「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

An optical distance D1 of a semiconductor layer 47 satisfies (2×D1)/λ=(1/2π)Φ1+N (N: an integer larger than 0), where Φ1 represents a phase shift amount on an interface formed with an insulating film 46s, and λ represents the center wavelength of incident light H.例文帳に追加

半導体層４７の光学的距離Ｄ１が、絶縁膜４６ｓとの界面における位相シフト量Φ１、および、入射する光Ｈの中心波長λとの関係において、（２×Ｄ１）／λ＝（１／２π）Φ１＋Ｎ（Ｎは、０以上の整数）を満たすように形成する。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolytic solution electric double-layer capacitor, which can keep a long-term stability and safety required as a capacitor and is superior in self-distingushing property, flame resistance, electrochemical stability, and deterioration resistance, and has a low interface resistance in a nonaqueous electrolytic solution and superior low-temperature characteristic.例文帳に追加

キャパシタとして必要とされる長期安定性、安全性を維持しつつ、自己消火性ないし難燃性に優れ、かつ、電気化学的安定性、及び耐劣化性に優れ、さらに非水電解液の界面抵抗が低く、低温特性に優れた非水電解液電気二重層キャパシタを提供すること。 - 特許庁

In a step S54, a specific register built in the link layer part of an IEEE1394 interface is referred to and then it is decided from the copyright management information whether or not contents data are allowed to be copied; when it is decided that the copying is not allowed, an advance to a step S55 is made.例文帳に追加

ステップＳ５４で、IEEE1394インタフェースのリンクレイヤ部に内蔵されている所定のレジスタが参照されることにより、著作権管理情報によって当該コンテンツデータに対してコピーが許可されているか否かが判定され、コピーが許可されていないと判定された場合、ステップＳ５５に進む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a metal-insulation film-semiconductor (MIS) structure having a heavy hydrogen concentration equal to or more than 1×10^19 cm^-3 in the neighborhood of an interface between a semiconductor substrate and films or layers formed in the semiconductor device such as a gate insulation film, an interlayer insulation layer, and a protective insulation film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10^19cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置とする。 - 特許庁

As for the sealing lead wire 2, to the end face of the sealing material 3 made of tungsten or molybdenum, the external lead wire 5 in which a coating layer 5c made of metal is coated on the surface of a core wire is connected, and at least a part of the external lead wire 5 is mutually diffused in its connection interface.例文帳に追加

封着用リード線２は、タングステンまたはモリブデンからなる封着材３の端面に、芯線の表面に金からなる被覆層５ｃが被覆された外部リード線５が接続し、その接続界面において外部リード線５の少なくとも一部が相互に拡散していることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of controlling adhesive power of a base film of an adhesive tape which can prevent an adhesive agent from transferring to a dicing frame in a dicing frame bonding portion and which has excellent separating property at an interface between an adhesive agent layer and the base film when a chip is separated in a wafer bonding portion.例文帳に追加

ダイシングフレームを貼合する部分において、ダイシングフレームへの粘転着剤の転着がなく、かつ、ウェハ貼合部分においてチップの剥離時に、粘接着剤層と基材フイルム界面で剥離性が優れる、粘接着テープの基材フィルムの粘接着力を制御する方法を提供する。 - 特許庁

A CNT assembly film is pressurized on a substrate, formed with a soft metal thin film with high pressure within a range in which the substrate is not deformed, and in a state of the interface layer of the CNT assembly film being sunk into the soft metal with high ductility, the substrate and the CNT assembly film are adhered.例文帳に追加

ＣＮＴ集合体膜を軟質金属の薄膜が形成された基板に、基板が変形しない範囲の高い圧力で加圧し、ＣＮＴ集合体膜の界面層は変形能の高い軟質金属にめり込んだ状態で基板とＣＮＴ集合体膜を接着させる。 - 特許庁

Concerning the link of DLCI=x, z to which the reception enable information is not set, the reception interface part abandons the received frame at hardware level and only concerning the link of DLCI=y to which the reception enable information is set, the received frames is not abandoned but dispatched to the layer 2 data link control part.例文帳に追加

受信インタフェース部は、受信可情報が設定されていないＤＬＣＩ＝ｘ，ｚのリンクについて受信フレームをハードウェアレベルで廃棄し、受信可情報が設定されたＤＬＣＩ＝ｙのリンクのみ受信フレームを廃棄せずにレイヤ２データリンク制御部に渡す。 - 特許庁

By combining a magnetic material having negative spin- dependent bulk scattering parameter β and the spacer layer in which negative spin-dependent interface scattering parameter γ is acquired, large rate of magnetoresistance variation is acquired while utilizing negative magnetoresistive effect, in the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

、負のスピン依存バルク散乱パラメータβを有する磁性体材料と、負のスピン依存界面散乱パラメータγが得られるスペーサ層とを組み合わせすることにより、負の磁気抵抗効果を利用しつつ大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of easily manufacturing a semiconductor device which is improves in adhesion or the strength near an interface between a layer insulating film formed using a low dielectric constant film and other insulating film provided by being directly or indirectly laminated thereon.例文帳に追加

低比誘電率膜を用いて形成される層間絶縁膜とこれに直接または間接的に積層して設けられる他の絶縁膜との界面付近における密着性や強度が向上された半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 14B contains Si or its alloy and is formed by the gas phase method, liquid phase method or sintering method, and it is preferable that at least part of the interface with the negative electrode collector 14A is alloyed with the negative electrode collector 14A.例文帳に追加

負極活物質層１４Ｂは、Ｓｉ，Ｓｎあるいはこれらの合金を含み、気相法，液相法または焼結法で形成されたものであり、負極集電体１４Ａとの界面の少なくとも一部において負極集電体１４Ａと合金化していることが好ましい。 - 特許庁

In the laminate, a cushioning layer 3 comprising a rubbery elastic material or a rubber coated fabric formed by coating at least one surface of a fiber fabric with the rubbery elastic material is integrally interposed between a metal rod 1 and the resin material 2 at the molding interface X of them.例文帳に追加

積層体は、金属棒１と、樹脂材料２との成形界面Ｘには、ゴム状弾性材料または繊維の織布の少なくとも一方の面を前記ゴム状弾性材料でコートしたゴム引き布とした緩衝層３を介在させて一体的に構成してある。 - 特許庁

The optical coupler constituted such that the transparent dielectric substance 2 is in close contact with the metal membrane 1 so that the measurement incident light generates the metal intensifying evanescent light on the interface of the metal membrane 1 is arranged to the measurement object 5 via the slit layer 6.例文帳に追加

入射計測光が金属薄膜１の界面に金属増強エバネッセント光を発生させるように、透明誘電体２に金属薄膜１を密着形成した光結合器を構成し、測定対象物５に対し間隙層６を介してこの光結合器を配置する。 - 特許庁

The composite material with high thermal conductivity is provided which comprises a resin material 1 and the inorganic material particles 2 dispersed in the resin material 1, wherein the interface of the resin material 1 and the inorganic material particles 2 includes an organic polymer layer 3 inside which the molecular sequence thereof is ordered.例文帳に追加

樹脂材料１と、その樹脂材料１中に分散した無機材料粒子２と、を有するとともに、それら樹脂材料１と無機材料粒子２との界面に、内部の分子配列が秩序化された有機高分子層３を備える、高熱伝導性複合材料の提供による。 - 特許庁

To provide a conducting sheet laminate which exhibits a sufficient anchor effect by mitigating or eliminating an adverse effect of a significant residual stress attributed to the formation of a brittle alloy layer in a joint interface resulting from a high temperature process and a high rolling ratio joint and a part using the conducting sheet laminate.例文帳に追加

高温プロセスに伴う接合界面での脆弱合金層の形成や、高圧延率接合に伴う大きな残留応力などの悪影響を軽減もしくは排除し、充分なアンカー効果を発現可能な導電板積層体および導電板積層体を用いた部品の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device capable of suppressing a diffusion of Au, without making the flatness of the interface between a semiconductor layer and an electrode and capable of acting a low electric power consumption with a high oscillation efficiency, by reducing an internal light scattering and an absorption loss, and to provide a method of manufacturing the semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体層と電極との界面の平坦性を悪化させることなくＡuの拡散を抑制でき、内部光散乱や吸収損失を低減して高い発振効率で低消費電力動作ができる半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is improved in connection reliability when mounted on a mounting substrate by suppressing growth of a brittle inter-metal compound formed on an interface between a bump and a conductive layer to prevent development of cracking and peeling at a periphery of the bump and, therefore, disconnection and shorting of a circuit.例文帳に追加

バンプと導電層との界面に形成される脆い金属間化合物の成長を抑制することにより、バンプ周辺でのクラックや剥離の進展、ひいては回路の断線や短絡を防止し、実装基板に実装した際の接続信頼性が向上した半導体装置を提供する。 - 特許庁

By utilizing the catalysis of the metal of the internal electrode 2 during the baking process, the heterogeneous metal sticking to the end part surface of the internal electrode is made to diffuse into the interface between the ceramic layer 1 and the internal electrode 2 with the internal electrode as a path, to fill a void 3 and a metal 5.例文帳に追加

この焼付過程で内部電極２金属の触媒作用を利用し、前記内部電極端部表面に付着させた異種金属を内部電極を経路としてセラミック層１と内部電極２の界面に拡散させ、空隙３を金属５で充填する。 - 特許庁

To provide an image display device with a touch panel superior in a display grade, and easily reusing a display panel even when an adhesion error is caused in the image display device with the touch panel for integrally bringing an interface between the display panel and the touch panel into close contact with each other via a pressure sensitive adhesive layer.例文帳に追加

表示パネルとタッチパネルの界面を粘着剤層を介して密着させて一体化したタッチパネル付画像表示装置であって、表示品位がよく、接着ミス等が生じた場合にも表示パネルを容易に再利用可能なタッチパネル付画像表示装置を提供すること。 - 特許庁

In the ferroelectric material capacitor wherein a PZT film is sandwiched between an upper and a lower electrodes, a film composed of tetragonal system PZT crystal having (001) orientation is used as the PZT film, and a layer composed of PZT crystal belonging to rhombohedron system is interposed on an interface between the upper and the lower electrodes.例文帳に追加

上下電極の間にＰＺＴ膜を挟んだ強誘電体キャパシタにおいて、ＰＺＴ膜として（００１）配向を有する正方晶系のＰＺＴ結晶よりなる膜を使い、上下電極との界面に菱面体晶系に属するＰＺＴ結晶よりなる層を介在させる。 - 特許庁

The microporous resin molded item comprises at least two kinds of resins which are incompatible and have heat shrinkage characteristics different from each other, where one resin is uniformly dispersed in the other resin and an air layer exists at the interface between the dispersed resin and the other resin.例文帳に追加

非相溶であり、かつ、熱収縮特性の異なる少なくとも２種の樹脂を含有する微発泡樹脂成型体であって、一方の樹脂が他方の樹脂中に均一に分散しており、かつ、前記分散した一方の樹脂と他方の樹脂との界面に空気層がある微発泡樹脂成型体。 - 特許庁

A combination of a magnetic material having a negative spin-dependent bulk scattering parameter β and a spacer layer having a negative spin-dependent interface scattering parameter γ provides a magnetoresistive element which has a large resistance changing rate by making use of magnetoresistive effect.例文帳に追加

負のスピン依存バルク散乱パラメータβを有する磁性体材料と、負のスピン依存界面散乱パラメータγが得られるスペーサ層とを組み合わせすることにより、負の磁気抵抗効果を利用しつつ大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

It has been found that interface reaction can be controlled and it has also been verified that electrical and mechanical reliability can be obtained by combining a Sn-system solder 8 including Cu6Sn5 phase and a Ni-system layer 3 within the temperature range from a room temperature to 200°C at the solder connection part 1 in the electronic apparatus.例文帳に追加

電子装置のはんだ接続部１において、室温から２００℃においてCu6Sn5相を含有するSn系はんだ８とNi系層３とを組合せることで界面反応を抑制できることを見出し、電気的および機械的信頼性が得られることを確認した。 - 特許庁

By installing the inner semiconductor 20 in the vicinity of the inside of the electric wire where gaps are apt to to be formed, the minute gaps on the interface of the conductor 10 and the insulating layer 30 are filled, and the generation of the partial discharge can be suppressed.例文帳に追加

曲げによりギャップの生じやすい電線の内側付近、つまり導体１０と絶縁層３０との間に内部半導電層２０を設けることで、導体１０と絶縁層３０との界面における微小なギャップを埋め、部分放電の発生を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor circuit board having a thick copper pattern layer and exhibiting excellent heat cycle resistance in which thermal stress due to difference of the coefficient of thermal expansion between a copper pattern and an insulating substrate is suppressed, stripping of the bonding interface between the copper pattern and the insulating substrate or cracking of the insulating substrate is retarded.例文帳に追加

銅パターンと絶縁基板の熱膨張係数差による熱応力が小さく、銅パターンと絶縁基板の接合界面の剥離や絶縁基板２の割れが生じ難く、銅パターン層が厚く、耐ヒートサイクル性に優れた高い信頼性を有する半導体回路基板を提供すること。 - 特許庁

There is provided at least one of a bubbling lance and a furnace structure penetration nozzle for producing fluidization from a furnace peripheral edge section toward a furnace center section on an interface between a melting slag melt section and a covering layer of an inserted waste located just above the former, and for promoting a heat movement to the inserted waste.例文帳に追加

ガス吹込みにより溶融スラグ浴部とその直上の装入廃棄物のカバーリング層との界面に炉周縁部から炉中心部に向かう流動を生じさせ、装入廃棄物への熱移動を促進させるバブリングランスおよび炉体貫通ノズルのうちの少なくとも一方を有する。 - 特許庁

To provide an antireflection film material that prevents intermixing in the vicinity of an interface of an antireflection film and a photoresist film and provides a resist pattern with an almost vertical wall profile on the antireflection film and reduces damages in an underlying layer of the antireflection film.例文帳に追加

反射防止膜とフォトレジスト膜の界面付近のインターミキシングの発生を抑制でき、また、反射防止膜の上のレジストパターンをほぼ垂直形状にすることができ、さらに、反射防止膜の下層のダメージを低減することができる反射防止膜材料を提供する。 - 特許庁

Thus, when emitting the emitting light h generated by the organic EL layer 102b from the upper electrode 102c side, the occurrence of reflection in an interface between the upper electrode 102c and the sealing film 103 can be prevented, and taking-out efficiency of the emitting light h can be improved.例文帳に追加

これにより、有機ＥＬ層１０２ｂで生じた発光光ｈが上部電極１０２ｃ側から放出される際、上部電極１０２ｃと封止膜１０３との界面において反射が生じることを防止でき、発光光ｈの取り出し効率を向上させることができる。 - 特許庁

To provide an organic EL element, and its manufacturing method, which attains large-scale integration of a luminescent element array, enabling to effectively take out light emitted from an organic luminescent layer and reduce warping of a substrate due to membrane stress accompanying formation of luminescent elements which leads to lessen optical interface.例文帳に追加

発光素子アレイの高集積化を達成でき、有機発光層から出た発光を有効に外部に取り出し可能で、発光素子形成に伴う膜応力による基板の反りを低減でき、光学的界面を少なくできる有機ＥＬ素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By adjusting the stimulating position in a direction orthogonally crossing the optical axis of the stimulation light, the interface between the components (the laser medium and a saturable absorber) and the intermediate medium (an air layer) is formed as a curved surface to correct an angle error concerned with the parallelism of the components in the resonator.例文帳に追加

励起光の光軸に対して直交する方向における励起位置を調整することで、共振器内の構成素子の平行度に係る角度誤差を補正するために、構成素子（レーザ媒質や可飽和吸収体）と中間媒質（空気層）との界面を曲面として形成した。 - 特許庁

A through-conductor 11 includes a sintered conductor 12 which is made by sintering a conductor, an air gap 13 is formed in the interface of a part of the sintered conductor 12 and an insulating layer 3, and a part of the sintered conductor portion 12 is arranged along the direction in which the current of the through conductor 11 flows.例文帳に追加

貫通導体１１は導体部が焼結されて成る焼結導体部１２を含み、焼結導体部１２の一部と絶縁層３との界面に空隙１３を形成し、前記焼結導体部１２の一部を、当該貫通導体１１の電流の流れる方向に沿って配設する。 - 特許庁

This image forming method is for using the photosensitive transfer material, sticking the transfer material to a substrate as an object to be transferred, peeling and removing the temporary support from the thermoplastic resin layer at the interface between them and thereafter, exposing and developing the photosensitive transfer material to form the objective image on the substrate.例文帳に追加

上記の感光性転写材料を用い、この感光性転写材料を被転写体である基体上に密着させ、仮支持体を熱可塑性樹脂層との界面で剥離除去した後に、露光、現像して基体上に画像形成する画像形成方法。 - 特許庁

To perform high-speed measurement with an inexpensive and simple device constitution, concerning a measuring device for sample analysis such as a surface plasmon sensor for measuring an intensity change of reflected light from the interface between a thin film layer to be in contact with a sample and a dielectric member relative to various incident angles.例文帳に追加

種々の入射角度に対し、試料が接触させられる薄膜層と誘電体部材との界面からの反射光の強度変化測定する表面プラズモンセンサー等の試料分析用測定装置において、低コストの単純な装置構成による高速の測定を行う。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 14B contains Si or its alloy and is formed by the gas phase method, liquid phase method or sintering method, and it is preferable that at least part of the interface to the negative electrode collector 14A is alloyed with the negative electrode collector 14A.例文帳に追加

負極活物質層１４Ｂは、Ｓｉ，Ｓｎあるいはこれらの合金を含み、気相法，液相法または焼結法で形成されたものであり、負極集電体１４Ａとの界面の少なくとも一部において負極集電体１４Ａと合金化していることが好ましい。 - 特許庁

At least one bridging means 76a extends the insulating means 72, the bridging means 76a includes a conductive material for connecting the side electrode with the internal electrode, and at least one first surface formed by an interface between the conductive material and the insulating means is mutually continuous eventually with at least one second surface formed by an internal boundary in the piezoelectric layer in the vicinity of a piezoelectric/insulation interface 74.例文帳に追加

少なくとも１つのブリッジ手段７６ａが絶縁手段７２を延長し、ブリッジ手段７６ａは側部電極と内部電極との間の接続のため導電性材料を含み、導電性材料と絶縁手段との間のインターフェースにより形成された少なくとも１つの第１の表面と圧電層の内部境界により形成された少なくとも１つの第２の表面とは圧電／絶縁インターフェース７４の近傍で互いに事実上連続する。 - 特許庁

A substrate layer comprising a hard material is formed on the surface of the resin substrate and a fragile material is allowed to impinge against the resin substrate by a fine particle beam accumulation method so as to be partially embedded in the resin substrate to form an anchor part to form the polycrystalline fragile material structure substantially having no crystal orientation and not substantially having a grain boundary comprising a glass layer in the mutual interface of crystals.例文帳に追加

樹脂基材表面に硬質材料からなる下地層を形成した後に、その下地層の上に微粒子ビーム堆積法によって脆性材料を衝突させ、一部が下地層に食い込んでアンカー部を形成し、多結晶で実質的に結晶配向性がなく更に結晶同士の界面にガラス層からなる粒界面が実質的に存在しない脆性材料構造物が形成されている。 - 特許庁

This method is executed by pouring the solid supplying material together with carrier gas into a fused bath through one or more of lances/ tuyeres 11 extended downward to generate gas stream from the fused bath at least at 0.30 Nm3/s/m2 flow rate in the interface between a metal layer 15 and a slag layer 16 of the fused bath (under static condition).例文帳に追加

この方法は、固体の供給材料を、担体ガスと共に、溶融浴に、１つまたはそれより多くの下方に延びているランス／羽口（１１）を通して溶融浴に注入し、（静止条件下）溶融浴の金属層（１５）とスラグ層（１６）との間の界面において、少なくとも０．３０Ｎｍ^3／ｓ／ｍ^2の流量において、溶融浴からガス流を生じさせることを含む、溶融浴に基づいた方法である。 - 特許庁

To provide a catalyst specifying method capable of obtaining an EPMA analyzing result of high precision without mapping a ghost signal while permitting the presence of an interface of low intensity between a catalyst coating layer capable of serving as the starting point of cracks with respect to the irradiation with an electron beam of high intensity and an embedded resin layer when EPMA analysis is executed under the conditions while the concentration of a catalyst is extremely low.例文帳に追加

触媒濃度の極めて低い条件下においてＥＰＭＡ分析を実施するに際し、高強度の電子線の照射に対して亀裂の起点となり得る触媒コート層と包埋樹脂層の間の低強度な界面の存在を許容しながら、ゴースト信号がマッピングされることのない、高精度のＥＰＭＡ分析結果を得ることのできる触媒特定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly for solid polymer fuel cell capable of enhancing power generation efficiency by increasing all of gas channel, proton conduction path, and three-phase interface without increasing a catalyst layer resistance and utilizing effectively the catalyst in the catalyst layer at the time of obtaining a solid polymer fuel cell, and a manufacturing method of the membrane electrode assembly for solid polymer fuel cell.例文帳に追加

固体高分子形燃料電池を得るに際して、触媒層抵抗を増大させることなく、ガスチャネル、プロトン伝導パス、三相界面の全てを増大させ、触媒層中の触媒を有効に利用することにより発電効率を高めることができる固体高分子形燃料電池用膜・電極接合体および固体高分子形燃料電池用膜・電極接合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing laminate includes a process of heating the sapphire substrate at a temperature of 1,350 to 1,750°C in an atmosphere of a mixed gas of nitrogen-source gas having a nitrogen atom and hydrogen gas to form the aluminum nitride single crystal layer on the surface of the sapphire substrate, wherein, by adjusting conditions, the laminate having a gap on the interface between the sapphire substrate and the aluminum nitride single crystal layer can be produced.例文帳に追加

窒素原子を有する窒素源ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気下において、サファイア基板を１３５０℃以上１７５０℃以下の温度で加熱することにより、サファイア基板の表面に窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を製造する方法であり、条件を調整すれば、サファイア基板と窒化アルミニウム単結晶層との界面に空隙を有する積層体を製造することができる。 - 特許庁

To provide an all-solid battery, preferably an all-solid lithium ion battery capable of extremely decreasing substances inhibiting ionic conduction on the interface between an electrode layer and a solid electrolyte layer or in the grain boundary between an electrode active material and an electrolyte, performing high-rate charge discharge, increasing charge discharge efficiency even at high working current, and reducing a manufacturing cost; and to provide a method of manufacturing these batteries.例文帳に追加

本発明の課題は電極層と固体電解質層との界面、または電極活物質と電解質の粒界にイオン伝導を阻害する物質が非常に少なく、大電流の充放電が可能であり、大きな作動電流においても高い充放電効率を得られ、かつ製造コストが低い全固体電池、好ましくは全固体リチウムイオン電池、およびこれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the semiconductor device 100, a surface 10a has a specific plane orientation, and a sulfide of 30×10^10 to 2,000×10^10 pcs./cm^2 in terms of S conversion and an oxide of 2 to 20 at% in terms of O conversion exist in a surface layer 12, thereby preventing C from piling up in an interface between an epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体デバイス１００では、表面１０ａが特定の面方位を有した上で、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。 - 特許庁

The nickel-hydrogen storage battery including a negative pole containing the La-Mg-Ni based hydrogen storage alloy, wherein particles of the La-Mg-Ni based hydrogen storage alloy are covered by a surface layer having a composition different from that of the particles, and the nickel concentration of the surface layer at 10 nm from an interface with respect to the particles is substantially the same as the nickel concentration of the particles.例文帳に追加

Ｌａ−Ｍｇ−Ｎｉ系の水素吸蔵合金を含んでなる負極を備えたニッケル水素蓄電池であって、前記Ｌａ−Ｍｇ−Ｎｉ系の水素吸蔵合金の粒子は、該粒子とは組成が異なる表面層に覆われてなり、該表面層においては、前記粒子との界面から１０ｎｍにおけるニッケル濃度が粒子のニッケル濃度と実質的に同じであることを特徴とするニッケル水素蓄電池による。 - 特許庁

The laminate is produced by forming a photo-alignment layer of a liquid crystalline material having a photosensitive group on a homeotropic alignment layer of a liquid crystalline material having a photosensitive group and with unfixed alignment, and then irradiating the layers with unpolarized UV rays so as to fix the alignment in both layers and to enhance adhesiveness on an interface between the layers.例文帳に追加

前記積層体は、感光性基を有する液晶性材料から形成され、配向固定が未固定のホメオトロピック配向層上に、感光性基を有する液晶性材料から形成された光配向層を形成し、ついで非偏光性紫外線を照射することにより、両層における配向を固定するともに両層間界面における密着性を高めることにより製造される。 - 特許庁

In its featured arrangement, an intermediate layer 13 containing either or both of an intermetallic compound consisting of silicon contained in the inorganic substance particles and metal contained in the metal layer 12 and its solid solution is formed at an interface between the inorganic substance particles 11 and the metal layer 12.例文帳に追加

本発明の非水電解液二次電池用負極材料は、シリコンを主成分とし、リチウムイオンを吸蔵・脱離可能な無機質粒子１１の全面又は一部を金属層１２によって被覆した複合粒子１０を含む負極材料の改良であり、その特徴ある構成は、無機質粒子１１と金属層１２の界面に無機質粒子に含まれるシリコンと金属層に含まれる金属とからなる金属間化合物又は固溶体のいずれか一方又はその双方を含有する中間層１３が形成されたところにある。 - 特許庁