「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

The server device 1 adds a layer 2 transfer system for referring to an ARP table, directly specifying an interface and performing transfer to an encapsulation system in the GRE over an OSPF function, and has a selection means (GRE tunnel management module 11) for selecting either of the layer 3 transfer system and the layer 2 transfer system as a transfer system when GRE tunnel encapsulation is performed.例文帳に追加

サーバ装置（１）は、ＧＲＥ ｏｖｅｒ ＯＳＰＦ機能におけるカプセル化方式に、ＡＲＰテーブルを参照して直接インタフェースを指定して転送するレイヤ２転送方式を追加し、ＧＲＥトンネルカプセル化を実施した場合の転送方式としてレイヤ３転送方式とレイヤ２転送方式とのいずれかを選択する選択手段（ＧＲＥトンネル管理モジュール１１）を有する。 - 特許庁

The electrolyte membrane 100 has a leakage suppression part generating structure 140, which generates a leakage suppressing part for suppressing the leakage of hydrogen by utilizing a reaction caused by occurrence of a defect, when the defect has occurred inside the electrolyte layer 120 or at the interface of the hydrogen permeating metal layer 110 and the electrolyte layer 120, and the hydrogen leaks through the defect.例文帳に追加

電解質膜１００は、電解質層１２０の内部や、水素透過性金属層１１０と電解質層１２０との界面に欠陥が発生し、欠陥を通って水素が漏洩したときに、欠陥の発生によって生起される反応を利用して水素の漏洩を抑制する漏洩抑制部を生成する漏洩抑制部生成構造１４０を有している。 - 特許庁

The semiconductor device has an island-like non-single crystal silicon-made active layer and a silicon oxide film formed by CVD or PVD on the active layer as a gate insulation film, and contains nitrogen in the interface between the silicon oxide and the active layer at a concentration more than ten times as much as a mean concentration of nitrogen contained in the silicon oxide film.例文帳に追加

島状の非単結晶珪素よりなる活性層と、該活性層上にＣＶＤ法もしくはＰＶＤ法によって形成された酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として有し、前記酸化珪素と活性層との界面には前記酸化珪素膜中に含有される平均的な窒素濃度の１０倍以上の濃度の窒素を含有していることを特徴とする半導体装置である。 - 特許庁

A semiconductor device is composed of a semiconductor substrate 10, a buffer layer 12 that is formed on the semiconductor substrate 10 while a lattice constant near the surface differs from that near the interface with the semiconductor substrate 10, and a quantum dot that is formed on the buffer layer 12 while a luminous wavelength is stipulated by a lattice constant near the surface of the buffer layer 12.例文帳に追加

半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成され、表面近傍における格子定数が半導体基板１０との界面近傍における格子定数とは異なるバッファ層１２と、バッファ層１２上に形成され、発光波長がバッファ層１２の表面近傍における格子定数によって規定された量子ドットとにより半導体装置を構成する。 - 特許庁

The semiconductor structure forming method comprises a step of providing an Si substrate 10 having a surface, a step of forming an interface involving an adjacent seed layer 18 on the surface of the Si substrate 10, a step of forming a buffer layer 20 utilizing molecules of O, and a step of forming one or more high permittivity oxide layers 22 on the buffer layer 20 utilizing active O.例文帳に追加

半導体構造を作成する方法は：表面１２を有するシリコン基板１０を設ける段階；シリコン基板１０の表面１２上に隣接するシード層１８を含むインタフェースを形成する段階；分子酸素を利用してバッファ層２０を形成する段階；および活性酸素を利用してバッファ層２０上に１つ以上の高誘電率酸化物層２２を形成する段階；を備える。 - 特許庁

To provide a circuit board having both high heat radiation efficiency and durability, in which a semiconductor chip to be mounted can operate with a large power by preventing the generation of cracks on a solder layer for joining the circuit board to a heat radiation base and the forming of a compound layer on an interface between a metal heat radiation plate and an aluminum layer.例文帳に追加

回路基板と放熱ベースとを接合するはんだ層にクラックが発生すること及び金属放熱板とアルミニウム層との界面に化合物層が形成されることを防止することにより高い放熱効率および耐久性を兼ね備え、搭載する半導体チップを大電力で動作させることのできる回路基板およびそれを用いた半導体モジュールを提供すること。 - 特許庁

The electrode rod 14 base end side 16 in a sealing portion 13 has a small cross-sectional area, and a residual compression distortion layer 19 which is formed in a wide area along the electrode rod surface of quartz glass layer of the sealing portion 13 absorbs the thermal stress caused on an interface between the electrode rod 14 and quarts glass layer, and suppresses the occurrence of cracks in the sealing portion 13.例文帳に追加

封着部１３内の電極棒基端側１６は、その横断面積が小さく、封着部１３の石英ガラス層の電極棒表面に沿って広範囲に形成された残留圧縮歪層１９が、アークチューブの点消灯で電極棒１４と石英ガラス層の界面に発生する熱応力を吸収し、封着部１３でのクラックの発生を抑制する。 - 特許庁

The back layer 13 is more excellent in solvent resistance than the base layer 11, therefore, a solvent contained in the adhesive used for adhesion to the base to be adhered hardly remains in the base sheet 1 and, as the result, blister, stripping or the like on the interface between the base to be adhered and the decoration sheet after adhesion can be effectively prevented.例文帳に追加

裏層１３は基層１１よりも耐溶剤性に優れているので、被貼着基材への貼着に用いる接着剤に含有される溶剤が基材シート１中に残留しにくくなり、貼着後の被貼着基材と化粧シートとの界面でのフクレや剥離等を、効果的に防止することができる。 - 特許庁

A growth suppression film 104 is formed on an n-GaN layer 103, an InGaN re-grown layer 105 is formed from a part, where the growth suppressing film 104 is not formed, thereby lessening the dislocation propagating from the substrate interface and improving the characteristics of a light-emitting element formed thereon.例文帳に追加

ｎ−ＧａＮ層１０３の上に成長抑制膜１０４を形成し、成長抑制膜１０４の形成されていない部分からＩｎＧａＮ再成長層１０５を形成することによって、基板界面から伝搬する転位を減少させ、その上に作成した発光素子の特性を向上させる。 - 特許庁

Also the direction of an optic axis of the second optical compensating layer 108 projected on the substrate surface and the direction of a long axis of an equivalent optical indicatrix of residual retardation, formed in the vicinity of an interface of the second glass substrate 107 side of the liquid crystal layer 105 in displaying black, projected on the substrate surface are substantially matched with each other.例文帳に追加

また、第２光学補償層１０８の光軸を基板面内に投影した方向と、黒表示時に液晶層１０５の第２基ガラス板１０７側の界面付近で形成される残留リターデーションの等価屈折率楕円体の長軸方向を基板面内に投影した方向とはほぼ一致している。 - 特許庁

For example, in case of a transistor with a top gate structure, the electrical capacitance of the insulating layer is set to 1.5×10^-10F/m^2 or less so as to reduce the effect of an interface state between a substrate and a base insulating layer, thereby providing the semiconductor device in which variation of electric characteristics is small and reliability is high.例文帳に追加

例えばトップゲート構造のトランジスタの場合、下地絶縁層の容量を１．５×１０^−１０Ｆ／ｍ^２以下とすることにより、基板と下地絶縁層の界面準位の影響を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

This organic electric field light emitting element is provided with a 1st sort middle layer who is located between a light emitting layer exterior part located in the direction, which is not the light extraction interface side of the organic electric field light emitting element, and a 2nd electrode, and can absorb almost visible light, which passes through the inside of this organic electric field light emitting element.例文帳に追加

有機電界発光素子の光取出し界面側でない方向に位置する発光層外部と第２の電極との間にあって、かつ、該有機電界発光素子の内部を通過する可視光をほとんど吸収することが可能な第１種中間層を設けた有機電界発光素子。 - 特許庁

The optical fiber 41 has a light diffusing layer 41c in a part between a core part 41a and a clad part 41b, so that the optical fiber transmits light utilizing the whole reflection on the interface between the core part 41a and the clad part 41b and releases part of the light diffused in the light diffusing layer 41c from a side surface to the outside.例文帳に追加

光ファイバ４１は、コア部４１ａとクラッド部４１ｂとの間の一部に光拡散層４１ｃを有しており、コア部４１ａとクラッド部４１ｂとの界面での全反射を利用して光を伝送すると共に光拡散層４１ｃで拡散された光の一部を側面から外部に放出する。 - 特許庁

To provide an interlayer for laminated glass capable of suppressing the occurrence of spots which causes a poor appearance when a metal coating layer such as a silver layer is laid at the interface between the interlayer for laminated glass and glass plate, and a laminated glass made by using the interlayer for laminated glass.例文帳に追加

合わせガラス用中間膜とガラス板との界面に、銀層等の金属コーティング層が設けられた合わせガラスとしたときに、外観不良の原因となる斑点の発生を抑制することができる合わせガラス用中間膜、及び、該合わせガラス用中間膜を用いてなる合わせガラスを提供する。 - 特許庁

To provide a thin film semiconductor device manufacturing method capable of efficiently manufacturing the thin film semiconductor device reduced in varieties of the number or the grain size of crystal in each electrode, compared with the thin film semiconductor device produced by a conventional manufacturing method, and whose interface between a crystal semiconductor thin film layer and an insulation film layer is smooth.例文帳に追加

従来の製造方法による薄膜半導体装置よりも、単位電極毎の結晶粒の数や粒径のばらつきが少なく、かつ結晶半導体薄膜層と絶縁膜層との界面が平滑な薄膜半導体装置を、効率的に製造することのできる薄膜半導体装置製造方法を提供すること。 - 特許庁

A solder joint 50 where the external connection electrode 2 of the interposer 1 and a solder ball 40 are joined together has a copper-nickel-tin alloy formed of copper of the first metal layer 2a, nickel of the second metal layer 2b, and tin contained in the solder ball 40 on an interface between the external connection electrode 2 and solder ball 40.例文帳に追加

インターポーザ１の外部接続電極２と半田ボール４０とが接合された半田接合部５０において、外部接続電極２と半田ボール４０との界面で、第１金属層２ａの銅と、第２金属層２ｂのニッケルと、半田ボール４０に含まれるスズとによって、銅−ニッケル−スズ合金を形成している。 - 特許庁

To realize a method for flattening a semiconductor layer without increasing or complicating a manufacturing step and further decreasing crystallinity in order to realize TFT having superior characteristicst and a method for flattening a surface of the semiconductor layer to stabilize an interface on a gate insulated film.例文帳に追加

良好な特性を有するＴＦＴを実現するために、製造工程を増加、複雑化させることなく、さらに、結晶性を低下させることなく半導体層を平坦化する方法、また、半導体層表面を平坦化させゲート絶縁膜との界面を安定させる方法を実現することを目的としている。 - 特許庁

When a sufficiently higher voltage is impressed to the electrode 2 as compared with the electrode 1 in a low resistance state, the oxidation-reduction reaction active substance (nickel) included in the electrode 2 is oxidized, and an electrode reaction inhibition layer 4 composed of an oxidant is formed on the whole interface area between the electrode 2 and an inter-electrode substance layer 3.例文帳に追加

低抵抗状態にあるとき、電極２に電極１よりも十分に高い電圧を与えると、電極２に含まれる酸化還元反応活性物質（ニッケル）が酸化され、電極２と電極間物質層３との間の界面領域全体に酸化体からなる電極反応阻害層４が形成される。 - 特許庁

A relation between each component of the four-terminal matrix and an area thermal diffusion time shown by a physical value of the constituting single layer material is clarified by using the recurrence formulas, and a thermal diffusion rate and an interface thermal resistance of an unknown single layer material inserted into a multilayered material whose thermophysical property value is already known are calculated simultaneously.例文帳に追加

前述の漸化式を用いて、構成単層材料の物性値によって表した四端子行列の成分と面積熱拡散時間との関係を明らかにし、熱物性値が既知である多層材料中に挟んだ未知の単層材料の熱拡散率および界面熱抵抗を同時に算出する。 - 特許庁

By pulling both surfaces 4 and 4 of the packaging bag H in separating directions, interface peeling occurs between the non-crystalline PP layer 2c on a side of one of surfaces 4 of the bag H and the non-crystalline PP layer 2c on a side of the other surface 4, which are welded to each other at the heat-sealed portion.例文帳に追加

包装袋Ｈの両面４、４を離れ出させる向きに引っ張ることにより、熱シールが施された部分において互いに溶着し合っている包装袋Ｈの一方の面４側の非結晶性ＰＰ層２ｃと他方の面４側の非結晶性ＰＰ層２ｃとの間で界面剥離を生じさせるようにしてある。 - 特許庁

To provide a surface-treated aluminum alloy material applied to bonding using adhesives, which hardly detaches an interface between an adhesive layer and a surface of the alloy material regardless of aging of the adhesive layer, whose adhesion strength is hardly deteriorated, and which is excellent in adhesion durability.例文帳に追加

接着剤での接合に供されるアルミニウム合金材であって、接着剤層が経年劣化しても接着剤層とアルミニウム合金材表面での界面剥離が発生し難く、したがって接着強度が低下し難い接着耐久性に優れた表面処理アルミニウム合金材を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode catalyst layer for a solid polymer fuel cell and the electrode catalyst layer for the solid polymer fuel cell, wherein when obtaining the solid polymer fuel cell, all of a gas channel, a proton conductive path, and a three-phase interface can be increased by using freeze-drying method.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池を得るに際して、凍結乾燥法を用いて、ガスチャネル、プロトン伝導パス、三相界面の全てを増大させることができる固体高分子型燃料電池用電極触媒層の製造方法および固体高分子型燃料電池用電極触媒層を提供する。 - 特許庁

Concretely, the preform 3 is pressed from the resin layer 2 side to the resin layer 1 side by a protrusion 18a of a mold 19 while being heated in the mold 19 by which the preform 3 is compression-molded to the resin mold 13 while moving an interface 41 of the resin layers 1 and 2 to a position of the retreat surface 21.例文帳に追加

具体的には、予備成形体３を成形型１９内で加熱しながら成形型１９の凸部１８ａによって樹脂層２側から樹脂層１側へと押圧することにより、樹脂層１，２の界面４１を後退面２１の位置へと移動させながら予備成形体３を樹脂成形品１３へと圧縮成形する。 - 特許庁

The sliding member 12 comprises: an intermediate layer 13 which has a mixed part 14 formed in an interface between a substrate 1 and a Si-containing carbon film 13a formed on the surface of the substrate 1, by implanting ions into the Si-containing carbon film 13a; and the hard carbon film 15 with a predetermined film thickness formed on the surface of the intermediate layer 13.例文帳に追加

基材１の表面に形成したＳｉ含有炭素膜１３ａに対してイオン注入を行い基材１との界面にミキシング部１４を形成させた中間層１３と、中間層１３の表面に所定の膜厚で形成した硬質炭素膜１５とを備えた摺動部材１２とする。 - 特許庁

It is desirable that the negative electrode active material layer 22B contains Si, Sn or an alloy of these, and are formed by vapor growth method, liquid phase method or sintering method, and it is desirable that the negative electrode active material layer is alloyed with the negative electrode current collector 22A at least at a part of interface between the negative electrode current collector 22A and itself.例文帳に追加

負極活物質層２２Ｂは、Ｓｉ，Ｓｎあるいはこれらの合金を含み、気相法，液相法または焼結法で形成されたものであることが好ましく、また、負極集電体２２Ａとの界面の少なくとも一部において負極集電体２２Ａと合金化していることが好ましい。 - 特許庁

The direction of an optic axis of the first optical compensating layer 102 projected on the substrate surface and a direction of a long axis of an equivalent optical indicatrix of residual retardation, formed in the vicinity of an interface of the first glass substrate 103 side of the liquid crystal layer 105 in displaying black, projected on the substrate surface are substantially matched with each other.例文帳に追加

第１光学補償層１０２の光軸を基板面内に投影した方向と、黒表示時に液晶層１０５の第１ガラス基板１０３側の界面付近で形成される残留リターデーションの等価屈折率楕円体の長軸方向を基板面内に投影した方向とはほぼ一致している。 - 特許庁

In the laminated ceramic electronic component, such as the laminated ceramic capacitor equipped with a laminate 4 having a plurality of laminated ceramic layers 2 and an internal electrode layer 3 formed along the specific interface between the ceramic layers 2, a glass phase 8, extended cylindrically in the thickness direction, is fragmentarily distributed in the internal electrode layer 3.例文帳に追加

複数の積層されたセラミック層２とセラミック層２間の特定の界面に沿って形成された内部電極層３とを有する積層体４を備える、積層セラミックコンデンサのような積層セラミック電子部品において、内部電極層３中に、その厚み方向に柱状に延びるガラス相８を断片的に分布させる。 - 特許庁

To provide a high-quality semiconductor substrate that has improved heat dissipation, can improve reflection properties of a base material to light at a short-wavelength region such as ultraviolet rays, and prevents an interface reaction layer from being formed between a group III nitride semiconductor layer and the metal base material, and to provide a manufacturing method of the semiconductor substrate.例文帳に追加

熱放散が良好でかつ紫外光等の短波長領域の光に対する基材の反射性を向上することができ、III族窒化物の半導体層と金属の基材との間に界面反応層が形成されない高品質な半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a large crystal grain can be formed by making the energy absorption distribution of the a-Si layer constant in the transmitting direction at a part where the energy beam is passed a plurality of times and making the solid-liquid interface flat along the optical path thereby realizing lateral epitaxial growth in the a-Si layer.例文帳に追加

さらに、ａ−Ｓｉ層は、そのレーザビームを複数回透過された部分で、透過方向に生じるエネルギー吸収分布を一定にして固液界面を光路に沿った平坦なものとすることにより、ａ−Ｓｉ層における横方向結晶成長を実現して大結晶粒の形成を可能とする。 - 特許庁

Spectral characteristics when a light performs incidence to the multilayers interface filter with the thicker optical thickness of the spacer layer with a zero incident angle are almost equal to the spectral characteristics, when the light performs the incidence to the multilayers interference filter with the thicker optical thickness of the spacer layer with the degree of an incident angle in the part for the side edge of the image pick-up region.例文帳に追加

スペーサ層の光学膜厚が厚い方の多層膜干渉フィルタに入射角０度で光が入射したときの分光特性は、スペーサ層の光学膜厚が厚い方の多層膜干渉フィルタに撮像領域の辺縁部分における入射角度で光が入射したときの分光特性にほぼ等しい。 - 特許庁

The electrode structure is for an electrode consisting of a current collector and an active material layer containing at least an active material and a binder and is configured so that a conductive underlay layer containing at least an active material and a binder is provided on the current collector interface, and the invention also includes the manufacturing method for such electrode structure and the secondary battery using it.例文帳に追加

集電体と、少なくとも活物質および結着材を含有する活物質層を有する電極であって、前記集電体界面上に、少なくとも活物質および結着材を含有する導電性下地層を有する構成の電極構造物、およびその製造方法、これを用いた二次電池とした。 - 特許庁

An interface and a database, which serve to make operations conducted semantically, are provided between the middleware layer dependent on the constitution of the hardware of the robot and the application layer independent of the constitution of the hardware, for the purpose of enabling the normal operations to be constantly ensured even during a change in the combination of middleware and an application, which are introduced onto the robot.例文帳に追加

ロボットのハードウェア構成に依存するミドルウェア層と、ハードウェア構成に依存しないアプリケーション層の間に、意味的に動作を行うためのインターフェースとデータベースを用意することによって、ロボット上に導入するミドルウェアとアプリケーションの組み合わせを変更しても、常に正常な動作を保証することができる。 - 特許庁

By this constitution, even when two kinds of materials perfectly different in the coefficient of linear expansion from each other like the metal rod 1 and the resin material 2 are laminated to be molded, the generation of a crack in the resin layer 2 can be suppressed by the so-called cushioning effect of the cushioning layer 3 interposed at the molding interface X.例文帳に追加

このように構成することで、金属棒１と樹脂材料２のように、線膨張率が全く異なる二種類の材料を積層させて成形する場合にも、成形界面Ｘに介在させる緩衝層３の所謂クッション効果により樹脂材料２のクラックの発生を抑えることが出来るものである。 - 特許庁

This metal wiring 14 is provided at its end above the pn junction portion so as to coat the pn junction portion (an interface between the p^--type well layer 12c and the n^+-type semiconductor region 12d) exposed to the light incident surface of the semiconductor substrate 12 (p^--type well layer 12c), and exhibits a lattice shape.例文帳に追加

この金属配線１４は、その端部が半導体基板１２（Ｐ−型ウエル層１２ｃ）の光入射面に露出するｐｎ接合部分（Ｐ−型ウエル層１２ｃとＮ＋型半導体領域１２ｄとの界面）を覆うように当該ｐｎ接合部分の上方に設けられており、格子形状を呈している。 - 特許庁

To provide a wiring structure that the junction between diffusion barrier layers consisting of metal or compound thin layers in contact with an interlayer insulating film layer containing a low-dielectric constant organic matter, as its main component is strong and a peeling or a desorption is never generated at the interface between the interlayer insulating film layer and the diffusion barrier layers, and to provide the manufacturing method of the wiring structure.例文帳に追加

誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device reducing dark current due to an interface state without forming a hole storing layer made of an impurity diffused layer which needs a heating process at high temperature and allowing sensor placement in a shallow part of a semiconductor substrate so as to improve charge transfer efficiency.例文帳に追加

高温での熱処理プロセスを必要とする不純物拡散層からなるホール蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減することが可能で、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate capable of planarizing the surface of the semiconductor substrate, where uniformity in the coating thickness of the semiconductor layer of an upper layer is maintained highly, when manufacturing the semiconductor substrate having a DSB structure, and capable of efficiently removing an oxide film on the interface between two wafers by the same heat treatment.例文帳に追加

ＤＳＢ構造を有する半導体基板を製造する場合に、上層の半導体層の膜厚均一性を高く保持した半導体基板表面平坦化と、２枚のウェーハの界面の酸化膜除去を同一の熱処理で効率よく行うことを可能にする半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain both an acrylic adhesive for an optical film, not peeling at an interface between an adhesive layer and a liquid crystal cell even in an atmosphere of high temperature and humidity, having excellent heat resistance and humidity resistance and an optical film with the adhesive layer using the adhesive and to provide a liquid crystal display apparatus using the adhesive.例文帳に追加

高温多湿の雰囲気下でも粘着剤層と液晶セルとの界面で剥離を生じたりする事の無い、耐熱性および耐湿性に優れた光学フィルム用のアクリル系粘着剤と、この粘着剤を用いてなる粘着剤層付き光学フィルムおよび液晶表示装置を提供する事を目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element capable of emitting light with high efficiency by increasing the distance from an interface having lower crystallinity to an active layer by switching V group elements of As and P and suppressing decrease in the crystallinity of the active layer in an AlGaInP resonant cavity LED or a surface emitting laser.例文帳に追加

AlGaInP系のレゾナントキャビティー型ＬＥＤまたは面発光レーザーにおいて、AsとPのＶ族元素の切り換えによる結晶性の低い界面から活性層までの距離を大きくして活性層の結晶性低下を抑制することにより、高効率な発光が可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

An average power given to an interface between the carbon nanotube layer 4 and the cathode layer 3 by a current flowing therethrough in aging is lower than that when the electron emission device 100 is actually driven.例文帳に追加

また、エージングにおいてカーボンナノチューブ層４とカソード層３との界面を通過する電流によって界面に与えられる電力の平均値は、実際に電子放出装置１００が駆動されるときにカーボンナノチューブ層４とカソード層３との界面を通過する電流によって界面に与えられる電力の平均値よりも小さい。 - 特許庁

In the second step, the cold spray device 30 jets second copper powder 42 having a particle diameter R2 greater than the particle diameter R1 of the first copper powder, and smaller than a dimension V2 from the surface of the underlayer 21 to an interface between the aluminum film 12 and the silicon layer 11, and thereby a thick film layer 22 is formed overlaid on the underlayer 21.例文帳に追加

第２工程では、コールドスプレー装置３０が、第１銅粉末の粒径Ｒ１より大きく且つ下地層２１の表面からアルミ膜１２とシリコン層１１との境界面までの寸法Ｖ２より小さい粒径Ｒ２の第２銅粉末４２を噴射することにより下地層２１に重ねて厚膜層２２を形成する。 - 特許庁

This ferrite magnetic layer is composed of 40 to 50 mol% Fe2O3, 15 to 35 mol% ZnO, 0 to 20 mol% Cu, and NiO and inevitable impurities for the rest, and an area having 5 mol% CuO, or lower density is formed in the ferrite magnetic layer nearby the interface contacting the top surface of the Si substrate.例文帳に追加

フェライト磁性層の組成がＦｅ_2Ｏ_3：４０〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１５〜３５ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０〜２０ｍｏｌ％、Ｂｉ_2Ｏ_3：０〜１０ｍｏｌ％、残部はＮｉＯ及び不可避不純物からなる磁性槽のＳｉ基板表面に接する界面近傍のフェライト磁性層にＣｕＯ濃度が５ｍｏｌ％以下の領域を形成する。 - 特許庁

The grain-oriented electromagnetic steel sheet with extremely low core loss has a coating layer composed of mainly SiO_2 via an oxide film of mainly SiO_2 formed by interface oxidation reaction on the surface of the steel sheet with no final annealed film and further has the tension-imparting insulating film on the surface of the coating layer.例文帳に追加

仕上げ焼鈍皮膜の無い方向性電磁鋼板表面に、界面酸化反応により生成したＳｉＯ_2を主体とする酸化膜を介してＳｉＯ_2を主体とするコーティング層が存在し、さらにその表面に張力付与型の絶縁皮膜が存在する鉄損の極めて低い方向性電磁鋼板の製造方法。 - 特許庁

A moisture resistant transparent film is formed on an interface between the metallic optical reflecting layer 2 and the heat sensitive recording layer 3 whereby the image contrast will not be deteriorated even under a high temperature condition in the employing condition of the heat sensitive recording medium A and the reversible heat sensitive recording medium excellent in resistance to moisture as well as resistance to water can be obtained.例文帳に追加

金属製の光反射層２と感熱記録層３の界面に耐湿性の透明性被膜が形成されるので、感熱記録媒体Ａの使用状態において、高湿度の条件においても画像コントラストが低下せず、耐湿性や耐水性に優れた可逆性感熱記録媒体になる。 - 特許庁

An amorphous silicon layer 4 is formed on the silicon base 1 exposed by eliminating a metal silicide film 3 formed on a sample surface, and a film thickness of the amorphous silicon layer 4 is determined to approximately flatten the unevenness on the interface of the metal silicide film 3 and the silicon base 1.例文帳に追加

試料表面に形成された金属シリサイド膜３を除去することにより露出したシリコン基板１上にアモルファスシリコン層４が形成されるとともに、このアモルファスシリコン層４の膜厚は、金属シリサイド膜３とシリコン基板１との界面に生じた凹凸が略平坦になるように設定される。 - 特許庁