「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

That is, since the pn junction interface of a p-type semiconductor crystal layer 103 and the first non p-type layer 104 is raised higher than the other part under a gate electrode G, the thickness of the first non p-type layer 104 is thinner than the other part under the gate electrode G.例文帳に追加

即ち、ｐ型半導体結晶層１０３と第１非ｐ型層１０４とのｐｎ接合界面がゲート電極Ｇの下において他の部位よりも高く盛り上がっているために、第１非ｐ型層１０４の膜厚はゲート電極Ｇの下では他の部位よりも薄くなっている。 - 特許庁

In a thin-film solar battery containing pin junction in which a non-single crystalline silicon thin film containing a crystal is used as an i- layer, the oxygen atom concentration on the interface between a p-type or an n-type conductive layer on a substrate side and the i-layer is suppressed to be 5×10^20 atoms/cm^3 or below.例文帳に追加

結晶質を含む非単結晶シリコン系薄膜をｉ層として用いたｐｉｎ接合を含む薄膜太陽電池における基板側のｐまたはｎ型導電層とｉ層との界面における酸素原子濃度を５×１０^20ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下に抑制する。 - 特許庁

Between a memory controller circuit 11 mounted on a first circuit board layer 12 and a memory element 31 mounted on a third circuit board layer 32 for example, an input changeover circuit 21 mounted on a second circuit board layer 22 is arranged as an interface for the memory element 31.例文帳に追加

たとえば、１層目の回路基板層１２上に搭載されたメモリコントローラ回路１１と、３層目の回路基板層３２上に搭載されたメモリ素子３１との間に、上記メモリ素子３１のインターフェイスとして、２層目の回路基板層２２上に搭載された入力切り替え回路２１を配置する。 - 特許庁

This invention relates to an electroluminescence electrooptical device having a structure in which a light emitting layer is sandwiched between a cathode and an anode, wherein the light emitting layer is provided on the cathode, the anode is provided on the light emitting layer, and a passivation film is provided on the anode, the light emitting layer nearby an interface between the light emitting layer and anode containing a halogen element.例文帳に追加

陰極及び陽極で発光層を挟んだ構造を有するエレクトロルミネッセンス電気光学装置であって、陰極上に前記発光層が設けられ、発光層の上に前記陽極が設けられ、陽極の上にはパッシベーション膜が設けられ、発光層と陽極との界面近傍の発光層にはハロゲン元素が含まれている電気光学装置を提供する。 - 特許庁

This fuel cell has an electrolyte layer 21, catalyst layers 22, 23 each formed on the electrolyte layer 21 and equipped with first carbon particles carrying catalyst metal on their surfaces, gas diffusing layers 33, 34 each disposed on the catalyst layer and comprised of conductive porous materials, and carbon layers 31, 32 each provided on the interface of the gas diffusing layer and the catalyst layer and equipped with second carbon particles.例文帳に追加

燃料電池は、電解質層２１と、電解質層２１上に形成され、表面に触媒金属を担持する第１のカーボン粒子と電解質とを備える触媒層２２，２３と、触媒層上に配置され、導電性多孔質体から成るガス拡散層３３，３４と、ガス拡散層と触媒層との界面に設けられ、第２のカーボン粒子を備えるカーボン層３１，３２とを備える。 - 特許庁

To obtain a photoelectric conversion device the photoelectric conversion efficiency of which is improved, by optimizing the combination of the recessed and projecting shape of the electrode interface of a transparent conducting layer on a light-entering side and the recessed and projecting shape of the electrode interface of a back surface electrode, so as to lower a reflectance in a long wavelength region on the electrode interface of the back surface electrode.例文帳に追加

光入射側の透明導電膜の電極界面の凹凸形状と裏面電極の電極界面の凹凸形状との組み合わせを最適化して、裏面電極の電極界面での長波長域の反射率を低下させることにより、光電変換効率を改善した光電変換装置を提供する。 - 特許庁

To shorten the testing time, and to reduce the testing cost and the manufacturing cost in a device having the transmitting-receiving function such as a physical layer device for an IEEE 1394 interface.例文帳に追加

ＩＥＥＥ１３９４インターフェースの物理層デバイスのように送受信機能を有するデバイスにおいて、テスト時間を短縮し、テストコスト及び製造費用の低減を図ること。 - 特許庁

A light beam 36 made incident from a third surface 38 of the first prism 32 is all reflected on a second surface 37 of the first prism 32 as an interface with the air layer 35 and made incident on the light bulb 31.例文帳に追加

第１プリズム32の第３面38から入射した光36は、空気層35との界面である第１プリズム32の第２面37で全反射しライトバルブ31に入射する。 - 特許庁

In the Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v layer, the composition ratio x+v at the interface with the dissimilar substrate 11 is closer to that of the dissimilar substrate 11 material than the x+v in the main surface.例文帳に追加

Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面の組成比ｘ＋ｖは、主表面の組成比ｘ＋ｖよりも異種基板１１の材料に近い。 - 特許庁

Intermetallics 55 of Al and these elements deposit on interface 151 of the multi-layer cabling and prevents the hillock from being formed by swelling of crystal grains of Al.例文帳に追加

Ａｌとこれらの元素の金属間化合物５５が多層配線の界面１５１に析出し、Ａｌの結晶粒が肥大化してヒロックが形成されることを防止する。 - 特許庁

Therefore, the dangling bond of the interface of a p-type base layer that constitutes the gate oxide film and a channel region can be terminated with an element H or OH.例文帳に追加

これにより、ゲート酸化膜とチャネル領域を構成するｐ型ベース層の界面のダングリングボンドをＨもしくはＯＨの元素で終端させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a new compound semiconductor epitaxial wafer by which the adverse effect by the contamination with impurities at the interface between an epitaxial layer and a substrate can be avoided.例文帳に追加

エピタキシャル層と基板界面の不純物汚染による悪影響を未然に回避できる新規な化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element having a superior joint interface uniformly jointed with an organic layer enabled to be formed in a simple way, and its manufacturing method.例文帳に追加

有機層を簡便に基板上に形成でき、均一に接合した良好な接合界面を有する有機電界発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The interface reaction preventing layer has various functions such as a function of preventing the generation of a substance having a high resistance, which is found in conventional semiconductor device fabricating methods.例文帳に追加

界面反応防止層は従来の半導体装置の製作時に発生する高い抵抗を有する物質の生成を防止するなどの多様な機能を有する。 - 特許庁

To efficiently manufacture a SIMOX substrate which has little defect such as threading dislocation, has a highly safe SOI layer, and has a surface and an interface of high flatness.例文帳に追加

貫通転位などの欠陥が少なく、完全性の高いＳＯＩ層を有し、かつ、平坦度の高い表面及び界面を有するＳＩＭＯＸ基板を効率良く製造する。 - 特許庁

To provide a surface layer evaluation method capable of evaluating the surface structure highly accurately with excellent repeatability by preventing exfoliation of a multilayer thin film and deformation of the interface resulting from shape processing.例文帳に追加

表面層評価方法に関し、形状加工に伴う多層薄膜の剥離及び界面の変形を防止して、精度良く且つ再現性良く表面構造を評価する - 特許庁

An MRAM chip 100 is covered with an insulation layer 101 and further covered with a magnetic shield structure 102 except parts of electrode pads 103a and 103b becoming the interface with the outside (fig. (a)).例文帳に追加

MRAMチップ100は絶縁層101で覆われ、外部とのインターフェースとなる電極パッド103a,103bの部分を除き磁気遮蔽構造102で周囲を覆われた構造となっている（図（ａ））。 - 特許庁

A resin layer having a high glass fiber density and low coefficient of thermal expansion is formed in a part near the periphery of the insulating cylinder 2, and thereby exfoliation of the interface is precluded.例文帳に追加

絶縁円筒２の外周に近い部分にガラス繊維の密度が高くて熱による膨張率の低い樹脂層を形成することで、界面の剥離を防ぐ。 - 特許庁

Consequently, even when reliability evaluation such as a temperature cycle test is performed, the peeling of bonding interface between the insulating substrate 1 and base conductor layer 3a can be suppressed.例文帳に追加

このことにより温度サイクル試験などの信頼性評価を行った場合においても絶縁基板１と基礎導体層３ａとの接合界面の剥がれを抑制できる。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor element capable of reducing an offset voltage on an interface between a semiconductor layer on a gallium oxide substrate and a principal surface of the gallium oxide substrate.例文帳に追加

酸化ガリウム基板上の半導体層と酸化ガリウム基板の主面との界面におけるオフセット電圧を低減可能な窒化物系半導体素子を提供する。 - 特許庁

The composite seed layer 22 is subjected to one or both of a low power plasma treatment and natural oxidation process to form a more uniform interface with the [CoFe/Ni]_X multilayer.例文帳に追加

低パワープラズマ処理および自然酸化処理の一方または両方を複合シード層２２に施すことにより、［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X多層膜との界面を均一化する。 - 特許庁

To solve the problem of interfacial crystallization on the interface with an electrode, in an electrostatic recording material having a photoconductive layer for reading with a-Se as a main constituent.例文帳に追加

ａ−Ｓｅを主成分とする読取用光導電層を有する静電記録体において、電極との界面での界面結晶化の問題を解消する。 - 特許庁

To provide a handoff scheme in a communication system in which a roaming node seeks network access among different networks which are implemented by using different network interface layer protocols.例文帳に追加

ローミングしているノードが、異なるネットワークインタフェースレイヤプロトコルを用いて実現される異なるネットワークからネットワークアクセスを探索する通信システムにおけるハンドオフスキームを提供する。 - 特許庁

To improve reliability of satisfactory recording quality by preventing the occurrence of peeling-off on an interface between a coating resin layer and a substrate even when an ink discharge head is lengthened.例文帳に追加

インク吐出ヘッドを長尺化した場合であっても被覆樹脂層と基板との界面に剥離が発生するのを防ぎ、良好な記録品質の信頼性を向上する。 - 特許庁

To improve extraction efficiency of light extracted outside by reducing light totally reflected at an interface between an air layer and a substrate positioned at an element uppermost surface.例文帳に追加

素子最表面に位置する基板と空気層との界面で全反射される光を減らすことにより、外部に取り出される光の取り出し効率の向上を実現する。 - 特許庁

Thereby, n-type impurities present on the surface of the substrate 1 are thoroughly removed, and the adverse effect due to the contamination with impurities at the interface between the epitaxial layer and the substrate can be avoided.例文帳に追加

これによって、基板１表面のｎ型不純物が確実に除去され、エピタキシャル層２と基板１との界面汚染による悪影響を未然に回避できる。 - 特許庁

To make enable to extract a portion of a light, which can not be taken out outside because the light emitted from a luminescence layer of an electric field light emitting device, is totally reflected by an interface, using a hologram.例文帳に追加

電界発光素子において発光層から発光する光が界面で全反射して外部に取り出せない部分をホログラムを利用して取り出し可能にすること。 - 特許庁

To provide a method for generating a functional ceramics composite layer high in peeling resistance in each interface and excellent in toughness, by laminating a plurality of ceramics layers having a natural function.例文帳に追加

固有の機能を持つ複数のセラミックス層を積層して、各界面が高剥離抵抗性で靭性に優れた機能性セラミックス複合層を生成する方法を提供する。 - 特許庁

The maximum of carbon element concentration in the carbon accumulation region 10 is provided in a region of 2 nm from an interface between the n-type diffusion layer 7 and the inter-cell insulating film 9.例文帳に追加

この炭素蓄積領域１０における炭素元素濃度の最大がｎ型拡散層７とセル間絶縁膜９との界面から２ｎｍの領域に設けられている。 - 特許庁

To obtain a BGA semiconductor device in which mounting reliability is enhanced by eliminating stripping on the interface of the insulating layer of an insulating film and a bonding film at the time of solder reflow.例文帳に追加

はんだリフロー時に絶縁フィルムの絶縁層と接着用フィルムとの界面で剥離を生じなくし、実装信頼性の向上したＢＧＡ半導体装置を得る。 - 特許庁

To provide a layer structure to stably obtain predetermined element performance by the highly sophisticated control of a n-type impurity profile at a hetero interface in a III-group nitride semiconductor element.例文帳に追加

III族窒化物半導体素子におけるヘテロ界面のｐ型不純物プロファイルを高度に制御し、所望の素子性能を安定的に実現する層構造を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film in which a thin film having good film characteristics can be formed while suppressing defects on the film interface by atomic layer deposition (ALD method).例文帳に追加

原子層蒸着法（ＡＬＤ法）において、膜界面の欠陥が少なく、膜特性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

To realize practical use of an oxide thin film by growing the oxide thin film with superior crystallinity on a silicon substrate and preventing the generation of an interface SiO_2 layer.例文帳に追加

酸化物誘電体薄膜を電子デバイスとして実用化するために、結晶性良くＳｉ基板上に成長させる、界面ＳｉＯ_２層の発生を抑えること。 - 特許庁

From the front surface of the p-type semiconductor region 3 to an interface between the n-type epitaxial layer 2 and the substrate 1, a groove 12 having a lattice-like plane shape is formed.例文帳に追加

ｐ型半導体領域３の表面から、ｎ型エピタキシャル層２と基板１との界面にまで達し、かつ平面形状が格子状をなす溝１２を形成する。 - 特許庁

Thereby the plurality of conducting powders 4 are made to abut against the wiring layer 2 on the respective interface regions 7 on which the protective agent 6 does not exist, and they are electrically connected.例文帳に追加

これにより、導電粉４の複数と配線層２とを、保護剤６が存在しない界面領域７それぞれにおいて互いに当接させて電気的に接続する。 - 特許庁

To prevent metal agglomeration phenomenon and improve thermal stability by forming a silicide layer having an uniform interface, in a silicide structure of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置のシリサイド構造において、均一な界面を有するシリサイド層を形成することにより、金属集塊現象を防止して熱的安定性を改善する。 - 特許庁

The primer layer so formed has a portion having a more content of sulfur atoms than the content of oxygen atoms on the interface side with the conductor.例文帳に追加

このようにして形成されるプライマー層は、酸素原子の含有量よりも硫黄原子の含有量の方が多い部分を、前記導体との界面側に有している。 - 特許庁

To reduce a testing cost and a manufacturing cost, by reducing a testing time in a device having a transmission/reception function like the physical layer of an IEEE 13394 interface.例文帳に追加

ＩＥＥＥ１３９４インターフェースの物理層デバイスのように送受信機能を有するデバイスにおいて、テスト時間を短縮し、テストコスト及び製造費用の低減を図ること。 - 特許庁

In this way, the dangling bond of an interface between a gate oxide film and a p-type base layer constituting a channel region can be terminated with an element such as H or OH.例文帳に追加

これにより、ゲート酸化膜とチャネル領域を構成するｐ型ベース層の界面のダングリングボンドをＨもしくはＯＨの元素で終端させることが可能となる。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor substrate in which a vertical element can be formed and resistance can be decreased on the interface of a low concentration SiC layer and a supporting substrate becoming the active region of the element.例文帳に追加

縦型の素子の形成が可能であり、素子の活性領域となる低濃度のＳｉＣ層と支持基板の界面抵抗が小さい半導体基板を製造する。 - 特許庁

To provide an optical interface device and a method of transmitting monitor control information, which transmit and receive maintenance and monitor/control information between devices for link disconnection of layer 2 or more layers.例文帳に追加

光インタフェース装置及び監視制御情報伝送方法に関し、レイヤ２以上のリンク切断に対して、保守監視／制御情報を装置間で送受可能にする。 - 特許庁

The RM soln. contains an additive, and the additive moves to an interface 108 between the RM and air to decrease surface energy and to form a layer containing a large amt. of the additive.例文帳に追加

ＲＭ溶液には添加剤が含まれ、添加剤はＲＭと空気との界面へと移動して表面エネルギを低下させかつ添加剤を多く含む層を生成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an increase in interface resistance caused by the natural oxidation of a high melting point silicide layer can be prevented while relaxing restrictions on a manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセス上の制約を緩和しつつ、高融点金属シリサイド層の自然酸化による界面抵抗の増大を抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The contacting surface of the Ti layer 121 and the SiO_2 film 11 is accompanied by the interface of a rough surface T, obtained by positively increasing the surface roughness of the SiO_2 film 11.例文帳に追加

Ｔｉ層１２１とＳｉＯ_2膜１１との接触面に関しＳｉＯ_2膜１１の表面粗さを積極的に大きくした粗面Ｒの界面を伴っている。 - 特許庁

To provide a double-sided copper clad laminated sheet for preventing a periphery of a through hole from occurring bulging after solder processing by enhancing an adhesion strength of an interface between a fluoropolymer layer and a glass fiber woven fabric.例文帳に追加

本発明は、フッ素樹脂層とガラス繊維織布との界面の密着強度を上げ、半田処理後にスルーホール周辺部の膨れの発生を無くすことを課題とする。 - 特許庁