「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

This electrode plate has an electrode mix layer containing an electrode active material and a first binder on a collector, and has a second binder eluted by destruction of a pressure-sensitive microcapsule on the interface of the electrode mix layer and the collector.例文帳に追加

集電体上に電極活物質と第一の結着剤を含む電極合剤層を有し、電極合剤層と集電体の界面に、感圧性マイクロカプセルの破壊により溶出した第二の結着剤を有する。 - 特許庁

The (111) plane of the substrate including any point on the interface between the second epitaxial crystal layer and the substrate is surrounded by the element isolation insulating film in a region deeper than the second epitaxial crystal layer.例文帳に追加

前記第２のエピタキシャル結晶層と前記基板との界面上の任意の点を含む前記基板の（１１１）面は、前記第２のエピタキシャル結晶層よりも深い領域で前記素子分離絶縁膜に囲まれる。 - 特許庁

To provide a ferroelectric stacked-layer structure having excellent interface characteristics, and a field effect transistor or ferroelectric capacitor with superior electric characteristics using the same ferroelectric stacked-layer structure.例文帳に追加

良好な界面特性を有する強誘電体積層構造、及びかかる強誘電体積層構造を用いた、優れた電気特性を有する電界効果トランジスタ又は強誘電体キャパシタを提供することにある。 - 特許庁

On an organic film layer 1 including an organic matter having a benzothiadiazole skeleton (BT unit), an organic electronic device has the interface formed by a metal oxide layer 2 film-formed by a vacuum vapor deposition method.例文帳に追加

ベンゾチアヂアゾール骨格（ＢＴユニット）を有する有機物を含む有機膜層１上に、真空蒸着法により成膜された金属酸化物層２により形成される界面を有することを特徴とする有機電子デバイス。 - 特許庁

The organic transistor 1 includes an intermediate layer 16 that is made of a mixed body of a conductor 18 and an organic semiconductor 19 on an interface between a source electrode 11 (and a drain electrode) and an organic semiconductor layer 13.例文帳に追加

本発明の有機トランジスタ１は、ソース電極１１（及びドレイン電極）と有機半導体層１３との界面に導電体１８と有機半導体１９との混合体からなる中間層１６を備えている。 - 特許庁

Ion implantation IP1 of fluorine element 4 is performed, and the fluorine element 4 is introduced into interface between the insulator 2 and the single crystal semiconductor layer 3, and into a surface and a side surface of the single crystal semiconductor layer 3.例文帳に追加

フッ素元素４のイオン注入ＩＰ１を行うことにより、絶縁層２と単結晶半導体層３との界面ならびに単結晶半導体層３の表面および側面にフッ素元素４を導入する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a membrane electrode junction which is advantageous for suppressing breakage of an electrolyte membrane and damage to a catalyst layer while increasing jointing performance of the interface of the electrode membrane and a gas diffusion layer.例文帳に追加

電解質膜とガス拡散層との界面の接合性を高めつつ、電解質膜の損傷、触媒層の損傷を抑制するのに有利な膜電極接合体の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

An organic semiconductor layer 7 is held between the source or drain electrode 6 and a drain or source electrode 8, and an organic transistor channel is vertically formed on the interface of the organic semiconductor layer 7 with the gate insulation film 5.例文帳に追加

有機半導体層７は、ソース又はドレイン電極６とドレイン又はソース電極８との間に挟まれ、有機トランジスタのチャネルは、有機半導体層７とゲート絶縁膜５との界面に垂直方向に形成される。 - 特許庁

After forming the dielectric stack and the metal layer, at least a part adjoining the metal-dielectric interface of the dielectric capping layer 2" is selectively modified by adding work function tuning elements 6.例文帳に追加

誘電体スタックと金属層を形成した後、誘電体キャップ層２’’の、金属−誘電体界面に隣接する少なくとも一部が、仕事関数変調元素６を加えることにより選択的に変調される。 - 特許庁

To provide an antireflection coating using an immersion lithography technology, capable of sufficiently reducing reflectivity at the interface between a resist layer and a silicon semiconductor substrate even if exposure light diagonally enters one layer.例文帳に追加

液浸リソグラフィ技術において、露光光一層斜めに入射する場合であっても、レジスト層とシリコン半導体基板との界面における反射率を充分に低減することができる反射防止膜を提供する。 - 特許庁

The method for forming the structure includes forming the transition layer using a remote nitridation reactor at a sufficiently low temperature such that virtually no nitrogen reaches the interface formed between the oxide layer and the substrate.例文帳に追加

この構造を形成する方法は、遠隔窒化リアクタを使用して、酸化層と基板の間に形成された界面に窒素が実質的に到達しないよう十分に低い温度で遷移層を形成することを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an ohmic junction layer which has superior surface flatness, superior uniformity of a composition of an interface with a semiconductor base, and sufficiently high adhesiveness with a Schottky junction layer.例文帳に追加

表面平坦性に優れ、半導体基体との界面における組成の均一性に優れ、ショットキー接合層との十分に高い密着性が得られるオーミック接合層を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

The insulating layer 14x contains hydrogen more than an amount led in a hydrogen leading process and hydrogen atoms are distributed over the whole insulating layer 14x in the thickness direction including an interface with the lower electrode 13x.例文帳に追加

絶縁層１４ｘは、水素導入工程で導入された量以上の水素を含有しており、下電極１３ｘとの界面も含めて厚さ方向の全体にわたって水素原子が分布している。 - 特許庁

In the corrosion prevention structure of the steel in the interface between the steel and the concrete, a polymer cement layer is provided on the surface of the steel abutted on the concrete, and a concrete is placed on the outside of the polymer cement layer.例文帳に追加

鋼材とコンクリートとの境界面における鋼材の防食構造において、コンクリートと当接する鋼材の表面にポリマーセメント層を設け、ポリマーセメント層の外側にコンクリートを設けたことを特徴とする。 - 特許庁

In a surface light-emitting element, light is totally reflected at the interface of a light guide plate 31 and a second low refractive index layer 23, and is propagated in the light guide plate 31 and the light is extracted to a first low refractive index layer 21 at light extraction apertures 25.例文帳に追加

導光板３１と第２低屈折率層２３との界面で光線が全反射して導光板３１内を伝達し、光取り出し開口部２５において第１低屈折率層２１に光を取り出す。 - 特許庁

A display part 3 displays an interface picture 30 being the composite picture of a picture belonging to a public layer L1 operable by an unspecific person and a picture belonging to a restricted layer L2 operable only by a specific person.例文帳に追加

表示部３は、不特定の者が操作できる公開レイヤＬ１に属する画像と、特定の者だけ操作できる制限レイヤＬ２に属する画像との合成画面であるインターフェース画面３０を表示する。 - 特許庁

The functionally graded material comprises a composition proximate the first interface being substantially free of Al_2O_3-TiO_2 and at the second interface having Al_2O_3-TiO_2 in amounts substantially equal to the first outer layer (300).例文帳に追加

傾斜機能材料は、第１の界面に近接した位置において実質的にＡｌ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２を含まずかつ第２の界面の位置において第１の外側層（３００）と実質的に等しい量のＡｌ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２を有する組成を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate which can reduce an interface state by terminating a dangling bond generated at the interface of a semiconductor layer with fluorine and can efficiently introduce the fluorine only to an active region even in the process of a low thermal history.例文帳に追加

半導体層の界面に生じるダングリングボンドをフッ素で終端することで、界面準位を低減することができ、また、低熱履歴のプロセスでも活性領域のみへ効率よくフッ素を導入することができる半導体基板を提供する。 - 特許庁

The p-type dopant contained in the gate electrode 40 is diffused in the vicinity of an interface between the silicon carbide layer 20 just below the gate electrode 40 and the gate insulating film 30, and an impurity level in the vicinity of the interface is passivated by the p-type dopant.例文帳に追加

そして、ゲート電極４０中の上記ｐ型ドーパントを、ゲート電極４０直下の炭化珪素層２０とゲート絶縁膜３０との界面近傍に拡散させ、上記ｐ型ドーパントによって界面近傍の不純物準位をパッシベーションする。 - 特許庁

The film thickness of the metal silicide film 11 can be formed to be thick, such that a distance between an interface A comprising the metal silicide film 11 and the semiconductor substrate 1 and an interface B comprising a source-drain diffusion layer 8 and the semiconductor substrate 1 can be secured satisfactorily.例文帳に追加

金属シリサイド膜１１と半導体基板１からなる界面Ａと、ソースドレイン拡散層８と半導体基板１からなる界面Ｂとの距離が十分確保できるように、金属シリサイド膜１１の膜厚を厚く形成できる。 - 特許庁

To provide a reflectivity measuring device for estimating the roughness of surface/interface with respect to the film thickness of several μm to several tens μm order of an electrophotographic photoreceptive layer or the like on the basis of the surface/interface roughness of a minute area of about 1 μm ϕ.例文帳に追加

電子写真感光体層などの数μｍ〜１０数μｍオーダーの膜厚に対する表面/界面の粗さの評価を、１μｍφ程度の微小領域の表面/界面粗さで評価できる反射率測定装置を提供する。 - 特許庁

The interface layer may be intentionally added with n-type or p-type impurities for the purpose of canceling the electrical effect of impurities including the compound semiconductor on the connection interface and oxides existing on the surface of Si.例文帳に追加

この界面層には，接続界面の化合物半導体およびＳｉの表面に存在する酸化物をはじめとする不純物の電気的な影響を相殺する目的でｎ型またはｐ型の不純物が意図的に添加されていても良い。 - 特許庁

First and second reflection prevention films 12d, 12e made of silicon nitride are formed in advance on the interface P2 between the SOI layer 16 and the insulating film 13 and on the interface P1 between the insulating film 13 and the support substrate 11 before applying laser beams.例文帳に追加

レーザ光の照射に先立ち、ＳＯＩ層１６と絶縁膜１３との界面Ｐ２、および絶縁膜１３と支持基板１１との界面Ｐ１に、それぞれ窒化シリコンの第１および第２の反射防止膜１２ｄ，１２ｅを予め形成しておく。 - 特許庁

In the surface-coated plastic material having the vapor deposition film formed on the surface of a plastic base material, the vapor deposition film has an organosilicon polymer layer formed on the interface side with the surface of the plastic base material, a silicon oxide layer formed on the organosilicon polymer layer and a zirconium oxide containing layer or a titanium oxide containing layer formed on the silicon oxide layer.例文帳に追加

プラスチック基材表面に蒸着膜が形成された表面被覆プラスチック材において、該蒸着膜は、プラスチック基材表面との界面側に形成された有機ケイ素重合体層と、有機ケイ素重合体層上に形成されたケイ素酸化物層と、ケイ素酸化物層上に形成されたジルコニウム酸化物含有層又はチタニウム酸化物含有層とを有していることを特徴とする。 - 特許庁

The top-emission organic electroluminescent element is provided with the metal-silicide layer between the reflection film layer used as the first electrode layer and the transparent electrode layer so that the corrosion phenomenon due to a galvanic effect generated in the interface of the reflection film layer and the transparent electrode layer is suppressed for stabilizing the contact resistance between layers to realize uniform luminance between pixels and a screen of high quality.例文帳に追加

前面発光有機電界発光素子は、第１電極層として用いられる反射膜層と透明電極層間に金属−ケイ化物層をさらに具備することによって反射膜層と透明電極層との界面で発生するガルバニ効果による腐蝕現象を抑制し、層間におけるコンタクト抵抗を安定化させるによって、各ピクセル間の均一な輝度と高品位の画面とを実現することができる。 - 特許庁

The semiconductor substrate has an insulating layer formed on a semiconductor wafer and a semiconductor single-crystal layer for forming a device formed on the insulating layer, wherein the interface between the semiconductor single-crystal layer and the insulating layer has a level difference (step) structure consisting of flat surfaces (terraces), each of which is a plane parallel to a crystal plane of the semiconductor single-crystal layer.例文帳に追加

半導体ウェーハ上に絶縁層が形成され、絶縁層上にデバイス形成用の半導体単結晶層が形成された半導体基板であって、半導体単結晶層と絶縁層の界面が、平坦面（テラス）が半導体単結晶層の結晶面に平行な面で構成される段差（ステップ）構造を有することを特徴とする半導体基板および半導体基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a foamed wallpaper whose foaming agent-containing resin layer containing an azodicarbonamide-based foaming agent is foamed to form a foamed resin layer, which has an ethylene-methacrylic acid copolymer-containing resin layer as an adjacent layer, and whose designability deterioration due to yellowing caused at an interface between the foamed resin layer and the ethylene-methacrylic acid copolymer-containing resin layer is controlled.例文帳に追加

アゾジカルボンアミド系発泡剤を含有する発泡剤含有樹脂層を発泡させることにより発泡樹脂層が形成され、且つ、隣接層としてエチレン−メタクリル酸共重合体含有樹脂層を有する発泡壁紙であって、発泡樹脂層とエチレン−メタクリル酸共重合体含有樹脂層との界面で生じる黄変による意匠性の低下が抑制されている発泡壁紙を提供する。 - 特許庁

To improve reliability in electrical connection by absorbing strain caused at the interface between a conductive paste and an insulating layer or a circuit layer so that the stress caused between fillers in the conductive paste and at the contact part between the filler and the circuit layer is reduced.例文帳に追加

導電性ペーストと絶縁層または回路層との界面に生じようとする歪を吸収することで、導電性ペースト中のフィラーどうし間、および、フィラーと回路層との接触部分に生じる応力を減少させて電気的接続の信頼性を向上する。 - 特許庁

The multifunction machine can switch a standard operation mode for stopping the operation of a Web service layer and an OS mode for operating the Web service layer, and in the OS mode, notifies hard button depression information indicating a hard button of which depression is detected by a user interface layer to an external controller.例文帳に追加

複合機は、Ｗｅｂサービス層の動作を停止させる標準操作モードと、Ｗｅｂサービス層を動作させるＯＳモードとを切替可能であり、ＯＳモードのときに、ユーザインターフェイス層が押下を検知したハードボタンを示すハードボタン押下情報を、外部の制御装置に通知する。 - 特許庁

The fixing member used for fixing a toner image on a recording medium includes: a plurality of layers and a particle layer 204 which is provided in an interface between the outermost layer 201 and an intermediate layer 202 which are adjacent to each other, in the plurality of layers and includes particles.例文帳に追加

トナー像を記録媒体上に定着するために用いられる定着部材であって、複数の層と、該複数の層のうちの隣接する最表層２０１と中間層２０２の界面に設けられ、粒子を含む粒子層２０４とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To prevent a reactive product at a Schottky junction interface between an electrode and a semiconductor layer, and to prevent component elements of the electrode from diffusing into a semiconductor layer, and a component element of the semiconductor layer from diffusing into the electrode, in a method for manufacturing a compound semiconductor device.例文帳に追加

化合物半導体装置の製造方法に関し、電極と半導体層のショットキー接合界面での反応生成物の形成を防止するとともに、電極の構成元素の半導体層への拡散を防止し、さらに半導体層の構成元素の電極への拡散を防止すること。 - 特許庁

The diode has a p-type nitride semiconductor layer 17 that is selectively formed on the element forming layer 10 and an ohmic electrode 18, with a two-dimensional electronic gas generated by a heterojunction interface as an n-type region and the p-type nitride semiconductor layer 17 as a p-type region.例文帳に追加

ダイオードは、素子形成層１０の上に選択的に形成されたｐ型の窒化物半導体層１７及びオーミック電極１８を有し且つヘテロ接合界面により生じた２次元電子ガスをｎ型領域とし且つｐ型の窒化物半導体層１７をｐ型領域とする。 - 特許庁

The oligomer which passes the interface between the first and second resin films 1 and 2 and the adhesive layer 3 and moves to the adhesive layer 3 from the first and second resin films 1 and 2 is not admixed with the adhesive layer 3 formed of polyethylene containing a terephthalic acid and ethylene glycol and not precipitated as a crystal.例文帳に追加

第一、第二の樹脂フィルム１、２から第一、第二の樹脂フィルム１、２と接着剤層３との界面を通過して、接着剤層３へ移動するオリゴマは、テレフタール酸とエチレングリコールを含有するポリエチレンから成る接着剤層３と混和して結晶として析出されない。 - 特許庁

An inter-network interconnection apparatus of the present invention comprises: an interface board which includes a plurality of input/output ports and performs lower-layer processing on traffic; a higher-layer processing board for performing higher-layer processing; and an inter-board connection board interposed for information transfer therebetween.例文帳に追加

本発明の網間相互接続装置は、複数の入出力ポートを有し、トラフィックに対する低位レイヤの処理を行うインタフェースボードと、高位レイヤの処理を行う高位レイヤ処理ボードと、これらボード間の情報転送に介在するボード間接続用ボードとを備える。 - 特許庁

The laminate manufacturing method includes the process (1) of forming the insulating resin layer on the insulating substrate, the process (2) of forming the metal membrane on the insulating resin layer and the process (3) of forming the metal oxide to the interface of the metal membrane and the insulating resin layer.例文帳に追加

及び、絶縁基板上に、絶縁性樹脂層を形成する工程（１）と、前記絶縁性樹脂層の上に金属薄膜を形成する工程（２）と、前記金属薄膜と前記絶縁性樹脂層との界面に金属酸化物を形成する工程（３）とを含む積層体の製造方法。 - 特許庁

At heat treatment, in a reaction in the interface of the core material and the coating layer 2 when Cu is included in the coating layer 2, a diffusion reaction is loosened compared to a reaction between a coating layer 2 consisting of a pure metal and the copper core material 1, so that sufficient adhesion is obtained even when the heat treatment temperature is raised.例文帳に追加

被覆層２にＣｕを含んでいると、熱処理時、芯材と被覆層２の界面における反応は、純金属からなる被覆層２と銅芯材１との間の反応に比べて拡散反応が緩やかとなって熱処理温度を上げても十分な密着性を得る。 - 特許庁

A ZnO-based crystal layer grown on a substrate of sapphire (Al_2O_3) single crystal includes a solid solution layer having aluminum (Al) solid-dissolved in an interface with the substrate to have a concentration of 8×10^20 pieces/cm^3, and a high-concentration diffusion layer of ≥1×10^19 cm^3 in Al concentration.例文帳に追加

サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面にアルミニウム（Ａｌ）が８×１０^２０個／ｃｍ^３以上の濃度で固溶した固溶層、及びＡｌの濃度が１×１０^１９ｃｍ^３以上である高濃度拡散層を有している。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 is grown on a high-resistance semiconductor substrate 1 containing high-concentration interstitial oxygen and thereafter, the substrate 1 is heat treated at a high temperature in an oxidizing atmosphere, and an SiO2 layer type region 3 is deposited in the interface between the substrate 1 and a layer 2.例文帳に追加

高濃度の格子間酸素を含んだ高抵抗の半導体基板１にエピタキシャル層２を成長させたのち、半導体基板１を酸化性雰囲気中で高温で熱処理し、半導体基板１とエピタキシャル層２との界面にＳｉＯ_2の層状領域３を析出させる。 - 特許庁

The die attach film with dicing sheet function comprises a substrate film (I); an adhesive layer; a substrate film (II); and a film like adhesive layer arranged in this order, wherein an interface of the substrate film (II) on the side of the film like adhesive layer has been subjected to release processing.例文帳に追加

本発明は、基材フィルム（Ｉ）、粘着剤層、基材フィルム（II）およびフィルム状接着剤層がこの順に構成されてなるダイアタッチフィルムであって、基材フィルム（II）のフィルム状接着剤層側の界面が離型処理されていることを特徴とするダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of a capacitor for forming a high dielectric metal oxide film on a silicon layer, and for preventing nitrogen from being transmitted through the high dielectric metal oxide film to the interface of a silicion layer, or for preventing a silicon nitride(SiN) layer from being formed at doping of nitrogen.例文帳に追加

キャパシタの製造プロセスにおいて、高誘電体金属酸化膜をシリコン層上に成膜した後、窒素を添加する際に、窒素が高誘電体金属酸化膜を通り抜け、シリコン層の界面に到達してシリコンナイトライド（ＳｉＮ）層が形成されることがないようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilayer interconnection circuit substrate which assures the sufficient adhesive strength of an interface between a conductor layer and a thermosetting adhesive layer to be laminated to enhance connecting strength between the conductor layer, and thereby manufactures the multilayer interconnection circuit substrate having high reliability.例文帳に追加

積層される導体層と熱硬化性接着剤層との界面の十分な接着強度を確保して、各導体層間での接続強度を高め、これによって、信頼性の高い多層配線回路基板を製造することのできる多層配線回路基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the semiconductor light-receiving element (APD: avalanche photodiode) 11, a low carrier-concentration or undoped InP tunnel-current suppression layer 24 is formed between an n-InGaAsP optical absorption layer 23 and an n-InP multiplication layer 25, and the concentration of carriers near a hetero-interface is suppressed.例文帳に追加

半導体受光素子（ＡＰＤ）１１では、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層２３とｎ−ＩｎＰ増倍層２５との間に、低キャリア濃度又はノンドープのＩｎＰトンネル電流抑制層２４が形成されているため、ヘテロ界面近傍でのキャリア濃度が抑えられる。 - 特許庁

Then, a physical layer interface module 70 which obtained the permission which accesses the shared memory 40 from the arbiter 80, transfers the data enciphered from the shared memory 40 to the physical layer module 90, and the data enciphered by transmitting the communication system of sending end from the physical layer module 90.例文帳に追加

その後アービタ８０から共有メモリ４０にアクセスする許可を受けた物理層インターフェースモジュール７０は共有メモリ４０から暗号化されたデータを物理層モジュール９０に転送させ、物理層モジュール９０から送信先の通信装置に暗号化されたデータが送信される。 - 特許庁

The microlens array includes a first optical medium layer 1 disposed on one face side having a plurality of two-dimensionally arranged lens faces R as an interface, and a second optical medium layer 2 disposed on the other face side and having a refractive index different from that of the first optical medium layer 1.例文帳に追加

マイクロレンズアレイは、二次元的に配列した複数のレンズ面Ｒを界面として一面側に配された第一の光学媒体層１と、他面側に配され且つ第一の光学媒体層１とは異なる屈折率を有する第二の光学媒体層２とを含む。 - 特許庁

In the battery having a laminated structure, which comprises an electrode laminate layer, composed of a positive material or a negative material absorbing and discharging lithium and a current collector, a heat- expanding micro-capsule is included into the electrode laminate layer or along the interface between the electrode laminate layer and the current collector.例文帳に追加

リチウムを吸蔵・放出する正極材料または負極材料からなる電極合剤層と、集電体との積層構造を有する電極において、該電極合剤層中または該電極合剤層と集電体との界面に沿って熱膨張性マイクロカプセルを含ませる。 - 特許庁