測定装置、およびミクロトームにおける試料判定装置を提供する。 - 特許庁

At least two or more interfaces are formed by a solution containing a first solvent in which carbon fullerenes are dissolved in a saturated state and a second solvent having lower solubility to the fullerenes than that of the first solvent, and then a two-layer separation state is formed at each interface to deposit the fullerene nanowhiskers.例文帳に追加

炭素フラーレン類を飽和に溶解させた第1溶媒を含む溶液と、前記第1溶媒よりフラーレンの溶解度が低い第2溶媒で、少なくとも2以上の界面を作り、それぞれの界面において2層分離状態を形成してフラーレンナノウィスカーを析出する。 - 特許庁

For solving the problem, the copper foil with carrier sheet is employed which has a copper foil on the surface of a carrier sheet through a joining interface layer so as to make the carrier sheet physically peelable.例文帳に追加

前記課題を解決するために、キャリアシートの表面に接合界面層を介して銅箔層を有し、当該キャリアシートが物理的に引き剥がし可能なキャリアシート付銅箔であって、当該接合界面層は、金属層と炭素層とからなることを特徴とするキャリアシート付銅箔を採用する。 - 特許庁

Diffusion of ruthenium or the like into hafnium dioxide, or the like, is suppressed by inserting tantalum pentaoxide or niobium oxide, having a dielectric constant larger than that of the insulating film as a cap layer insulating film into the interface between the upper electrode of ruthenium or ruthenium oxide and the insulating film of hafnium dioxide or zirconium oxide.例文帳に追加

ルテニウム或いは酸化ルテニウムの上部電極および二酸化ハフニウム或いは酸化ジルコニウムの絶縁膜の界面に、キャップ層絶縁膜として前記絶縁膜よりも誘電率の大きな五酸化タンタル或いは酸化ニオブを挿入し、ルテニウム等の二酸化ハフニウム等中への拡散を抑制する。 - 特許庁

A control circuit applies a positive hole removing voltage higher than the voltages being applied to the first and second impurity diffusion regions to the gate electrode, and discharges holes trapped in each layer between the gate electrode and the channel region or on the interface of adjacent layers.例文帳に追加

制御回路が、第1と第2の不純物拡散領域のいずれに印加される電圧よりも高い正の正孔排除電圧をゲート電極に印加し、ゲート電極とチャネル領域との間の各層または相互に隣接する層の界面にトラップされている正孔を放出する。 - 特許庁

To provide a membrane electrode junction body for realizing a high-output solid polymer fuel cell by reducing inner resistance through improvement of a junction state of a polymer electrolyte membrane with an electrode catalyst layer, and making a three-phase interface three-dimensional to enlarge a reaction area.例文帳に追加

高分子電解質膜と電極触媒層との接合状態を向上させて内部抵抗を低減させ、かつ三相界面を三次元化し、反応面積を拡大させることにより、高出力な固体高分子型燃料電池を実現するための膜電極接合体を提供する。 - 特許庁

To obtain a coating composition capable of effectively preventing the repellence of the coating film therefrom through raising the wettability for a substrate, and when used as a primer, capable of raising the bond strength at the interface between the primer coating film and an adhesive layer bonded thereonto.例文帳に追加

基材に対するぬれ性を高めて塗膜のはじきを効果的に防止できるコーティング組成物であって、プライマーとして用いた場合に、プライマー塗膜と、その上に接着された接着剤の層との間の界面の接着強度を高めることができる組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a technique capable of reducing the increased reactive resistance (interface resistance), while preventing corrosion of an electrode collector in forming an electrode active material layer using an aqueous paste, and to provide a manufacturing method of an electrode excellent in the electrical performance by using such a technique.例文帳に追加

水性ペーストを用いて電極活物質層を形成する際に、反応抵抗(界面抵抗)の増加を抑制しつつ電極集電体の腐食を防止し得る技術を提供することであり、かかる技術を適用して電気的性能に優れる電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

The wavelength converting member in which the inorganic fluorescent powder is dispersed in the glass matrix, has a middle layer with a thickness of 0.01-5 μm consisting of a reaction product of the inorganic fluorescent powder and glass at the interface between the inorganic fluorescent powder and the glass matrix.例文帳に追加

無機蛍光体粉末がガラスマトリクス中に分散してなる波長変換部材であって、無機蛍光体粉末とガラスマトリクスの界面に、無機蛍光体粉末およびガラスの反応生成物からなる厚さ0.01〜5μmの中間層を有することを特徴とする波長変換部材。 - 特許庁

The Fe-based electrode layer takes in the carbon as a by-product of a sinter processing process for the ohmic electrode to suppress an increase in contact resistance between the SiC semiconductor substrate and ohmic electrode, caused by accumulation of carbon on a junction interface between the SiC semiconductor substrate and ohmic electrode.例文帳に追加

Fe系電極層が、オーミック電極のシンター処理工程における副生成物であるカーボンを取り込むことによって、カーボンがSiC半導体基板とオーミック電極との接合界面に堆積してSiC半導体基板とオーミック電極とのコンタクト抵抗が高くなることを抑制できる。 - 特許庁

In a semiconductor device having a low dielectric constant insulating film formed on an insulating film containing Si, an Si-rich layer whose composition is more rich in Si than the chemically logical composition of the material of the insulating film is provided at the interface between the insulating film containing Si and the low dielectric constant insulating film.例文帳に追加

Siを含む絶縁膜上に形成された低誘電率絶縁膜を有する半導体装置において、このSiを含む絶縁膜と低誘電率絶縁膜との界面に、その組成が、絶縁膜の材料の化学論理的組成よりもSi過剰なSiリッチ層を設ける。 - 特許庁

When a hot-rolled steel sheet or a cold-rolled steel sheet to be plated is dipped into a plating bath containing molten zinc or zinc base alloy and 0.14 wt.%-0.30 wt.% Al, voids tend to exist in a Fe-Al alloy layer at the interface of the steel sheet/plated film.例文帳に追加

熱延鋼板または冷延鋼板である被めっき鋼板を、亜鉛又は亜鉛系合金を溶融し、浴中Al濃度を0.14wt%以上0.30wt%以下となるようにAlを添加しためっき浴に浸漬して製造する溶融亜鉛めっき鋼板において、鋼板/めっき皮膜界面のFe-Al合金層に空孔が存在する。 - 特許庁

This antibacterial and antifungal material consists of a metal material 10 and an antimicrobial layer 2 having antibacterial and antifungal properties and arranged on the surface of the metal material and at least one of both of them is in a molten and coagulated state or both of them are in a mutually molten and coagulated state at least at the interface.例文帳に追加

金属製部材10と,その表面に配設された抗菌・防かび性を有する抗菌層2とからなり,かつ,両者の少なくとも一方がその界面において溶融凝固している状態,または,両者が少なくともその界面において相互溶融凝固している状態にある。 - 特許庁

A physical layer processing circuit 30 of an interface circuit includes: a synchronization determination circuit 32 for generating a detection signal SG1 when a synchronization lost is detected; and a timer 35 for outputting a state transition suppression signal SG3 to a connection management state machine 31 in accordance with the detection signal SG1.例文帳に追加

インターフェース回路の物理層処理回路30は、同期ロストの発生を検出したときに検出信号SG1を生成する同期化判定回路32と、検出信号SG1に応じてステート遷移抑止信号SG3を接続管理ステートマシン31に出力するタイマ35とを備える。 - 特許庁

When the substrate 100 and the nozzle plate 200 are bonded temporarily through the intermediate bonding layer 300 and then applied with an electric field, SiO_2 is formed on the interface of the nozzle plate 200 and the substrate 100 which are thereby bonded by the electrostatic force of SiO_2.例文帳に追加

基板100とノズルプレート200とを中間接合層300を介在して仮接合した後電界を加えると,ノズルプレート200と基板100との界面でSiO_2が形成され,SiO_2の静電力によりノズルプレート200と基板100とが接合される。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor which is high in thermal resistance with a measure given against the peeling off of adhesion interface of a collector and an insulative rubber by the increase of internal pressure under a high temperature environment at the time of soldering reflow, and is capable of coping with automatic packaging to a printed circuit board.例文帳に追加

半田リフロー時の高温環境下で内部圧力の上昇により集電体と絶縁性ゴムの接着界面が剥がれることへの対策が施され耐熱性が高く、かつプリント配線基板への自動実装に対応可能な電気二重層コンデンサを提供すること。 - 特許庁

A microcrystal semiconductor film is formed by laser treatment by growing a crystal using a crystal nucleus as a seed after forming the crystal nucleus using fluorine-based gas (SiF4) and silane in order to remove an amorphous layer formed on an interface between a microcrystal semiconductor film and an insulating film under the microcrystal semiconductor film.例文帳に追加

微結晶半導体膜と、その下層の絶縁膜との界面に形成される非晶質層を除くため、フッ素系ガス(SiF4)及びシランを用いて結晶核を形成した後、結晶核を種として結晶成長させ、レーザ処理にて微結晶半導体膜を形成する。 - 特許庁

To provide an inductor for electromagnetic pipe for prolonging the service life prolonged by improving the durability by means of reduction in the electromagnetic reaction force acting on a coil conductor and reduction of shear stress acting on an interface between the conductor covered with a resin impregnated fiber layer and a shaft, and a method of manufacturing the inductor.例文帳に追加

コイル導線に作用する電磁反力を低減し、樹脂含浸繊維層によって被覆された導線と軸部との界面に作用する剪断応力を低減して、耐久性を向上させ、長寿命化した電磁拡管成形用インダクタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By densifying the neighborhood of the surface of the substrate, when the tensile strength of an electrode 13 formed on the surface of the substrate is measured, generating a break starting point around the electrode is suppressed, and development in crack in the neighborhood of the interface between the electrode 13 and the topmost surface of a dielectric layer 8 is prevented.例文帳に追加

基板表面近傍が緻密になることにより、基板表面に形成された電極13の引張強度測定の際、電極周りに破壊起点が生じることを抑制し、電極13と誘電体層8の最上層の界面近傍に亀裂が進展することを防止する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board and a method of manufacturing the same which can improve the adhesion of a material interface to obtain a reliable microcircuit without changing a surface roughness, and obtain a low dielectric constant and a low loss factor by forming a fluororesin layer.例文帳に追加

表面粗度の変化なしに資材界面密着力を向上させることができて高信頼性で微細回路を実現することができるうえ、フッ素系樹脂層の形成により低誘電率と低損失係数を得ることができる、プリント基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated wafer capable of removing an oxide film by heat treatment of a shorter time compared with that in a conventional method, and capable of eliminating an island-like trace of the oxide film on a laminated interface, even when a thickness of an active layer is as thin as 500 nm or less.例文帳に追加

本発明の目的は、従来の方法に比べ短時間の熱処理で酸化膜を除去できる上、活性層の厚さが500nm以下と薄い場合であっても、貼り合わせ界面における島状酸化膜の跡を無くすことができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

Since such a structure separates flowing-in air from upper ends of the protrusions 230 to re-contact it with the tabular body 210 then thins a film of an existing temperature interface layer to increase a friction coefficient, a cooling efficiency is further improved owing to the promotion of the heat transfer.例文帳に追加

このような構成によれば、流入空気が乱流促進形突出物の上端から分離され平板形胴体に再接触されることにより既存の温度境界層を薄膜化して摩擦係数を増加させるので、熱伝達率の促進により冷却効率がさらに向上される。 - 特許庁

This invention provides the metal compound which is a p-type metal having a work function of about 4.75-5.3 eV, preferably about 5 eV and comprises MO_xN_y stable to heat on the gate stack comprising the high-k dielectric and an interface layer, and a method for manufacturing the MO_xN_y metal compound.例文帳に追加

仕事関数が約4.75から約5.3、好ましくは約5eVであるp型金属であり、高k誘電体とインタフェース層とを含むゲート・スタック上で熱に対して安定なMO_xN_yを含む金属化合物、およびこのMO_xN_y金属化合物を製作する方法が提供される。 - 特許庁

To provide a thin film semiconductor device which can constitute a low voltage circuit by improving the unevenness of Vth of a transistor formed in an active layer having a large interface level of a polysilicon or the like by performing a channel impurity density of a low Vth and a high concentration, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

低いVthと高濃度のチャネル不純物濃度を達成し、ポリシリコン等の界面準位の大きい活性層に形成したトランジスタのVthのばらつきを改善して低電圧回路の構成を可能にする薄膜半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a wiring board in which the interface between a palladium catalyst and a wiring conductor is prevented from stripping to cause the stripping or swelling of an electroless nickel plating layer after it is applied to the surface of the wiring conductor without depositing the palladium catalyst excessively.例文帳に追加

配線導体の表面にパラジウム触媒を過剰に析出させることなく、無電解ニッケルめっき層を被着させた後に、パラジウム触媒と配線導体との界面が剥離を起こし、無電解ニッケルめっき層の剥離および膨れが発生することはない配線基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a die apparatus for blow-molding a multilayer film for molding a cylindrical multilayer film, hardly causing turbulence and chemical reaction at a layer interface between intermediate layers in forming the film, preventing a failure in appearance and securing transparency and thickness accuracy.例文帳に追加

円筒状の多層フィルムを成形する多層フィルムブロー成形用の金型装置であって、フィルム成形時に中間層間における層界面での乱れや化学反応が発生し難く、外観不良を防止でき、透明性および厚さ精度を確保し得る金型装置を提供する。 - 特許庁

To provide a discharge electrode applicable as an ionizer electrode or as various other discharge application electrodes having high ion generating efficiency, excellent durability with very long life, no trouble for occurrence of dust by interface peeling of a covered layer, and being capable of manufacturing with low-cost.例文帳に追加

イオナイザー用電極を始めとする種々の放電用途に適用する放電用電極として、イオン発生効率が高く、耐久性に優れて非常に長寿命であり、被覆層の界面剥離による発塵を生じる懸念がなく、安価に製作できるものを提供する。 - 特許庁

An ATM multiplexer 10A is provided with an error check unit 15 which monitors a header of an ATM cell data transmitted/received to/from a bulk unit 20B and detects the line failure, and a physical interface 13 which disconnects the layer 1 between the ATM multiplexer 10A and the bulk unit 20B on the detection of the line failure.例文帳に追加

ATM多重化装置10Aは、バルク装置20Bとの間で送受信されるATMセルデータのヘッダを監視して、回線障害を検知するエラーチェック部15と、回線障害が検知されるとバルク装置20Bとの間のレイヤ1を断つ物理インタフェース13と、を備えている。 - 特許庁

To obtain the subject one-pack adhesive composition leaving no bubbles due to carbon dioxide generated when cured by moisture in the adhesion interface and adhesive layer and causing no deterioration of physical properties including bond strength after cured by mainly including a specific urethane prepolymer.例文帳に追加

湿気硬化時に発生する炭酸ガスに起因する発泡が接着界面及び/又は接着剤層中に残存せず、従って硬化後の接着強度等の物性低下が起こらない1液型の湿気硬化型ウレタン系接着剤組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a compound magnetic component having higher permeability by forming an interface layer generated by the mutual diffusion of atoms in a boundary between a metallic magnetic particles and a ferrite film to reduce air gaps, and improving chemical unity to facilitate the formation of a magnetic path.例文帳に追加

金属磁性粒子とフェライト被膜の境界に、原子の相互拡散による界面層を形成して空隙を少なくし、化学的結合性を向上させて、磁路の形成を容易にすることにより、より高い透磁率の複合磁気部品の製造方法を提供する - 特許庁

The computer system having an IEEE 1394 interface has a physical layer IC (PHY) 10 comprising a system power detector 11 for detecting a system power, and a bus reset signal issuing unit 12 for issuing a short bus reset (SBR) signal to an IEEE 1394 cable.例文帳に追加

本発明のIEEE1394インタフェースを有するコンピュータシステムは、物理層IC(PHY)10にシステムパワーを検出するシステムパワー検出部11と、IEEE1394ケーブル側へショートバスリセット(SBR)信号を発行するバスリセット信号発行部12と、を備えている。 - 特許庁

The spacer layer has a relatively low refractive index, images the convex-shaped surface by treating a selective and isotropic etching through an opening in an etch mask, and forms an interface together with the convex-shaped lower side surface of the micro lens after the micro lens substance is adhesively formed conformably.例文帳に追加

スペーサー層は比較的低い屈折率を有しており、エッチマスクにおける開口を介して選択的な等方的エッチング処理して凸状表面を画定し、それは、その後のマイクロレンズ物質のコンフォーマルな付着形成の後に、マイクロレンズの凸状下側表面と共に界面を形成する。 - 特許庁

例文

To provide a composite material vibrating apparatus having a reflection for reflecting vibration propagated due to acoustic impedance on an interface with a holding member which can reduce the thickness of the reflection layer, is easily made into high frequency, and can reduce cost.例文帳に追加

音響インピーダンス差により伝搬してきた振動を保持部材との間の界面で反射させる反射層を有する複合材料振動装置であって、反射層の厚みを薄くすることができ、高周波化が容易であり、かつコストを低減し得る複合材料振動装置を提供する。 - 特許庁




  
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