「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

By installing the metal covered layer, invasion of the low melting point metal into a joining interface in joining the electric contact with the electrode rod can be inhibited, and generation of joint defect and peeling-off can be prevented.例文帳に追加

金属被覆層を設けたことで、電気接点を電極棒に接合する際に接合界面に低融点金属が侵入するのを阻止でき、接合不良や剥離が生ずるのを防止できる。 - 特許庁

It is preferable that the Si-concentrated region where the concentration of Si in the scale is ≥2.0 times the concentration of Si in the ferrite part comprises ≥60 area % of the interface part of the scale layer.例文帳に追加

前記スケール層の界面部において、スケールのＳｉ濃度が地鉄部のＳｉ濃度の２．０倍以上であるＳｉ濃化領域が６０面積％以上を占めるようにすることがより好ましい。 - 特許庁

The oxidized film 3 has an opening through which the reacted layer 8 is passed and is arranged in contact with the surface of the substrate 1 so as to cover the interface between the substrate 1 and area 2.例文帳に追加

熱酸化膜３は、加熱反応層８が貫通する開口部を有し、且つＳｉＣ基板１とｐ型ＳｉＣ領域２との界面を覆うように、ＳｉＣ基板１の表面に接して配置されている。 - 特許庁

To provide a container for molten metal capable of measuring a temperature of the molten object in the container over a long period, as accurately as possible, and a method of determining an interface layer.例文帳に追加

容器内にある溶融物の温度がより長期間にわたってできるだけ正確に測定することができる溶融金属用の容器、及び、界面層を決定するための方法を提供する。 - 特許庁

The titanium oxide layer contains particles of anatase titanium oxide and the particles of titanium oxide bond to their adjacent particles of titanium oxide so that the crystal lattice of the bonded particles of titanium oxide is matched at an interface between the particles.例文帳に追加

酸化チタン層は、アナターゼ型酸化チタン粒子を含み、隣接する酸化チタン粒子が結合し、結合した酸化チタン粒子の結晶格子が粒子間の界面にて整合している。 - 特許庁

In a device mode, the upstream port circuit 10 performs interface processing with a physical layer circuit of the up/downstream port circuit 60-n, and the up/downstream port circuit 60-n performs an upstream port operation.例文帳に追加

デバイスモードでは、アップストリームポート回路１０がアップ／ダウンストリームポート回路６０−ｎの物理層回路とのインターフェース処理を行い、アップ／ダウンストリームポート回路６０−ｎがアップストリームポート動作を行う。 - 特許庁

Then a nitrogen plasma is projected between the source/drain electrode wirings 7 where the oxidized insulating film 9 is formed, and a nitride insulating film 11 is provided at the interface between a semiconductor layer 4 and the oxidized insulating films 9.例文帳に追加

次に、酸化絶縁膜９が形成されたソース・ドレイン電極配線７間に窒素プラズマを照射し、半導体層４と酸化絶縁膜９界面に窒化絶縁膜１１を設ける。 - 特許庁

The insertion layer provides the HEMT device that is less sensitive to impurities in a depositing device, and an interface that easily makes the channel grow on the HEMT device.例文帳に追加

この挿入層は、その蒸着装置中での不純物に対する敏感さの小さいＨＥＭＴデバイスを提供し、そして、その上にチャネルを成長させるのがより容易な界面を提供する。 - 特許庁

An alloy 3, containing tin and nickel, is formed in a copper land portion 2 on a printed circuit board 1 and leads 5 of an electronic component are soldered with the SnZnBi solder paste 4 for jointing at the zinc-nickel interface layer.例文帳に追加

錫とニッケルを含有する合金３をプリント配線板１の銅ランド部２に形成し、ＳｎＺｎＢｉはんだペースト４で電子部品のリード５をはんだ付けし、亜鉛ニッケル界面層で接合する。 - 特許庁

To prevent the peeling on a cycloolefin base resin film surface layer near adhesion interface in regard to a polarizing plate made by joining a stretched cycloolefin base resin film to a polyvinyl alcohol base polarizing film with adhesive.例文帳に追加

ポリビニルアルコール系偏光フィルムに、延伸されたシクロオレフィン系樹脂フィルムが接着剤で接合された偏光板において、接着界面近傍のシクロオレフィン系樹脂フィルム表層での剥離を防止する。 - 特許庁

To provide a resistance contact type or electrostatic capacity type touch panel allowing reducing reflection and diffraction of light at an interface of an air layer with a transparent electrode and having a high light transmittance.例文帳に追加

空気層と透明電極との界面における光の反射や回折を低減することができ、光透過率の高い、抵抗接触方式あるいは静電容量方式のタッチパネルを提供する。 - 特許庁

The buffer layer has a linearly-changing composition with respect to thickness, from pure silicon at a substrate/buffer interface to a composition of germanium, and also has a chemical impurity substance.例文帳に追加

バッファ層は、基板／バッファとの界面における純粋シリコンからゲルマニウム組成にかけて、その厚みに対して一次的に変化する構成を有し、さらに、バッファ／エッチング停止界面に化学的不純物質を有する。 - 特許庁

Subsequently, H^+ ions are implanted down to a depth below the interface of the strained SiGe layer 16 and the silicon substrate 10 and a trench 26 reaching the inside of the silicon substrate 10 is made by STI.例文帳に追加

その後、歪ＳｉＧｅ層１６とシリコン基板１０との界面よりも下の深さにまでＨ^＋イオンを注入して、ＳＴＩによって、シリコン基板１０内に達するトレンチ２６を形成する。 - 特許庁

The proton conductive composite film having a surface layer having favorable adhesion properties with an electrode is interposed between facing electrodes, and in this state, heat treatment is conducted to produce an MEA having a favorable joining interface.例文帳に追加

更に、電極と接着性の良い表面層を有するプロトン伝導性複合膜を対向電極間に挟持した状態で加熱処理して、接合界面が良好なＭＥＡを作製する。 - 特許庁

To enhance the performance of an MOSFET by forming a gate insulation film only of a high permittivity material while preventing formation of an interface layer having a low permittivity on a substrate.例文帳に追加

基板上に誘電率の低い界面層が形成されることを防止しつつ、高誘電率材料のみからなるゲート絶縁膜を形成できるようにし、それによってＭＯＳＦＥＴの性能を向上させる。 - 特許庁

Afterwards, the electrode part 18 is put under heat treatment to have an electron conductive layer 22 precipitated on the interface of the solid electrolyte 12 and the electrode active material 16, and the electrode part 18 is imparted with electron conductivity.例文帳に追加

その後、電極部１８を熱処理して、固体電解質１２と電極活物質１６との界面に電子伝導層２２を析出させて、電極部１８に電子伝導性を付与する。 - 特許庁

To improve the hydrogen permeability of a hydrogen-permeable membrane by reducing the thickness of an oxidized layer in the surface of the hydrogen-permeable membrane or in the interface of the hydrogen-permeable membrane and a metal coating membrane.例文帳に追加

水素透過膜の表面あるいは水素透過膜と金属被覆膜との界面における酸化層厚を低減することによって、水素透過膜の水素透過性能を向上させること。 - 特許庁

To provide a serial bus interface having a physical layer circuit that can simulate devices without giving effect on connection topology in the case of connection to a serial bus in compliance with the IEEE 1394 or the like.例文帳に追加

ＩＥＥＥ１３９４等のシリアルバスに接続した際、接続トポロジーに影響を与えず、複数装置のシミュレートをすることもできる物理層回路を有するシリアルバスインターフェース装置を提供すること。 - 特許庁

An insulating layer 9 which includes a silicon atom and in which dangling bond of the silicon atom is terminated by a nitrogen atom or an ON group exists in an interface of the polysilicon film 4 and the gate insulating film 5.例文帳に追加

ポリシリコン膜４とゲート絶縁膜５との界面には、シリコン原子を含み、当該シリコン原子のダングリングボンドが窒素原子あるいはＯＮ基で終端された絶縁層９が存在している。 - 特許庁

Upon pinch-holding the stack, an interface 30K of the insulating plate 30R coming in plane contact with a separator 24 is made to be low frictional by using a means such as formation of a fluoroplastic coated layer.例文帳に追加

こうして積層体を挟持した上で、絶縁板３０Ｒについては、セパレーター２４と面接触する界面３０Ｋをフッ素樹脂コート層形成等の手法で低摩擦性状化させた。 - 特許庁

To provide a vessel for molten metal and method for determining interface layer which can measure temperature of any fused material contained in the vessel as correctly as possible over longer period.例文帳に追加

容器内にある溶融物の温度がより長期間にわたってできるだけ正確に測定することができる溶融金属用の容器、及び、界面層を決定するための方法を提供する。 - 特許庁

Since the positive hole cannot move to the interface of an adjacent p-base layer 56 across the p+ isolation region 68, the current concentrating on a specific point is limited to prevent the element from breakdown.例文帳に追加

正孔はこのｐ^+分離領域６８を越えて隣のｐベース層５６の境界面へ移動することができなくなるため、特定箇所へ集中する電流が制限され、素子の破壊が防止される。 - 特許庁

To provide a light transmissive conductive film and an electromagnetic wave shielding filter, for improving transmission, reducing interference colors by the reflection of a function layer and a support interface and simultaneously improving impact resistance.例文帳に追加

透過率が向上し、機能層と支持体界面の反射による干渉色の低減と同時に耐衝撃性の向上した透光性導電性フィルム及び電磁波遮蔽フィルターを提供する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board and manufacturing method and apparatus thereof capable of improving the barrier effect of an interface due to an intermediate layer, and suppressing the adhesion degradation due to a thermal load.例文帳に追加

中間層による界面のバリア効果を改善し、熱負荷での密着性劣化を抑制することができるプリント配線板、プリント配線板の製造方法およびその製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel cell hardly generating local submergence (flooding) at interface by heightening movability of generated water in a direction along an electrolyte layer member without relying on compulsory and active means.例文帳に追加

強制的、能動的な手法に頼ることなく、電解質層部材に沿った方向の生成水の移動性を高めて、界面の局所的な水没（フラッディング）を起こりにくくした燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a structure for fixing a flexible sheet-like first member to a second member having an FRP layer via sewing threads in the case of fixing a plastic member in which an interface is hard to be adhered.例文帳に追加

この発明は、界面が接着しにくいプラスチック部材を固着する際に縫糸を介して柔軟なシート状の第１部材とＦＲＰ層を有する第２部材とを固着する構造に関する。 - 特許庁

When reset detection or abnormal detection is recognized in the printer 1 side, a reset generation notice is transmitted from a communication protocol mounted on the interface 4 to a communication protocol (protocol layer 53) at the host computer 2 side.例文帳に追加

プリンタ１側でリセット検出または異常検出があると、インタフェイス４に実装された通信プロトコルからホストコンピュータ２側の通信プロトコル（プロトコル層５３）にリセット発生通知が送られる。 - 特許庁

With this construction, a vertical aligning property is imparted to the polymer, the influence of the curvature of the polymer wall (the interface) is reduced and the cholesteric liquid crystal 2 (a cholesteric liquid crystal layer 2a) tends to be vertically aligned.例文帳に追加

この構成により、高分子に垂直配向性を付与し、高分子壁（界面）の曲率の影響を低減させ、コレステリック液晶２（コレステリック液晶層２ａ）が垂直配向されやすくなる。 - 特許庁

To solve a problem that a time required for logical interfaces to be usable increases in proportion to number of physical interfaces because the logical interface at a higher-order layer implements initializing and its related processing after awaiting a usable state of the physical interfaces in subordinate layers of the logical interface in a communication apparatus employing a hierarchical communication protocol.例文帳に追加

階層化通信プロトコルを用いた通信装置において，上位層に位置する論理インタフェースはその下位に位置する物理インタフェースの使用可能状態を待ってから初期化及び関連する処理を行うため，論理インタフェースが使用可能になるまでにかかる時間は，物理インタフェースに比例して増大する。 - 特許庁

In the light-emitting layer 90 constituted of red color elements 92R, blue color elements 92B, and green color elements 92G, a vibration of a given frequency 170 is added on an interface jointing with at least either color element 92 out of the blue color elements 92B and the green color elements 92G to make a surface of the interface rugged.例文帳に追加

赤の色要素９２Ｒ、青の色要素９２Ｂおよび緑の色要素９２Ｇで構成される発光層９０において、青の色要素９２Ｂおよび緑の色要素９２Ｇの内、少なくとも一つの色要素９２と接合する界面に、所定の周波数１７０の振動を加えて、界面の表面を凸凹にする。 - 特許庁

A cell buffer 24 once stores an ATM cell received by a physical layer interface 12 independently of whether the ATM cell is an ATM cell outputted from a switch interface 22 or an ATM cell addressed to a host CPU 26 and the ATM cell addressed to the host CPU 26 is stored in a temporary RAM 18 in timing managed by a scheduler 16.例文帳に追加

物理層インターフェース１２に入力されたＡＴＭセルを、スイッチインターフェース２２から出力するＡＴＭセルであるかホストＣＰＵ２６宛のＡＴＭセルであるかにかかわらずセルバッファ２４に一旦蓄積し、スケジューラ１６により管理されたタイミングでホストＣＰＵ宛のＡＴＭセルをテンポラリＲＡＭ１８に格納する。 - 特許庁

After a gate electrode 20 is formed on a substrate 11, part of the gate electrode 20 in a thickness direction from a surface thereof is oxidized through a heat treatment or plasma treatment to make a part of the gate electrode 20 in the thickness direction from an interface 20A with a gate insulating film 30 into an interface layer 21 made of metal oxide.例文帳に追加

基板１１にゲート電極２０を形成したのち、このゲート電極２０の表面から厚み方向における一部を、熱処理またはプラズマ処理を用いて酸化させることにより、ゲート電極２０のゲート絶縁膜３０との界面２０Ａから厚み方向における一部を、金属酸化物よりなる界面層２１とする。 - 特許庁

To provide a control device, a control method and a computer program, by which, in an intermediate layer between an application program and a platform program, an intermediate processing unit is made into two layers, located respectively at an interface side of the application program and an interface side of the platform program, and the processes at the two respective layers are generalized for effective development.例文帳に追加

アプリケーションプログラムとプラットフォームプログラムとの間の中間層にて、アプリケーションプログラムのインタフェース側、及びプラットフォームプログラムのインタフェース側に中間処理部を２層化し、且つ２層夫々における処理を汎用化することで開発を効率化することができる制御装置、制御方法及びコンピュータプログラムを提供する。 - 特許庁

Upon the receipt of an IP address allocation request from the layer 2 processing section 45, a DHCP server function section 41 confirms a VLAN or the LAN interface sections 46-1 to 46-n, and allocates the IP address to each of the VLAN or the LAN interface sections 46-1 to 46-n according to the number of allocated addresses set to an address management database 42.例文帳に追加

ＤＨＣＰサーバ機能部４１はレイヤ２処理部４５からＩＰアドレス割り当て要求を受信すると、ＶＬＡＮまたはＬＡＮインタフェース部４６−１〜４６−ｎを確認し、ＶＬＡＮまたはＬＡＮインタフェース部４６−１〜４６−ｎ毎にアドレス管理データベース４２に設定された割り当て個数にしたがってＩＰアドレスを割り当てる。 - 特許庁

To improve the characteristics of a TFT(thin film transistor) by forming the interface between a region constituting an active layer, specially a channel formation region, and an insulating film into a satisfactory interface and also provide a semiconductor device provided with a semiconductor circuit, consisting of a semiconductor element having uniform characteristics, and the manufacturing method of the device.例文帳に追加

本発明は、活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域と絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、ＴＦＴの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法を提供するものである。 - 特許庁

To improve the characteristics of a TFT(thin-film transistor) by forming the interface between a region constituting an active layer, especially a channel formation region, and to make an insulating film into a satisfactory interface and also provide a semiconductor device provided with a semiconductor circuit consisting of a semiconductor element, having uniform characteristics and the manufacturing method of the device.例文帳に追加

本発明は、活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域と絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、ＴＦＴの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.例文帳に追加

積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The number of C atoms per 1 cm^3 in an interface between the group III nitride substrate and the epitaxial layer is ≥2×10^16 and ≤5×10^17, and the number of atoms of a p-type metal element per 1 cm^3 in the interface is ≥2×10^16 and ≤1×10^17.例文帳に追加

III族窒化物基板とエピタキシャル層との界面における１ｃｍ^３当たりのＣ原子の個数が２×１０^１６個以上５×１０^１７個以下であり、当該界面における１ｃｍ^３当たりのｐ型金属元素の原子の個数が２×１０^１６個以上１×１０^１７個以下である。 - 特許庁

At the interface between an Ru film 32a for composing the lower electrode 32 and the silicon oxide film 24, the bonding layer composed by a TaN film 30 is interposed for preventing the interface between the Ru film 32a and silicon oxide film 24 from peeling off when the dielectric film 34 deposited on the lower electrode 32 is heat-treated.例文帳に追加

下部電極３２を構成するＲｕ膜３２ａと酸化シリコン膜２４との界面には、ＴａＮ膜３０によって構成される接着層が介在し、下部電極３２上に堆積した誘電体膜３４を熱処理したときにＲｕ膜３２ａと酸化シリコン膜２４との界面が剥離するのを防いでいる。 - 特許庁

When an Ethernet (registered trademark) trailer which is transmitted from a client computer 10C via a network 11 is received by the network interface 108 of a server computer 10A and the matching of destination MAC addresses is detected, an IP(Internet protocol) trailer in the Ethernet trailer is transferred from an interface layer 101 to a filter driver 100.例文帳に追加

クライアント計算機１０Ｃからネットワーク１１を介して送信されたイーサネット（登録商標）トレーラがサーバ計算機１０Ａのネットワークインタフェース１０８で受信され、宛先ＭＡＣアドレスの一致が検出された場合、そのイーサネットトレーラ中のＩＰトレーラがインタフェース層１０１からフィルタドライバ１００に渡される。 - 特許庁

The semiconductor device includes a source region 10 and a drain region 11 that adjoin a silicon substrate 1 to form a Schottky junction, and an insulating layer provided to cover both of a portion where an interface of the silicon substrate 1 and the source region 10 is exposed and a portion where an interface of the silicon substrate 1 and the drain region 11 is exposed.例文帳に追加

シリコン基板１と接してショットキー接合を形成するソース領域１０,ドレイン領域１１と、上記シリコン基板１とソース領域１０との境界が露出する部分およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界が露出する部分を被覆するように設けられた絶縁層を備える。 - 特許庁

Further, the liquid is supplied toward the substrate surface Wf on the upstream side interface 231a of the liquid-tight layer 23 or on the downstream side (-X) in the moving direction from the upstream side interface 231a and displaced by fresh liquid to which a rinse liquid (a liquid) coming into contact with the substrate surface Wf is additionally supplied.例文帳に追加

さらに、液密層２３の上流側界面２３１ａまたは該上流側界面２３１ａよりも移動方向の下流側（−Ｘ）において液体を基板表面Ｗｆに向けて供給し、基板表面Ｗｆと接液するリンス液（液体）を追加供給されたフレッシュな液体に置換している。 - 特許庁

The rugged interface part 12 is an interface layer formed when the light guide plate upper part 11 and the light guide part lower part 13 overlap with each other, and is composed of a deformable substance, such as air, whose refractive index is smaller than the refractive index of the light guide plate upper part 11 and light guide plate lower part 13.例文帳に追加

凹凸界面部１２は、導光板上部１１と導光板下部１３とが重なり合うことによって形成される界面層であり、屈折率が導光板上部１１および導光板下部１３の屈折率よりも小さい屈折率の変形可能な物質たとえば空気から構成される。 - 特許庁

With this configuration, multi-atom layer step of about 3 nm in height are present in parallel each other in the Si wafer before bonding in micro size, and the step acts as a minute degassing hole in nanometer size at the stacked interface, so the gas generated at the interface in thermal process for raising adhesiveness is released effectively outside a wafer.例文帳に追加

上記構成によって、接着前のSiウェーハはミクロに見れば高さが3nm程度の多原子層ステップがお互い平行に存在し、重ね合わせた界面でこのステップがナノメートルサイズの微細なガス抜き穴として働くため、密着を高めるための熱処理時に界面で発生するガスがウェーハ外に効果的に抜ける。 - 特許庁

An adhesion layer containing amorphous carbon nitride (a-CNx:H) is formed on a laminate comprising an organic material formed on an inorganic material, an interface between an organic material and an inorganic material in a laminate wherein the organic material is formed on the inorganic material and the interface between an adhesive and a substrate hardly adhesive to the adhesive.例文帳に追加

無機材上に有機材が形成された積層体や、有機材の上に無機材が形成された積層体などにおける有機材と無機材との界面や、接着剤とこの接着剤に対して難接着性の基材との界面にアモルファス窒化炭素（ａ−ＣＮｘ：Ｈ）を含む密着層を形成する。 - 特許庁