「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

Upon receiving the management table update completion notice or a channel alteration request from a higher layer interface 4, a radar detection judging section 333 determines a shifted channel with reference to the management table and delivers a channel shift request and a BSS channel establishment notice.例文帳に追加

レーダ検出判定部３３３は管理テーブル更新完了通知または上位レイヤインタフェース４からのチャネル変更要求を受け取ると、管理テーブルを参照して移行先チャネルの決定とチャネル移行要求、ＢＳＳ開設チャネル通知の送出とを行う。 - 特許庁

To provide a transistor whose manufacturing process is simplified and reduced in cost but which is provided with excellent ON/OFF characteristics, mobility and conductivity under a low-off current low in interface ranking, by employing the same material for the formation of a semiconductor active layer and a gate insulating film.例文帳に追加

半導体活性層およびゲート絶縁膜の形成に用いる材料を同一にすることにより、製造プロセスを簡略化し低コスト化した、界面順位の低い低オフ電流で、良好なオン／オフ特性、移動度、導電率を持つトランジスタを提供すること。 - 特許庁

To provide an electromagnetic pipe expanding inductor in which formation of voids during resin impregnation is suppressed, and electromagnetic reaction forces acting on a conductor circumference and on an interface between a shaft portion and a center-side fiber layer is diminished, and thereby durability is improved and the life of the inductor is prolonged.例文帳に追加

樹脂を含浸する際の空隙の発生を抑制すると共に、導体周囲及び軸部と中心側繊維層との界面に作用する電磁反力を低減して耐久性を向上させ、長寿命化した電磁拡管成形用インダクタを提供する。 - 特許庁

To provide an all solid secondary battery constructed small and light, equipped with excellent high capacity, large current discharging characteristic, unlikely to cause liquid leakage or fire breaking, having small interface impedance between a positive electrode, negative electrode and an electrolyte layer, and having good cyclic characteristics.例文帳に追加

小型軽量で、かつ高容量で大電流放電特性に優れるとともに、液漏れや火災発生の不都合が生じにくく、正極、負極と電解質層との間の界面インピーダンスが小さく、サイクル特性の良好な全固体型二次電池を提供する。 - 特許庁

The surface of the plated film 46 projects more than the outer surface of sealing resin 28, and also the interface between the surface of the solder plated film 46 and the base layer 44 where a solder plated film is made on the surface is positioned within the sealing resin 28 and is sealed with resin.例文帳に追加

はんだめっき被膜４６の表面が封止樹脂２８の外表面よりも突出するとともに、はんだめっき被膜４６と表面にはんだめっき被膜が形成される下地層４４との界面が封止樹脂２８内に位置して樹脂封止されている。 - 特許庁

The second process includes a process for flowing a formed pattern by heat treatment or a process for coating a formed pattern with a resin composition containing a crosslinking agent and framing it through chemical reaction at the interface of the pattern and an upper layer film.例文帳に追加

第２のプロセスとしては、形成されたパターンに熱処理を施してフローさせるプロセス、もしくは、形成されたパターンに架橋剤を含む樹脂組成物を塗布し、パターンと上層膜との界面での化学反応による枠付けを行なうプロセスを採用する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an optical semiconductor device and the semiconductor device which accurately controls the adhesion interface resistance between a light emitting layer of an InGaAlP or AlGaAs compound semiconductor and a GaP substrate and adheres them together.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｌＰ系又はＡｌＧａＡｓ系の化合物半導体からなる発光層とＧａＰ基板を、接着界面抵抗を精度良く制御して貼り合せることが可能な光半導体装置の製造方法及び光半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and an equipment for inspecting a polarization film by irradiating it obliquely with light and observing its reflected light in which a bubble defect existing on the layer interface of the polarization film can be detected accurately and easily.例文帳に追加

偏光フィルムに対して斜めに当たるように光を照射し、その反射する光を観察して検査する方法において、偏光フィルムの積層界面に存在する気泡欠陥を正確に検出することが容易な検査方法及び検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that is improved in TFT characteristics and having uniform characteristics by making the interface between an active layer proper, especially a region constituting a channel forming region, and a gate insulating film, and to provide a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域とゲート絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、ＴＦＴの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体装置およびその作製方法を提供するものである。 - 特許庁

The method of the optical resolution comprises dissolving a reagent for the optical resolution in one of two liquids forming two layers, and extracting one of a pair of the optical isomers dissolved in the other liquid, through the interface of the two layers to the other layer side.例文帳に追加

本発明は、二層を形成する２つの液体の一方に光学分割剤を溶解させ、他方の液体に溶解している一対の光学異性体の片方を、該二層の界面を経由して他層側に抽出する光学分割方法を特徴とする。 - 特許庁

Sticking of the magnetic tape 6 to the magnetic head 1 caused by oozing of many lubricants, and a friction increase on the interface between the magnetic head 1 and the magnetic tape 6 caused by depletion of lubricant oozed to the surface of a magnetic layer are prevented.例文帳に追加

また、潤滑剤が多量に染み出すことによる磁気テープ６が磁気ヘッド１に貼り付く現象や、磁性層表面に染み出る潤滑剤が枯渇することによる磁気ヘッド１と磁気テープ６との界面における摩擦増加を、防止することができる。 - 特許庁

To prevent an interconnetion material from intruding into the contact interface of a semiconductor layer and an insulation film by preventing open circuit of a barrier metal underlying the electrode of a bipolar transistor or an MIS type capacitive element.例文帳に追加

バイポーラトランジスタやＭＩＳ型容量素子における電極の下層に設けられたバリアメタルの断線を防止し、半導体層と絶縁膜との接触界面への配線材料の侵入を防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The material has, on a hydrophilic surface of its support, a non-photopolymerizing intermediate layer containing a coloring agent absorbing a light in the wavelength range above 400 nm and a compound having thermal reactivity with the interface of the support.例文帳に追加

支持体上の親水性表面に、４００ｎｍ以上の波長領域に吸収を有する着色剤と該支持体の界面と熱反応性を有する化合物を含有する非光重合性の中間層を有することを特徴とする平版印刷版支持体。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method for suppressing short channel effects, and for reducing a resistance to be generated on an interface between a surface strap formed on the surface of a semiconductor substrate and a conductive layer formed in a hole.例文帳に追加

本発明は、短チャネル効果を抑制すると共に、半導体基板の表面上に形成された表面ストラップと孔内に形成された導電層との界面に生じる抵抗を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The interface layer 2 is formed so that the electrode voltage is not less than -0.3 V and not more than 0.01 V, the electrode voltage being against a saturated calomel electrode in a mixed aqueous solution including sulfuric acid at a concentration of 18% (volume concentration) and hydrochloric acid at a concentration of 10%.例文帳に追加

界面層２は、硫酸を１８％の濃度（体積濃度）で含むとともに塩酸を１０％の濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下となるように形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a substrate for a power module, that can efficiently produce a substrate for a power module with high strength of an interface between a ceramic substrate and an aluminum layer composed of aluminum or an aluminum alloy and with excellent reliability, and provide the substrate for the power module.例文帳に追加

セラミックス基板とアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム層との界面強度が高く信頼性に優れたパワーモジュール用基板を効率よく生産することができるパワーモジュール用基板の製造方法、及び、パワーモジュール用基板を提供する。 - 特許庁

Therefore, the deterioration of the characteristics of the PMOS transistor is prevented, because not only the activating rate of the p-type impurity injected into the gate electrode 7P of the PMOS transistor is improved by the Ge, but also the formation of a depletion layer in the interface of a gate insulating film is suppressed.例文帳に追加

従って、Ｇｅの存在によりＰＭＯＳトランジスタのゲート電極に注入されたＰ型不純物の活性化率が改善されるのみならず、ゲート絶縁膜の界面での空乏層が抑制され、ＰＭＯＳトランジスタの特性劣化が防止される。 - 特許庁

To provide a glass panel so designed as to maximally avoid the direct action of an impact force on the interface between an adhesive layer and glass through mitigating it even if it acts on a cap, so as to enable a suction port closure to be protected as desired through preventing the cap from peeling off.例文帳に追加

キャップに対して衝撃的な力が作用しても、その衝撃力を緩和して、接着層とガラス界面に対して直接作用するのを極力回避し、キャップの剥がれを防止して吸引口閉塞部を所望通りに保護し得るガラスパネルの提供。 - 特許庁

In this computer system having an IEEE1394 interface, a physical layer IC (PHY) 10 is provided with a system power detecting part 11 for detecting the system power, and a bus reset signal issuing part 12 for issuing a bus reset signal to the IEEE1394 cable side.例文帳に追加

本発明のＩＥＥＥ１３９４インタフェースを有するコンピュータシステムは、物理層ＩＣ（ＰＨＹ）１０にシステムパワーを検出するシステムパワー検出部１１と、ＩＥＥＥ１３９４ケーブル側へバスリセット信号を発行するバスリセット信号発行部１２と、を備えている。 - 特許庁

If the address of the static route to be set is not provided as a connection passage in its own device, each router 21 and 22 creates a static route, sets an interface connected with an uppermost layer 1 in a default route and delivers these information to a router 11 and the server 12.例文帳に追加

ルータ２１，２２は設定するスタティックルートのアドレスを自装置において接続経路として持っていなければ、スタティックルートを作成し、最上位層１に接続しているインタフェースをデフォルトルートに設定してそれらの情報をルータ１１とサーバ１２とに送る。 - 特許庁

If an impurity is added to reduce the influence of this interface charge, the impurity absorbs light, the active layer deteriorates for impurity diffusion and consequently the life of the semiconductor light emitting device shortens.例文帳に追加

本発明は前記課題を解決するため、発光特性を維持しつつ、互いに組成の異なる二の半導体層が隣接する界面における界面電荷の影響を低減して電気特性を改善した半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a conducting sheet laminate which exhibits a sufficient anchor effect by mitigating or eliminating an adverse effect of a significant residual stress attributed to the formation of a brittle alloy layer in a joint interface resulting from a high temperature process and a high rolling ratio joint.例文帳に追加

高温プロセスに伴う接合界面での脆弱合金層の形成や、高圧延率接合に伴う大きな残留応力などの悪影響を軽減もしくは排除し、充分なアンカー効果を有する導電板積層体の製造方法の提供。 - 特許庁

While an adhesiveness improving layer 15 in which the alkane is dispersed is formed at the interface between the film 12 and the substrate 10 by heating the bonding part to the glass transition temperature Tg of the PEI or higher, the film 12 is bonded to the substrate 10.例文帳に追加

接着箇所をＰＥＩのガラス転移温度Ｔｇ以上に加熱して、ＰＥＩフィルム１２におけるガラスエポキシ基板１０との界面にアルカンが分散した接着力向上層１５を形成した状態でＰＥＩフィルム１２をガラスエポキシ基板１０に接着させる。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte electric double-layer capacitor which is superior in safety where there is no risk of flashing and of rupture, ignition or the like during short-circuiting, and is also superior in low- temperature characteristic so that is can keep a proper electrical conductivity and the interface resistance of a nonaqueous electrolytic solution is low.例文帳に追加

引火の危険性がなく、短絡時に破裂・発火等の危険性もないため安全性に優れ、かつ、十分な電気伝導性を維持し、非水電解液の界面抵抗が低く、低温特性に優れる非水電解液電気二重層キャパシタの提供。 - 特許庁

Thereby, any undercut is not produced on an interface between the inter-layer dielectric film pattern and the mask pattern by the protection film spacer in a cleaning process to be made before the conductive film for the pad is formed, any void is not formed in the conductive film when evaporating the conductive film for the pad.例文帳に追加

これにより、パッド用導電膜の形成前に行う洗浄工程で保護膜スペーサによって層間絶縁膜パターンとマスクパターンとの界面にアンダーカットが発生せず、パッド用導電膜の蒸着時に導電膜内にボイドが形成されない。 - 特許庁

To obtain a proper ohmic contact by breaking a barrier layer existing in an interface between Ni of a first electrode of a positive temperature coefficient thermistor element and Ag of a second electrode without bringing about the problem of the damage or rectifying operation of the positive temperature coefficient thermistor element.例文帳に追加

正特性サーミスタ素子の第１電極であるＮｉと第２電極であるＡｇとの界面に存在する障壁層を、正特性サーミスタ素子の破壊や整流作用の残存という問題を発生させずに破壊して良好なオーミック接触を得る。 - 特許庁

A pattern of thermal flow resin and the low refractive index resin are formed on an undercoat layer 16, and at the same time as the lenses are formed by heat treatment, the interface between the low refractive index resin and the lenses is thermally fused thus forming the low refractive index resin in nonplanar shape in the recesses.例文帳に追加

アンダーコート層１６上に、熱フロー性樹脂のパターン、低屈折率樹脂を形成し、熱処理にてレンズの形成と同時に、低屈折率樹脂とレンズとの界面を熱融合した界面とし、凹部に平坦でない形状に低屈折率樹脂を形成する。 - 特許庁

The superconducting wire material is made to comprise a plurality of oxide superconducting filaments, a metal matrix provided around the filaments, and a barrier layer provided on the interface interjacent between the filaments and the metal matrix and/or in a metal matrix interjacent between the filaments.例文帳に追加

複数本の酸化物超電導フィラメントと、これらのフィラメントの周囲に備えられる金属マトリックスと、前記フィラメントとこの金属マトリックスとの界面及び／又は前記フィラメント間に介在される金属マトリックス中に備えられるバリア層、とを有するようにする。 - 特許庁

To obtain a membrane electrode assembly for a fuel cell in which peeling-off of a catalyst, breakage of an electrolyte film, peeling-off of the interface between the electrolyte membrane and a catalyst layer or the like do not occur even if power generation and stoppage of the fuel cell are repeated, and which has a stable power generating characteristic.例文帳に追加

燃料電池の発電と停止を繰り返しても、触媒の剥離、電解質膜の破損、電解質膜と触媒層との界面の剥がれなどが発生せず、安定した発電特性をもつ燃料電池用の膜電極接合体が得られる。 - 特許庁

In the method for manufacturing the electronic part, after a terminal part is soldered with the solder mainly composed of Sn and Zn, heat treatment is performed at a temperature of 80°C or above and not over a melting temperature of the solder, to deposit a Zn layer on an interface between the solder joint part and the terminal part of the electronic part.例文帳に追加

SnとZnを主とするはんだにより端子部をはんだ付けした後、80℃以上、該はんだの溶融温度以下の温度で熱処理を行い、はんだ接合部と電子部品の端子部との界面にZn層を析出させる電子部品の製造方法。 - 特許庁

To significantly improve the brightness characteristics and forward voltage characteristics related to a light-emitting diode, by forming an intermediate layer of non-single crystal substance for improved interface characteristics among single crystals.例文帳に追加

発光ダイオードにおいて、単結晶間の界面特性を向上させるため非−単結晶物質からなる中間層を形成し単結晶間に発生する格子不整合による欠陥を減少させ輝度特性と順方向電圧特性を大幅に向上させる。 - 特許庁

To provide a method that dispenses with a large-scale apparatus and a number of processes, such as a photolithography process, and can accurately and easily measure the electric characteristics of an SOI wafer, such as electron mobility, interface level density, hole mobility, and BOX layer charge density.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程のような大掛かりな装置と多数の工程を必要せず、電子移動度や界面準位密度、正孔移動度、ＢＯＸ層電荷密度などのようなＳＯＩウエーハの電気特性を正確かつ簡便に測定する方法を提供する。 - 特許庁

By the Ge contained in the SiGe film 72, the activation rate of p-type impurities implanted to the gate electrode of the PMOS transistor is improved, and a depletion layer in an interface with a gate electrode 6 is suppressed, and deterioration in characteristics of the PMOS transistor is prevented.例文帳に追加

ＳｉＧｅ膜７２中に含まれるＧｅによってＰＭＯＳトランジスタのゲート電極に注入されたＰ型不純物の活性化率が改善され、ゲート絶縁膜６との界面での空乏層が抑制され、ＰＭＯＳトランジスタの特性劣化が防止される。 - 特許庁

To provide the manufacturing method and the like of a photoelectric conversion electrode capable of forming a pattern of a metal oxide layer in a simple manufacturing process, increasing adhesion of a sealing interface in cell manufacturing, and enhancing mechanical strength and reliability in long use.例文帳に追加

簡易な製造プロセスにて金属酸化物層のパターン形成が可能であり、セル作製時における封止界面の密着性を高め、機械強度及び長期使用時の信頼性を向上させ得る、光電変換電極の製造方法等を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of forming a III-V compound semiconductor layer capable of reducing a hydrogen concentration in a III-V compound semiconductor crystal containing Ga (group III) and arsenic and nitrogen (group V) and reducing pile-up on a regrowth interface as well.例文帳に追加

本発明によれば、Ｇａ（III族）とヒ素、窒素（Ｖ族）とを含むIII−Ｖ化合物半導体結晶中の水素濃度を低減可能であり、再成長界面におけるパイルアップも低減可能な、III−Ｖ化合物半導体層を形成する方法が提供される。 - 特許庁

The electrode for the solid polymer fuel cell has high dispersiveness of the catalyst paste by dispersing the electrolyte solution in which the electrolyte is dissolved, and the catalyst layer having sufficient three-phase interface amount.例文帳に追加

本発明の固体高分子型燃料電池用電極は、電解質が溶解した電解質溶液が分散され、電解質粒子が分散されることで触媒ペースト中の分散性が向上しており、十分な三相界面量を有する触媒層をもつ。 - 特許庁

In where a surface crossing the thickness direction of the p-type silicon substrate 1 is considered as a virtual surface, each strong field drift layer 6 has inclined drift parts 6a, 6b, respectively having an interface between the surface electrode 7 and inclined at different angles of inclination in relation to the virtual surface.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板１の厚み方向に直交する面を仮想表面とするとき、各強電界ドリフト層６が、仮想表面に対して表面電極７との界面が傾斜し傾斜角が互いに異なる傾斜型ドリフト部６ａ，６ｂを有している。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 22B contains Si, Sn or their alloy, and is formed by a vapor phase method, a liquid phase method, or a sintering method, and is alloyed with the negative electrode current collector 22A in at least one part of interface with the negative electrode current collector 22A.例文帳に追加

負極活物質層２２Ｂは、Ｓｉ，Ｓｎあるいはこれらの合金を含み、気相法，液相法または焼結法で形成されたものであり、負極集電体２２Ａとの界面の少なくとも一部において負極集電体２２Ａと合金化している。 - 特許庁

In the grain-oriented silicon steel sheet having a ceramic film, in order to perfectly remove a Cl component from the basic iron surface layer part of this silicon steel sheet, interface between a basic iron and the ceramic film, and in the ceramic film, the ceramic film is made of TiN, TiC or Ti(CN).例文帳に追加

セラミック被膜を有する一方向性珪素鋼板において、該珪素鋼板の地鉄表層部、地鉄とセラミック被膜の界面およびセラミック被膜中からCl成分を完全に除去するため、セラミック被膜をＴｉＮ，ＴｉＣまたはＴｉ（ＣＮ）とする。 - 特許庁

VR viewer 15 generates image data of a left eye image and a right eye image from the coordinate data from the OpenGL intermediate layer interface driver 12 according to viewpoint positional information inputted through a 6-degree-of-freedom sensor 40 and provides it to PCb50 and PCc60.例文帳に追加

ＶＲビューワ１５は、６自由度センサ４０を介して入力される視点位置情報に応じてＯｐｅｎＧＬ中間層インターフェースドライバ１２からの座標データから左眼画像と右眼画像の画像データを生成し、ＰＣｂ５０，ＰＣｃ６０に供給する。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 22B contains Si or its alloy and is formed by the gas phase method, liquid phase method or sintering method, and it is preferable that at least part of the interface to the negative electrode collector 22A is alloyed with the negative electrode collector 22A.例文帳に追加

負極活物質層２２Ｂは、Ｓｉあるいはこの合金を含み、気相法，液相法または焼結法で形成されたものであり、負極集電体２２Ａとの界面の少なくとも一部において負極集電体２２Ａと合金化していることが好ましい。 - 特許庁

At irradiation of light from outside to the Au electrode 6, photocarriers generated in the NTCDA layer 5 are blocked efficiently with the TAZ layer 4, and a high electric field is generated at the interface to the ITO electrode 3, and electrons are forcedly injected through a channel from the ITO electrode 3, and multiplication of only the photoelectric currents occurs, and besides it increases the multiplication by raising the applied voltage.例文帳に追加

Ａｕ電極６の外側からの光照射時、ＮＴＣＤＡ層５で生成された光キャリアーが効率良くＴＡＺ層４にてブロックされ、ＩＴＯ電極３との界面に高電界が発生し、強制的にＩＴＯ電極３より電子がトンネル注入され、光電流のみの増倍が生じ、しかも印加電圧を上げることにより増倍を増す。 - 特許庁

The stacking structure of the films is formed, in which a first transition layer in a first insulating film and a second transition layer in a second insulating film are formed interposing the contact interface between the first insulating film and the second insulating film by irradiating the stacking structure of the insulating films having mutually different compositions or composition ratios and containing at least silicon with ultraviolet rays under an atmosphere containing oxygen.例文帳に追加

互いに組成、或いは組成比の異なる、少なくともシリコンを含有する絶縁膜の積層構造に対し、酸素を含有する雰囲気において紫外線照射を行うことにより、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の接触界面を挟んで、第１の絶縁膜に第１の遷移層、第２の絶縁膜に第２の遷移層が形成されている膜積層構造を形成する。 - 特許庁

The first region is protected by a mask, an aluminum ion is injected, and heat treatment is performed, thus forming a high-dielectric-constant interface dielectric layer 3 of AlxOv between the gate dielectric layer 2 and the N+ polysilicon gate 4, strengthening Fermi pinning effect, and hence adjusting a work function of the P-MOS of N+ polysilicon to a value close to the function of a P+ polysilicon gate.例文帳に追加

マスクで第１領域保護し、アルミイオンをイオン注入し、熱処理することにより、ゲート誘電体層（２）と、Ｎ＋ポリシリコンゲート（４）との間に、ＡｌｘＯｖの高誘電率界面誘電体層（３）が形成され、フェルミピニング効果が強化され、結果として、Ｎ＋ポリシリコンのＰ−ＭＯＳの仕事関数は、Ｐ＋ポリシリコンゲートの関数に近い値に調整される。 - 特許庁

The electromagnetic wave interface device for inputting and outputting an electromagnetic wave from/to a sheet-like electromagnetic wave transmitting medium, having a mesh-like conductive material layer is provided with a conductor plate arranged to confront the mesh-like conductive material layer, and radiates electromagnetic waves that propagate the sheet-like electromagnetic wave transmitting medium to a side different from the sheet-like electromagnetic wave transmitting medium of the conductor plate.例文帳に追加

メッシュ状の導電体層を有するシート状電磁波伝達媒体との間で電磁波を入出力する電磁波インターフェース装置であって、メッシュ状の導電体層側と対向して配置される導体板を備え、シート状電磁波伝達媒体を伝搬する電磁波を、導体板のシート状電磁波伝達媒体と異なる側に放射する電磁波インターフェース装置とする。 - 特許庁