「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device in which interface peeling or cracks can be prevented in the vicinity of an edge portion of a re-wiring layer.例文帳に追加

再配線層のエッジ部付近に界面剥離やクラックが生じることを防止することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a second embodiment, the interface consists of an atomic layer containing the mixture of a silicon with a metal and the mixture of nitrogen with oxygen in the form of an MSi[N1-xOx]2.例文帳に追加

第２実施例においては、インタフェースは、MSi[N_1-xO_x]_2の形で、シリコン，金属および窒素と酸素の混合物との原子層からなる。 - 特許庁

This allows an oxide film 4 to be formed at an interface of the non-magnetic support 1 and the magnetic layer 2, and the particle size of the ferromagnetic particles to be controlled.例文帳に追加

これにより、非磁性支持体１と磁性層２の界面に酸化膜４が形成され、強磁性粒子の粒径が制御される。 - 特許庁

The MOS transistor includes a gate oxide layer that forms a planar and stress free interface with a substrate.例文帳に追加

本発明のＭＯＳトランジスタはゲート酸化物層を含み、この層は基板との間で平面状でかつストレスのないインタフェースを形成する。 - 特許庁

The SDL layer provides a low-level abstraction to the hardware which can sometimes be more efficient than the X11 interface. 例文帳に追加

SDLレイヤはハードウェアに対する低レベルの抽象的概念を提供し、 時には X11インタフェースを使用するよりも効果的なことがあります。 - FreeBSD

The interface of each layer facilitates the input of the information of an incontinence-related product to accumulate it in a database of manufacturers.例文帳に追加

各レイヤのインターフェイスは、失禁症関連製品の情報を入力し製造業者のデータベースに蓄積することを容易にする。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light emitting device capable of reducing influences of oxides on an interface between a contact layer and an electrode.例文帳に追加

コンタクト層と電極との界面における酸化物の影響を低減可能なIII族窒化物半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

In the decorative material 100, a fine uneven part 40 is formed in the interface of a transparent substrate 10 and a colored transparent layer 20.例文帳に追加

加飾材１００においては、透明基材１０と着色透明層２０との界面に微細凹凸部４０が形成されている。 - 特許庁

At this time, the tip of the cutter blade 42 is made to pass through the verge of the adhesion interface to a ring frame (f) without penetrating an adhesive layer (a).例文帳に追加

このとき、カッタ刃４２の先端が、粘着層ａを貫通させずにリングフレームｆとの接着界面の間際を通過させる。 - 特許庁

To conduct an unevenness processing to a membrane electrode assembly (MEA) while keeping a uniform interface structure of a polymer electrolyte membrane 14 and a catalyst layer 13.例文帳に追加

高分子電解質膜１４と触媒層１３の均一な界面構造を保ちながらＭＥＡに凹凸加工を施すこと。 - 特許庁

To improve the transmission characteristics of light on an air interface in a total reflection prism system in which a plurality of prisms are combined via air layer.例文帳に追加

空気層を介して複数のプリズムを組み合わせた全反射プリズム装置において、空気界面での光の透過特性を改善する。 - 特許庁

The laminated piezoelectric element includes at least one of Pd and Pt existent on an interface between a piezoelectric layer 11 and internal electrode layers 21, 22.例文帳に追加

積層型圧電体素子は、圧電層１１と内部電極層２１、２２との界面に、ＰｄとＰｔの少なくとも一方が存在する。 - 特許庁

To obtain a piezoelectric thin film that indicates excellent film quality characteristics without being affected by reformed film interface that is the surface of a lower electrode layer.例文帳に追加

下部電極層の表面である再成膜界面の影響を受けずに、良好な膜質特性を示す圧電体薄膜を得ること。 - 特許庁

COMMUNICATION DEVICE, HIGHER-LAYER PROCESSING DEVICE, COMMUNICATION INTERFACE, PROCESSING METHODS OF THE DEVICES, AND PROGRAM FOR COMPUTER TO IMPLEMENT THE METHODS例文帳に追加

通信装置、上位層処理装置、通信インターフェースおよびこれらの装置の処理方法およびその方法をコンピュータに実行させるプログラム - 特許庁

To suppress deterioration occurring in the vicinity of the interface between a catalyst layer and an electrolyte membrane accompanied with expansion and contraction of the electrolyte membrane due to thermal cycle.例文帳に追加

冷熱サイクルによる電解質膜の伸縮に伴い、触媒層と電解質膜との界面付近に生じる劣化を抑制する。 - 特許庁

The pluggable module provides a mechanism for mapping individual security mechanism parameter through the interface with the mechanism abstraction layer.例文帳に追加

そのプラガブル・モジュールは、機構抽象化層とのインターフェースを介して個別のセキュリティ機構パラメータをマップするための機構を提供する。 - 特許庁

Hydrogen in the hydrogen supply layer 28 diffuses during anneal without being intercepted by the shading film 29 and contributes to extinction of interface level.例文帳に追加

水素供給層２８内の水素は、アニール時に拡散し、遮光膜２９に遮られることなく、界面準位の消滅に寄与する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a low resistance silicide layer deposited on a substrate while having a planar interface on atomic level.例文帳に追加

原子レベルで平坦な界面をもって基板上に堆積され、しかも低抵抗のシリサイド層を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Accordingly, a relative amount of carbon with respect to silicon can be reduced at an interface of the gate oxide film 17 and epitaxial layer 16.例文帳に追加

これにより、ゲート酸化膜１７とエピタキシャル層１６との界面で、シリコンに対するカーボンの相対量を小さくすることができる。 - 特許庁

To provide means for removing a stain due to n-type impurities such as Si and S, which form in an interface between a substrate and a buffer layer.例文帳に追加

基板とバッファ層の界面に発生するＳｉやＳなどのｎ型不純物による汚染を除去する手段を提供すること。 - 特許庁

The clad 2 and the overclad layer 4 (conductive body) have their common direct connecting part, and accordingly, high light energy can be supplied to an interface.例文帳に追加

クラッド２とオーバークラッド層４（誘電体）とが直接に接する部分を有するので界面へ光エネルギを高く供給できる。 - 特許庁

The data communication control system is disclosed, wherein a LAN comprising a plurality of IP networks is provided with an interface for cross-referencing real IP addresses of a plurality of network interfaces provided to terminals with one virtual IP address and this interface optimally distributes communication data from a host application layer to each network interface.例文帳に追加

複数のＩＰネットワークから構成されるＬＡＮにおいて、端末に備えられた複数のネットワークインタフェースの各実ＩＰアドレスを１つの仮想ＩＰアドレスに対応付けるインタフェースを設け、このインタフェースにより上位アプリケーション層からの通信データを各ネットワークインタフェースに最適に分散するシステム。 - 特許庁

Thus, discharged nitrogen gas is blown selectively and in concentration against an exposed interface 52, a rinsing liquid forming the exposed interface 52 is blown away from the substrate surface WS and the liquid-tight layer 36, and a substrate surface region is dried which corresponds to the exposed interface 52.例文帳に追加

こうして吐出された窒素ガスは露出界面部５２に選択的・集中的に吹き付けられ、この露出界面部５２を構成するリンス液が基板表面ＷＳおよび液密層３６から吹き飛ばされて露出界面部５２に対応する基板表面領域が乾燥される。 - 特許庁

At least the concentration of silicon out of oxygen, carbon, and silicon in an interface between the p-type light guide layer 106 and the p-type contact layer 108 is 1/10 of the concentration of a dopant in the p-type light guide layer 106.例文帳に追加

ｐ型光ガイド層１０６とｐ型コンタクト層１０８との界面における酸素、炭素及びシリコンのうち少なくともシリコンの濃度は、ｐ型光ガイド層１０６におけるドーパント濃度の１０分の１以下である。 - 特許庁

To attain a semiconductor laser device in which a peeling at interface between a current block layer and a clad layer, and a loss of the clad layer hardly occur and a stable element characteristic can be obtained when cleaving a ridge-like regrowth type semiconductor laser.例文帳に追加

リッジ再成長型半導体レーザを劈開する際に電流ブロック層とクラッド層との界面との剥離及びクラッド層の欠損が生じにくく、安定な素子特性が得られる半導体レーザ装置を実現できるようにする。 - 特許庁

Density of dopant which determines a type of electric conduction of the ground semiconductor layer 107 is chosen 1×10^17 cm^-3 or less in order to stop current at an interface between the ground semiconductor layer 107 and the electrode layer 111.例文帳に追加

下地半導体層１０７の導電型を定める不純物のドーピング濃度が、下地半導体層１０７と電極層１１１との界面で電流が阻止されるように１×１０^17ｃｍ^-3以下に設定されている。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor wherein the carrier density of a protective film side interface of an oxide semiconductor layer is lower than that of a gate insulation layer side and the film thickness of the oxide semiconductor layer is optimized, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

酸化物半導体層の保護膜側界面のキャリア密度がゲート絶縁層側のキャリア密度より小さく、および酸化物半導体層の膜厚が最適化された薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent delamination near an interface between a decoration layer and the bottom face side of a key top, even when manufacturing a member for a key sheet having the decoration layer such as a mirror ink layer containing metal components on the bottom face side of the key top.例文帳に追加

キートップの底面側に、ミラーインク層などのような金属成分を含む加飾層を設けたキーシート用部材を製造する場合においても、当該加飾層とキートップの底面側との界面近傍での剥離が抑制されること。 - 特許庁

Carrier injection efficiency is improved by providing an interface layer 4 which is excellent in adhesion with electrode surfaces between an organic semiconductor layer 3 and a source electrode 5 and between the organic semiconductor layer 3 and a drain electrode 6.例文帳に追加

有機半導体層３とソース電極５および有機半導体層３とドレイン電極６との間に、電極表面との密着性が良好な界面層４を挿入することで、キャリア注入効率が向上する。 - 特許庁

To accurately apply a marking which is excellent in visibility without causing problems such as a layer separation, cracks, whitening and bleeding on the laminated interface of a double color molded part including a black color base layer and a transparent coating layer by irradiation of a laser beam.例文帳に追加

レーザー光照射により、黒色系の基層と透明な被覆層とからなる二色成形部の積層界面に、層剥離、クラック、白化、滲み等の問題を引き起こすことなく、視認性に優れたマーキングを精度良く施す。 - 特許庁

Consequently, via resistance is sufficiently reduced since the reactive layer 14, which is formed between the conductive barrier membrane 13 and the lower layer wiring 12, does not exist in an interface where the lower surface of the via 17 joins with the lower layer wiring 12.例文帳に追加

よって、ビア１７下面と下層配線１２とが接合する界面において、導電性バリア膜１３と下層配線１２との間で形成される反応層１４が存在しないため、ビア抵抗を十分に下げることができる。 - 特許庁

At the interface between a semiconductor layer 18, including P and a regrowth p-type semiconductor layer 22 formed above it, a p^+-type semiconductor layer 21 is formed that contains As and Ga, whose doping concentration is 5×10^18 cm^-3 or higher.例文帳に追加

Ｐを含む半導体層１８とその上に形成されたｐ型の再成長半導体層２２との界面に、ドーピング濃度が５×１０^18cm^-3以上であるＧaとＡsとを含むｐ^+型の半導体層２１を形成している。 - 特許庁

Gate voltage can be increased because a pn junction produced by two-dimensional electron gas generated at an interface between the undoped AlGaN layer 104 and the undoped GaN layer, and the p-type GaN layer 105 is formed in a gate region.例文帳に追加

アンドープＡｌＧａＮ層１０４とアンドープＧａＮ層との界面で発生する２次元電子ガスとｐ型ＧａＮ層１０５とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成されるのでゲート電圧を大きくすることができる。 - 特許庁

To provide a method for drying a coating film without having drying non-uniformity and turbulence on interface in drying a multi-layered coating film containing a gelatin layer and a PVA layer or a coating film having gelatin and PVA included in the same layer.例文帳に追加

ゼラチン層とＰＶＡ層とを含む多層塗布膜、或いは同じ層中にゼラチンとＰＶＡが混在する塗布膜の乾燥において、乾燥ムラや界面に乱れが生じることのない塗布膜の乾燥方法を提供する。 - 特許庁

The elastic layer 3 contains spherical silica particles P, which are distributed with a large amount of them concentrated in end regions 31 at both ends in an axial direction of the developing roller 1 and on a side of an interface between the elastic layer 3 and the surface layer 4.例文帳に追加

弾性層３は球状シリカ粒子Ｐを含有し、球状シリカ粒子Ｐが、現像ローラ１の軸方向両端部の、表面層４との界面の側に多量に含有する端部領域３１として偏在している。 - 特許庁

A method for manufacturing the optical multilayer filter includes a step for forming a resin layer on the substrate, a step for forming a multilayer film on the resin layer, and a peeling step for peeling the multilayer film from the interface with the resin layer.例文帳に追加

基板上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層上に多層膜を形成する工程と、前記多層膜を樹脂層との界面から剥離する剥離工程とを有する光学多層膜フィルタの製造方法。 - 特許庁

Thereby, the lifetime value from interface of the first semiconductor layer 1 and a second semiconductor layer 2 to a cathode side end of a region, in which the net doping concentration of the broad buffer structure in the first semiconductor layer becomes maximum, becomes generally uniform.例文帳に追加

これによって、第１半導体層１と第２半導体層２との界面から、第１半導体層内のブロードバッファ構造のネットドーピング濃度が極大となる領域のカソード側の端部までのライフタイム値が概ね一様となる。 - 特許庁

The photoelectric conversion device includes a semiconductor layer and a dielectric film set to contact the surface of the semiconductor layer, wherein the dielectric film has an impurity as a positive or negative fixed charge near the interface between the dielectric film and the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層と、半導体層の表面に接するように設置された誘電体膜とを含み、誘電体膜は、半導体層との界面近傍に、正または負の固定電荷となる不純物を有する光電変換装置である。 - 特許庁

Since positive holes generated in the active layer 3 can be restrained from moving to the negative electrode 2 side at the interface between the active layer 3 and the positive hole blocking layer 4, the positive holes can be efficiently moved to and collected by the positive electrode 1.例文帳に追加

活性層３に生成された正孔が負極２側へ移動することを活性層３と正孔阻止層４との界面で抑えることができ、正孔を正極１へと効率良く移動させて収集することができる。 - 特許庁

The generation of the partial discharge can be suppressed by installing the outer semiconductor 40 in the vicinity of the outer side of the electric wire, that is the outside of the insulating layer 30 to fill minute gaps on the interface of the insulating layer 30 and a shied layer 50.例文帳に追加

電線の外側付近、つまり絶縁層３０の外側に外部半導電層４０を設けることで、絶縁層３０とシールド層５０との界面における微小なギャップを埋め、部分放電の発生を抑制することができる。 - 特許庁

Around the outer circumference of a mandrel (1), a hollow cylindrical silicone rubber foamed body (internal layer) (2) and a hollow cylindrical silicone rubber foamed body (external layer) (3) are forme din two-layered coating structure to interpose a skin layer (4) on the interface between the foamed bodies.例文帳に追加

芯金（１）の外周に中空円筒状シリコーンゴム発泡体（内層）（２）と中空円筒状シリコーンゴム発泡体（外層）（３）との２層被覆構造に形成するとともに、該発泡体間の界面にはスキン層（４）を介在させる。 - 特許庁

An operating layer 2 having a heterojunction interface is formed by laminating a first layer 2a made of GaN whose electron concentration is not more than 1×10^16/cm^3 at room temperature and a second layer 2b made of Al_xGa_1-xN (0<x≤0.3).例文帳に追加

ＧａＮからなり室温での電子濃度が１×１０^16／ｃｍ^3以下である第１層２ａと、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦０．３）からなる第２層２ｂとを積層することで、ヘテロ接合界面を有する動作層２を形成する。 - 特許庁

Next, laser beams are irradiated on an interface relative to the base material 11 in the semiconductor layer 13 and the semiconductor layer 13 is separated from the base material 11, thereby forming a nitride semiconductor substrate 13A from the semiconductor layer 13.例文帳に追加

次に、半導体層１３における母材基板１１との界面にレーザ光を照射して、半導体層１３を母材基板１１から剥離することにより、半導体層１３から窒化物半導体基板１３Ａを形成する。 - 特許庁

To improve the performance of a photoelectric conversion element including a photoconductive conversion unit by improving the interface characteristic between an i-type layer (photoelectric conversion layer) formed with a catalyst CVD method and one conductivity type semiconductor layer.例文帳に追加

触媒ＣＶＤ法で形成したｉ型層（光電変換層）および一導電型半導体層間の界面特性を向上させ、ひいてはこれらの光電変換ユニットを含む光電変換素子の性能改善を目的とする。 - 特許庁

To provide a catalyst layer forming method for forming a catalyst layer on a solid polymer electrolyte membrane for a fuel cell that increases power generation performance by eliminating an interface gap between the catalyst layer and the solid polymer electrolyte membrane.例文帳に追加

燃料電池の固体高分子電解質膜上に触媒層を形成する触媒層形成方法において、触媒層と固定高分子電解質膜との間の界面における隙間をなくして、発電性能を向上させる。 - 特許庁