「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

In such a way, a gate insulating film and a semiconductor layer are continuously formed in a low-temperature deposition process and a heat treatment subsequent to the formation of the gate insulating film and the semiconductor layer is substituted for the first heating treatment at the time of the above crystal growth to contrive a reduction in defects in the interface between the gate insulating film and the semiconductor layer.例文帳に追加

こうして、ゲート絶縁膜と半導体層とを低温デポ工程で連続的に形成し、ゲート絶縁膜/半導体層形成後の熱処理を上記結晶成長時の第１の加熱処理で代行させ、界面欠陥の低減を図る。 - 特許庁

In the protective film for polarizing plate, a cover layer comprising at least vinyl alcohol type resin and a laminar inorganic compound, and a hard coat layer having a hard coating properties are laminated adjacent on a transparent base film, wherein the cover layer and the hard coat layer are chemically bonded to each other at the interface.例文帳に追加

透明基材フィルム上に、少なくともビニルアルコール系樹脂および層状無機化合物を含む被覆層と、ハードコート性を有するハードコート層とが隣接して積層され、前記被覆層と、前記ハードコート層の界面が化学的に結合していることを特徴とする偏光板用保護フィルム等である。 - 特許庁

Since the oxide interfacial layer 12 which is thermally stable and has an even thin thickness is interposed on the interface between the oxide single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13, the InGaN semiconductor layer 13 can be formed at a high temperature on the oxide single crystal substrate 11, and thus the InGaN semiconductor layer of a high quality can be obtained.例文帳に追加

酸化物単結晶基板１１とInGaN半導体層１３界面に熱的に安定で薄くて均一な酸化物界面層１２を形成することにより、酸化物単結晶基板１１上に高温でInGaN半導体層１３を形成することができ、高品質のInGaN半導体層が得られる。 - 特許庁

The transfer materials for forming the reflector plate and having at least one thermoplastic resin layer, at least one intermediate layer and a photosensitive resin layer on a temporary support in this order and ruggedness formed on the interface of the photosensitive resin layer on the side of the temporary support at least, and the production method therefor are provided.例文帳に追加

仮支持体上に少なくとも１層の熱可塑性樹脂層、少なくとも１層の中間層、感光性樹脂層をこの順に設けてなり、少なくとも該感光性樹脂層の前記仮支持体側の界面に凹凸部が形成されてなる反射板形成用転写材料及びその製造方法。 - 特許庁

By receiving the light emitted from the emission member 150 by the electrical conduction layer, a current flowing between the first electrode and the second electrode through the interface of a first nitride semiconductor layer 108 and a second nitride semiconductor layer 109 constituting the electrical conduction layer is brought into an on-state or an off-state.例文帳に追加

発光部１５０から放射された光を電気伝導層１０８が受光することにより、電気伝導層１０８を構成する第１の窒化物半導体層１０８と第２の窒化物半導体層１０９の界面を介して第１の電極と第２の電極との間を流れる電流が、オンまたはオフの状態をとる。 - 特許庁

By the release of oxygen from the base insulation layer, the oxygen defect in the oxide semiconductor layer and the interface state between the base insulation layer and the oxide semiconductor layer can be reduced; thus, a semiconductor device with less variation in electric characteristics and high reliability can be manufactured.例文帳に追加

前記下地絶縁層から酸素が放出されることにより、前記酸化物半導体層中の酸素欠損及び前記下地絶縁層と前記酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

The seed layer may be made to be thinner than a critical thickness for relaxation of distortion in the semiconductor structure so that distortion in the semiconductor structure is relieved by dislocations formed in the seed layer, or by gliding between the seed layer and the bonding layer, i.e. an interface between the two layers.例文帳に追加

シード層は、前記シード層に形成される転位によって、または前記シード層と前記接合層の間、即ちこれら二つの層間の界面での滑りによって半導体構造における歪みが解除されるように、前記半導体構造における歪みの緩和のための臨界圧力よりも薄くすることができる。 - 特許庁

In the high electron mobility transistor, which has a heterostructure consisting of an In_xGa_1-xN channel layer/In_yAl_zGa_1-y-zN wide band gap layer, the Al crystal ratio of the wide band gap layer is reduced with separation from hetero-interface, to accelerate the electronic mobility of the two-dimensional electron gas flowing through a channel layer.例文帳に追加

Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮチャネル層／Ｉｎ_ｙＡｌ_ｚＧａ_１−ｙ−_ｚＮワイドバンドギャップ層からなるヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、そのワイドバンドギャップ層のＡｌ混晶比をヘテロ界面から離れるに従って小さくすることにより、チャネル層を流れる２次元電子ガスの電子移動度を高速化する。 - 特許庁

In the charging member in which an elastic resistance layer having at least conductive properties and a covering resistance layer are stacked sequentially on a conductive substrate, particles with an average particle diameter of 5-200 μm are unevenly distributed near an interface between the elastic resistance layer and the covering resistance layer.例文帳に追加

導電性基体上に、少なくとも導電性を有する弾性抵抗層、被覆抵抗層が順次積層された帯電部材において、該弾性抵抗層と該被覆抵抗層との界面近傍に、平均粒径が５μｍ以上、２００μｍ以下の粒子が偏在していることを特徴とする帯電部材。 - 特許庁

The whole 2nd vertical alignment layer 29 and only the 1st vertical alignment layer 26 in the transmission region are optically improved; and pre-tilt angles of liquid crystal molecules on the interface between the 1st vertical alignment layer 26 and 2nd vertical alignment layer 29 are ≥45° and liquid crystal molecules in the transmission region are aligned in a bend state.例文帳に追加

そして、第２の垂直配向膜２９の全体と、透過領域の第１の垂直配向膜２６のみが光改質され、第１の垂直配向膜２６と第２の垂直配向膜２９の界面の液晶分子のプレチルト角が４５°以上であり、透過領域の液晶分子がベンド配向している。 - 特許庁

To provide a fiber-reinforced composite body which has a decorative layer with a required excellent decorative properties and a fiber-reinforced resin layer with a sufficiently high strength, and has the interface between the decorative layer and the fiber-reinforced resin layer with no defect such as void and inferiority of adhesion, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

所望の優れた装飾性を持つ装飾層と、強度が十分高い繊維強化樹脂層とを有し、装飾層と繊維強化樹脂層との界面が、ボイドや接着不良という欠陥の無い界面である繊維強化複合体を提供し、その製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The insulating gate type semiconductor device comprises an N- base layer 1, a P-type base layer 2, a trench 3 so formed as to penetrate the P-type base layer 2 before reaching a depth D from the interface against the N- base layer 1, and a gate electrode 4 embedded in the trench 3 via a gate insulating film.例文帳に追加

本発明の絶縁ゲート型半導体装置は、Ｎ^-ベース層１と、Ｐ型ベース層２と、このＰ型ベース層２を貫通した後さらにＮ^-ベース層１との界面から深さＤに達するように形成されたトレンチ３と、このトレンチ３の内部に、ゲート絶縁膜を介して埋め込まれたゲート電極４を具備する。 - 特許庁

Since the layer 4' is provided, the light advancing from the transparent electrode 3 side to the layer 4' is incident on the interface between the substrate 5 and the layer 4' at an incident angle nearly vertical to the substrate surface of the substrate 5, and the total reflection on the air layer 7 side of the transparent substrate 5 is thus reduced.例文帳に追加

低屈折率層４’を設けているので、透明電極層３側から低屈折率層４’に進入した光が基板５の基板面と垂直に近い入射角にて基板５と低屈折率層４’との界面に入射するようになり、透明基板５の空気層７側で全反射が減少する。 - 特許庁

In this way, a heavily-doped p-type semiconductor layer is formed near the regrowth interface, thus preventing P from coming off the semiconductor 18 which contains P or a dopant from reevaporating from a p-type GaAlAs second light guide layer 16 and p-type GaAlAs second cladding layer 17, located under the semiconductor layer 18 at regrowth.例文帳に追加

こうして、再成長界面付近に高ドープのｐ型半導体層が形成され、上記再成長時に、上記Ｐを含む半導体層１８からＰが抜けたり、半導体層１８の下にあるｐ型ＧaＡlＡs第２光ガイド層１６およびｐ型ＧaＡlＡs第２クラッド層１７からドーパントが再蒸発するのを防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of photoelectric transducer which keeps high conductivity by preventing a film quality deterioration of p-layer by a drawing out effect of hydrogen from a semiconductor layer of dopant while keeping excellent interface property, and suppresses the amount of optical absorption, furthermore has the excellent interface property with respect to both oxide system transparent conductive film and photoelectric transducing layer.例文帳に追加

良好な界面特性を確保しながら不純物の半導体層からの水素の引き抜き効果によるｐ層の膜質低下を防止して高導電率を確保し、かつ光吸収量を抑制し、しかも酸化物系透明導電膜や光電変換層の双方に対して良好な界面特性をもつ光電変換素子を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a photoelectric conversion element exhibiting good interface characteristics to both an oxide based transparent conductive film and a photoelectric conversion layer in which a high conductivity is ensured while suppressing the quantity of light absorption by preventing the film quality of a p-layer from deteriorating due to the discomposition effect of hydrogen from a semiconductor layer of impurities while securing good interface characteristics.例文帳に追加

良好な界面特性を確保しながら不純物の半導体層からの水素の引き抜き効果によるｐ層の膜質低下を防止して高導電率を確保し、かつ光吸収量を抑制し、しかも酸化物系透明導電膜や光電変換層の双方に対して良好な界面特性をもつ光電変換素子を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A contact area can be increased by forming a silicide layer 9 divided into stripes in order to reduce an interface resistance between a source/ drain resistance, particularly between the silicide layer 9 and impurity diffusing region 8.例文帳に追加

ソース／ドレイン抵抗とくにシリサイド層９と不純物拡散領域８部分との界面抵抗を低減させるためにシリサイド層９をストライプ状に分割して形成することにより接触面積を増大させる。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent device, in which long life improvement is contrived by suppressing the growth of a mixing layer in an interface between a positive hole injection layer and an anode, and to provide the manufacturing method of the organic electroluminescent device.例文帳に追加

正孔注入層と陽極との界面における混合層の生成を抑制することで長寿命化を図った、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface leakage current which flows in the burying interface can be reduced by having an i-type layer between a p-type region and the high-resistance semiconductor layer.例文帳に追加

また、ｐ型層やｎ型層中の不純物と高抵抗半導体層中の不純物が高抵抗半導体層の再成長中に相互に拡散して高抵抗半導体層の抵抗値が低くなり暗電流が増加する。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive adhesive sheet having a pressure- sensitive adhesive layer consisting of a pressure-sensitive adhesive composition capable of reducing the total reflection of light at the interface between an optical film or an optical member, and the pressure-sensitive adhesive layer.例文帳に追加

光学フィルムや光学用部材と感圧性接着剤層との界面における光の全反射を低減することができる感圧性接着剤組成物による感圧性接着剤層を有する感圧性接着シート。 - 特許庁

To prevent water from passing through an interface between an interlayer insulating film of a lower layer and interlayer insulating film of an upper layer composed of different materials from path other, which is apt to become a water passing inlet from outside in a conventional semiconductor device.例文帳に追加

従来の半導体装置において、相異なる絶縁材料によって形成された下層の層間絶縁膜と上層の層間絶縁膜との界面は、外部からの水分等の浸入口となり易い。 - 特許庁

The base treatment layer 2a is formed in a cyclic recessed/protruded shape with substantially even depth, and improved in wear resistance by having the solid lubricating material layer 3 existing effectively in a friction interface.例文帳に追加

下地処理層２ａは、略均一の深さを有する周期的な凹凸形状に形成されており、固体潤滑材層３を摩擦界面に効率よく存在させて、耐摩耗特性を向上させるために形成されている。 - 特許庁

For example, a film with a reflective index lower than that of the light emitting layer is provided, and light toward the lower side of the light emitting layer is reflected at an interface of the stack where the refractive index has a gap, whereby light emission efficiency to the top surface can be improved.例文帳に追加

例えば、発光層よりも屈折率の低い膜を設け、屈折率に差がある積層の界面で発光層の下方への発光を反射し、上面への発光効率を向上させることができる。 - 特許庁

The high gas barrier film is constituted by providing an inorganic matter layer on a polymeric film and the concentration of oxygen at the interface of the plymeric film with the inorganic matter layer is 5 atm % or more and less than 24 atm %.例文帳に追加

高分子フィルム上に無機物層を有するフィルムであって、高分子フィルムと無機物層との界面における酸素濃度が５ａｔｍ％以上、２４ａｔｍ％未満であるハイガスバリア性フィルムである。 - 特許庁

To solve the problem that a light emitting efficiency falls off because light totally reflected at a light emitting layer interface among emitted light is not taken out outside in an EL device provided with a light emitting layer held between upper and lower electrodes.例文帳に追加

上下の電極間に挟まれた発光層を有するＥＬ素子において、発光した光のうち発光層界面で全反射する光は外部へ取り出されることがないので、発光効率が低下する。 - 特許庁

A first nitride layer 3a is formed in the vicinity of an interface between the internal wall oxide film 3 and the silicon substrate 1 with the thermal nitriding, and a second nitride layer 3b is formed on the surface of the internal wall oxide film 3 with the radical nitriding process.例文帳に追加

熱窒化処理によって内壁酸化膜３とシリコン基板１との界面近傍に第１窒化層３ａが形成され、ラジカル窒化法によって内壁酸化膜３の表面に第２窒化層３ｂが形成される。 - 特許庁

The reflector 1 comprises an acrylic-based resin layer 3 and this acrylic-based resin layer 3 further comprises a particle of a silicon rubber 4 and a micro cavity 5 of about 1-20 μm at an interface with this particle of the silicon rubber 4.例文帳に追加

上記反射板１は、アクリル系樹脂層３と、このアクリル系樹脂層３内にシリコ−ンゴム４の粒子と、このシリコ−ンゴム４の粒子との界面に１〜２０μｍ程度の微細な空隙５を有するものである。 - 特許庁

In a GaN channel Layer 202, a region B whose distance Z from an interface with an AlXGa_1-XN barrier layer 201 is Z_1 to Z_1+dB is doped with an n-type dopant such as silicon or the like.例文帳に追加

ＧａＮチャネル層２０２において、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ障壁層２０１との界面からの距離ＺがＺ_１以上Ｚ_１＋ｄ_Ｂ以下である領域Ｂには、シリコンなどのｎ型ドーパントがドーピングされている。 - 特許庁

To provide a fine active layer and interface of the activity layer by suppressing an isolation of In and by enabling crystal growth excellent in controllability in a manufacturing process of compound semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の製造工程においてＩｎの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the optical recording medium is irradiated with an optical beam, optical modulation is caused near the interface between the transparent layer 30 and the reflecting layer 40 and a translucent reflecting region 35 which acts as a recording spot is formed.例文帳に追加

光記録媒体が光学ビームに照射されると、透明層３０と反射層４０との界面近くに、光学変調を生じ、記録点として作用する半透明反射領域３５が形成される。 - 特許庁

Moreover, the semiconductor device includes a p^-layer as a withstand voltage layer using silicon carbide, and the portion, which is exposed on the surface, of the pn junction interface keeping a reverse bias voltage can be protected with a thermal oxidation film containing positive charges.例文帳に追加

また、炭化珪素を用いｐ^-層を耐圧層として含む半導体装置であって、逆バイアス電圧を保持するｐｎ接合界面が表面に出ている部分を正の電荷を含む熱酸化膜で保護する。 - 特許庁

Then, another active substance material layer 23 is laminated on the active substance material layer 22 with an uneven surface, and ion-transmitting holes 22c are formed along an interface of the both active substance material layers.例文帳に追加

次に、不均一な表面を有する活物質材料層２２の上に別の活物質材料層２３を積層し、これら両活物質材料層の境界面に沿ってイオン通過性の孔２２ｃを形成する。 - 特許庁

To provide a vertical cavity surface emitting laser which can prevent delamination at the interface of a selective oxidation layer and a spacer layer while suppressing the voltage rise, and can enhance reliability.例文帳に追加

電圧の上昇を抑制しながら選択酸化層とスペーサ層との界面での剥離を防止することができ、信頼性の向上を図ることが可能となる垂直共振器型面発光レーザを提供する。 - 特許庁

In this enhancement mode field effect device, a two-dimensional electron gas 38 exists on, or in the vicinity of, an interface between a group III nitride barrier layer 26 and a pair of active layers 28 containing a group III nitride conductor layer.例文帳に追加

二次元電子ガス３８が、ＩＩＩ族窒化物バリア層２６およびＩＩＩ族窒化物半導体層を含む１対の活性層２８の間の界面において、またはこの界面付近において存在する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent apparatus obtaining a long service life, by preventing formation of a mixed layer at the interface of a hole-injecting layer and a positive electrode, and to provide a manufacturing method for the organic electroluminescent apparatus.例文帳に追加

正孔注入層及び陽極の界面に混合層が形成されるのを防止し、長寿命化が図られた、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a solid battery, a current collector has a conductive metal oxide layer while the metal oxide layer is formed at least on an interface between the current collector and a positive electrode and/or a negative electrode adjacent to the current collector.例文帳に追加

固体電池において、集電体が導電性を有する金属酸化物層を備え、その金属酸化物層が集電体と隣接する正極及び／又は負極との界面に少なくとも形成される。 - 特許庁

Thereby, the adhesion between the diffusion barrier layer and the copper film is accelerated and a clean interface layer can be formed.例文帳に追加

その供与分子は正に荷電した銅を金属銅に還元し、バリア層表面でフッ素と反応して揮発性フッ化ケイ素を生成し、それにより拡散バリア層と銅膜間の付着力を促進する、きれいな界面層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n^-layer as a withstand voltage layer using silicon carbide, and a portion, which is exposed n a surface, of a pn junction interface keeping a reverse bias voltage can be protected with a thermal oxidation film containing negative charges.例文帳に追加

炭化珪素を用い、ｎ^-層を耐圧層として含む半導体装置であって、逆バイアス電圧を保持するｐｎ接合界面が表面に出ている部分を負の電荷を含む熱酸化膜で保護する。 - 特許庁

A light emitting layer has at least a host material, a light emitting material and a separate material having a lower ionizing potential and a hole mobility equal to or higher than a compound constituting the light emitting layer interface.例文帳に追加

発光層にホスト材料と発光材料と発光層界面側を構成する化合物と比較して、イオン化ポテンシャルが小さく、かつ、ホール移動度が同程度かまたは速い、別の材料を少なくとも設ける。 - 特許庁

To realize an ultra-small, stacked ceramic electronic component having excellent performance and reliability, which provides an excellent electric characteristic while tensile stress is relieved at an interface between an internal conductor layer and a ceramic layer.例文帳に追加

内部導体層とセラミック層との界面における引張応力を緩和しつつ、良好な電気特性を得ることができる高性能で信頼性の優れた超小型の積層型セラミック電子部品を実現する。 - 特許庁

An inclusion zone where a plastic materials for forming each material layer is included, is formed among a plurality of the material layers, and the thermally fused layer 22 is formed as a continuous film having no clear interface.例文帳に追加

これら複数の材料層間には各材料層を構成するプラスチック材料が互いに混在する混在領域が形成され、上記熱融着層は明瞭な界面を持たない連続した膜とされている。 - 特許庁

A step of a surface of the first n-type semiconductor spacer layer 23 results from the heavily doped p-type semiconductor mesa 19, so a curvature of an interface between the second DBR 25 and the first n-type semiconductor spacer layer 23 is small.例文帳に追加

第１のｎ型半導体スペーサ層２３の表面の段差は、高濃度ｐ型半導体メサ１９に起因するので、第２のＤＢＲ２５と第１のｎ型半導体スペーサ層２３との界面の曲がりは小さい。 - 特許庁

The first layer 31 and the second layer 32 are formed in an integral structure by a mutual joining by a soldering or a diffusion junction, and the stress by the difference of the coefficients of thermal expansion is absorbed surely on a firm junction interface.例文帳に追加

第１層３１および第２層３２は、ロウ付けまたは拡散接合により互いに接合して一体構造とし、強固な接合界面で、熱膨張係数差による応力を確実に吸収させる。 - 特許庁

To suppress peeling on the interface between an insulating layer provided on the back side of a semiconductor substrate and the semiconductor substrate, in a semiconductor device in which both front and back sides of the semiconductor substrate are connected by a through wiring layer.例文帳に追加

半導体基板の表裏両面間を貫通配線層で接続した半導体装置において、半導体基板の裏面に設ける絶縁層と半導体基板との界面における剥離を抑制する。 - 特許庁

A plate is a superconducting clad plate of a structure with at least one layer consisting of Nb and/or V and at least one layer consisting of a normally electroconductive metal are laminated one over another and that the laminate interface consists in a metal bond.例文帳に追加

Ｎｂおよび／またはＶからなる層の少なくとも１層と、常電導金属からなる層の少なくとも１層を交互に積層してなると共に、該積層界面が金属接合してなる超電導クラッド板。 - 特許庁