「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, droplets 71 will not get large by the weight of the droplet layer, re-gathering of the droplets is promoted, and the formation of the foam layer can be suppressed, even if the solid substance gathers near the interface S.例文帳に追加

したがって、液滴層の重みによって、液滴７１が粗大化することがなく、液滴７１の再合一が促進され、仮に界面Ｓの付近に固形物が集まっても、泡層が形成されるのを抑制することができる。 - 特許庁

To provide a superabrasive grain vitrified grinding wheel capable of preventing separation at an interface part even if an abrasive grain layer and a base layer composing a grinding wheel chip is composed of two layers made of different kinds of materials, or an impact load is applied in grinding.例文帳に追加

砥石チップを構成する砥粒層と下地層が異種材料からなる２層によって構成されていても、研削時の衝撃的負荷が加わっても、界面部で剥離を防止できる超砥粒ビトリファイド砥石を提供する。 - 特許庁

This method evacuates a gas present in the interface between the surface layer member 1 and the foam 7 by puncturing a thin film part 12 formed in a part of the surface layer member 1 with a needle-like object 41 after the lapse of a specified time since the start of expanding the foamed resin.例文帳に追加

発泡樹脂の発泡開始から所定時間経過後に、表層部材１の一部に形成されている薄膜部12に針状物41を突き刺すことで、表層部材１と発泡体７の界面に存在するガスを抜く。 - 特許庁

A processor 3 in each of PLCs 1A to 1N is provided with a user memory 31 and an application program 32, and an Ethernet interface 2 in each of the PLCs 1A to 1N is provided with: a physical layer 21; a data link layer 22; an IP 23; a UDP 24; and a data transmission reception function section 25.例文帳に追加

各ＰＬＣ１Ａ〜１Ｎは、プロセッサ３にユーザ用メモリ３１とアプリケーションプログラム３２を設け、イーサネットインタフェース２に物理層２１とデータリンク層２２とＩＰ２３とＵＤＰ２４およびデータ送受信機能部２５を設ける。 - 特許庁

The superabrasive grain layer 3 and the metallic base 5 are formed as an interface surface in a tapered surface of inclining at the same angle to the axis, and the thickness of an adhesive layer is set to 30 μm to 200 μm, and a variation in the thickness is set within 10 μm.例文帳に追加

超砥粒層３および金属製基台５は、軸に対して同じ角度で傾斜するテーパ面が接合面となっており、接着剤層の厚みが３０μｍ〜２００μｍ、かつ、厚みのバラツキが１０μｍ以内とする。 - 特許庁

The alignment regulating layer has a projecting part (a) projected from a reference surface (b) in an interface with the solidified liquid crystal layer, and the maximum angle made between the side of the projecting part and the surface of the base material is from 1-10°.例文帳に追加

前記固体化液晶層との界面において、前記配向規制層の表面は基準面（ｂ）から突出した凸部（ａ）を有し、前記凸部の側面と前記基材表面とのなす最大角度は、１°以上１０°以下である。 - 特許庁

A nitrogen implantation region 13 is formed by additionally implanting nitrogen near an interface with a P type well layer 12 formed into the low-density N type epitaxial layer 11, so that the density distribution of an N type impurity is made uniform.例文帳に追加

低濃度Ｎ型エピ層１１内に形成されるＰ型ウエル層１２との界面近傍に窒素を追加で打ち込んで窒素注入領域１３を形成しているので、Ｎ型不純物の濃度分布が均一化される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device and a semiconductor device capable of repairing any crystal defect caused in the inner wall layer of a trench formed in a substrate and reducing an interface level of the inner wall layer.例文帳に追加

基板に形成されたトレンチの内壁層に生じる結晶欠陥を修復するとともに、内壁層の界面準位を低減することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

When an oxide insulator is formed as a protective film on an oxide semiconductor layer, a film is formed in an atmosphere containing an oxidizing gas, and the carrier density around an interface of the oxide semiconductor is made lower than that of an insulation layer side.例文帳に追加

酸化物半導体層上に保護膜として酸化物絶縁体を形成する際に、酸化性ガスが含まれる雰囲気で成膜し、酸化物半導体の界面付近のキャリア密度を絶縁層側のキャリア密度より小さくする。 - 特許庁

The method utilizes atomic layer deposition technology, by which nitric acid metal base precursor (for example, nitric acid hafnium or nitric acid zirconium) can be incorporated, without introducing hydroxylating agent or oxidizing agent (for example, water), while the interface layer is formed.例文帳に追加

これらの方法は、界面層の形成の間、硝酸金属ベースプリカーサ（例えば、硝酸ハフニウムまたは硝酸ジルコニウム）を水酸化剤または酸化剤（例えば、水）を導入することなく組み込む原子層堆積技術を利用する。 - 特許庁

The specific frequency or energy is so selected that the photons easily pass through the material and are absorbed by the material and then are reflected at the interface between the layer and the substrate, according to the material of the layer.例文帳に追加

前記特定の周波数又はエネルギは、光子が前記材料を容易に通過して前記材料に吸収され、その後、前記層と前記基板との界面で反射されるように、前記層の材料に応じて選択される。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive adhesive sheet having a pressure-sensitive adhesive layer by a pressure-sensitive adhesive composition capable of reducing whole reflection of a light on an interface of an optical film and an optical member with the pressure-sensitive adhesive layer.例文帳に追加

光学フィルムや光学用部材と感圧性接着剤層との界面における光の全反射を低減することができる感圧性接着剤組成物による感圧性接着剤層を有する感圧性接着シートを提供する。 - 特許庁

To provide a high-quality active layer and interface of the active layer by making highly controllable crystal growth possible, and by suppressing liberation of In as much as possible in the manufacturing process of a compound semiconductor light emitting element.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の製造工程においてＩｎの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。 - 特許庁

A deposition layer is thin right after a surface activation process through an energy wave, and therefore, if the deposition layer is crushed for a joining operation, the joining interface is spread, and a regenerated surface appears on the joining surface, thus allowing relative members to be mutually joined.例文帳に追加

エネルギー波による表面活性化処理後、すぐには付着物層も薄いので、該付着物層を押しつぶして接合すれば、接合界面は広がり、接合表面に新生面が現れ、被接合物どうしが接合される。 - 特許庁

Before the first write-in operation, a high resistance layer 19 is formed at an interface of the memory layer 17 with the lower electrode 14 by applying initialization pulse voltage to the upper electrode 18 and the lower electrode 14.例文帳に追加

初回の書込み動作の前に、上部電極１８および下部電極１４に対して初期化パルス電圧が印加されることにより、記憶層１７の下部電極１４との界面に高抵抗層１９が設けられている。 - 特許庁

Since chemical bond in an ion implantation layer 11 is cut easily when external impact is applied, exfoliation of silicon takes place along the ion implantation interface 12 and a strained silicon layer 13 is obtained on the supporting substrate 20.例文帳に追加

したがって、外部衝撃を付与すると、イオン注入層１１中の化学結合の切断が容易に生じる結果、イオン注入界面１２に沿ってシリコンの剥離が生じ、支持基板２０上に歪シリコン層１３が得られる。 - 特許庁

An ion source containing a group 13 metal and an ion source containing nitrogen are continuously supplied to a liquid layer formed in the interface between a substrate and a compound adjacent to the substrate, and the ion sources are allowed to react in the liquid layer.例文帳に追加

基板と該基板と隣接する化合物との界面に形成される液層に、第１３族金属を含有するイオン源と窒素を含有するイオン源とを連続的に供給し、前記液層内でイオン源を反応させる。 - 特許庁

To provide a gallium nitride semiconductor light-emitting element capable of stabilizing a drive voltage by reducing carrier depletion, due to spontaneous polarization and piezo polarization generated at the interface between an AlGaN semiconductor layer and a GaN-based semiconductor layer.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ半導体層とＧａＮ系半導体層との界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができる窒化ガリウム半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The light emitting semiconductor device includes a first conductivity first semiconductor first carrier trapping layer, an active region, and a wafer-bonding interface between the active region and the first carrier trapping layer.例文帳に追加

発光半導体デバイスは、第１伝導型を有する第１半導体により形成される第１キャリア閉じ込め層と、活性領域と、上記活性領域と上記第１キャリア閉じ込め層との間に設けられるウェハボンディング界面とを含む。 - 特許庁

Thereby, the junction surface area in the bonding interface of the p^+ type bonding layer 4a and the n^+ type bonding layer 4b can be increased as compared with a flat structure like a conventional one, and carriers are made easy to pass therethrough by that amount.例文帳に追加

これにより、ｐ^+型接合層４ａとｎ^+型接合層４ｂとの接合界面での接合面積を従来のような平坦構造と比較して増大させることが可能となり、その分キャリアを通過させ易くなる。 - 特許庁

This steel panel may have a chemical forming treatment film containing at least one of Cr, Si, P and C at the interface of the organic resin film layer and an aluminum plating layer and 7-25 mass % of Cr may be contained in a matrix steel panel.例文帳に追加

該鋼板は有機樹脂皮膜層とアルミめっき層の界面に、Ｃｒ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃの１以上を含有する化成処理皮膜を有してもよいし、母材鋼板中に、Ｃｒを７〜２５質量％含有してもよい。 - 特許庁

To provide an organic EL element wherein the status of an interface between a hole injection-transportation layer and a light emitting layer is electrically stabilized to improve the transportation property of the hole, thus extending the service life of the element and ensuring long-term reliability.例文帳に追加

正孔注入・輸送層と発光層との間の界面の状態を電気的に安定にし、正孔の輸送性を良好にすることでその発光寿命を長くし、長期信頼性を確保した有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a coated optical fiber having excellent water-resistance in which the forming of bubbles in the inside of a primary coating layer and the exfoliation of a glass fiber/ the primary coating layer interface are suppressed, and the increase in an optical loss is decreased even after being soaked in water for a long time.例文帳に追加

長時間浸水しても、１次被覆層内部の水泡の生成やガラスファイバ／１次被覆層界面の剥離が抑制され、光損失増が低減された、耐水性に優れる光ファイバ心線を提供する。 - 特許庁

Even if a plating liquid permeates the inside of the first insulation layer 21 along the interface between the resin material and the fibers 23 in forming the via 16 and the conductive land 15, the plating liquid can be prevented from reaching the surface of the second insulation layer 22.例文帳に追加

ビア１６および導電ランド１５の形成時、たとえ樹脂材料および繊維２３の界面に沿って第１絶縁層２１内にめっき液が染み込んでも、第２絶縁層２２の表面にめっき液の到達は回避される。 - 特許庁

Since the electric field on the interface between the ferroelectric layer 30 and the upper electrode layer 40 is disturbed and a region being applied with a strong electric field is distributed, the concentration of the electric field is prevented and the deterioration of insulation can be suppressed.例文帳に追加

これによって、強誘電体層３０と上部電極層４０との界面の電界が乱されて強い電界のかかる領域が分散するため、電界の集中を防止して絶縁性の劣化を抑制することができる。 - 特許庁

An optical coupler is configured by forming a metal thin film 1 on a transparent dielectric material 2, by adhering the film thereto so as to allow the object light to excite a metal interface optical mode on the interface of the metal thin film 1, and disposing a light-scattering material 3 via a gap layer 4.例文帳に追加

被変調光が金属薄膜１の界面に金属界面光学モードを励起するように、透明誘電体２上にこの金属薄膜１を密着形成し、間隙層４を介して光撹乱体３を配置した光結合器を構成する。 - 特許庁

Before the gate electrode 5 is formed, a gate insulating film 4 having a nitrided region at its inside from the interface between the film 4 and a semiconductor substrate 1 or the gate electrode 5 is formed by adding nitride to the interface between an aluminum oxide layer which becomes the insulating film 4 and the substrate 1 or electrode 5.例文帳に追加

ゲート電極５の形成前に、ゲート絶縁膜４となる酸化アルミニウム層の半導体基板１との界面側またはゲート電極５との界面側に窒素を添加し、その界面から内部の領域が窒化されたゲート絶縁膜４を形成する。 - 特許庁

The refractive index level difference in the border plane which exists within a range of less than a coherent distance Lc calculated from the PL spectrum of the light emitted from the emission interface from the emission interface of the organic emission layer is set to about 0.6 or less.例文帳に追加

そして、有機発光層の発光界面からの距離が発光界面から放出される光のＰＬスペクトルから求められた可干渉距離Ｌｃ未満の範囲内に存在する境界面に於ける屈折率段差を約０．６以下となるように設定する。 - 特許庁

The Ir-based conductive coating material having excellent characteristic in resistance to deterioration with time is characterized in that an interface thin layer containing an Ir-Sn-based intermetallic compound is formed to the bonding or pressing interface where Sn or the Sn-based alloy is bonded or pressed.例文帳に追加

Ｓｎ又はＳｎ基合金が接合又は押圧された接合界面又は押圧界面に、Ｉｒ−Ｓｎ系金属間化合物を含む界面薄層が形成されていることを特徴とする耐経年劣化特性に優れたＩｒ基導電性被覆材料。 - 特許庁

The catalyst layer is preferably provided with an inclined structure wherein the content of the aggregated polymer electrolyte is decreased and the content of the catalyst or the catalyst support with catalyst supported is increased toward an electrode/gas phase interface from an electrolyte/electrode interface.例文帳に追加

さらに、触媒層は、電解質／電極界面から電極／気相界面に向かって、塊状の高分子電解質の含有量が少なくなり、かつ触媒又は触媒を担持した担体の含有量が多くなる傾斜構造を備えていることが好ましい。 - 特許庁

To prevent that as the interface of the polymer electrolyte layer and the electrode is formed by contact of a solid-solid, contact of the interface of an active substance and an electrolyte is likely to become unstable and the battery property deteriorates such as deterioration of charge and discharge characteristics and increase of internal resistance.例文帳に追加

ポリマー電解質層と電極の界面は固体−固体間の接触により形成されるため、活物質と電解質の界面接触が不安定になりやすく、充放電特性の劣化や内部抵抗の上昇などの電池特性が悪くなる。 - 特許庁

The information recording medium has an oxide dielectric layer containing an oxide D1 (D1 is an oxide having at least one element selected from Zr, Hf, Y, In, Al, Ti, Cr and Si) and an oxide D2 (D2 is an oxide having at least one element selected from Sb, Sn, Te and Bi) as a second interface layer 14 and a first interface layer 16.例文帳に追加

酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を第２界面層１４および第１界面層１６として備えることを特徴とする情報記録媒体。 - 特許庁

The data processor includes: a hardware abstract layer which executes OS having a kernel mode and a user mode and has a plurality of hardware processing parts, an interface operating in the kernel mode and corresponding to each of the plurality of hardware processing parts, and a common interface to a device driver corresponding to each of the plurality of hardware processing parts; and a hardware abstract layer control part for controlling the hardware abstract layer.例文帳に追加

カーネルモードとユーザモードとを有するＯＳを実行するものであり、複数のハードウェア処理部と、カーネルモードで動作し、複数のハードウェア処理部のそれぞれと対応するインタフェースと、複数のハードウェア処理部のそれぞれと対応するデバイスドライバに対する共通のインタフェースと、を有するハードウェア抽象化層と、ハードウェア抽象化層を制御するハードウェア抽象化層制御部とを備える。 - 特許庁

A compound thin film consists of a metal or an alloy containing one or more from among chromium, nickel, molybdenum, tungsten, titanium, niobium, tantalum, zirconium, hafnium, vanadium, silicon, and germanium; and nitrogen is formed as the intermediate layer 2A at the interface between a plastic substrate 1 and a copper seed layer 3, to improve the barrier effect of the interface and suppress the adhesion degradation due to the thermal load.例文帳に追加

プラスチック基板１と銅シード層３との界面に、中間層２Ａとして、クロム、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、けい素、ゲルマニウムのうち１種以上を含む金属または合金と窒素との化合物薄膜を形成することにより、界面のバリア効果を改善し、熱負荷での密着性劣化を抑制する。 - 特許庁

In the interface structure, even when dislocation originally present in the grown base layer 2 or dislocation d newly generated in the interface penetrates in the crystal to reach a side face 2S of an island-like crystal 2I, the dislocation d is terminated denoted by t on the side face because of the presence of a vacancy 5 and does not propagate to the crystal layer 4.例文帳に追加

このような界面構造のもとでは、成長下地層２に元から存在する転位、あるいは界面で新たに発生した転位ｄが内部を貫通し、島状結晶２Ｉの側面２Ｓにまで達していたとしても、空隙５の存在ために該転位ｄはその場所が終端ｔとなり、結晶層４へは伝搬しない。 - 特許庁

Reflection of light by at least either the second reflecting interface 16 or the third reflecting interface 17 is so set in conditions of strengthening or weakening against a central wavelength of an emission spectrum of the first light-emitting layer 13a and a central wavelength of an emission spectrum of the second light-emitting layer 13b in shifting interference wavelengths.例文帳に追加

第２の反射界面１６および第３の反射界面１７による光の反射の少なくとも一方を、第１の発光層１３ａの発光スペクトルの中心波長および第２の発光層１３ｂの発光スペクトルの中心波長に対して干渉波長をずらしながら、強め合う条件および弱め合う条件に設定する。 - 特許庁

To solve the problem that a termination structure provided with a JTE layer greatly deteriorates in breakdown voltage since a level and a defect present in an interface between a semiconductor layer and an insulating film or a fine amount of an external impurity in the insulating film or entering from outside up to the semiconductor interface through the insulating film becomes a generation source for a leakage current and a high current due to breakdown.例文帳に追加

ＪＴＥ層を設けた終端構造では、半導体層と絶縁膜との界面に存在する準位及び欠陥、又は、絶縁膜中若しくは外部から絶縁膜を通して半導体界面まで浸入してくる微量な外来不純物が漏れ電流の発生源及び降伏点となってしまい耐圧が大幅に劣化する。 - 特許庁

By injecting dopant in a current dispersion layer 12 in the vicinity of an interface on the transparent conductive film side between current dispersion layers 11 and 12, the thickness of the energy barrier of an interface between the transparent conductive film 6 and the current dispersion layer 12 is thinned and a tunnel current flows therethrough.例文帳に追加

また、電流分散層１１、１２の透明導電性膜側の界面近傍の電流分散層１２に、ドーパントを注入することにより、電流分散層１２が一様に高ドーパント濃度になるので、透明導電性膜６と電流分散層１２との界面のエネルギー障壁の厚さが薄くなってトンネル電流が流れるようになる。 - 特許庁

A capacitor and a DRAM having this capacitor include a first layer 2 of a conductive doped perovskite material, a second layer 3 of an anti- conductive doped perovskite material, and a depletion layer 1 formed in the interface between the first and second layers made of the conductive perovskite material and constituting the insulating layer of the capacitor.例文帳に追加

キャパシタとこのようなキャパシタを有するＤＲＡＭは、導電性のドープされたペロブスカイト物質の第１の層２と、第１の層に接触する、反対導電型のドープされたペロブスカイト物質の第２の層３と、導電性ペロブスカイト物質の第１および第２の層の間の界面に形成され、キャパシタの絶縁体層である空乏層１とを有する。 - 特許庁

To prevent formation of an anomalously grown layer at the interface between a first layer and a second layer, and to prevent serious degradation of optical output power of a quantum-well semiconductor laser, in forming a III-V compound semiconductor crystal layer comprising two or more kinds of group V elements by a metal-organic vapor phase growth method.例文帳に追加

２種以上のＶ族元素で構成されるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層を有機金属気相成長方法で形成することに関するもので、第１の層と第２の層との界面に変成層が形成されることを防止し、量子井戸構造半導体レーザの光出力が著しく低下することを防止する。 - 特許庁

In the polishing pad comprising an adhesive layer and another layer or a plurality of layers, 180° peeling adhesive force at least in one of the interface between the adhesive mass layer and other arbitrary layers, and that between the adhesive layer and a polishing surface plate is 1.0 N/cm or more and 6.5 N/cm or less.例文帳に追加

粘着剤層と他の単層または複数の層から構成される研磨パッドにおいて、前記粘着剤層と他の任意の層との界面及び前記粘着剤層と研磨定盤との界面の少なくとも一つの界面における１８０度引きはがし粘着力が１．０Ｎ／ｃｍ以上、６．５Ｎ／ｃｍ以下であることを特徴とする研磨パッドを用いる。 - 特許庁

To provide a fuel system resin hose which is excellent in fuel barrier properties, heat resistance, heat-aging resistance and has high interlayer adhesive force of each layer even when each layer is laminated directly (direct lamination structure) without forming an adhesive layer on the interface of each layer and without being subjected to adhesive treatment such as plasma treatment (without using an adhesive).例文帳に追加

燃料低透過性、耐熱性や耐熱老化性に優れるとともに、各層の界面に接着剤層を形成したり、プラズマ処理等の接着処理を行うことなく（接着剤レスで）、各層を直接積層する直接積層構造としても、各層の層間接着力に優れている燃料系樹脂ホースを提供する。 - 特許庁

Forming an interfacial reaction suppression layer 12 for suppressing an interfacial reaction between the oxide and the nitride between a ZnO single crystal substrate 11 as the oxide and an InGaN semiconductor layer 13 as the nitride can suppress the interfacial reaction between the ZnO single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13, thereby suppressing the formation of the reaction layer (Al_2ZnO_4) at the interface.例文帳に追加

酸化物であるZnO単結晶基板１１と窒化物であるInGaN半導体層１３との間に、酸化物と窒化物との界面反応を抑制するための界面反応抑制層１２を形成しているので、ZnO単結晶基板１１とInGaN半導体層１３との間での界面反応を抑制でき、その界面に反応層（Al_2ZnO_4）が形成されるのを抑制できる。 - 特許庁

In the galvanized steel sheet in which a galvanized layer is formed on the surface layer of the base steel sheet containing, by mass, 0.05 to 2.5% Si and 0.2 to 3% Mn via an iron plated layer, oxides containing Si and/or Mn are discontinuously dispersed in the vicinity of the interface between the base steel sheet and the iron plated layer.例文帳に追加

質量％でＳｉ：０．０５〜２．５％およびＭｎ：０．２〜３％を含有する素地鋼板の表層に鉄めっき層を介して溶融亜鉛めっき層が形成された溶融亜鉛めっき鋼板であって、素地鋼板と鉄めっき層の界面近傍に、Ｓｉおよび／またはＭｎを含有する酸化物が、不連続的に分散していることを特徴とする。 - 特許庁

A nucleation acceleration layer, such as a monomolecular layer or a quasi-monomolecular layer, that contains metal, metal silicide, or metal silicate has a thickness of ≤10Å, and increases density of a nucleation section on the substrate or intentional interface layer to accelerate uniform chemical vapor phase growth of a high dielectric constant dielectric material.例文帳に追加

金属、金属ケイ化物、又は金属ケイ酸塩を含む、単分子層又は準単分子層などの核形成促進層は、１０Å以下の厚さを有し、基板上又は意図的な界面層上の核形成部位の密度を増加させることによって、高誘電率誘電体材料の均一な化学気相成長が促進される。 - 特許庁