「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

To use an induction welding method which has been limited to the welding of a simple cylindrical oil pipe having a single layer for welding a complicated piston structure so as to achieve a strong joint having a minimum heat affected zone which is uniform over the entire interface of joining surfaces, and having high bonding property.例文帳に追加

従来は単純な単層の筒状石油パイプの接合に限定されていた前述の誘導溶接手法を、接合面のインターフェイス全体にわたって均一であるが最小限の熱影響域を有する、強固で結合性の高い継手を達成する態様で、複雑なピストン構造を接合するためにうまく利用する。 - 特許庁

A damaged region 16A that includes an oxygen impurity and at least one impurity selected from a group consisting of a fluorine impurity and a carbon impurity is formed in a layer 16 that includes a base of an emitter aperture at an interface between the emitter region and the base region, thus the performance of the bipolar transistor being enhanced.例文帳に追加

エミッタ領域とベース領域の界面は、酸素不純物と、フッ素不純物および炭素不純物から成るグループから選ばれた少なくとも１つの不純物とを含む損傷領域１６Ａをエミツタ開口のベースを含む層１６に形成することにより、バイポーラ・トランジスタの性能を改善する。 - 特許庁

To suppress a crack in a cathode layer of a capacitor element and a rise in interface resistance caused by stress generated by the expansion of an exterior resin by a heat history and exposure to a high temperature caused by the solder mounting of the solid electrolytic capacitor to a printed board and contraction on cooling.例文帳に追加

固体電解コンデンサのプリント基板上へのはんだ実装の際、高温下に曝される為、この熱履歴により、外装樹脂が膨張、冷却時の収縮により発生する応力が原因となって、コンデンサ素子の陰極層に亀裂が発生し、界面抵抗が上昇することを抑制すること。 - 特許庁

In a channel forming process in the method of manufacturing the full depletion type SOI transistor, especially, the NMOS transistor, ion implantation for threshold control for the channel forming portion is executed for an interface between an SOI layer and a buried insulation film at plurality of times while changing acceleration energy and dividing a dose quantity.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法におけるチャネル形成工程において、チャネル形成部へ閾値調整のためのイオン注入をＳＯＩ層/埋め込み絶縁膜との界面に、加速エネルギーを変えてドーズ量を分割して複数回行うことを特徴とする - 特許庁

To provide an adhesive sheet and a production method therefor, which control peeling from generating on the interface of a peeling base material and a supporting layer in a step of peeling a laminated body from the peeling base material, and to provide a method for producing a semiconductor device using the adhesive sheet, and the semiconductor device.例文帳に追加

積層体を剥離基材から剥離する工程において、剥離基材と支持層との界面に剥がれが生じることが抑制される接着シート及びその製造方法、並びに、上記接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

Thereby, a C surface of a crystal gain stands up along a thickness direction of the layer, and a stacked body with a crystal structure in which an interlayer interface exists is manufactured.例文帳に追加

冷却面垂直方向から、溶融された材料を、冷却面に向けて供給するとともに、溶融材料の加速力により溶融材料を冷却面に押し付けつつ一層毎に急冷凝固させて、層の厚さ方向に沿って結晶粒のＣ面が起立し、層間界面が存在する結晶構造の積層体を製造する。 - 特許庁

To provide an all-solid polymer battery having high capacity and superior cycle characteristics by improving lithium ion conductivity of a dry polymer electrolyte, and reducing interface resistance between a negative electrode active material layer and a solid electrolyte membrane in the all-solid polymer battery using lithium or lithium alloy as a negative electrode active material.例文帳に追加

負極活物質としてリチウムまたはリチウム合金を用いた全固体型ポリマー電池において、ドライポリマー電解質のリチウムイオン伝導性を向上させ、負極活物質層と固体電解質膜との界面抵抗を低減することで、高容量でサイクル特性に優れた全固体型ポリマー電池を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film photoelectric conversion device which maintains high productivity by a technique suitable for an increase in area without causing a decrease in yield, and which has improved conversion efficiency by forming an excellent junction interface between a transparent electrode layer made of zinc oxide and a photoelectric conversion unit.例文帳に追加

薄膜光電変換装置において、大面積化に適した技術により歩留まりの低下を引き起こさずに高生産性を維持し、かつ、酸化亜鉛からなる透明電極層と光電変換ユニットとの間に良好な接合界面を形成することにより光電変換装置の変換効率を改善する。 - 特許庁

A BN covering layer becomes a chemically stable phase at the interface between the SiC fiber and the boron carbide, the SiC fiber functions as a reinforcement material also against thermal stress under high temperature to prevent the sintering between both of them even in a sintering temperature region, and the crack of the composite sintered body can be effectively reduced.例文帳に追加

ＢＮ被覆層はＳｉＣ繊維と炭化ホウ素との界面で化学的安定相となり、焼結温度域でも両者間の焼結を防止するため、高温下での熱応力に対してもＳｉＣ繊維が強化材としての機能を発現でき、複合焼結体の割れを効果的に低減できる。 - 特許庁

The circularly polarized light controlling optical element 10 is obtained by adding a chiral agent and a photo-polymerization initiator to liquid crystal molecules with cholesteric regularity and applying them on a glass substrate 12, on which an alignment layer 16 is formed, and by hardening them with weak ultraviolet ray irradiation in the state in which the interface of the side opposite to the glass substrate 12 is exposed to the air.例文帳に追加

配向膜１６が形成されたガラス基板１２上にコレステリック規則性を備えた液晶分子を、カイラル剤及び光重合開始剤を添加して塗布し、ガラス基板１２と反対側の界面を空気に暴露した状態で弱い紫外線で照射して硬化し、円偏光制御光学素子１０を得る。 - 特許庁

To provide a copper paste that can secure airtightness of the interface between a via conductor and a ceramic layer and can suppress thrust up of the via conductor and does not bring about floating of glass on the surface of the via conductor and makes plating easy, and further can reduce internal resistance of the via conductor, and a wiring board using the same.例文帳に追加

ビア導体とセラミック層との界面の気密性を確保できてビア導体の突き上げが抑制できるとともに、ビア導体表面にガラスの浮き出しがなくてメッキ処理が容易にでき、ビア導体の内部抵抗を低くできる銅ペーストとそれを用いた配線基板を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

After a surface-reformed junction in which a barrier layer 5 is formed by changing the crystal structure of the junction interface of a high-temperature superconducting element and a superconducting circuit are completed, heat treatment is performed for a fixed period of time at the highest or higher temperature when manufacturing the junction by using a heating means 6.例文帳に追加

高温超伝導体電極の接合界面の結晶構造を変化させて障壁層５とした表面改質型接合および超伝導回路の完成後に、加熱手段６を用いて接合作製中における最高温度あるいはそれ以上の温度で決められた時間熱処理を行う。 - 特許庁

To prevent a decrease in infrared absorptivity of a solar heat collecting structure, erosion in a high-temperature atmospheric environment, shortening of a device lifetime, and inter-layer peeling due to thermal stress of an interface in a high-temperature difference cycle environment; and to efficiently supply an infrared wavelength range of irradiation and absorption to a thermoelectric power generating element.例文帳に追加

太陽熱集熱構造における赤外線吸収率の低下、高温度大気環境下における侵食、装置寿命の低下、高温度落差サイクル環境下での界面の熱応力による層間剥離を防止し、照射、吸収された赤外線波長領域を効率良く熱電発電素子に供給する。 - 特許庁

As a result, negative electric charges formed on the interface of the light oxide films 11a and 11b, the sidewall film 12 of the upper layer thereof and a sidewall spacer 16 can be reduced, the refresh characteristics of memory cells can be improved, and the occurrence of the kink phenomenon in the p-channel type MISFET of the peripheral circuit can be reduced.例文帳に追加

その結果、ライト酸化膜１１ａ、１１ｂとその上層のサイドウォール膜１２およびサイドウォールスペーサ１６との界面に形成される負電荷量を低減させることができ、メモリセルのリフレッシュ特性を向上させ、周辺回路のｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのキンク現象の発生の低減させることができる。 - 特許庁

A Bluetooth (R) apparatus 11 is composed of a radio communication unit 12 which makes radio communication, a link control unit 13 which controls the connection/cutoff of a physical link for the radio communication unit 12, and an application unit 14 which includes the upper layer of a Bluetooth (R) protocol stack and a man-machine interface.例文帳に追加

Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ機器１１は、無線通信を行う無線通信部１２と、無線通信部に対して物理リンクの接続／切断の制御を行うリンク制御部１３と、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈプロトコルスタックの上位レイヤやマンマシンインタフェースなどを含むアプリケーション部１４で構成されている。 - 特許庁

The optically compensated film has a liquid crystal composition, containing at least a kind of onium compound, at least a kind of cylindrical liquid crystalline compound, and at least a kind of additive for promoting vertical alignment on the air interface of the cylindrical crystalline compound, and has optical anisotropic layer formed from the liquid crystal composition.例文帳に追加

オニウム塩の少なくとも一種、棒状液晶性化合物の少なくとも一種、及び棒状液晶化合物の空気界面での垂直配向を促進する添加剤の少なくとも一種を含有する液晶組成物、及び前記液晶組成物から形成された光学異方性層を有する光学補償フィルムである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a low contact resistance and a desirable conductivity and a method that rarely produces the impurity layer in the interface between the first and second wiring layers, and can easily manufacture the above semiconductor device having a low contact resistance and a desirable conductivity with a high yield.例文帳に追加

本発明は、コンタクト抵抗が低く導電性に優れる半導体装置と、第一の配線層と第二の配線層との接合部に不純物層がほとんど生成されず、コンタクト抵抗が低く導電性に優れた半導体装置を容易に歩留まり良く製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The light reflective metal layer 9 for reflecting incident light toward an interface between the front plate and atmosphere is arranged in a prism shape, and a prism-shaped vertex angle θx in a first region adjacent to the solar cells is larger than a prism-shaped vertex angle θy in a second region.例文帳に追加

入射光を前面板と大気との界面に向けて反射させる光反射金属層９はプリズム形状を配列して構成し、太陽電池セルに隣接する第一の領域におけるプリズム形状の頂角θｘが第二の領域におけるプリズム形状の頂角θｙより大きい。 - 特許庁

By turning and pressing the rotary tool, the aluminum sheet 17 is softened by the friction heat and subjected to the plastic flow, the adhesive layer 21 is squeezed out from the welding part via the flow of the zinc material melted by the friction heat, and the interface between the steel sheet 16 and the aluminum sheet 17 is welded in a solid phase state.例文帳に追加

この回転ツールの回転及び押圧により、アルミニウム板１７が摩擦熱で軟化し塑性流動すると共に、摩擦熱により溶融した亜鉛材料の流動を介して接着剤層２１が接合部から押し出され、鋼板１６とアルミニウム板１７の界面が固相状態で接合される。 - 特許庁

Since the wafer for active layer having a predetermined in-plane distribution and the supporting wafer having an in-plane distribution reverse from the predetermined in-plane distribution are bonded, deviation of the in-plane distribution is offset, and the in-plane distribution of organic matters can be made substantially uniform on the bonding interface.例文帳に追加

これにより、所定の面内分布を持った活性層用ウェーハと、所定の面内分布とは逆の面内分布を持った支持用ウェーハとが貼り合わせられることから、互いの面内分布の偏りが相殺され、貼り合わせ界面における有機物の面内分布をほぼ均一とすることが可能となる。 - 特許庁

Contact plugs 104 (106, 108) made of different materials are employed to prevent a Joule heat generated near a contact interface 112 between a heater electrode 110 and a phase change layer 114 from being transmitted downward via the heater electrode 110 and being dissipated from a highly conductive metallic contact plug of a base.例文帳に追加

ヒータ電極１１０と相変化層１１４の接触界面１１２の近傍で発生するジュール熱が、ヒータ電極１１０を介して下方に伝達され、下地の良導電性の金属コンタクトプラグから放熱されることを抑制するために、異種材料コンタクトプラグ１０４（１０６，１０８）を採用する。 - 特許庁

Contact plugs 104 (108, 106) made of different materials are employed to prevent a Joule heat generated near a contact interface 112 between a heater electrode 110 and a phase change layer 114 from being transmitted downward via the heater electrode 110 and being dissipated from a highly conductive metallic contact plug of a base.例文帳に追加

ヒータ電極１１０と相変化層１１４の接触界面１１２の近傍で発生するジュール熱が、ヒータ電極１１０を介して下方に伝達され、下地の良導電性の金属コンタクトプラグから放熱されることを抑制するために、異種材料コンタクトプラグ１０４（１０８，１０６）を採用する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin-film semiconductor device capable of keeping an interface between a gate insulation film and a thin-film conductor layer under good conditions free from the influence of formation of a source/drain electrode and thereby having a fine bottom-gate-bottom-contact type thin-film transistor structure with good characteristics.例文帳に追加

本発明は、ソース／ドレイン電極の形成に影響されることなくゲート絶縁膜と薄膜半導体層との界面を良好な状態に維持することが可能で、これにより微細でありながらも特性の良好なボトムゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタ構成の薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a metallic pattern which can form a fine metallic pattern, is excellent in adhesiveness with a substrate, has sufficient conductivity, and can form the metallic pattern with the small irregularity of an interface with the substrate, and to provide a printed wiring board using it as a conductive layer and a TFT wiring circuit.例文帳に追加

微細な金属パターンの形成が可能で、基板との密着性に優れ、十分な導電性を有し、基板との界面の凹凸が小さい金属パターンが形成可能な金属パターン形成方法、及び、それを導電層として用いたプリント配線基板及びＴＦＴ配線回路の提供。 - 特許庁

To provide an adhesive resin composition that can reduce the internal stress at the interface of a metal and an adhesive layer and improve cathodic disbonding, and also enhance adhesive strength, especially an adhesive resin composition that has improved cathodic disbonding and enhanced adhesive strength in a high temperature range, for which a polypropylene can be used as a resin for coating.例文帳に追加

金属と接着層界面の内部応力を減少させ、陰極剥離を改善すると共に接着強度を向上させることができる接着性樹脂組成物、特にポリプロピレンが被覆用樹脂として使用される高温領域での陰極剥離性、接着強度を改良した接着性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide an organic EL element made possible to take out the light which was impossible to take out due to total reflection at an interface between a light emission layer and first electrode as an anode, of which efficiency of taking out blue color light and red color light inferior in light emitting efficiency and light emission life is improved by a diffraction lattice.例文帳に追加

有機ＥＬ素子において、発光層と透明な陽極である第１の電極との界面で全反射されるため外部へ取り出すことができなかった光を取り出せるようにし、発光効率、発光寿命の劣る青色、赤色の光の取り出し効率を回折格子によって向上させる。 - 特許庁

When a steel material 1 and an aluminum alloy material 2 which are different kinds of metal are welded, the steel material 1 with a galvanized layer 1z deposited thereon as a third metal different from the above metals is overlapped between both metal materials 1, 2, so as to weld while generating a eutectic molten metal 3 of Al and Zn in a welding interface.例文帳に追加

異種金属である鋼材１とアルミニウム合金材２とを異材接合するに際し、両材料１，２の間に、これら材料とは異なる第３の金属として、鋼材１に亜鉛めっき層１ｚを形成した状態で重ね合わせ、接合界面にＡｌとＺｎの共晶溶融金属３を生じさせて接合する。 - 特許庁

Further, a dopant reducing trap density of electric charges moving in and out of the charge storage layer 7 through the tunnel insulating film 6 is introduced into a region 7a on the side of an interface with the tunnel insulation film 6, or introduced into the region 7a to higher density than into another region 7b.例文帳に追加

また、電荷蓄積層７には、トンネル絶縁膜６を介して内部に出入りする電荷のトラップ密度を低減させるドーパントがトンネル絶縁膜６との界面側の領域７ａに導入されているか、もしくは領域７ａにはそれ以外の領域７ｂに比べてドーパントが高い濃度で導入されている。 - 特許庁

To use an induction welding method which has been limited to the welding of a simple cylindrical oil pipe having a single layer for welding a complicated piston structure so as to achieve a strong joint having a minimum heat affected zone which is uniform over the entire interface of joining surfaces, and having high bonding property.例文帳に追加

従来は単純な単層の筒状石油パイプの接合に限定されていた前述の誘導溶接手法を、接合面のインターフェイス全体にわたって均一であるが最小限の熱影響域を有する、強固で結合性の高い継手を達成する態様で、複雑なピストン構造を接合するためにうまく利用する。 - 特許庁

It is realized by using noble metal of a platinum group (8 group) or an Ib group containing alkali metal oxide, alkaline earth metal compound and a transition-metal compound of 3 to 7 group from an interface with the electron acceleration layer to the surface or their laminated film, mixed film or alloy film as the upper electrode.例文帳に追加

アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属化合物、３族〜７族の遷移金属化合物を電子加速層との界面から表面にかけて含む白金族（８族）またはＩｂ族の貴金属、あるいはそれらの積層膜、混合膜、合金膜を上部電極として用いることにより実現される。 - 特許庁

The method includes a process in which after an ultraviolet curable resin is supplied to a mold, a roller with a spiral groove is rotated, and by forming a flow along a fine uneven pattern, bubbles adherent to the interface between the mold and an ultraviolet curable resin coated film layer is discharged effectively.例文帳に追加

成形型上に紫外線硬化型樹脂を供給した後、螺旋状溝付ローラーを回転させ、微細凹凸パターンに沿った流動を与えることにより、前記成形型と紫外線硬化型樹脂塗膜層の界面に付着した気泡を効果的に排出する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The system level user interface layer is called a "head-up" display, namely HUD, the HUD can be called via a controller or a peripheral input means such as a button on a remote device, and the HUD allow a user to execute a secondary system level task which is unusable via the primary game application.例文帳に追加

システムレベルユーザインターフェース層は「ヘッドアップ」ディスプレイ、すなわちＨＵＤと呼ばれ、ＨＵＤはコントローラまたはリモート装置上のボタンなど、周辺入力手段を介して呼出し可能であり、またＨＵＤは、ユーザが１次ゲームアプリケーションを介しては使用不可能な２次システムレベルタスクを実施することを可能にする。 - 特許庁

A conductor layer is deposited on a surface of the panel on the side of the adhesive members by thin-film technique, thick-film technique, etc., and an adhesive interface present between panel adhesive members or chassis adhesive members is directly heated to easily separate the panel and chassis from each other without using any special expensive member.例文帳に追加

パネルの粘着部材側の面に薄膜技術もしくは厚膜技術等によって導体層を成膜し、パネル−粘着部材間、またはシャーシ−粘着部材間に存在する粘着剤界面を直接加熱することで、特殊で高価な部材を使用することなく、簡便にパネルとシャーシを分離する。 - 特許庁

To provide a mutual interface by positioning a device independent access (DIA) hierarchy between a high-order application hierarchy and a low-order device driver hierarchy used for a communication system as an intermediate layer, and a method capable of independently and commonly using the high-order application hierarchy and the low-order device driver hierarchy.例文帳に追加

通信システムに使用する上位アプリケーション階層と下位デバイスドライバ階層との間に中間層としてデバイス独立アクセス(ＤＩＡ)階層を位置させて相互インタフェースを提供し、上位アプリケーション階層と下位デバイスドライバ階層を独立的に共通化して使用可能にする方法を提供する。 - 特許庁

The single crystal Si substrate 10 and a quartz substrate 20 having carbon concentration of 100 ppm or above are stuck and an external impact is applied to the vicinity of the ion implantation damage layer 11 thus exfoliating an Si crystal film along the hydrogen ion implantation interface 12 of the single crystal Si substrate 10 in the substrates stuck together.例文帳に追加

この単結晶Ｓｉ基板１０と炭素濃度１００ｐｐｍ以上を含有する石英基板２０を貼り合わせ、イオン注入ダメージ層１１近傍に外部衝撃を付与することで、貼り合せ基板の単結晶Ｓｉ基板１０の水素イオン注入界面１２に沿ってＳｉ結晶膜を剥離する。 - 特許庁

Further, in the formed article for laser welding for directly welding an inorganic material selected from a metal, a ceramic, a glass, and a composite thereof with a resin by laser welding, a layer containing a polyolefin resin containing a polar group is present at the welding interface of the inorganic material and the resin.例文帳に追加

また、レーザー溶着法により金属、セラミック、ガラスおよびこれらの複合体から選ばれた無機材料と樹脂とが直接溶着するためのレーザー溶着用成型体において、上記無機材料と樹脂との溶着界面に極性基を含有したポリオレフィン樹脂を含んでなる層が存在するレーザー溶着用成型体。 - 特許庁

To provide a display device whose operating life of a liquid crystal panel is extended by alleviating an image persistence phenomenon caused by absorption of ions, produced by photo- or thermal-decomposition of an organic material due to long time irradiation of intense light on the liquid crystal panel, to an alignment layer and/or an electrode interface, and a method for driving the same.例文帳に追加

液晶パネルに強い光を長時間照射すると、光や熱で有機材料が分解してイオンが発生し、配向膜や電極界面に吸着して起る焼き付き現象を軽減し、液晶パネルの長寿命化を可能にした表示装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

The polymer structure is formed by hardening a curable compound represented by the following formula (1), and the liquid crystal near an interface of the polymer structure includes at least one director direction which is different from the orientation direction by the orientational function layer.例文帳に追加

高分子構造体は、下記式（１）により表わされる硬化性化合物を硬化することにより形成されたものであり、電圧非印加時に、当該高分子構造体の界面近傍の液晶が前記配向機能層による配向方向とは異なる少なくとも一つのダイレクタの方向を有するものである。 - 特許庁

By filming the reaction-proofing layer composed of SiC or AlN, for example, having a fusing point or thermal resistance higher than that of the semiconductor crystal A on the base wafer (Si wafer), even if the crystal A is grown at a high temperature for a long time, the high temperature reaction part is not formed near a silicon interface.例文帳に追加

下地基板（Ｓｉ基板）上に半導体結晶Ａよりも融点又は耐熱性が高い例えばＳｉＣやＡｌＮ等より成る反応防止層を成膜すれば、結晶Ａを長時間高温で結晶成長させる場合においても、シリコン界面付近に高温反応部が形成されない。 - 特許庁

By introducing the secondary jet flow to the flame, an interface shear layer of the flame and external stationary atmosphere is controlled in one way or another, and further instable phenomenon of the flame is prevented by cooling effect for lowering flame temperature, thus the generation of combustion noise and the production of thermal NOx can be prevented.例文帳に追加

火炎に対し二次噴流を導入することによって、火炎と外部静止雰囲気との界面せん段層がなんらかの形で制御され、さらに、火炎温度を低減させる冷却効果により、火炎の不安定現象が回避され、燃焼騒音の発生およびサーマルＮＯｘの生成が抑制される。 - 特許庁

Since the bonding film 40 can be imparted with a stress buffering mechanism and the support 7 is porous, volatile components contained in the bonding layer can be released at the time of solder reflow and stripping due to thermal expansion, or the like, can be prevented on the interface of the insulating film 5 and the bonding film.例文帳に追加

そのため、接着用フィルム４０に応力緩衝機構を持たすことができるとともに、支持体７は多孔質であるので、はんだリフロー時接着層に含まれる揮発成分を解放することができ、熱膨張等によって絶縁フィルム５と接着用フィルムとの界面に剥離を生じることを防止することができる。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery without deterioration of battery characteristics such as the deterioration of a current collecting characteristic, due to floating of the positive electrode active material and the rise in impedance due to a nonconductive layer to be formed in an interface between a metal collector and the positive electrode active material due to the corrosion of the metal collector.例文帳に追加

正極活物質の浮き上がりによる集電特性の劣化や、金属集電体の腐蝕による金属集電体と正極活物質との界面に形成される不導体層によるインピーダンスが上昇する等の電池特性劣化のない非水電解液二次電池を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a hot melt adhesive composition preventing air from being included in the interface between a hot melt adhesive layer and an adherend by flexibly corresponding to a part of the surface of the adherend having unevenness of several μm's, and hardly causing fisheyes even when foreign matter, dust or the like is present, and to provide a film with the hot melt adhesive.例文帳に追加

被着体の表面に数μｍの凹凸のある部分にも柔軟に対応してホットメルト接着剤層と被着体の界面に空気が混入することがなく、また、異物や埃などがあってもフィッシュアイが発生しないホットメルト接着剤組成物およびホットメルト接着剤付きフィルムを提供せんことにある。 - 特許庁

A progress monitor layer 5, which is sensitive for plasma light emission monitoring and contains nitrogen, is provided in the low-resistance film 6 and nearby an interface formed with the work function metal film 4 to detect change of plasma light emission during etching, and progress of the etching is monitored to prevent the etching step change from being delayed.例文帳に追加

低抵抗膜６中であって、仕事関数金属膜４との界面の近傍に、プラズマ発光モニタに感度のある、窒素を含む進捗モニタ層５を設けることで、エッチング中のプラズマ発光の変化を検知し、エッチングの進捗をモニタすることでエッチングステップ切り替えの遅延を防止することができる。 - 特許庁

In the bonding wire in which a core material 1 composed mainly of copper is subjected to palladium plating 2, a maximum diameter of voids existing in the vicinity of a copper core material interface below a palladium coating layer is 60 nm or less, and the number of voids having a maximum diameter of 10 nm or more which exist per 1 μm of the coating length is 0.6 or less on average.例文帳に追加

銅を主成分とする芯材１にパラジウムめっき２を施したボンディングワイヤであって、パラジウム被覆層下の銅芯材界面近傍に存在するボイドの最大径が６０ｎｍ以下で、かつ該被膜長さ１μｍ当りに存在する最大径が１０ｎｍ以上のボイドの個数が平均０．６個以下であるボンディングワイヤ。 - 特許庁