「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

Regarding a signal layer having a signal pattern wired to the external interface connector 20 similarly to the above, the ground pattern 11 is arranged just below the connector mounting part except a part in which the signal pattern passes and at the periphery of the part immediately below the connector mounting part.例文帳に追加

外部インタフェースコネクタ２０に配線される信号パターンをもつ信号層については、当該信号パターンが通る部分を除いて上記同様に上記コネクタ実装部の直下とその周辺部にグランドパターン１１を設ける。 - 特許庁

An HDPO process generally generates plasma using an inductively and/or capacitively coupled RF energy transmitting device, controls the plasma generated on a substrate, and injects a gas containing an oxidizing source to grow an interface layer.例文帳に追加

ＨＤＰＯ処理は、一般的に、誘導及び／又は容量結合ＲＦ伝達デバイスを用いてプラズマを発生し、基板上で発生したプラズマを制御し、また酸化源を含有するガスを注入して界面層を成長させる。 - 特許庁

Since the interface of the gate oxide film 7 and the surface channel layer 5 can be brought into a state substantially containing no residual carbon, higher channel mobility can be obtained and ON resistance can be reduced furthermore.例文帳に追加

このようにすれば、ゲート酸化膜７と表面チャネル層５との界面が残留炭素をほぼ含まない状態にすることができ、さらに高いチャネル移動度を実現できると共に、オン抵抗のさらなる低減を図ることができる。 - 特許庁

To offer a stable manufacturing process for providing an antireflective organic substrate which is improved in interface adhesion between a substrate, a hard coat and an antireflective layer, and excellent in scratch resistance and antireflection.例文帳に追加

基材、ハードコートおよび反射防止層の各界面の密着性が改良され、耐擦傷性能および反射防止性能に優れた反射防止性有機基材を提供するにあたり、安定した製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A testing device 1009 realizes a radio connection by a CDMA radio interface with a mobile terminal device 150 by sending a layer-3 signal and transmits a signal to be measured to conduct the radio reception characteristic test and radio function test.例文帳に追加

試験装置１００は、移動端末装置１５０と、レイヤ３信号を伝送してＣＤＭＡ無線インタフェースによる無線接続を実現し、被測定用信号を伝送して無線受信特性試験及び無線機能試験を行う。 - 特許庁

In the separating step, a crack C is formed in a separation layer 103 or in the interface thereof by deforming the elastic body 108 coupled with the chip 104a and the chip 104a is separated from a seed substrate 101.例文帳に追加

分離工程では、チップ１０４ａに結合された弾性体１０８を変形させることによって分離層１０３中又は分離層１０３の界面に亀裂Ｃを形成し、チップ１０４ａをシード基板１０１から分離する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor as a transparent electronic element, which can employ a low-temperature process when a channel layer of the thin-film transistor is formed, has excellent interface characteristics with a gate insulating film, and is economical; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

薄膜トランジスタのチャネル層を形成するに際して、低温工程が可能であり、ゲート絶縁膜との界面特性が良好であり、且つ経済的な透明電子素子の薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A different joint structure is produced by mig-welding aluminum or an aluminum alloy material 2 on a hot dip galvanized steel material 1 and by disposing the layer of at least hot dip galvanizing on the joint interface to perform pile fillet weld.例文帳に追加

異材接合構造体は、溶融亜鉛めっきされた鋼材１にアルミニウム又はアルミニウム合金材２をミグ溶接にて少なくとも前記溶融亜鉛めっきの層を接合界面に配置して重ね隅肉溶接したものである。 - 特許庁

To provide a multi-rate compatible clock data recovery (CDR) circuit which requires one CDR circuit for a dual-rate PON system and includes an interface connected with a higher layer in a system that uses different bit rates.例文帳に追加

デュアルレートＰＯＮシステムにおけるクロック・データリカバリ回路を１つのクロック・データリカバリ回路の構成で実現し、かつ、双方のビットレートのシステムにおける上位層との接続インターフェースを備えたマルチレート対応のクロック・データリカバリ回路を提供する。 - 特許庁

To provide a collector for all-solid-state secondary battery in which cracking and exfoliation occurring on the interface of an electrode active material layer and the collector due to temperature variation during use of the battery can be prevented.例文帳に追加

本発明は、電池使用時の温度変動により電極活物質層と集電体との界面で生じる亀裂および剥離を防止することが可能な全固体二次電池用集電体を提供することを主目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photovoltaic device capable of effectively repairing a defect inside a crystalline silicon substrate and at an interface between the crystalline silicon substrate and a silicon semiconductor layer, with no damage on the crystalline silicon substrate.例文帳に追加

結晶シリコン基板内部および結晶シリコン基板とシリコン半導体層との界面における欠陥を、結晶シリコン基板にダメージを与えることなく、有効に修復することができる光起電力装置の製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board which has low dielectric loss and low conductor loss and has high adhesive strength between copper wiring and an insulating layer and has a chemically stable adhesion interface, and to provide a copper foil, a laminate and a wiring board used for the multilayer wiring board.例文帳に追加

誘電損失と導体損失が共に低く、銅配線と絶縁層との接着力が高く、接着界面が化学的にも安定である多層配線板とそれに用いる銅箔，積層板，配線板を提供する。 - 特許庁

The jointed structure is made by jointing a first member of steel with a second member of aluminum alloy, where the thickness of a reaction product layer generated on an interface between the first member and the second member shall be 0.5 μm or less.例文帳に追加

鋼からなる第１部材とアルミニウム合金からなる第２部材とを接合させた接合構造体において、第１部材と第２部材との接合界面に生成する反応生成物層の厚さを０．５μｍ以下とする。 - 特許庁

An outer circumferential end B of a bonding interface A between the first and second metal layers is positioned farther toward the outside in the direction to be away from the operating region than the outer circumferential side surface 3c of the first insulating layer 3a.例文帳に追加

第１の金属層と前記第２の金属層との接合界面Ａの外周端部Ｂは、前記第１の絶縁層３ａの外周側面３ｃよりも前記動作領域から離れる方向である外側に位置している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a junction leak current is suppressed to a minimum by relaxing through dislocation 6 even when the dislocation occurs from the interface of an SiGe layer 2 and a silicon wafer 1.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層２とシリコン基板１との界面から貫通転位６が発生したとしても、それを緩和させて、接合リーク電流を最小限に止めることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To form an organic transistor having a semiconductor of high crystallinity without a loss of planarity of the interface of a channel organic semiconductor in which carriers propagate and a gate insulating layer, and without reducing the yield.例文帳に追加

キャリアが伝播するチャネルの有機半導体とゲート絶縁体層界面の平坦性を失うことなく、歩留まりを低下させることなく結晶性の高い有機半導体を有する有機トランジスタを形成することを課題とする。 - 特許庁

To facilitate the alignment by photolithography in the pattern formation of resistors and to prevent the generation of inferior products caused by the disconnection of the resistors at the interface of a common electrode part and a glaze glass layer.例文帳に追加

抵抗体Ｒのパターン形成におけるフォトリソグラフィーによる位置合わせが容易であり、共通電極部分Ｍとグレースガラス層との界面での抵抗体Ｒの断線による不良品の発生を防ぐことができるサーマルヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a solid electrolytic capacitor with low ESR and superior reliability, which prevents solid electrolyte from being peeled off from an interface between a dielectric layer and the solid electrolyte by thermal stress and moisture absorption and to provide a manufacturing method of the capacitor.例文帳に追加

熱ストレスや吸湿によっても固体電解質が誘電体層や固体電解質間の界面から剥離することのない、低ＥＳＲで信頼性に優れた固体電解コンデンサとその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a stable semiconductor device that does not cause Si substrate to be oxidized when a ferroelectric film is formed, can prevent an interface layer from being formed, and does not cause ferroelectric characteristics to deteriorate by the heat treatment of gas containing a hydrogen element.例文帳に追加

強誘電体膜の形成時にSi基板が酸化されず、界面層の形成が防止でき、水素元素を含有したガスの熱処理にも強誘電体特性の劣化が少ない安定な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dielectric element which improves adhesiveness in an interface between a substrate formed of metal and an oxide dielectric layer, and has excellent leak characteristics, and to provide a method of easily manufacturing the dielectric element.例文帳に追加

金属からなる基板と酸化物誘電体層との界面における密着性を高めると共にリーク特性が良好である誘電体素子と、当該誘電体素子をより簡易に作製することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

A thin film capacitor 10 comprises a substrate 12, a lower electrode 14, a dielectric thin film 16 and an upper electrode 18, and if necessary, an antireaction layer 20 is arranged at the interface between the dielectric thin film 16 and the upper electrode 18.例文帳に追加

薄膜キャパシタ１０は、基板１２，下部電極１４，誘電体薄膜１６，上部電極１８からなり、必要に応じて誘電体薄膜１６と上部電極１８との界面に反応防止層２０が設けられる。 - 特許庁

An HfSiON gate insulating film 5 is formed through an interface layer 4 on a p-type Si substrate, and for example, SF_6 gas is sprayed to the surface to introduce F for introducing a halogen element so that a halogen element region 7 can be formed.例文帳に追加

ｐ型Ｓｉ基板上に界面層４を介してＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜５を形成し、その表面に例えばＳＦ_6ガスを吹き付けてＦを導入する等してハロゲン元素を導入し、ハロゲン元素領域７を形成する。 - 特許庁

Signal light can be reflected by an interface between the mirror 14 and the air layer 19, thereby the reflectance of the signal light due to the mirror 14 is enhanced and insertion loss from an input end 11c to an output end 12a is reduced.例文帳に追加

信号光を、ミラー１４と空気層１９の界面で反射させることができるので、ミラー１４による信号光の反射率が向上し、入力端１１ｃから出力端１２ａの挿入損失が低減される。 - 特許庁

To provide a tunneling magnetoresistive element which has small sheet resistance and lower roughness (interfacial roughness) on an interface of a ferromagnetic layer and then has magnetoresistive characteristics improved, a magnetic device using the element, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

シート抵抗が小さく、強磁性層との界面におけるラフネス（界面ラフネス）が低下し、したがって、磁気抵抗特性の向上を可能とするトンネル型磁気抵抗素子とそれを用いた磁気式デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Of the light emitted by the light emitting body 1, the light traveling to the part except the light output part is totally reflected by the interface between the light emitting body 1 and the low refractive index body layer 2, and the light emitted by the light emitting body 1 can be taken out with high efficiency.例文帳に追加

発光体１で発光された光のうち出力する部分以外に進む光は、発光体１と低屈折率体層２の界面で全反射され、発光体１で発光した光を効率良く取り出すことができる。 - 特許庁

By setting such a mode, as compared with the embodiment in which the first and the third processes will not be carried out, the metal member that has less carbide and hydrogen in the vicinity of the interface of the metal plating layer, and the base metal part can be manufactured.例文帳に追加

このような態様とすれば、第１および第３の工程を行わない態様に比べて、めっき層と地金部の界面の近傍において炭化物と水素が少ない金属製部材を製造することができる。 - 特許庁

An external touch keyboard is connected to an electronic device for use and includes: a touch panel; a control module and a signal transmission interface connected with the touch panel via connecting wires; a keyboard sign layer; and a light guide plate.例文帳に追加

本発明に係る外付け型タッチ式キーボードは、電子装置に接続されて用いられ、且つタッチパネル、接続線を介してタッチパネルに接続された制御モジュール及び信号伝送インタフェースと、キー標識層及び導光板と、を備える。 - 特許庁

To prevent an air layer from being generated or left on the interface of a kneaded matter and a metal plate because flatness of the kneaded matter before curing is not high on the plane touching the metal plate.例文帳に追加

硬化前の混練物は金属板に接する面の平坦度は高いとはいえないので放熱板における混練物と金属板との界面での空気層の発生あるいは残存してしまうものを防止する目的のものである。 - 特許庁

The nitride ceramic member has a fracture toughness K1c of ≥4.5 MPa.m1/2, and a segregated layer of the active metal in the brazing material having a thickness of 4 to 7 μm is present in the joined interface at the nitride ceramic member side.例文帳に追加

窒化物系セラミック部材の破壊靭性値Ｋ_ICは４．５ＭＰａ・ｍ^1/2 以上で、窒化物系セラミック部材側の接合界面には、ろう材中の活性金属が偏析した層が４μｍ〜７μｍ程度の厚さで連続して存在している。 - 特許庁

To provide a capacitor element which can realize low ESR on a level of a stacked ceramic capacitor by reducing the interface resistance between each layer and the next, without having to pass through a complicated process, and to provide its manufacturing method and an electrolytic capacitor which uses it.例文帳に追加

複雑なプロセスを経ずに各層間の界面抵抗を低減することで積層セラミックコンデンサ並みの低ＥＳＲ化を実現しうるコンデンサ素子と、その製造方法、並びにそれを用いた電解コンデンサを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a stuck wafer in which even formation of a blister due to an air bubble on a sticking interface is suppressed even when an active layer is thin and when an oxide film is thin.例文帳に追加

本発明の目的は、活性層が薄い場合や酸化膜が薄い場合においても、貼り合わせ界面の気泡によるブリスターの発生についても抑制することのできる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A mixed solution of sulfuric acid and nitric acid is adopted to an electrolyte on the liquid side in which the electric double-layer is formed at an interface between the solid and the liquid, while the function due to nitric acid of improving activated carbon surface on the solid side is utilized.例文帳に追加

固体と液体の界面に形成する電気二重層を構成する液体側の電解液に硫酸と硝酸の混合溶液を採用し、硝酸による固体側の活性炭表面を改質する作用を利用する。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolytic solution electric double-layer capacitor which can keep an electrical characteristics such as electrical conduc tivity, etc., and is superior in flame resistance and self-distinguishing property, and which has a low interface resistance in a nonaqueous electrolytic solution and is superior in low-temperature characteristic.例文帳に追加

十分な電気伝導性等の電気特性を維持しつつ、難燃性ないし自己消化性に優れ、非水電解液の界面抵抗が低く、低温特性に優れた非水電解液電気二重層キャパシタを提供すること。 - 特許庁

To provide a light antireflection optical system and an imaging optical system capable of greatly suppressing reflected light generated on the interface of a plane of an optical member and an adhesion layer provided on the plane with simple constitution.例文帳に追加

光学部材の平面と、この平面上に設けた接着層との間の界面において発生する反射光を、簡易な構成にて大幅に抑制し得る、光反射防止光学系および撮像光学系を提供する。 - 特許庁

To provide a hetero super-lattice structure having a steep interface which suppresses the diffusion of alkaline metal from a barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice structure, and a highly efficient inter-subband transition device employing the same.例文帳に追加

酸化物半導体超格子構造において障壁層からのアルカリ金属の拡散を抑制した急峻な界面を有するヘテロ超格子構造を提供し、これを用いた効率の高いサブバンド間遷移デバイスを提供する。 - 特許庁

Namely, lowering γp and γh concerned with a hydrophilic component of the surface free energy of the resist pattern suppresses permeation of an etchant from the interface between the conductor layer and resist and then fine wires can be formed.例文帳に追加

即ち、レジストパターンの表面自由エネルギーのうち親水性成分に関係するγｐとγｈを低くすることにより導体層とレジスト界面からのエッチング液の浸透を押さえることができ、微細な配線を形成することができる。 - 特許庁

To provide a wallpaper having a surface layer peelable from the wallpaper substrate such as a backing paper at the interface without causing the delamination of the substrate in contrast with conventional wallpaper and enabling the application of a new wallpaper (secondary wallpaper) without applying a treatment on the substrate.例文帳に追加

従来の壁紙のように裏打紙のような壁紙基材が層間剥離せず、表面層が、基材との界面から剥離でき、下地処理することなく、新しい壁紙（２次壁紙）を貼ることができる壁紙を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage device in which interface states of a tunnel insulating layer with a floating gate and a control gate are low, operations are stably performed and a cycle life of writing and erasing is long.例文帳に追加

トンネル絶縁層と、フローティングゲートおよびコントロールゲートとの界面準位がそれぞれ低く、動作特性が安定して行われ、書き込みおよび消去のサイクル寿命が長い不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dissimilar metal bonded member having high joint strength while being provided with an intermetallic compound layer on the bonding interface, and to provide a method of bonding dissimilar metals by which the bonded member can be efficiently produced.例文帳に追加

接合界面に金属間化合物層を有しながら、高い継手強度を備えた異種金属接合部材と、このような接合部材を効率的に製作することができる異種金属接合方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a charging member, a process cartridge and an electrophotographic apparatus, which can suppress the occurrence of a black haze-like image generated by peeling at the interface between a conductive substrate and an adhesion layer in a charging member of an electrophotographic apparatus.例文帳に追加

電子写真装置の帯電部材において、導電性基体と接着層界面の剥離によって生じる黒もや状の画像の発生を抑制できる帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供する。 - 特許庁

Hydrogen or halogen is contained on an interface between the Ge substrate 10 and the protection film 30, alternatively a semiconductor layer which is higher in the impurity concentration than the Ge substrate 10 is provided between the Ge substrate 10 and the protection film 30.例文帳に追加

そして、Ｇｅ基板１０と保護膜３０との界面に水素又はハロゲンが含有され、または、Ｇｅ基板１０と保護膜３０との間にＧｅ基板１０よりも不純物濃度が高い半導体層が設けられる。 - 特許庁

Furthermore, an interface is stabilized by supplying TMA for a time which corresponds to the growth of about one molecule layer by supplying raw material of GaInP and electrical characteristics of an epitaxial wafer for HEMT is improved.例文帳に追加

さらにＧａＩｎＰの原料を供給して１分子層程度の成長に相当する時間、ＴＭＡを供給することによって界面を安定化させ、ＨＥＭＴ用のエピタキシャルウェハを形成したときの電気的特性が向上する。 - 特許庁

The protocol determinator 16 determines a protocol and a parameter required for service provision and notifies the protocol and the parameter required for the service provision through a control circuit 19 to interfaces of layers following the application layer interface 11.例文帳に追加

プロトコル決定器１６がサービス提供に必要なプロトコル及びパラメータを決定し、制御回路１９を通してアプリケーション層インターフェース１１以下の各レイヤのインターフェースにサービス提供に必要なプロトコル及びパラメータを通知する。 - 特許庁

An n^+-buried impurity region 4 is formed in an interface between an n^--semiconductor layer 2 and a p^--semiconductor substrate 1 below an n^+-impurity region 7 connected to the drain electrode 14 of the nMOS transistor 103.例文帳に追加

ｎＭＯＳトランジスタ１０３のドレイン電極１４に接続されるｎ^＋不純物領域７の下方においては、ｎ^−半導体層２とｐ^−半導体基板１との界面にｎ^＋埋め込み不純物領域４が形成されている。 - 特許庁

To provide a production method for obtaining a photoelectric conversion device arranged with an organic semiconductor layer having a high photoelectric conversion efficiency, capable of increasing the area of a p-n junction interface while preventing occurrence of an isolated semiconductor.例文帳に追加

孤立した半導体の発生を防ぎつつ、ｐ−ｎ接合界面の面積を増大させることができ、高い光電変換効率の有機物半導体層が配置された光電変換素子が得られる製造方法を提供する。 - 特許庁