「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

The interface between the via hole 26 formed in an insulating resin layer 24 and a conductor layer 27 formed on the internal wall surface of the hole 26 is covered with an insulating rein 24 so that glass fibers contained in the resin layer 24 are not exposed nor protruded.例文帳に追加

絶縁樹脂層２４に形成されたビアホール２６とその内壁部に形成された導体層２７との界面が、絶縁樹脂層２４に含まれるガラス繊維が露出または突出することなく、絶縁樹脂２４によって覆われている。 - 特許庁

To provide an organic EL display in which a clear interface between an electrode and a protection layer is not formed by installing a mixed film of an electrode material and a protection layer material in the protection layer arranged on the electrode, and its manufacturing method.例文帳に追加

電極上に配置される保護層において、電極材料と保護層材料との混合膜を設けることにより電極と保護層との明確な界面が生じない有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent drying of an electrolyte membrane in a gas inlet of a gas passage upstream and prevent water clogging on the interface between a catalyst layer and a diffusion layer and within the diffusion layer in a gas outlet of the gas passage downstream in a membrane-electrode assembly of a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池の膜電極接合体において、ガス流路上流のガス入口側では電解質膜の乾燥を防止し、下流のガス出口側では触媒層と拡散層界面さらに拡散層内の水詰まりを防止する。 - 特許庁

To provide an annular member, restraining separation of a non-foamed rubber layer as compared with the case where a foamed rubber layer and a non-foamed rubber layer are discontinuously formed through an interface, a charging device, an image forming apparatus and a method of manufacturing an annular member.例文帳に追加

発泡ゴム層と非発泡ゴム層とが界面を介して非連続で形成されている場合に比べて、非発泡ゴム層の剥がれの抑制された環状部材、帯電装置、画像形成装置、及び環状部材の製造方法を提供する。 - 特許庁

Each optical waveguide 17 comprises a core layer 13 made of resin and clad layers 14 made of resin and laminated on and under the core layer 13 and a rugged part for reproducing information is formed on one interface of the core layer 13 and the clad layers 14.例文帳に追加

この光導波路１７は、樹脂製のコア層１３と、このコア層１３の上下に積層された樹脂製のクラッド層１４とからなり、コア層１３とクラッド層１４との一方の界面には、情報再生用の凹凸部が形成されている。 - 特許庁

The pn-junction generated by the two-dimensional electron gas generated at the interface between the undoped AlGaN layer 104 and the undoped GaN layer and by the p-type GaN layer 105 is formed at a gate region to be capable of enlarging the gate voltage.例文帳に追加

アンドープＡｌＧａＮ層１０４とアンドープＧａＮ層との界面で発生する２次元電子ガスとｐ型ＧａＮ層１０５とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成されるのでゲート電圧を大きくすることができる。 - 特許庁

In the galvannealed steel sheet, a plating layer consists of only ζ phase or ζ phase and η phase, and Fe content in an outermost surface of the plating layer is higher than Fe content of the plating layer at an interface portion of the steel sheet.例文帳に追加

めっき層がζ相のみ、またはζ相およびη相からなり、前記めっき層最表面におけるＦｅ含有率が前記めっき層の鋼板界面部分のＦｅ含有率より高いことを特徴とする合金化溶融亜鉛めっき鋼板。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, where a leakage current flowing at the interface between a silicon layer and an embedded layer cannot be generated due to the potential difference between the silicon layer and a support substrate in an offset-type transistor being formed on an SOI substrate, and its manufacturing method.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成したオフセット型トランジスタであって、シリコン層と支持基板との電位差によって、シリコン層と埋め込み酸化膜の界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

(1) The phase transition type optical recording medium has, on a substrate, at least a phase transition recording layer consisting essentially of Sb and containing Ge and Sn and/or In and an interface layer coming in contact with the recording layer and consisting essentially of a nitride or a carbide.例文帳に追加

（１）基板上に少なくとも、Ｓｂを主成分としＧｅとＳｎ及び／又はＩｎを含有する相変化記録層、並びに該記録層と接し、窒化物又は炭化物を主成分とする界面層を有する相変化型光記録媒体。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a coated optical fiber which has superior manufacturing stability by solving appearance problems such as unevenness which is observed on an interface between a primary coating layer and a secondary coating layer of an optical fiber coating resin layer in high-speed drawing.例文帳に追加

高速線引時において、光ファイバ被覆樹脂層における１次被覆層と２次被覆層の界面に観察される不均一性といった外観問題を解決し、製造安定性に優れた被覆光ファイバの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The radiological image detector does not have a region, in which a concentration of elements of oxygen or chlorine is more than twice as large as the average concentration of the elements in the substrate-side charge transport layer 5, near the interface of the substrate-side charge transport layer 5 and a photoconductive layer 4.例文帳に追加

基板側電荷輸送層５と光導電層４との界面近傍において、酸素または塩素の元素の濃度が基板側電荷輸送層５中の上記元素の平均濃度の２倍以上となる領域を有しないようにする。 - 特許庁

To provide a diamond semiconductor device with a concentration of an electric field at a channel part and a gate insulating layer reduced, having a uniform insulating layer, preventing a dielectric breakdown, and reducing a defect in the vicinity of an interface between the channel part and the insulating layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

チャネル部及びゲート絶縁層における電界集中が緩和され、絶縁層が均一で、絶縁破壊を防ぎ、チャネル部及び絶縁層の界面近傍の欠陥を低減したダイヤモンド半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Each optical waveguide 17 comprises a core layer 13 and clad layers 14 laminated on and under the core layer 13 and a rugged part for reproducing information is formed on one interface between the core layer 13 and the clad layers 14.例文帳に追加

この光導波路１７は、樹脂製のコア層１３と、このコア層１３の上下に積層された樹脂製のクラッド層１４とからなり、コア層１３とクラッド層１４との一方の界面には、情報再生用の凹凸部が形成されている。 - 特許庁

A high density plasma oxidation (HDPO) processing layer is formed on a channel, source and drain regions to form a dielectric interface and then one or more dielectric layers are deposited on the HDPO layer to form a high quality gate dielectric layer.例文帳に追加

高密度プラズマ酸化（ＨＤＰＯ）処理層がチャネル、ソース、及びドレイン領域上に形成されて誘電体インターフェースを構成し、次に、１つ以上の誘電体層をＨＤＰＯ層上に堆積して高品質ゲート誘電体層を形成する。 - 特許庁

A semiconductor surface layer, surface characteristics, or interface characteristics are measured and evaluated, by selectively having an electron energy irradiated to a semiconductor so that carriers are excited in the surface layer of the semiconductor and detecting the carrier behavior of the surface layer.例文帳に追加

半導体の表面層にキャリアを励起するように電子エネルギーを選択的に前記半導体に照射し、前記表面層のキャリア挙動を検知することにより半導体表面層、表面特性又は界面特性を測定評価する。 - 特許庁

Due to local heat generation in the laser spot at this time, the atomic bond between the semiconductor layer 11 and the substrate 10 is broken at their interface, and a pyrolysis layer 11a is formed between the substrate 10 and the semiconductor layer 11.例文帳に追加

このときのレーザスポットの局所的な発熱により、半導体層１１はその基板１０との界面において両者の原子同士の結合が切断されて、基板１０と半導体層１１層との間に熱分解層１１ａが形成される。 - 特許庁

A nitrogen element in the silicon nitride is dispersed in the semiconductor layer 12 comprising the active polycrysalline silicon film to compensate grid distortion in the active polycrystalline silicon film, whereby a desired interface characteristic between the semiconductor layer 12 and the insulating layer 6 is satisfied.例文帳に追加

窒化ケイ素中の窒素元素が活性多結晶シリコン膜からなる半導体層１２中に拡散し、この活性多結晶シリコン膜中の格子歪みを補償し、半導体層１２と絶縁層６との所望の界面特性を満たす。 - 特許庁

After an AlN buffer layer 12 and a GaN layer 13 are grown sequentially on a sapphire substrate 11 by MOVPE, Si ions are implanted into an ion implantation region 14 centering the vicinity of interface between the sapphire substrate 11 and the growth layer.例文帳に追加

サファイア基板１１上にＡｌＮ緩衝層１２とＧａＮ層１３をＭＯＶＰＥ法により順次成長させた後、サファイア基板１１と成長層との界面付近を中心としたイオン注入領域１４にＳｉのイオン注入を行う。 - 特許庁

On the electrode for fuel cell, an arithmetic mean roughness Ra of an interface 33 of a catalyst layer 31 and a gas diffusion layer 32 is made small by filling carbon grains with a small diameter on a conventional gas diffusion layer.例文帳に追加

本発明の燃料電池用電極は、従来のガス拡散層上に粒子径の小さいカーボン粒子３２３を充填するなどにより、触媒層３１とガス拡散層３２との界面３３の算術平均粗さＲａを小さくする。 - 特許庁

An island-shape catalyst section which contains platinum based catalyst more than other portion and/or an electrolyte polymer layer are formed at least on the catalyst layer side of the interface between the solid polyelectrolyte membrane on the fuel supply side and the catalyst layer.例文帳に追加

少なくとも燃料供給側の固体高分子電解質膜と触媒層との界面の触媒層側に白金系触媒を他の部分よりも多く含む島状触媒部及び／又は電解質ポリマー層が形成されている構成とする。 - 特許庁

A metal layer is formed on a semiconductor transferred to a material with low heat conductivity and interface between the semiconductor and the metal layer is alloyed by irradiation with a laser beam of wavelength which at least one of the semiconductor and metal layer absorbs.例文帳に追加

熱伝導率が低い材料に転写された半導体上に金属層を形成し、半導体もしくは金属層の少なくとも一方が吸収する波長のレーザを照射してこれら半導体と金属層の界面を合金化する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for semiconductor device, capable of completely levelling interface between cobalt silicide layer and silicon layer without preliminarily gaining the thickness of a cobalt silicide layer.例文帳に追加

コバルトシリサイド層の厚みを予め大きく設計しなくても、完成したコバルトシリサイド層とシリコン層との界面を十分に平坦化することができ、プロセスの再現性が良好なコバルトシリサイド電極が得られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method is provided to judge whether or not the charge is trapped by the insulating layer or the interface between the semiconductor layer and the insulating layer in accordance with whether or not the threshold voltage and a flat band voltage before and after load is applied are in a predefined range.例文帳に追加

負荷前後の閾値電圧とフラットバンド電圧が一定の範囲内に存在するか否かにより、電荷が絶縁層にトラップされているか、半導体層と絶縁層の界面にトラップされているかを判別する方法を提供する。 - 特許庁

In the case that light is transmitted by the liquid crystal layer 30, the light incident from the liquid crystal layer 30 bypasses the pixel electrode 11 and the first substrate 10 and is absorbed in the light absorption layer 12, and reflection of the incident light on the interface is reduced.例文帳に追加

液晶層３０により光が透過される場合には、液晶層３０からの入射光が画素電極１１および第１基板１０を介さずに光吸収層１２に吸収され、界面における入射光の反射が低減される。 - 特許庁

A compound member which is formed by adhering a second member to a first member comprising an isolation layer 4 and a transfer layer 5 which is arranged on the isolation layer 4 is separated by the different position from the adhering interface of the first and the second members.例文帳に追加

分離層４と前記分離層４上にある移設層５とを有する第１の部材１と、第２の部材２とが密着した複合部材を、前記第１の部材１と前記第２の部材２との密着界面とは異なる位置において分離する。 - 特許庁

Therein, the alignment layer composition is constituted by adding a monomer or an oligomer having one or more functional groups in addition to polymer, and the monomer or the oligomer in the alignment property providing layer 12 is crosslinked with the molecule in the refractive index anisotropic layer 13 adjacent to the alignment property providing layer 12 in the neighborhood of the interface between the alignment property providing layer 12 and the refractive index anisotropic layer 13.例文帳に追加

なお、配向膜用組成物には、ポリマーに加えて、一つ以上の官能基を持つモノマー又はオリゴマーが添加されており、配向性付与層１２と屈折率異方性層１３との界面近傍において、配向性付与層１２中のモノマー又はオリゴマーが、配向性付与層１２に隣接する屈折率異方性層１３中の分子と架橋する。 - 特許庁

In the back sheet 5, a first rubber layer 7 and a second rubber layer 8 are laminated, and a surface of the second rubber layer 8 opposite to an interface 9 with the first rubber layer 7 is a sticking surface 8a to a rear surface of the solar cell, and the first rubber layer 7 is made of fluororubber, and the second rubber layer 8 is made of acrylic rubber.例文帳に追加

本実施形態におけるバックシート５は、第１のゴム層７と第２のゴム層８とが積層され、前記第２のゴム層８の前記第１のゴム層７との界面９と反対面が、太陽電池裏面への貼着面８ａであり、前記第１のゴム層７がフッ素ゴムで形成され、前記第２のゴム層８がアクリルゴムで形成されることを特徴とするものである。 - 特許庁

The thin-film photoelectric conversion device has at least a zinc oxide layer, a p-type semiconductor layer, the photoelectric conversion layer, and a back electrode layer in order from a light incident side, and is characterized in that a stoichiometric composition ratio of zinc oxide near the interface composed of the zinc oxide layer and p-type semiconductor layer is Zn:O=1+N:1 (where N>0).例文帳に追加

光入射側から順に、少なくとも酸化亜鉛層と、ｐ型半導体層と、光電変換層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、酸化亜鉛層とｐ型半導体層からなる界面近傍における酸化亜鉛の化学量論組成比をＺｎ：Ｏ＝１＋Ｎ：１（ただし、Ｎ＞０）としたことを特徴とする、光電変換装置。 - 特許庁

In an epitaxial crystal substrate for a gallium nitride field effect transistor, the epitaxial crystal formed on the substrate 101 comprises a highly pure first buffer layer 107, including a channel layer which is in contact with a side interface of the substrate between a gate layer 108, a second buffer layer 106, an insulating layer 104 having an opening 104A, and a p-type semiconductor crystal layer 103.例文帳に追加

ＧａＮ系ＦＥＴ用エピタキシャル結晶基板において、下地基板１０１の上に設けられるエピタキシャル結晶が、ゲート層１０８の下地基板側界面に接するチャネル層を含む高純度な第１の緩衝層１０７と、第２の緩衝層１０６と、開口部１０４Ａを有する絶縁層１０４と、ｐ伝導型半導体結晶層１０３とを有している。 - 特許庁

When materials constituting the interface between the heterogeneous materials can have a plurality of crystal structures or chemical compositions in the interface, a crystal phase stabilizing structure suppresses a change in a crystal phase by substituting atoms which are not contained in any of the materials constituting the interface for atoms of a fraction of a unit cell of a thickness-direction first layer of the heterogeneous-material interface.例文帳に追加

結晶相安定化構造は、異種材料界面において、界面を構成する材料が、複数の結晶構造あるいは化学的組成を持ちうる場合、該材料の界面の厚み方向の第一層目の単位胞において、その一部の原子を、前記界面を構成するいずれの材料にも含まれない原子によって置換することによって結晶相の変化を抑制する。 - 特許庁

"Common Application Interface" disposed directly under "User Interface Application" is a layer comprising a function of abstracting the difference between "PrintEnhanced" and "PictPrint", and "User Interface Application" does not need to be conscious of the difference in print service specification and controls any print service by the common interface specification.例文帳に追加

Ｕｓｅｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎの直下に配設されるＣｏｍｍｏｎ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅは、ＰｒｉｎｔＥｎｈａｎｃｅｄとＰｉｃｔＰｒｉｎｔの相違を抽象化する機能を備えたレイヤであり、Ｕｓｅｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎは、印刷サービス規格上の相違を意識する必要がなくなり、共通のインターフェース仕様によりいずれの印刷サービスも制御する。 - 特許庁

In the portable electronic apparatus having an interface member, the interface member includes an display layer of low light transmittance and a half mirror layer disposed on a part of the display layer behind an input operation position, and represents the input operation position by reflected light on the half mirror layer when the illuminance of ambient light is not less than a predetermined value.例文帳に追加

インターフェイス部材を有する携帯型電子機器に関し、前記インターフェイス部材は、光の透過率の低い表示層と、前記表示層の入力操作位置の裏側に部分的に設けられた半鏡面層と、を備え、周辺光の照度が所定値以上の場合に前記半鏡面層による反射光により前記入力操作位置を表現するインターフェイス部材であることを特徴とする。 - 特許庁

Next, ions are implanted into the structure, the ions forming defects by which mechanical decoupling is achieved at the interface or vicinity of the interface; then a heating step is performed to the structure including the implanted ions, by which mutual diffusion of Ge through the first single crystal Si layer and SiGe layer is achieved; thereby a SiGe layer that is substantially relaxed single crystal and homogenous is formed on the barrier layer.例文帳に追加

次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成することができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第１の単結晶Ｓｉ層およびＳｉＧｅ層を通るＧｅの相互拡散を可能にする加熱ステップを施して、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のＳｉＧｅ層を形成する。 - 特許庁

Of the metal foil with carrier foil composed of a metal foil, a junction interface layer and a carrier foil for manufacturing a collector of a nonaqueous electrolyte secondary battery with the metal foil and the carrier foil in a state laminated with an interposition of the junction interface layer, the metal foil is of a hard nickel layer or a nickel alloy layer, with a total thickness of 10 μm or less.例文帳に追加

非水電解液二次電池の集電体を製造するための金属箔と接合界面層とキャリア箔とからなり、金属箔とキャリア箔とが接合界面層を介し積層した状態にあるキャリア箔付金属箔において、前記金属箔は、硬質ニッケル層若しくはニッケル合金層であり、トータル厚さ１０μｍ以下であることを特徴とするキャリア箔付金属箔等を採用する。 - 特許庁

The laminate is composed of an insulating substrate, the insulating resin layer formed on the insulating substrate and the metal lamellar formed on the insulating resin layer and a metal oxide is provided to the contact interface of the insulating resin layer and the metal lamella and the surface roughness of the contact interface of the insulating resin layer and the metal lamella is below 100 nm.例文帳に追加

絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された絶縁性樹脂層と、前記絶縁性樹脂層上に形成された金属薄膜層とからなる積層体であり、前記絶縁性樹脂層と前記金属薄膜層の接触界面に金属酸化物が存在し、かつ、絶縁性樹脂層と前記金属薄膜層の接触界面の表面粗さが１００ｎｍ未満であることを特徴とする積層体。 - 特許庁

Thereby, the surface plasmon polariton is generated in the interface between the low refractive index dielectric 3 and the metal layer 4 and propagated from a first position A to a second position B and an electromagnetic field 9 is generated and emitted from the edge of the interface.例文帳に追加

これにより低屈折率誘電体層３と金属層４との界面で表面プラズモンポラリトンを発生させて第１の位置Ａから第２の位置Ｂへ伝播させ、該界面のエッジから電磁場９を発生・出射する。 - 特許庁

Accordingly, the light which has been emitted from the LED chip 20 is reflected on the interface in a portion corresponding to the inner peripheral surface of the void portion 31, out of the interface formed of the void portion 31 and the optical transmitting sealing layer 30.例文帳に追加

これにより、ＬＥＤチップ２０から出射された光が、空隙部３１と光透過性封止層３０とによって形成される界面のうちの空隙部３１の内周面に相当する部分の界面において反射される。 - 特許庁

A layer comprising liquid crystal monomers 12 having liquid crystal skeletons and having properties of aligning the liquid crystal skeletons vertically to an interface at the interface with dissimilar substance and polymerizing is formed at a transparent substrate 2.例文帳に追加

まず、液晶性骨格を有し、異種物質との界面において液晶性骨格を界面に垂直に向けて配向する性質と、重合する性質を有する液晶性モノマー１２からなる層を透明基板２に形成する。 - 特許庁

To provide a method and a device of manufacturing a membrane electrode assembly with no physical interface between an electrolyte membrane and an electrode catalyst layer and no generation of an interface resistance and with an excellent proton conductivity.例文帳に追加

電解質膜と電極触媒層との間に物理的な界面が存在せず、界面抵抗が発生しない、プロトン伝導性に優れた膜電極接合体の製造方法および膜電極接合体製造装置を提供する。 - 特許庁

The composite material for the electric/electronic component, wherein the resin film is formed at least on a part of the metal substrate, has a laminated structure of an interface region, existing in the interface between the resin film and the metal substrate, and a high density layer, and the thickness of the interface region is controlled to be >0 nm and ≤80 nm.例文帳に追加

金属基材上少なくとも一部に樹脂皮膜を形成した材料であって、前記樹脂皮膜が前記金属基材との界面に存在する界面領域と高密度層との積層構造であり、該界面領域の厚さが０ｎｍを超え８０ｎｍ以下に制御された電気電子部品用複合材料。 - 特許庁

The group III-V nitride semiconductor for use in a photocatalytic oxidation/reduction reaction is characterized by comprising a base layer and a surface layer overlaid thereon each having mutually different semiconductor characteristics forming an interface contacting the base layer and the surface layer, whereby at least the surface layer is made to have a function of accelerating carrier migration.例文帳に追加

III −Ｖ族窒化物半導体は、光触媒酸化還元反応用のIII −Ｖ族窒化物半導体であって、互いに半導体特性の異なる基層およびこの基層に積層された表層を有し、前記基層と前記表層とが接触する界面が形成されることにより、少なくとも表層がキャリア移動促進作用を有することを特徴とする。 - 特許庁

More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth.例文帳に追加

詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、ＳＯＩ層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したＳＯＩ層の酸化を防止する。 - 特許庁

To provide a reversible thermal recording medium which can hold a clear recording image by preventing the occurrence of layer exfoliation in a metallic compound containing layer (gas barrier layer), and the interface exfoliation between the metallic compound containing layer and the other layer, even when using for a long period under a severe environment, and a reversible thermal recording member having the reversible thermal recording medium.例文帳に追加

厳しい環境下で長期間使用しても、金属化合物含有層（ガスバリア層）の層内剥離、及び金属化合物含有層と他層の層間剥離の発生を防止して、鮮明な記録画像を保持することができる可逆性感熱記録媒体及び該可逆性感熱記録媒体を有する可逆性感熱記録部材の提供。 - 特許庁

The use of silicon oxide containing excessive oxygen can release oxygen from the insulation layer and decrease oxygen defects in the oxide semiconductor layer and interface state density between the base insulation layer or the protective insulation layer and the oxide semiconductor layer; thus, a semiconductor device with less variation in electrical characteristics and high reliability can be manufactured.例文帳に追加

酸素が過剰な酸化シリコンを用いることにより、絶縁層から酸素が放出され、酸化物半導体層中の酸素欠損及び下地絶縁層もしくは保護絶縁層と酸化物半導体層の界面準位密度を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

According to the above configuration, the stack of the first electrode layer having small diffusion with respect to the active layer composed of the oxide semiconductor and the second electrode layer having a low specific resistance provides excellent FET characteristics at the interface between the active layer and the electrode layer, thereby obtaining a FET that has low-resistance electrodes.例文帳に追加

上記構成によれば、酸化物半導体からなる活性層に対する拡散が小さい第１の電極層と、比抵抗が小さい第２の電極層を積層することにより、活性層と電極層の層界面でのＦＥＴ特性が良好であり、電気抵抗の小さい電極を備えたＦＥＴを得ることが可能である。 - 特許庁