「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor substrate and method of manufacturing the same which improve device performance by suppressing the roughness of the interface between an insulating layer and a semiconductor single-crystal layer in a semiconductor substrate having the semiconductor single-crystal layer for forming a device on the insulating layer.例文帳に追加

絶縁層上にデバイス形成用の半導体単結晶層を有する半導体基板において、絶縁層と半導体単結晶層の界面のラフネスを抑制することにより、デバイス特性を向上させる半導体基板および半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

There is at least one application programming interface between the data link layer concerned and the network layer concerned, independent of each network technology and able to transfer the particular configuration data to the network layer concerned so that the network layer can be configured in accordance with each network traffic.例文帳に追加

各ネットワーク技術とは独立で、特定の構成データを関与するネットワークレイヤに転送して、ネットワークレイヤが各ネットワークトラフィックに応じて構成されるようにすることができる少なくとも１つのアプリケーションプログラミングインタフェースが、関与するデータリンクレイヤと関与するネットワークレイヤの間に存在する。 - 特許庁

The planar optical waveguide includes: a clad layer; an optical waveguide having a core embedded in the clad layer; and a groove 15 formed on the clad layer and having a reflection interface 31 which totally reflects the leaked light leaked from the optical waveguide to the clad layer.例文帳に追加

本発明に係る平面光導波回路は、クラッド層と、クラッド層に埋め込まれたコアを有する光導波路と、クラッド層に形成され、光導波路からクラッド層へ漏れた漏洩光を全反射する反射界面３１を有する溝１５と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The gallium nitride semiconductor device includes a two-dimensional electron gas 18 formed on an interface between a p-type GaN well layer 7 and an electron supply layer 8, and includes, between the two-dimensional electron gas 18 and an n-type GaN drift layer 6, an MOS type gate inverting the conductivity type of the p-type GaN well layer 7.例文帳に追加

窒化ガリウム半導体装置は、ｐ型ＧａＮウエル層７と電子供給層８との界面に形成された２次元電子ガス１８を有し、２次元電子ガス１８とｎ型ＧａＮドリフト層６との間に、ｐ型ＧａＮウエル層７の導電型を反転させるＭＯＳ型ゲートを有する。 - 特許庁

A barrel 102 of the ball bat 100 includes an inner wall 104 separated from an outer wall 106 by an interface shear control zone (ISCZ) 108 or layer, such as an elastomeric layer, a friction joint, a bond-inhibiting layer, or another suitable shear-controlling zone or layer.例文帳に追加

ボールバット１００のバレル１０２は、外壁１０６から分離される内壁１０４を具備しており、内壁１０４は、界面剪断制御領域（ＩＳＣＺ）１０８、又は、エラストマー層、摩擦継手、結合阻害層、又は他の好適な剪断制御領域又は層等の、層によって分離される。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device is provided with a gate electrode 10g controlling a potential of a heterojunction interface between the first semiconductor layer 1 and the second semiconductor layer 2, a drain electrode 10d connected to the first semiconductor layer 1, and a source electrode 10s connected to the second semiconductor layer 2.例文帳に追加

更に、第１の半導体層１と第２の半導体層２との間のヘテロ接合面の電位を制御するゲート電極１０ｇと、第１の半導体層１に接続されたドレイン電極１０ｄと、第２の半導体層２に接続されたソース電極１０ｓと、が設けられている。 - 特許庁

In order to improve the quality of the laminated layer structure with respect to the surface roughness and dislocation density, the composition parameter at the interface between the layer in the stack 5 with the gradient composition and the subsequent layer in the stack is chosen to be smaller than the composition parameter (1-xg) of the layer with a gradient composition.例文帳に追加

表面粗さと転位密度に関して積層層構造１の品質を改善するため、スタック５内の勾配組成を有する層と後続層との界面で、組成パラメータが、勾配組成を有する層側の組成パラメータ（１−ｘ_ｇ）よりも小さくなるように選択される。 - 特許庁

The outermost layer contains a heat-resistant binder resin and 10-80 mass% of a fluorinated olefinic resin while the lower layer contains the heat-resistant binder resin and 5-50 mass% of the fluorinated olefinic resin and Ra (roughness) of the interface between the outermost layer and the lower layer is 0.3-0.6 μm.例文帳に追加

最上層は、耐熱性バインダー樹脂および１０〜８０質量％のフッ素化オレフィン樹脂を含み、下層は、耐熱性バインダー樹脂および５〜５０質量％のフッ素化オレフィン樹脂を含んでおり、最上層と下層との間の界面のＲａが０．３μｍ〜０．６μｍである。 - 特許庁

The fluid lens 2 has a water solution layer 24 and an oil layer 23, and changes a refractive index by varying the interface shape between the water solution layer 24 and the oil layer 23 by applying voltage on an electrode 21, and controls the light distribution of the plane light-emitting light source 1.例文帳に追加

液体レンズ２は、水溶液層２４及びオイル層２３を有し、電極２１に電圧を印加して水溶液層２４とオイル層２３の界面形状を変化させることによって屈折率を変化させ、面発光光源１からの光の配光を制御している。 - 特許庁

(1) The method for manufacturing the galvannealed steel sheet comprises the steps of: forming an Fe-Ni-Al-Zn alloy layer on an interface between the steel sheet and a galvanizing layer in a hot-dip galvanizing bath; and eliminating the Fe-Ni-Al-Zn alloy layer and simultaneously forming a Zn-Fe alloy layer having Ni and Al dispersed therein, by heat treatment.例文帳に追加

(1)溶融亜鉛メッキ浴内で、地鉄界面にFe-Ni-Al-Zn合金層を形成した後、加熱処理により前記Fe-Ni-Al-Zn合金層を消失させると共に、Ni,Alの分散したZn-Fe合金層を形成することを特徴とする合金化溶融亜鉛メッキ鋼板の製造方法。 - 特許庁

When an oxide buffer layer 18 having a high oxygen dispersion property is allowed to grow epitaxially on a silicon substrate 14 and then the layer 18 is treated at a high temperature under a high oxygen atmosphere, an SiO_2 layer 16 is formed on an interface between the silicon substrate 14 and the buffer layer 18, and the ground substrate 12 is obtained.例文帳に追加

シリコン基板１４上に、高酸素拡散性を有する酸化物緩衝層１８をエピタキシャル成長させたのち、高酸素雰囲気下で高温処理することにより、シリコン基板１４と酸化物緩衝層１８の界面にＳｉＯ_２層１６が形成され、下地基板１２が得られる。 - 特許庁

The light advanced into the transparent layer 11 reaches the photoelectric conversion element 13 directly or after reflection on the reflective layer 12 and further reflection occurs on the interface of the atmosphere and the transparent layer, so that even the light confined in the transparent layer 11 reaches the photoelectric conversion element 13 easily.例文帳に追加

このため、透明層１１に進入した光は、直接、または反射層１２で反射された後に光電変換素子１３に到達するだけではなく、大気と透明層の界面で反射し、透明層１１に閉じ込められたものも光電変換素子１３に容易に到達する。 - 特許庁

The seed layer may be made to be thinner than a critical thickness for relaxation of distortion in the semiconductor structure, so that distortion in the semiconductor structure is relieved by dislocations formed in the seed layer, or by gliding between the seed layer and the bonding layer on an interface between the two layers.例文帳に追加

シード層は、半導体構造体内の歪みの緩和のための臨界厚より薄くすることができ、その結果、半導体構造体内の歪みは、シード層内に形成される転位により、又は、シード層と接合層の間を、その２つの層の間の界面において滑らせることにより、緩和される。 - 特許庁

Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer by interposing the thin film layer into ferromagnetic layers of the magnetoresistance effect element or the interface between them and a nonmagnetic spacer layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁

By the release of oxygen from the insulation layer, the oxygen defect in the oxide semiconductor layer and the interface state between the insulation layer and the oxide semiconductor layer can be reduced; thus, a semiconductor device with less variation in electric characteristics and high reliability can be manufactured.例文帳に追加

絶縁層から酸素が放出されることにより、酸化物半導体層中の酸素欠損及び絶縁層と酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

To provide a packaged double-layer jelly having a beautiful gradation structure with an anthocyanin pigment at the interface of an upper layer gel and a lower layer gel, and a method for stably producing the packaged double-layer jelly by a simple procedure.例文帳に追加

上層のゲルと下層のゲルとの界面にアントシアニン色素によるきれいなグラデーション構造を有する視覚的に楽しめる容器入り二層ゼリー、及び、そのような容器入り二層ゼリーを、簡単な方法で、安定して得ることができる、容器入り二層ゼリーの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Accordingly a continuous grain boundary is formed in an interface between the magnetic recording layer 15 and the intermediate layer 14 and imperfect formation of the grain boundary in the initial growth layer of the magnetic recording layer 15 is prevented.例文帳に追加

磁気記録層15の下部に、磁気記録層と類似のグラニュラー構造を有する中間層14を形成することで、磁気記録層15と中間層14の界面において連続的な結晶粒界を形成し、磁気記録層15の初期成長層に見られる結晶粒界の不完全な形成を防止する。 - 特許庁

In more detail, a TFT is formed through the peeling from the inside of the oxide film layer and from the interface of both surfaces of the relevant oxide layer by forming an oxide layer including a relevant metal on such metal film and then crystallizing the relevant oxide layer with the heat treatment.例文帳に追加

詳しくは、金属膜上に当該金属を有する酸化物層が形成され、加熱処理を行うことにより当該酸化物層を結晶化させ、酸化物層の層内、又は当該酸化物層の両面の界面から剥離を行って得られたＴＦＴを形成することを特徴とする。 - 特許庁

Thereby, to control a composition ratio of In is facilitated and a good active layer and interface thereof can be provided.例文帳に追加

これによりＩｎの組成比を制御することが容易となり、かつ良質の活性層および活性層の界面を提供することができる。 - 特許庁

Moreover, an active region is formed on a silicon region with no residual catalyst element to manufacture a semiconductor device, wherein impurities do not exist in the interface between the gate insulating film and the semiconductor layer.例文帳に追加

また、残留触媒元素の無いシリコン領域に活性領域を形成して不純物の無い半導体装置を作成する。 - 特許庁

Even if the immersion temperature is higher than the conventional temperature, an alloy layer formed in the interface with the steel can be obtained in the form of a film thinner than those obtained by the conventional process.例文帳に追加

浸漬温度を通常の温度より高くしても鋼との界面に得られる合金層が従来法よりも薄い被膜が得られる。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device, wherein a defect and impurities do not exist in the interface between the gate insulating film and the semiconductor layer, on a substrate having the insulating surface.例文帳に追加

絶縁表面を有する基板上に、ゲート絶縁膜/半導体層界面の欠陥や不純物の無い半導体装置を作成する。 - 特許庁

To provide a photoelectric element having an electron transporting layer which has excellent electron transporting characteristics and a sufficiently wide interface and is superior in conversion efficiency.例文帳に追加

優れた電子輸送特性と十分広い界面を有する電子輸送層を備え、変換効率に優れた光電気素子を提供する。 - 特許庁

Further, the outer coating layer 6 is preferably at least partly in contact with the surface of the metal particle 51 at an interface with the secondary particle 5.例文帳に追加

また、外側被覆層６は、二次粒子５との界面の少なくとも一部において、金属粒子５１の表面と接しているのが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a light-emitting device, for sufficiently reducing an interface resistance between a light emission layer part and a transparent conductive semiconductor substrate.例文帳に追加

発光層部と透明導電性半導体基板との界面抵抗を十分に低減できる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The crystallization speed of the recording layer 104 can be enhanced without reducing crystallization temperature by the interface layers 103 and 105.例文帳に追加

この界面層１０３、１０５により、記録層１０４の結晶化温度を低下させることなく、結晶化速度を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a brazing method with which development of harmful alloy layer as heat-resistance is restrained as much as possible, on a joined interface between copper and aluminum.例文帳に追加

銅とアルミニュウムとの接合界面に熱抵抗となる有害な合金層の生成を可能な限り抑えるろう付け方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element with an organic layer enabled to be simply formed on a substrate and with a junction interface between constituent layers good and uniform.例文帳に追加

有機層を簡便に基板上に形成でき、構成層間の接合界面が均一で良好な有機電界発光素子を提供すること。 - 特許庁

An energy level Ec in the vicinity of an interface beween a graded layer 1G and a ballast resistor 1R related to the embodiment is smoothly continued.例文帳に追加

実施形態に係るグレーデッド層１Ｇとバラスト抵抗１Ｒとの間の界面近傍のエネルギー準位Ｅｃは、スムーズに連続している。 - 特許庁

Moreover, the orientation of the plane (321) is mainly given to the interface side with the hydrogenated amorphous silicon layer 3, while the orientation of the plane (222) is also mainly given to the remaining portion.例文帳に追加

また、水素化非晶質シリコン層３との界面側に（３２１）面の配向を有し、残りの部分は（２２２）面の配向を主とする。 - 特許庁

The oxidation product of the interface layer is obtained by oxidation treatment of the cell 1 and includes visible light irradiation under the existence of a gas containing oxygen.例文帳に追加

前記界面層の前記酸化生成物は、セル１の酸化処理により得られ、酸素を含むガスの存在の中での可視光照射を含む。 - 特許庁

User QoS information outputted from an application layer interface 11 is inputted to a protocol determinator 16 and a QoS calculator 17.例文帳に追加

アプリケーション層インターフェース１１から出力されたユーザＱｏＳ情報は、プロトコル決定器１６及びＱｏＳ算出器１７に入力される。 - 特許庁

Etching in the depth direction has selectivity, depending on the kind of compound constituting the layer, and reaction comes to a halt at the interface between the upper and lower layers.例文帳に追加

また、深さ方向のエッチングには層を構成する化合物の種類により選択性があり、下層との界面で反応は停止する。 - 特許庁

A silicon oxide film as an interface layer 3 is formed by oxidizing the surface of the silicon substrate 1, when the metallic oxide film 2 is formed.例文帳に追加

金属酸化膜２の形成時に、シリコン基板１の表面を酸化させることにより、界面層３となるシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

With such an arrangement, a connection solder 13 is connected to the lid conductor 12 without touching the interface between the substrate electrode 9 and the insulation layer 11.例文帳に追加

この構成により、接続半田１３が基板電極９と絶縁層１１との界面に接することなく蓋導体１２に接続される。 - 特許庁

The Data Provider layer provides a common interface for accessing many types of data, from rowsets, to Array objects, to Enterprise JavaBeans objects. 例文帳に追加

データプロバイダの層は、行セット、配列オブジェクト、エンタープライズ JavaBeans オブジェクトなどのさまざまなデータにアクセスするための共通のインタフェースを提供します。 - NetBeans

In one embodiment, a service layer application is provided to control access to the database has an interface that permits many applications to access the database.例文帳に追加

一例で提供されるデータベースへのアクセス制御用のサービスレイヤは、多くのアプリケーションをデータベースへアクセス可能とするインタフェースを有する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a membrane electrode assembly having a good proton conductive path on the interface between a catalyst layer and an electrolyte membrane.例文帳に追加

触媒層と電解質膜との界面において良好なプロトン伝導パスを有する膜電極接合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polystyrene multilayer film having homogeneous width direction physical properties and good appearance without a layer ratio distribution unevenness and without an interface roughness or the like.例文帳に追加

幅方向で物性が均質で、層比分布むら、界面荒れなどが発生せず、外観の良好なポリスチレン系多層フィルムを提供すること。 - 特許庁

This sub-layer-3 buffer transfer enables the target communications interface to reduce packet-loss associated with the hard handoff.例文帳に追加

この第３層副層バッファの転送によりターゲット通信インタフェースにおいてハード・ハンドオフに関連するパケット損失を減少することが可能となる。 - 特許庁

The interface layer 16 is formed by physical vapor deposition using Si as a vapor deposition material in an atmosphere of a mixed gas prepared by adding oxygen to an inert gas.例文帳に追加

この界面層16は、不活性ガスに酸素を添加した混合ガス雰囲気で、Siを蒸着材料とした物理蒸着により形成される。 - 特許庁

With the impression of the voltage, an oxide film and a passive film or the like generated at an interface of the collector and the active material layer can be destroyed.例文帳に追加

電圧を印加することによって、集電体と活物質層との界面に生じた酸化膜や不動態膜を破壊することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, by which an ultrathin and fine interface layer is formed which separates a high-k film and a silicon substrate.例文帳に追加

高誘電体膜とシリコン基板とを分離する、極薄かつ緻密な界面層を形成する半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a multilayer film reflecting mirror for forming a film in a short time, and thinning the thickness of an interface layer, and an exposure device.例文帳に追加

短い時間で膜形成が行われ、かつ、界面層の厚さが薄い多層膜反射鏡の製造方法及び露光装置を提供する。 - 特許庁

The interface layer is formed, so that crystal axis <101> direction of the lithium oxide is perpendicular to the surface of the current collector.例文帳に追加

そして、この界面層は、リチウム金属酸化物の結晶軸＜101＞方向が集電体表面に対して垂直となるように形成されている。 - 特許庁