「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

A two-dimensional refractive grating formed by cyclically arranging at least two substances having different refractive indexes is formed in a joint interface region to the sticking layer 15, of at least either the main surface of the semiconductor layer 2 facing the sticking layer 15 or the main surface of the support substrate 11 facing the sticking layer 15.例文帳に追加

半導体層２の貼付け層１５と対向する主表面または支持基板１１の貼付け層１５と対向する主表面の少なくともいずれか一方の、貼付け層１５との接合界面領域に、屈折率の異なる少なくとも２種類の物質が周期的に配置されることによる２次元回折格子が形成されている。 - 特許庁

An organic semiconductor device comprises an organic semiconductor layer which constitutes an active layer of the organic semiconductor thin film transistor and has an electric field effect mobility; source-drain electrodes formed in the organic semiconductor layer; and an organic compound molecular layer for controlling the threshold voltage formed in the organic semiconductor layer at the source-drain electrodes in piles, and forming a charge transfer interface at an interval to the semiconductor layer.例文帳に追加

有機半導体薄膜トランジスタの活性層を構成し、電界効果移動度を有する有機半導体層と、有機半導体層に形成されたソース、ドレイン電極と、ソース・ドレイン電極間の該有機半導体層に重ねて形成され、有機半導体層との間において電荷移動界面を形成するしきい値電圧制御用有機化合物分子層を備えたことを特徴とする有機半導体装置によって解決される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reflective mask for EUV lithography (EUVL) using a reflective mask blank for EUVL configured by forming a reflective layer which reflects EUV light, an absorber layer which absorbs the EUV light at least in this order on a substrate, and which prevents formation of a diffusion layer on a reflective layer interface and decline of EUV light reflectivity by the formation of the diffusion layer.例文帳に追加

基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層が少なくともこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクを用いてＥＵＶＬ用反射型マスクを製造する方法であって、反射層界面での拡散層形成、およびそれによるＥＵＶ光線反射率の低下を防止する製造方法を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display element for laminating a liquid crystal layer for reflecting light of prescribed wavelength and an electrode layer for applying a drive voltage for display control in the liquid crystal layer, makes control so that an alignment direction of liquid crystal molecules present in the liquid crystal layer in the neighborhood of an interface with at least the electrode layer is substantially parallel to both-eyes directions connecting both eyes of a user viewing a liquid crystal display face.例文帳に追加

所定の波長の光を反射させる液晶層と、液晶層に表示制御用の駆動電圧を印加する電極層とが積層されている液晶表示素子において、少なくとも電極層との界面付近の液晶層に所在する液晶分子の配向方向を、液晶表示面を視認する利用者の両眼を結ぶ両眼方向と略水平方向になるようにする。 - 特許庁

In the ceramics circuit board, a metal plate that mainly consists of aluminum is bonded to at least one main surface of a ceramics substrate, and Mg is unevenly distributed at the junction interface between the metal plate and a brazing material layer or near the junction interface.例文帳に追加

セラミックス基板の少なくとも一主面にアルミニウムを主成分とする金属板をろう材層を介して接合してなるセラミックス回路基板であり、前記金属板とろう材層との接合界面或いはその近傍にＭｇを偏在させてなることを特徴とするセラミックス回路基板である。 - 特許庁

In the diffraction optical device having a relief pattern 3 on the interface of two optical members 1, 2 consisting of different kinds of optical materials, a thin film layer 4 consisting of at least one kind of silicon dioxide, zinc sulfide and aluminum oxide is formed on the interface.例文帳に追加

互いに異なる種類の光学材料からなる２つの光学部材１、２の境界面に、レリーフパターン３を有する回折光学素子において、前記境界面に、二酸化珪素、硫化亜鉛および酸化アルミニウムのうち少なくとも一種からなる薄膜層４を形成して構成した。 - 特許庁

The interface layer 16 fills in the interface, at least partially, near the welding part of friction agitation welding and thereby increases not only the strength and fracture toughness of the welding part but other mechanical and chemical properties including resistance to growth of cracks and corrosion resistance.例文帳に追加

界面層１６は摩擦攪拌溶接接合部の近くの界面を少なくとも部分的に充填し、それにより溶接接合部の強度および破壊靭性だけでなく、亀裂成長に対する抵抗および腐食抵抗を含むその他の機械的および化学的特性も増大させる。 - 特許庁

So, when used as the electrode substrate for a fuel cell, the surface contact to another layer on an interface becomes possible when laminated, reducing the contact resistance and heat loss on the interface, for wide and even distribution of gas, causing more efficient catalytic reaction.例文帳に追加

従って、燃料電池用電極基材として用いると、積層したときに界面において他の層と面接触が可能になり、界面での接触抵抗や熱損失を小さくでき、ガスを均一に広範囲に配流することができるため、さらに効率的に触媒反応を起こし得るものである。 - 特許庁

An interface layer comprising SiC_X is not formed on an interface between a Schottky electrode 4 and SiC, and respective particles of metal forming the Schottky electrode 4 are made to be in a state of lattice matching such that an atom arrangement is continuous, on a surface of the SiC.例文帳に追加

ショットキー電極４とＳｉＣとの界面にＳｉＯ_Xにて構成される界面層が形成されることなく、ショットキー電極４を構成する金属の各粒子がＳｉＣの表面において、原子配列が連続的となった格子整合した状態となるようにする。 - 特許庁

An autonomous IC card 1 is provided with a logical external communication interface 16 for directly communicating with a communication apparatus 5 connected to an IC card terminal main body 3 through a network in addition to a host device interface 17 connected to an IC card reader/writer 2 through a physical layer.例文帳に追加

自律型ＩＣカード１は、ＩＣカードリーダ／ライター２と物理層を介して接続されるホストデバイスインターフェース１７に加えて、ＩＣカード端末本体３にネットワークを介して接続される通信装置５と直接的に通信を行うための論理的な外部通信インターフェース１６を備えている。 - 特許庁

Here, a depletion layer is made at the interface (that is, the P-N junction face) between the n-type silicon substrate 101 and a p-type epitaxial film 102, so the parasitic capacity C8 and C9 in the vicinity of this interface becomes very small, therefore, the composite capacity of the noise propagation passage at large becomes small.例文帳に追加

ここで、Ｎ型シリコン基板１０１とＰ型エピタキシャル薄膜１０２との界面（すなわちＰＮ接合面）には、空乏層が形成されるので、この界面付近の寄生容量Ｃ_8 ，Ｃ_9 は非常に小さくなり、このためノイズ伝搬経路全体の合成容量も小さくなる。 - 特許庁

The insulating layer includes regions 8 containing fixed charge, which adjoin the silicon substrate 1 and the source region 10 and also adjoin the silicon substrate 1 and the drain region 11 in such a fashion as to straddle an interface between the silicon substrate 1 and the source region 10 and an interface between the silicon substrate 1 and the drain region 11.例文帳に追加

上記絶縁層は、シリコン基板１とソース領域１０との境界およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界を跨ぐように、シリコン基板１とソース領域１０に接すると共にシリコン基板１とドレイン領域１１に接する固定電荷を含む領域８を有する。 - 特許庁

An n-type impurity doped region 1a is formed on an Si substrate 1, and an interface to a GaN layer 2 mainly formed on a part of the Si substrate 1 that has no n-type impurity doped region 1a formed thereon serves as the light-receiving region, so that carriers are separated at this interface.例文帳に追加

Ｓｉ基板１に、ｎ型不純物ドープ領域１ａが形成され、主としてｎ型不純物ドープ領域１ａが形成されていないシリコン基板１上に積層されたＧａＮ層２との界面が受光領域となっており、この界面でキャリアを分離している。 - 特許庁

The rugged interface part 12 whose interface between the light guide plate upper part 11 and the light guide plate lower part 13 becomes an irregular reflection layer to enhance irregular reflection efficiency of light incident on the light guide plate 10, thereby forming uniform surface light emission and improving luminance.例文帳に追加

導光板上部１１および導光板下部１３との界面が凹凸形状である凹凸界面部１２が乱反射層となり、導光板１０に入射した光の乱反射効率を高め、均一な面発光を形成し、かつ輝度を向上することができる。 - 特許庁

Hence, in the internal region of the laser resonator, a void atom which is one of crystal defects and is generated above and near the semiconductor interface including the oxygen atoms is captured on the semiconductor interface including oxygen atoms, thereby preventing the void atom from being diffused to the active layer.例文帳に追加

これにより、レーザ共振器の内部領域では、酸素原子を含む半導体界面の上方および近傍に生成された、結晶欠陥の一つである空孔原子が、酸素原子を含む半導体界面にて捕獲され、上記空孔原子が活性層へ拡散することが抑制される。 - 特許庁

A deodorization sheet which has a sheet pad and the outer layer of a porous structure which is not supported by a non-expandable backing material wherein a deodorant is secured preferably by a small amount of a binder to the interface part between the sheet pad and the outer layer.例文帳に追加

シートパッドと、非発泡性バッキング材により支持されていない通気性構造の表皮層とを備える脱臭シートにおける、前記シートパッドと表皮層との界面部に、好ましくは少量のバインダにより、脱臭剤を固着する。 - 特許庁

A channel-doped layer 124 is formed in the well layer 121 under a gate electrode 29B of a MOS transistor T52, and a nitrogen inlet region N12 is formed in the gate electrode 29B and near a junction interface between the gate electrode 29B and the gate oxide film 25A.例文帳に追加

また、ＭＯＳトランジスタＴ５２のゲート電極２９Ｂの下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２４が形成され、ゲート電極２９Ｂ内には、ゲート酸化膜２５Ａとの接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１２が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing method in which a substrate and the like and a semiconductor element and the like are bonded via a solder layer, which has excellent solderability and high strength at a bonded interface between the substrate and the like, and the solder layer.例文帳に追加

基板等と半導体素子等がはんだ層を介して接合された半導体装置に関し、はんだ付け性が良好であり、かつ、基板等とはんだ層の間の接合界面強度も高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a layer two switching method, where a LAN emulation environment is generated and a LAN emulation client function is assigned to each LAN interface, to attain high-speed layer 2 communication and an ATM switch utilizing the method.例文帳に追加

ＬＡＮエミュレーション環境を生成して各ＬＡＮインターフェースにＬＡＮエミュレーションクライアント機能を割り当てることができ、高速なレイヤ２通信を可能とするレイヤ２スイッチング方法及びその方法を利用するＡＴＭ交換機を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device, in which peel of a wiring film does not occur at the interface between a titanium system metal wiring layer and an insulating film of the semiconductor device that includes the insulating film containing an Si-F group and the titanium system wiring layer.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｆ基を含む絶縁膜とチタン系金属配線層を含む半導体装置のチタン系金属配線層と絶縁膜との界面において、配線膜の剥がれが生じない信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a low price thin film transistor to improve an interface characteristics between a semiconductor layer and a gate insulating film in the thin film transistor including a gate electrode provided on a semiconductor layer via a gate insulating film.例文帳に追加

半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極を有する薄膜トランジスタの製造方法において、半導体層及びゲート絶縁膜間の界面特性を改善する安価な薄膜トランジスタの製造方法を得ること。 - 特許庁

The total element concentration of sodium and potassium remaining on the nickel plating layer 5 and an interface between the nickel plating layer 5 and the aluminum electrode 3 of the semi-conductor apparatus thus manufactured is ≤3.20×10^14 atoms/cm^2.例文帳に追加

このように作製された半導体装置１の、ニッケルめっき層５およびニッケルめっき層５とアルミニウム電極３との界面に残留するナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度は３．２０×１０^14ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2以下である。 - 特許庁

To form an adhesion improved layer made of oxide at the interface between a Cu wire and a cap layer in a multilayer wiring structure of a semiconductor device, and to improve reliability of the Cu wire to migration without increasing resistance of the Cu wire.例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造において、Ｃｕ配線とキャップ層との界面に酸化物からなる密着改善層を形成し、Ｃｕ配線の抵抗を上昇させることなく、Ｃｕ配線のマイグレーションに対する信頼性を向上させる。 - 特許庁

The concentration of a two-dimensional electron gas to be stored in the vicinity of the hetero-junction interface between the GaN layer and the AlGaN layer is preferably controlled, thereby achieving the magnetic sensor operating with substantially the same measurement sensitivity at a temperature ranging from a room temperature to a high temperature.例文帳に追加

ＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とのヘテロ接合界面近傍に蓄えられる二次元電子ガスの濃度が好適に抑制されることによって、室温から高温まで略同一の高い測定感度で動作する磁気センサが実現される。 - 特許庁

Since a pn interface is formed not by hetero-junction with different kind semiconductor material like the conventional case but by homojunction with ZnO based semiconductor of the i-type ZnO light emitting layer 2 and the n-type ZnO layer 3, hole injection efficiency is high.例文帳に追加

また、従来例のような異種半導体材料とのヘテロ接合ではなく、ｉ型ＺｎＯ発光層２とｎ型ＺｎＯ層３とのＺｎＯ系半導体によるホモ接合でｐｎ界面を形成しているので、ホール注入効率が高い。 - 特許庁

To provide an organic thin-film electronic device which comprises at least one electron transport layer or electrode interface layer between an anode and a cathode, can be driven with high efficiency, and has a long service life.例文帳に追加

本発明の課題は、陽極と陰極の間に少なくとも一層の電子輸送層あるいは電極界面層を有する有機薄膜電子デバイスであって、高効率で駆動可能であり長寿命な有機薄膜電子デバイスを提供する。 - 特許庁

Since formation of a pyrochlore phase in the vicinity of an interface between the electrolyte layer 2 and the air electrode 3 is suppressed, it becomes easy to partially remove the pyrochlore layer by energizing, and, as a result, an energizing initialization time is shortened.例文帳に追加

このため、電解質層２と空気極３との界面付近にパイロクロア相の形成が抑制されるので、パイロクロア相を通電により部分的に取り除くことが容易となり、結果として通電初期化時間を短縮することが可能となる。 - 特許庁

To provide a solid polymer electrolyte fuel cell capable of providing high output density and stabilizing the performance for a long time without causing damage to an interface between a solid polymer electrolyte membrane and catalyst layer joining material and a gas diffusion layer.例文帳に追加

固体高分子電解質膜・触媒層接合体とガス拡散層に生じる界面にダメージを生じることなく、高い出力密度を可能とし、かつ長時間性能が安定する固体高分子電解質型燃料電池を提供すること。 - 特許庁

To provide a battery equipped with solid electrolyte containing sulfur and an anode containing lithium, and alleviating the problem of shortage of sulfur generated at the solid electrolyte in the vicinity of an interface of an anode layer and a solid electrolyte layer, as well as a manufacturing method thereof.例文帳に追加

硫黄を含む固体電解質およびリチウムを含む負極を備えながら、負極層と固体電解質層との界面付近の固体電解質で生じる硫黄不足の問題を軽減した電池およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A groove 50 is provided at an interface S between an AlGaN layer 22 located directly beneath a gate electrode 5 and an insulating film 30 located directly on the AlGaN layer 22 so as to be located between the gate electrode 5 and a drain electrode 1.例文帳に追加

ゲート電極５の直下に位置するＡｌＧａＮ層２２と、このＡｌＧａＮ層２２の直上に位置する絶縁膜３０との間の界面Ｓに、ゲート電極５とドレイン電極１との間に位置するように、溝５０を設けている。 - 特許庁

Therefore, even when light is reflected at the interface between the transparent base material 1 and the hardcoat layer 2, the light is attenuated when passing through the hardcoat layer 2, the multiple interference of reflection light due to the reflection of the light is suppressed and occurrence of the ripple is suppressed.例文帳に追加

このため、透明基材１とハードコート層２との界面で光が反射しても、この光はハードコート層２を通過する際に減衰し、この光の反射に起因する反射光の多重干渉が抑制されて、リップルの発生が抑制される。 - 特許庁

Even if M^1 (at least one kind selected from among Tc, Re, Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu, Ag and Au) is added to the ferromagnetic layer within a range of 2 nm from the interface with the nonmagnetic layer, the longest distance is reduced relatively.例文帳に追加

非磁性層との界面から２ｎｍの範囲の強磁性層に、Ｍ^1（Ｔｃ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕから選ばれる少なくとも１種）を添加しても、上記最長距離は相対的に低下する。 - 特許庁

To provide an electroluminescence lamp for uniformizing the emitting light and improved in light emitting luminance by solving a problem in an interface between a light emitting layer and the other layer.例文帳に追加

電界発光灯の発光層の樹脂バインダ量を減じて蛍光体の充填率を増し輝度を向上させようとすると、樹脂バインダから蛍光体の一部が突出して凹凸が生じ、平坦性、密着性が低下して発光が不均一になる。 - 特許庁

To provide a thin film transistor and its manufacturing method capable of preventing contamination of a metal electrode formed on an ohmic layer, alleviating a deterioration of step coverage caused by a lamination at a lower portion of a gate insulating layer, and improving interface property between laminations.例文帳に追加

オーミック層上に形成される金属電極の汚染を防止でき、ゲート絶縁層下部の積層物によるステップカバレージの悪化を緩和でき、積層物間の界面特性を向上できる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A multilayer film is formed between a glass substrate 1 and a silicon film 3 as an impurity diffusion stop layer and the diffusion stop power of the multilayer film and the non-continuity of the interface between the layer 3 and the multilayer film are utilized to capture impurities, whereby diffusion of the impurities in glass is stopped.例文帳に追加

ガラス基板１とシリコン膜３との間に不純物拡散阻止層２として多層膜を形成し、膜の拡散阻止能および膜界面の非連続性を利用して不純物を捕獲することによりガラス不純物の拡散を阻止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a two-layered preform having high fusion strength at the fusion interface of the inner surface of an outer layer shell and the outer surface of an inner layer shell, generating no interfacial shift at the time of biaxially stretching blow molding, and imparting a two- layered bottle strongly resisting external load.例文帳に追加

外層シェルの内面と内層シェルの外面との融着界面の融着強度が強く、二軸延伸ブロー成形時に界面ずれを生じることがなく、外的負荷に強い二層ボトルが得られる二層プリフォームの製造方法を提供する。 - 特許庁

Such constitution restrains the occurrence of a crack from an interface between the deteriorated layer and the base material by reducing a different in hardness between the deteriorated layer and the base material, restrains falling-off and transfer of a contact point, and obtains the stable breaking performance and withstand voltage performance.例文帳に追加

このような構成として、変質層と基材の硬さの相違を小さくすることにより、変質層と基材の界面からの亀裂の発生を抑制させ、接点の脱落や移行を抑制し、安定な遮断性能や耐電圧性能が得られる。 - 特許庁

In the optical recording medium provided with at least a transparent substrate and a recording layer adjacent to the transparent substrate, a reflection preventing structure of a projecting and recessed shape is formed in the interface between the transparent substrate and the recording layer so that a non-reflection condition is satisfied.例文帳に追加

少なくとも透明基板と透明基板に隣接する記録層とを備えた光記録媒体であって、透明基板と記録層との界面に、無反射条件を満たすように凹凸形状の反射防止構造が形成されている。 - 特許庁

The p^--type semiconductor layer 33 composes a pn junction on an interface to the n-type semiconductor layer 32, and includes a plurality of multiplication regions AM for performing avalanche multiplication of a carrier generated by incidence of light to be detected corresponding to the light detection channels.例文帳に追加

ｐ^−型半導体層３３は、ｎ型半導体層３２との界面でｐｎ接合を構成し、被検出光の入射によって生じたキャリアをアバランシェ増倍させる増倍領域ＡＭを光検出チャンネルに対応して複数有する。 - 特許庁

The apparatus has a recording section 25 where the image recording layer 40 having predetermined distribution of dye concentration produced therein is exposed to increase temperature and cure the image recording layer from the surface to the interface side of the supporting body so as to form a latent image which can improve plate wear.例文帳に追加

記録部２５は、所定の色素濃度分布が形成された画像記録層４０に露光処理し、画像記録層の表面から支持体との界面側に渡って温度を上昇させて硬化させ、耐刷性を向上可能な潜像を形成する。 - 特許庁

An interface 76 is formed after a high-quality a-Si layer 78 is deposited at a low rate of deposition on the g-SiN_x film 74, and then an average quality a-Si layer 80 is deposited, which completes the arrangement of the a-Si layers.例文帳に追加

低い堆積速度で高品質のａ−Ｓｉ層７８をｇ−ＳｉＮ_X層７４の上に堆積して界面７６を形成し、次に、高い堆積速度で平均的な品質のａ−Ｓｉ層８０を堆積してａ−Ｓｉ層を完成させる。 - 特許庁

The joining part 2 is formed by arranging an Ag/Cu-based brazing material 5 having the thickness of 0.01 to 0.1 mm between an electrolytic nickel plating layer 6, by applying the electrolytic nickel plating layer 6 having the thickness of 3 μm or more to an interface surface of the opposed stainless sheets 1.例文帳に追加

接合部分２は、対向するステンレスシート１の接合面に厚さ３μｍ以上の電解ニッケルメッキ層６を施し、更に電解ニッケルメッキ層６間に厚さ０．０１〜０．１ｍｍのＡｇ／Ｃｕ系ロウ材５を配置したものである。 - 特許庁

In the liquid crystal display device including liquid crystal composition held between substrates, a layer obtained by crosslinking and curing polymerizable component containing polymerizable compound having the negative permittivity anisotropy is formed on a liquid crystal layer interface.例文帳に追加

および液晶組成物を基板間に挟持した液晶表示装置で、前記負の誘電率異方性を有する重合性化合物を含む重合性成分を架橋硬化した層が液晶層界面に形成されている液晶表示装置。 - 特許庁

The solid polymer fuel cell includes a membrane electrode assembly in which electrodes including the catalyst layer are bonded at both faces of the electrolyte membrane, and Pd/Pt particles containing Pd and Pt formed at the interface of the electrolyte membrane and the catalyst layer.例文帳に追加

電解質膜の両面に触媒層を含む電極が接合された膜電極接合体と、電解質膜と触媒層との界面に形成された、ＰｄとＰｔとを含むＰｄ／Ｐｔ粒子とを備えた固体高分子型燃料電池。 - 特許庁

The silicide layer has an interface layer (5) composed of the silicide of at least one kind of metal selected from a group of Er, Gd, Tb, Dy, Ho, Tm, Yb, Lu, and Pt formed on the surface with the semiconductor substrate.例文帳に追加

前記シリサイド層は、前記半導体基板との界面にＥｒ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、およびＰｔからなる群から選択される少なくとも１種の金属のシリサイドからなる界面層（５）を有することを特徴とする。 - 特許庁