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interface layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2528件
Between an n-type InGaP layer 7 acting as an emitter layer of the HBT and a GaAs layer 8 formed on the layer 7, a highly doped charge compensation layer 11 is formed, thereby restraining an increase of a base current due to a depletion phenomenon of carrier in an interface and preventing a decrease of a current amplification factor in a low collector current of the HBT.例文帳に追加
HBTのエミッタ層として働くn型InGaP層7とその上に形成されるGaAs層8の間に、高ドープ層である電荷補償層11を形成することでその界面におけるキャリアの空乏化の現象によるベース電流の増加を抑制し、HBTの低コレクタ電流での電流増幅率の低下を防ぐようにした。 - 特許庁
To solve such a problem that if an oxide semiconductor layer is formed on the surfaces of a source electrode layer and a drain electrode layer with a film of oxide or contaminant generated on the surfaces, an interface with high electrical resistance is formed on the contact surface between the source electrode layer or the drain electrode layer and the oxide semiconductor film and the ON current of a semiconductor element is suppressed.例文帳に追加
ソース電極層及びドレイン電極層表面に酸化物や汚染物の皮膜が生じたまま、その上に酸化物半導体層を形成すると、ソース電極層またはドレイン電極層と酸化物半導体膜との接触面に電気的に高抵抗な界面が形成され、半導体素子のオン電流が抑制されてしまう。 - 特許庁
Between an n-type InGaP layer acting as an emitter layer 7 of the HBT and a GaAs layer 8 formed on the layer 7, a highly doped charge compensation layer 11 is formed, thereby restraining increase of a base current due to depletion phenomenon of carrier in an interface, and preventing decrease of a current amplification factor in a low collector current of the HBT.例文帳に追加
HBTのエミッタ層として働くn型InGaP層7とその上に形成されるGaAs層8の間に、高ドープ層である電荷補償層11を形成することでその界面におけるキャリアの空乏化の現象によるベース電流の増加を抑制し、HBTの低コレクタ電流での電流増幅率の低下を防ぐようにした。 - 特許庁
The sheet comprises a black under-layer of a thermoplastic resin and a transparent clear layer of a thermoplastic resin laminated thereon, wherein a carbon cloth-textured emboss pattern is formed in the interface of the under-layer and the clear layer, and 0.1 to 10 wt.% of a pearl pigment, a metal powder and the like are kneaded into the under-layer.例文帳に追加
熱可塑性樹脂からなる黒色の下地層とその上に積層された熱可塑性樹脂からなる透明な透明層とを有し、下地層と透明層との境界面にカーボンクロス調の凹凸模様が形成されており、前記下地層に0.1重量%〜10重量%のパール顔料や金属粉が練り込まれている。 - 特許庁
In a layered electrode film, a transparent oxide layer 1 and an Ag alloy thin film layer 2 are layered, the Ag alloy thin film layer 2 has a component composition containing 0.1-1.5 mass% of In, with the remainder of Ag and inevitable impurities, and an In oxide 3 is formed at a junction interface between the transparent oxide layer 1 and the Ag alloy thin film layer 2.例文帳に追加
透明酸化物層1とAg合金薄膜層2とが積層された積層電極膜であって、Ag合金薄膜層2は、In:0.1〜1.5質量%を含み、残部がAgおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、透明酸化物層1とAg合金薄膜層2との接合界面に、In酸化物3が形成されている。 - 特許庁
To provide a newly-composed surface light emitting laser dispensing with the arrangement of a low-refractive-index medium onto the substrate-side interface of a photonic crystal layer.例文帳に追加
フォトニック結晶層の基板側界面に低屈折率媒体を配置することが必須ではない、新規な構成の面発光レーザを提供する。 - 特許庁
Moreover, since the contact resistance at the interface between the p-type clad layer 14 and the second transparent conductive film 15B is relieved, the light emitting element can emit light at a lower voltage.例文帳に追加
p型クラッド層14と第2の透明導電膜15Bとの界面での接触抵抗を緩和するので、より低電圧で発光することができる。 - 特許庁
To provide a multi-layer graphical user interface which provides two multiple types of information in at least two layers of a common display space such as a window.例文帳に追加
マルチレイヤグラフィカルユーザインターフェースは、ウィンドウのような共通表示スペースの少なくとも2つのレイヤにおいて複数のタイプの情報を提供する。 - 特許庁
The light generated by the organic light-emitting elements 10R, 10G, and 10B is reflected with an interface between a side face 24A of the reflecting element 24 and the vacuum layer 40.例文帳に追加
有機発光素子10R,10G,10Bで発生した光を、反射素子24の側面24Aと真空層40との界面により反射させる。 - 特許庁
The anode 3 made of ITO has a small resistance as a whole and the Ip approximate to that of the hole injection transfer layer 4 at the interface in contact therewith.例文帳に追加
ITO の陽極3は、全体としての抵抗が小さく、かつ正孔注入輸送層4との界面のI_p が正孔注入輸送層4に近い。 - 特許庁
To provide a resin laminate which shows a higher adhesive strength than a matrix without interposing an adhesive layer in the interface, and successful recyclability.例文帳に追加
界面に接着剤層を介在させなくても、接着強度が母材強度以上であり、リサイクル性が良好な樹脂積層体を提供すること。 - 特許庁
A multi-layer switch 1 is provided with a physical ports 2, a module 3 connected to the physical ports 2 and a module 5 connected through the module 3 and a virtual interface 6.例文帳に追加
マルチレイヤスイッチ1は、物理ポート2、物理ポート2に接続されるモジュール3、モジュール3と仮想インタフェース6を介して接続されるモジュール5を備える。 - 特許庁
In a region including an interface between the second TCO film and p-type GaN-based semiconductor layer, a metal film is formed which comes into contact with the second TCO film.例文帳に追加
第2のTCO膜とp型GaN系半導体層との界面上を含む領域に、第2のTCO膜に接するメタル膜を形成する。 - 特許庁
Dummy wirings and connection holes are arranged below a bonding pad, thereby eliminating interface peeling and imperfect connections between a wire and a lower layer generated by impact when bonding.例文帳に追加
ボンディングパッドの下部にダミーの配線及び、接続孔を配してボンディング時の衝撃で発生する界面剥離やワイヤーと下層の接続不良を無くす。 - 特許庁
Consequently, an epitaxial wafer in which the decrease in impurity concentration on the interface of the silicon wafer and the epitaxial layer is minimized can be produced.例文帳に追加
これにより、シリコンウェーハとエピタキシャル層との界面における不純物濃度の低下が抑制されたエピタキシャルウェーハを製造することが可能となる。 - 特許庁
Through heat treatment of this crystallization, a Pb-Pt-Ti-O reaction layer 7 is formed on the interface between the films 6a and 4b.例文帳に追加
この結晶化の熱処理により、Pt膜6aと第2のPZT膜4bの界面に、Pb−Pt−Ti−O反応層7が形成される。 - 特許庁
Through heat treatment of this crystallization, a Pb-Pt-Ti-O reaction layer 5 is formed on the interface between the films 3b and 4a.例文帳に追加
この結晶化の熱処理で、Pt膜3bと第1のPZT膜4aの界面に、Pb−Pt−Ti−O反応層5が形成される。 - 特許庁
Moreover, the thickness of the interface layer 15 is preferably 10 nm to 1.5 μm, and if the thickness is within this range, the internal resistance of the battery can be reduced effectively.例文帳に追加
また、界面層15の厚さは、10nm〜1.5μmが好ましく、この範囲の厚さであれば、電池の内部抵抗を効果的に低減することができる。 - 特許庁
To provide: a thin film transistor that improves interface characteristics of an active layer; a method of manufacturing the same; and a flat panel display device having the thin film transistor.例文帳に追加
活性層の界面特性が向上できる薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置を提供する。 - 特許庁
To dynamically construct communication equipment by using a protocol to be variously switched without intervention of a user by checking an inputted communication stream from a communication channel and generating an identification mark of an actually arranged link layer protocol by a DSL interface.例文帳に追加
ユーザの介入無しに、様々な異なる通信プロトコルを使用する通信装置を動的に構築する方法及び装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of joining a compound body of a Ni-based alloy layer and a steel material by which the strength of an interface and the peeling resistance thereof are increased, and to provide a joined body.例文帳に追加
界面の強度を向上させ、耐剥離性を向上しえる、Ni基合金層と鋼材の複合体の接合方法及び接合体を提供する。 - 特許庁
To inhibit the formation of alloy layer with low strength and low melting point at the interface between a land and solder, and to assure satisfactory quality and reliability of solder bonding.例文帳に追加
ランドとはんだとの界面に低強度・低融点合金層が形成されることを抑制し、はんだ接合の品質や信頼性を充分に確保する。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser in which the occurrence of COD can be suppressed on the interface of a front end face coat and an active layer at the time of heavy load driving.例文帳に追加
高負荷駆動時に前端面コートと活性層との界面におけるCODの発生を抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁
An n^+ embedded impurity region 2 is formed on an interface between an n^- semiconductor layer 3 in a high-potential island region 101 and a p^- semiconductor substrate 1.例文帳に追加
高電位島領域101内のn^-半導体層3とp^-半導体基板1との界面にはn^+埋め込み不純物領域2が形成されている。 - 特許庁
To provide a photoelectric element which includes an electron transport layer having superior electron transporting characteristics and a sufficiently wide reaction interface and has a superior conversion efficiency.例文帳に追加
優れた電子輸送特性と十分広い反応界面を有する電子輸送層を備え、変換効率に優れた光電気素子を提供する。 - 特許庁
To provide a small mirror having a structure of preventing intrusion of water, oxygen, corrosive gas or the like into an interface between a substrate and a coating layer and having high corrosion resistance.例文帳に追加
基材とコーティング層の界面に水や酸素、腐食性ガス等が侵入し難い構造を有し、耐腐食性の高い小型ミラーを提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a photovoltaic device which has good characteristics by improving interface characteristics of a crystalline silicon substrate and an intrinsic semiconductor layer.例文帳に追加
結晶シリコン基板と真性半導体層の界面特性を改善することで良好な特性を持つ光起電力装置の製造方法を得ること。 - 特許庁
Portions of the active dielectric stack and/or the conductive layer may reside below cell channels, e.g., below an interface 695 between cell channels and the STI region.例文帳に追加
活性誘電体層および/または伝導層の部分は、セルチャンネルの下、たとえば、セルチャンネルおよびSTI領域の間の界面695の下に位置し得る。 - 特許庁
Traffic to the virtual machine (5) of the physical machine 1 is distributed to the layer 2 tunnel by means of the physical machine 1 and a network interface to reach the virtual machine (B) of the physical machine 2.例文帳に追加
物理マシン1の仮想マシン(5)へのトラフィックを物理マシン1にネットワークインタフェースでレイヤ2トンネルへ振り分け、物理マシン2の仮想マシン(B)に至らせる。 - 特許庁
Further, with the (110) plane as an adhesive surface layer model, the mutual action is analyzed by bringing the amine having the most stable structure into contact with the adhesive interface.例文帳に追加
更に、(110)面を接着表層モデルとし、この接着界面に最安定化構造を有するアミンを接触させて相互作用を解析する。 - 特許庁
The laminated wafer is obtained by laminating the wafer for active layer and the wafer for supporting, where the surface on the interface side has a low surface roughness.例文帳に追加
本発明の貼り合わせウェーハは、界面側の面の表面粗さが共に低い活性層用ウェーハ及び支持用ウェーハを貼り合わせてなるものである。 - 特許庁
As a result, a pn junction is formed at the interface between the p-type epitaxial layer PEpi2 and the n-type silicon substrate NSub so as to form a capacitor C1.例文帳に追加
これにより、P型エピタキシャル層PEpi2とN型シリコン基板NSubとの界面にpn接合が形成され、キャパシタC1が形成される。 - 特許庁
To specify differential impedance within the standard even when a low price double-layer board is used in the electronic device comprising interface conforming to the USB2.0 standard.例文帳に追加
USB2.0規格に準拠するインターフェースを備えた電子機器において、安価な2層基板を用いながらも差動インピーダンスを規格内に収める。 - 特許庁
To materialize a nitride semiconductor device which reduces loss of high frequency components caused by carriers accumulating at the interface on the lower side of a channel layer.例文帳に追加
チャネル層よりも下側の界面に溜まったキャリアによる高周波成分の損失を低減した窒化物半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁
To provide a color filter for LCD using a cholesteric liquid crystal or chiral nematic liquid crystal which is formed with one interface of the liquid crystal of the liquid crystal layer as exposed.例文帳に追加
液晶層の一方の液晶界面を露出したままで形成した、コレステリック液晶もしくはカイラルネマチック液晶を用いたLCD用カラーフィルタ。 - 特許庁
To provide a light emitting device which has a structure of alleviating energy barrier generated in the interface of an organic compound layer having a laminated structure.例文帳に追加
積層構造を有する有機化合物層において、その界面に生じるエネルギー障壁を緩和する構造を有する発光装置を提供する。 - 特許庁
In the Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v layer, the composition ratio x+v monotonously increases or monotonously decreases from the interface with the dissimilar substrate 11 to the main surface.例文帳に追加
Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v層において、異種基板11との界面から主表面に向けて組成比x+vが単調増加または単調減少する。 - 特許庁
Here, an emitter current flows on the surface side to prevent the effect of an inversion layer formed at the interface with the insulating region 2.例文帳に追加
かかる構成によれば、エミッタ電流は表面側を流れるようになり、絶縁領域2との界面に形成される反転層の影響を防止できる。 - 特許庁
To reduce a thickness of a metamorphic layer caused by diffusion/segregation of In in the hetero-interface between a compound semiconductor including In and a compound semiconductor not including In.例文帳に追加
Inを含む化合物半導体とInを含まない化合物半導体とのへテロ界面におけるInの拡散/偏析による変成層を少なくする。 - 特許庁
A long-channel transistor has the interface state between the silicon layer 5 and a gate insulating film 13 reducible without exerting adverse influence on the metal wire 31.例文帳に追加
長チャネルトランジスタについては、メタル配線31に悪影響を与えることなく、シリコン層5とゲート絶縁膜13との間の界面準位を低減できる。 - 特許庁
Consequently, the connection can be secured even when a joining interface 6a is damaged between the through-hole 3 and the inner layer 42 due to vibrations and heat cycles.例文帳に追加
これにより、振動や熱サイクルによりスルーホール3と内層42との接合界面6aが損傷したとしても、接続を良好に確保することができる。 - 特許庁
Adherends X, Y are released from each other inside the double-sided self-adhesive sheet, that is, at an interface or at a layer different from self-adhesive interfaces with the adherends X, Y.例文帳に追加
両面粘着シートの内部において、すなわち被着体X,Yとの粘着界面とは異なる界面又は層において剥離可能とした。 - 特許庁
An interface of ultrasonic welding is formed of Al of the same kind by the Al layer 24, and thereby ultrasonic application energy applied on the connection part does not become excessive.例文帳に追加
Al層24により、超音波溶接の界面は同種のAl同士になるので、接続部に付与される超音波印加エネルギーは、過剰になることがない。 - 特許庁
Preferably in the Schottky barrier diode 10, peak concentration of carbon in the interface between the GaN layer 3 and the Schottky electrode 4 is ≥1×10^19 cm^-3.例文帳に追加
ショットキーバリアダイオード10において好ましくは、GaN層3とショットキー電極4との界面の炭素のピーク濃度は、1×10^19cm^-3以上である。 - 特許庁
To provide an organic EL element capable of easily forming an organic layer on a substrate, excellent in uniformity of a junction interface, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加
有機層を簡便に基板上に形成でき、均一性及び良好な接合界面を有する有機EL素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
Since the second material constituting the second member is partially infiltrated into the gap parts of the porous intermediate layer, the peel strength of a joining interface is improved.例文帳に追加
第2の部材を構成する第2の材料の一部が多孔質中間層の空隙部内に含浸されるので接合界面の剥離強度が改善される。 - 特許庁
A time before starting the heat treatment is set on the basis of the quantity of the diffusion stabilizer in the vicinity of an interface with the base layer in the applied solution.例文帳に追加
塗布した溶液中の下地層F1との界面近傍における分散安定剤の量に基づいて、加熱処理を開始するまでの時間を設定する。 - 特許庁
A download management part 204 controls the download of the plug-in module in accordance with an operation input from a user which is accepted through a user interface control layer 21.例文帳に追加
ダウンロード管理部204は、ユーザインタフェース制御層21を介して受け付けたユーザからの操作入力に従い、プラグインモジュールのダウンロードを制御する。 - 特許庁
The amorphous p-i-n thin film light emitting diode has an emission layer on the p-i interface so that emission intensity of a device is increased while lowering a required operating voltage.例文帳に追加
本発明の非晶質p−i−n薄膜発光ダイオードの発光層はp-iの界面にあり、デバイスの発光光度を上げ、必要な操作電圧を下げる。 - 特許庁
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