「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a high reliable semiconductor device in which a protecting insulation film with excellent characteristics in an interface with a GaN group semiconductor layer is formed and thereby electric properties become stable.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体層との界面の特性が優れた保護絶縁膜を形成し、それにより、電気的特性が安定した、信頼性が高い半導体装置を実現する。 - 特許庁

An amorphous silicon layer 106 is formed on the non-silicon based solar cell via a conductive interface structure 105 that is a semiconductor tunnel junction or the like to form an amorphous silicon-based solar cell.例文帳に追加

その上に半導体トンネル接合等による導電界面構造１０５を介してアモルファスシリコン層１０６を形成しアモルファスシリコンベースの太陽電池とする。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate, a semiconductor device, and a method for manufacturing the device, in which electric resistance on an interface between an epitaxial layer and the substrate is decreased.例文帳に追加

エピタキシャル層と基板との界面における電気抵抗の低減が図られた化合物半導体基板、半導体デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the maximum oxygen concentration at a position of the grown silicon nitride layer 10 with at least 10 nm from an interface with the substrate becomes 5×10^20 atom/cm^3.例文帳に追加

成長された窒化シリコン層１０の基板４との界面から少なくとも厚さ１０ｎｍの部分の最大酸素濃度は５×１０^^20原子／ｃｍ^3 以下となる。 - 特許庁

To provide an electroluminescent element displaying high luminous efficiency although a substance having a semiconductor interface of a type II is contained in a luminescent layer, and its manufacturing method.例文帳に追加

タイプIIの半導体界面を有する物質が発光層に含まれるにも関わらず高い発光効率を示すエレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the unconformity at an interface between the surface of monocrystalline or polycrystalline silicon and an amorphous silicon layer in a solar cell adopting a hetero-junction structure.例文帳に追加

ヘテロ接合型構造を採用する太陽電池において、単結晶又は多結晶のシリコンの表面とアモルファスシリコン層との界面での不整合を改善する。 - 特許庁

As a result, the silicon nitride film or the silicon oxide film is interposed between the Si and the SiO_2 on the surface of the SOI layer, so that no interface is generated between the Si and the SiO_2.例文帳に追加

その結果、ＳＯＩ層表面において、ＳｉとＳｉＯ_2との間にシリコン窒化膜若しくはシリコン酸窒化膜が介在し、ＳｉとＳｉＯ_2の界面が生じることはない。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor in which long life can be attained by suppressing corrosion by hydrofluoric acid on the interface of a polarizing electrode and a collector electrode.例文帳に追加

フッ酸による分極性電極と集電極の界面などの腐食を抑制して長寿命化を図ることができる電気二重層キャパシタを提供することにある。 - 特許庁

The galvanized steel sheet or the alloyed galvanized steel sheet is used as the basic material, and chemical conversion coating is formed on the surface of the basic material through the phosphate film and interface reaction layer.例文帳に追加

亜鉛めっき鋼板又は亜鉛合金めっき鋼板を基材とし、リン酸塩皮膜，界面反応層を介して化成処理皮膜が基材表面に形成されている。 - 特許庁

An insulating layer 13 is formed on a joint interface between an outer electrode 14 formed on the outer surface of the thermistor element of a chip-type laminated thermistor and the thermistor element.例文帳に追加

チップ形積層サーミスタのサーミスタ素体の外表面に形成した外部電極１４と前記サーミスタ素体との接続界面に絶縁層１３を形成する。 - 特許庁

Consequently, the maximum oxygen concentration in the portion of the grown silicon layer 10 of at least 10 nm in thickness from the interface with the substrate 4 becomes ≤5×1018 atoms/cm3.例文帳に追加

成長された多結晶シリコン層１０の基板４との界面から少なくとも厚さ１０ｎｍの部分の最大酸素濃度は５×１０^18原子／ｃｍ^3 以下となる。 - 特許庁

The first concept employs a strained interface to stop the dislocation arising from the GeSi1-X/Ge epitaxial layer, thus terminating the dislocation from propagating upwards.例文帳に追加

第１のコンセプトは、歪み界面を用いることによってＧｅＳｉ１−Ｘ／Ｇｅエピタキシャル層から発生した転位を停止し、転位の上方への伝搬を終端することである。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor which reduces effectively an interface state between an insulating film and a semiconductor layer and uses a group III nitride semiconductor capable of flowing a large current.例文帳に追加

絶縁膜と半導体層の界面準位を効果的に低減し，大電流を流すことのできるIII族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide an electric double layer capacitor in which long life can be attained by suppressing corrosion by hydrofluoric acid on the interface of a polarizing electrode and a collector electrode.例文帳に追加

フッ酸による分極性電極と集電極の界面などの腐食を抑制して長寿命化を図ることができる電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁

To enable maintenance of a high luminous brightness by eliminating an interface with a layer, containing fluorescent material for wavelength conversion.例文帳に追加

波長変換用の蛍光物質を含む層との間に界面ができないようにして発光輝度を高く維持できる半導体発光装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The eutectic bonding layer remarkably reduces a voltage drop generated in an interface between the vertical surface emitting laser and the photodetector, and can make the mass-production of a product available.例文帳に追加

共晶ボンディング層は垂直面発光レーザーと光検出器間の界面で発生する電圧降下を大きく減らし、かつ製品の量産を可能にする。 - 特許庁

An ion-exchange membrane 8 can further be included between a medicine-containing layer and the living body to selectively infiltrate the objective medicine into the living body on the biological interface 7.例文帳に追加

生体界面７上で目的薬剤を選択的に生体内に浸透させるため、薬剤含有層と生体の間にさらにイオン交換膜８を含んでも良い。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a GaN-based semiconductor element preventing the semiconductor layer interface of a gate region from deteriorating even if performing annealing treatment to source and drain electrodes.例文帳に追加

ソース電極やドレイン電極のアニール処理を行っても、ゲート領域の半導体層界面が劣化しないＧａＮ系半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The interface between the piezoelectric element 21 and the first acoustic matching layer 22a is bonded with grease 31 which is softened to decrease the viscosity thereof when the autoclave sterilization is carried out.例文帳に追加

圧電素子２１と第１音響整合層２２ａとの界面の接合はオートクレーブ滅菌時には軟化して粘性が低下するグリース３１によって行っている。 - 特許庁

For the semiconductor device, an interface oxidation layer 102, a gate insulating film 104, and a gate electrode 107 are prepared in order on the superior surface of its semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体装置では、半導体基板１０１の上面上に、界面酸化層１０２、ゲート絶縁膜１０４及びゲート電極１０７が順に設けられている。 - 特許庁

The transparent sheet comprises a single layer, therefore, not only is inexpensively produced but has no reduction in light transmission caused by light refraction inside the sheet as it has no laminated interface.例文帳に追加

単一層からなるから容易且つ安価に製造可能であるばかりか、積層界面がないからシート内部での光線屈折による光線透過率の低下がない。 - 特許庁

To prevent increase in the resistance in the neighborhood of a re-grown interface, when regrowing a p-type semiconductor layer that includes P and with a p-type semiconductor device as a base.例文帳に追加

Ｐを含むおよびｐ型の半導体装置を下地としてｐ型の半導体層を再成長する際に、再成長界面付近の抵抗値の増大を防止する。 - 特許庁

Since lanthanum is solid-solved in ceria of the fuel electrode 6, formation of a high resistance layer in the interface of the solid electrolyte 4 and the fuel electrode 6 is suppressed.例文帳に追加

燃料極６のセリアにランタンが固溶化されていることで固体電解質４と燃料極６との界面における高抵抗層の形成が抑制される。 - 特許庁

To provide a method for forming a high-quality, ultra-thin-film interface oxide layer 418 suitable for use as a high-permittivity gate insulating film 424 when manufacturing a semiconductor.例文帳に追加

半導体の製造において高誘電率ゲート絶縁膜（４２４）として使用するのに適した高品質な超薄膜界面酸化物層（４１８）を形成する方法。 - 特許庁

A diffusion layer formed on a multilayer film interface can be thinned as a result, so as to provide the multilayer film reflection mirror 80 of low reflectance reduction.例文帳に追加

その結果、多層膜界面に形成される拡散層を薄くすることができ、反射率の低下が小さい多層膜反射鏡８０を提供することができる。 - 特許庁

A p^+ impurity area 4 is formed from the upper surface of an n^- semiconductor layer 3 on a p^- semiconductor substrate 1 to an interface of the p^- semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ^-半導体基板１上のｎ^-半導体層３には、その上面からｐ^-半導体基板１との界面にかけてｐ^+不純物領域４が設けられている。 - 特許庁

To provide a thermally conductive substrate having high bonding strength and high thermal conductivity by preventing an air layer along an interface between a thermally conductive sheet and a heat sink metal from being left behind.例文帳に追加

熱伝導シートと放熱用金属板の界面における空気層の残存を防止し、接合強度が高く、高熱伝導性を有する熱伝導性基板を提供する。 - 特許庁

As the conductive layer 7 for preventing electrostatic charge and the common electrode 4 are contacted with each other to form the interface contact, it is possible to lower the contact resistance between them.例文帳に追加

帯電防止用の導電層７と共通電極４とを界面接触させるため、導電層７と共通電極４との接触抵抗を低くすることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated electronic component which effectively prevents voids and a non-lamination at the interface between an inner layer part and an outer layer par, has good electrical characteristics, such as a breakdown voltage characteristic, and hardly generates a shift in lamination.例文帳に追加

内層部と外層部との界面でのボイドやノンラミネーションを有効に防止でき、しかも破壊電圧特性などの電気特性にも優れ、さらに積層ズレが生じにくい積層型電子部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain an adhesive for a resin which is suitable for producing a resin adhesive body, especially a resin laminated sheet, which hardly causes a foaming a the adhesive layer or the interface of the adhesive layer and an adherend even when it is exposed under a condition of high temperature.例文帳に追加

高温条件下に曝されたときでも、接着層や接着層と被着体との界面での発泡が起こりにくい樹脂の接着体、特に樹脂積層板を製造するのに好適な樹脂用接着剤を提供すること。 - 特許庁

Although many minute airspaces 5 are interposed at the interface of the crystal layer 4 and a base substrate 3, since the transmission of transposition from the base substrate 3 is controlled by the existence of the air spaces 5, the transposition density of the crystal layer 4 is reduced.例文帳に追加

結晶層４と下地基板３との界面には多数の微細な空隙５を介在することになるが、該空隙５の存在により、下地基板３からの転位の伝搬が抑制されるので、結晶層４の転位密度は低下する。 - 特許庁

Al is deposited through a CVD method on the entire surface of a resultant substrate, having the interface adjustment layer 42 formed therein to form a contact lug within the contact hole and also to form a wiring layer on the film 20 connected with the plug.例文帳に追加

界面調節層が形成された結果物上にＣＶＤ方法によってＡｌを全面蒸着してコンタクトホール内にコンタクトプラグを形成すると同時に層間絶縁膜上にコンタクトプラグと連結される配線層を形成する。 - 特許庁

To provide a good quality active layer and the interface of the active layer by suppressing liberation of In as much as possible in the fabrication process of a compound semiconductor light emitting element, thereby ensuring epitaxial growth excellent in controllability.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の製造工程においてＩｎの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin laminate in which an adhesive layer imparts satisfactory adhesive strength to the interface between a photosensitive layer and a base and has satisfactory resistance to organic solvents contained in printing ink and an ink washing liquid.例文帳に追加

接着層が、感光層と支持体の間に十分な接着強度を付与し、かつ印刷用インキやインキ洗浄液に含有される有機溶剤に対する耐性が十分であるような、感光性樹脂積層体を提供する。 - 特許庁

Then, stress can be relaxed by the upper-layer protective film 13 made of a resin film, thus preventing cracks from being generated further on the interface between the solder ball 20 and the connection pad of the upper-layer wire 17.例文帳に追加

そして、樹脂フィルムからなる上層保護膜１３によっても応力を緩和することができるので、半田ボール２０と上層配線１７の接続パッド部との界面にクラックがより一層発生しにくいようにすることができる。 - 特許庁

A structure suppresses deterioration of the electric characteristic, which occurs due to re-coupling of an interface charge in an inversion layer just below the inactivated film and the majority carriers in the irregular levels of the high charge layer near the back electrode.例文帳に追加

本発明の構造は、不活性化膜直下の反転層に存在する界面電荷と裏面電極近傍の高電荷層不整準位内の多数キャリアとの再結合により生じる電気的特性の悪化を抑制する。 - 特許庁

When the application layer 61b of B-ECU 10b specifies the virtual actuator part 64a to output drive information, an interface layer 62b of A-ECU 10a transmits the drive information via a communication line 50.例文帳に追加

Ｂ−ＥＣＵ１０ｂのアプリケーション層６１ｂが仮想アクチュエータ部６４ａを指定して駆動情報を出力すると、インターフェース層６２ｂが、通信線５０を介してＡ−ＥＣＵ１０ａのインターフェース層６２ａへ駆動情報を送信する。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device reducing a junction leakage current caused by a defective caused on an interface between a silicon mixed crystal layer and a substrate in an MIS transistor equipped with the silicon mixed layer for introducing distortion into a channel.例文帳に追加

チャネルに歪みを導入するためのシリコン混晶層を備えたＭＩＳトランジスタにおいて、シリコン混晶層と基板との界面に発生する欠陥に起因する接合リーク電流を低減した半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

Though excitation light mainly comes into the first clad layer 2, a part of it comes in the second clad layer 3 to suppress heating due to reflection of the excitation light on the interface between the first and second clad layers 2 and 3.例文帳に追加

励起光は主に第１クラッド層２に入射するが、その一部を第２クラッド層３に入射することにより、第１クラッド層２と第２クラッド層３の界面における励起光の反射による発熱を抑制する。 - 特許庁

A ceria-based electrolyte material contained in an air electrode 3 of a unit cell 1 gets into an interface between an electrolyte layer 2 and the air electrode 3, and inhibits the air electrode from reaction with zirconia as a component material of the electrolyte layer 2.例文帳に追加

単セル１において、空気極３に含まれるセリア系電解質材料は、電解質層２と空気極３との界面に入り込み、空気極３と電解質層２の構成材料であるジルコニアとの反応を阻害する。 - 特許庁

In each of PLC 1A-1N, a processor 3 is provided with a user memory 31 and an application program 32, and an Ethernet(R) interface 2 is provided with a physical layer 21, a data link layer 22, an IP 23, a UDP 24 and a data transmitting-receiving function part 25.例文帳に追加

各ＰＬＣ１Ａ〜１Ｎは、プロセッサ３にユーザ用メモリ３１とアプリケーションプログラム３２を設け、イーサネットインタフェース２に物理層２１とデータリンク層２２とＩＰ２３とＵＤＰ２４およびデータ送受信機能部２５を設ける。 - 特許庁

An surface-active layer is formed at an interface between the composite seed layer 22 and the PMA multilayer 23 and one or more interfaces between adjoining paired layers in the multilayer stack in the PMA multilayer 23.例文帳に追加

複合シード層２２とＰＭＡ多層膜２３との間の界面、および、ＰＭＡ多層膜２３の積層構造内の各一対の隣接層間における１以上の界面の一方または双方に界面活性層を形成する。 - 特許庁

To improve power generation efficiency by increasing all of a gas channel, proton conducting path, and three-phase interface of an electrode catalyst layer structuring a unit cell of a polymer electrolyte fuel cell, and by efficiently utilizing a catalyst in the electrode catalyst layer.例文帳に追加

固体高分子形燃料電池の単セルを構成する電極触媒層のガスチャネル、プロトン伝導パス、三相界面の全てを増大させ、電極触媒層中の触媒を有効に利用して発電効率を高くする。 - 特許庁

To protect a pn junction formed at an interface between the adjacent first conductor layer 101 and the second conductor layer 102, an insulating film 103 is so formed on a side wall 104 as to coat an end 31.例文帳に追加

隣接した第１導電体層１０１および第２導電体層１０２の界面に形成されたＰＮ接合を保護するため、端部３１を被覆するように絶縁膜１０３が側壁１０４上に形成されている。 - 特許庁

To provide a high-quality active layer and the interface of the active layer by making highly controllable crystal growth possible, by suppressing liberation of In as much as possible in the manufacturing process of a compound semiconductor light emitting element.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の製造工程においてＩｎの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。 - 特許庁