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interface layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2528件
In the semiconductor photodetector of the single-carrier traveling type, n+type area is formed in the neighborhood of the interface of a p+ type photoabsorption layer and an n-type carrier traveling layer, thereby suppressing the diffusion of p type impurities to the carrier traveling layer from the photoabsorption layer.例文帳に追加
単一キャリア走行型半導体受光装置において、p^+型光吸収層とn^-型キャリア走行層との界面近傍に、n^+型領域を形成し、もって光吸収層からキャリア走行層へのp型不純物の拡散を抑制する。 - 特許庁
In the amorphous layer, a composition is made gradient by the second type doping, so that the layer is formed as intrinsic composition substantially in the interface with the elongated semiconductor nanostructures, and that the layer may become conductive composition substantially at an opposite side of the amorphous layer.例文帳に追加
該非晶質層は、細長い半導体ナノ構造との界面においては実質的に真性組成とし、非晶質層の反対側においては実質的に導電性組成となるよう、第2のタイプのドーピングにより組成を傾斜させる。 - 特許庁
Related to the crystal growth suppressing layer 22, by suppressing crystal growth of a layer formed over it, an average in-plane particle size of the ferromagnetic inside layer 26a comes to be 3-8 nm, resulting in flattened interface of the coupling layer 26b.例文帳に追加
結晶成長抑制層22は、その上に形成される層の結晶成長を抑制することにより、強磁性内側層26aの平均面内粒径を3nm〜8nmとし、これにより結合層26bの界面を平坦化するようになっている。 - 特許庁
At this point, an a-Si layer of high quality is deposited on a g-SiNx layer at a low deposition rate to form an interface 56, and an a-Si layer of average quality is deposited thereon at a high deposition rate to have the formation of an a-Si layer 58 completed.例文帳に追加
その際は先ず低堆積速度で高品質のa−Si層をg−SiN_X層上に堆積して界面56を形成後、高堆積速度で平均的品質のa−Si層を堆積してa−Si層58を完成させる。 - 特許庁
When an electromagnetic wave is made incident on a second dielectric layer 2, it comes into contact with metal oxide contained in the layer 2, so that reflection is restricted and an AC current is induced in an interface between the layer 2 and a conducting layer 3.例文帳に追加
第2誘電層2に電磁波が入射すると、第2誘電層2に含有されている金属酸化物に接触することにより反射が抑制され、第2誘電層2と導電層3との界面において交流電流を誘起する。 - 特許庁
The reflection polarizing device 5 consists of an isotropic layer 3 and an anisotropic layer 4 laminated with each other, and a geometric structure face 11 composed of plural prism faces 10 is formed on the interface between the isotropic layer 3 and the anisotropic layer 4.例文帳に追加
反射偏光素子5は等方体層3と異方体層4とを貼り合わせてなるものであり、等方体層3と異方体層4の界面に、複数のプリズム面10から構成された幾何学的構造面11が形成されている。 - 特許庁
To provide a multilayer piezoelectric element exhibiting excellent durability in which damage on the interface of an internal electrode layer and a piezoelectric ceramic layer can be suppressed by enhancing the bonding strength of the internal electrode layer and the piezoelectric ceramic layer, and to provide its producing method and an ejector.例文帳に追加
内部電極層と圧電磁器層との接合強度を向上して、内部電極層と圧電磁器層との界面における破損を抑制できる耐久性に優れた積層型圧電素子及びその製法並びに噴射装置を提供する。 - 特許庁
The magnetic recording layer 13 includes an interface magnetic layer that is provided in contact with the nonmagnetic layer 12 and has a first magnetic anisotropy energy, and a magnetic stabilizing layer 15 that has a second magnetic anisotropy energy higher than the first magnetic anisotropy energy.例文帳に追加
磁化記録層13は、非磁性層12に接するように設けられかつ第1の磁気異方性エネルギーを有する界面磁性層と、第1の磁気異方性エネルギーより大きい第2の磁気異方性エネルギーを有する磁化安定化層15とを含む。 - 特許庁
To provide packaged two-layer jelly having clear interface between an upper layer gel and a lower layer gel, and also visually enjoyable, and to provide a method for stably producing the packaged two-layer jelly with an easy method.例文帳に追加
上層のゲルと下層のゲルとの界面が明瞭でありながら、視覚的にも楽しめる容器入り二層ゼリー、及び、そのような容器入り二層ゼリーを、簡単な方法で、安定して得ることができる、容器入り二層ゼリーの製造方法を提供すること。 - 特許庁
The energy device has a solid electrolyte layer 25 and a negative active material layer 24 containing lithium and a second metal, and the concentration of lithium in the negative active material layer 24 is gradually increased toward the interface of the solid electrolyte layer 25 side.例文帳に追加
固体電解質層25と、リチウム及び第2金属を含む負極活物質層24とを有するエネルギーデバイスであって、負極活物質層24におけるリチウムの濃度が固体電解質層25側の界面に向かって漸増している。 - 特許庁
To provide a magnetic tunnel device equipped with a barrier film which is free of un-oxidized metal and a manufacturing method thereof, where a magnetic layer is oxidized before the barrier layer is formed, and an interface between the magnetic layer and the barrier layer is cleaned.例文帳に追加
バリア膜の成膜前に磁性層を酸化処理し、バリア膜を形成後に熱処理を施し、磁性層とバリア膜との界面が清浄化し、かつ未酸化金属がないバリア膜を有する磁気トンネル素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
Since the first cap layer 51 made from NiFeHf absorbs oxygen which has been captured in the free layer 50, the interface between the tunnel barrier layer 49 and the free layer 50 is sharpened, thereby substantially improving dR/R performance of the MTJ element.例文帳に追加
フリー層50に捕捉されている酸素がNiFeHfからなる第1のキャップ層51によって吸着されるので、トンネルバリア層49とフリー層50との界面がより鮮鋭化し、MTJ素子のdR/R性能が著しく向上する。 - 特許庁
To provide a light-emitting element with small distortion occurring at the interface with an organic material layer and a second conductive layer arranged on it, in which thickness of the light-emitting layer is maintained uniformly and loss of conductivity of the second conductive layer can be suppressed.例文帳に追加
有機材料層とその上に配される第二導電層との界面に生じる歪みが小さく、発光層の厚みが均一に保持されるとともに、第二導電層が有する導電性の損失も抑制することが可能な発光素子の提供。 - 特許庁
The forming method of a semiconductor structure is constituted of a stage that a silicon substrate 10 having the surface 12 is provided, a stage that an interface 14 consisting of a single silicon atomic layer, a single nitrogen atomic layer and a single metal atomic layer is formed on the surface of the substrate 10 and a stage that more than one layer of single crystal oxide layers 26 are formed on the interface.例文帳に追加
半導体構造の作成方法は、表面12を有するシリコン基板10を設ける段階;シリコン基板の表面上に、シリコン,窒素および金属の単独の原子層からなるインタフェース14を形成する段階;および1層以上の単結晶酸化物26をインタフェース上に形成する段階;によって構成される。 - 特許庁
The computer system having an IEEE 1394 interface is provided with a physical layer IC 10 for connecting an IEEE 1394 cable, a LINK (link) layer IC 30 which is connected to the physical layer IC 10 to be an interface for a data signal, and a clock generation part 20 which supplies the physical layer IC 10 with a clock signal.例文帳に追加
本発明のIEEE1394インタフェースを有するコンピュータシステムは、IEEE1394ケーブルを接続するための物理層IC10と、物理層IC10に接続され、データ信号のインタフェースとなるLINK(リンク)層IC30と、CPU40と、システムコントローラ50と、物理層IC10にクロック信号を供給するクロック発生部20と、を備えている。 - 特許庁
The interface reactive layer 5 is made of TiC, Cr3C7 or the like formed by interaction between the abrasive grains 3 and the binder 4.例文帳に追加
界面反応層5は、砥粒3と結合材4との反応によって形成される、TiC、Cr_3C_7等からなるものである。 - 特許庁
To provide a ferroelectric record carrier to alleviate impairment of an interface between a counter-electrode and a memory layer.例文帳に追加
対向電極とメモリ層との間のインタフェースの障害に内在する欠点を改善した強誘電記録担体を提供する。 - 特許庁
The metal layer 15 and p-type semiconductor region 13 are stacked to form an interface 17, thereby constituting a non-alloy electrode.例文帳に追加
金属層15とp型半導体領域13とは界面17を形成するように積層されてノンアロイ電極を構成する。 - 特許庁
The metal layer 15 and p-type semiconductor region 13 are stacked to form the interface 17, thereby constituting the non-alloy electrode.例文帳に追加
金属層15とp型半導体領域13とは、界面17を形成するように積層されてノンアロイ電極を構成する。 - 特許庁
A high dielectric constant material layer is formed on the surface of the substrate 1 and the electric field direction of the interface is shifted from a horizontal direction.例文帳に追加
あるいは、基板1表面に高誘電率物質層を形成して界面の電界方向を水平方向からずらす。 - 特許庁
The port can be an interface port of a physical layer, and the communicating system can be the communicating system in conformity with IEEE1394.例文帳に追加
ポートは物理層のインターフェース・ポートであってよく、通信システムはIEEE1394準拠の通信システムであってよい。 - 特許庁
To improve bondability around a bonding interface between a bonding material and a material to be bonded while improving heat resistance of a bonding layer.例文帳に追加
接合層の耐熱性を向上させつつ、接合材と被接合材の接合界面付近の接合性を向上させること。 - 特許庁
A common line 5 is connected in common between an ATM layer function 1 and respective groups of subscriber interface functions 2A to 2N.例文帳に追加
共通ライン5は、ATMレイヤ機能1と加入者インタフェース機能2A〜2Nの各グループとの間に共通に接続される。 - 特許庁
In addition, the interface periodic slab model is created by adding the vacuum layer after joining two different surface unit lattice.例文帳に追加
また、異なる二つの表面単位格子を接合した後に真空層を付加することにより、界面周期スラブモデルを作成する。 - 特許庁
A member obtained by forming an electrical insulator layer on an interface between a metal base material and a lithium film may be used as the base material.例文帳に追加
金属基材とリチウム金属膜の界面に電気的絶縁体層を設けたものを基材として使用してもよい。 - 特許庁
An SPP wave which spreads along the interface of an insulating layer 14 and a metal stripe 15 generates a career in a semiconductor substrate 11.例文帳に追加
絶縁層14と金属ストライプ15との界面を伝播するSPP波は、半導体基板11でキャリアを発生させる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a laser diode capable of preventing aluminum oxidation occurred at the interface of a layer containing aluminum.例文帳に追加
アルミニウムを含む層の界面で生じるアルミニウム酸化を防止することが可能なレーザーダイオードの製造方法を提供する。 - 特許庁
The base member 2 and the base member 3 disposed in the same layer are separated from each other by forming a trench 7 along an interface.例文帳に追加
同一層内に配置される基材2と基材3は、その境界部に溝部7を形成することで互いに分離される。 - 特許庁
FLEXIBLE SURFACE LAYER FILM FOR PROVIDING HIGHLY FILLED OR LESS BRIDGED THERMALLY CONDUCTIVE INTERFACE PADS例文帳に追加
高度に充填されているか又は低度に架橋されている熱伝導性インタフェースパッドを与えるための可とう性表面層フィルム - 特許庁
Here, the cutting edge of the cutter blade 42 is made to pass by a joining interface with the ring frame (f), without making it penetrate an adhesive layer (a).例文帳に追加
このとき、カッタ刃42の先端が、粘着層aを貫通させずにリングフレームfとの接着界面の間際を通過させる。 - 特許庁
A frangible region exists in the donor substrate at a designated depth, and a thin layer is prepared between the frangible region and a joint interface.例文帳に追加
脆弱領域がドナー基板の所定深さに在り、脆弱領域と結合界面との間に薄い層が設けられる。 - 特許庁
An interface between the layer 18 and the region 16 is composed of gentle slope having no angle and wave-shaped.例文帳に追加
ゲート絶縁層18とチャネル領域16との界面は、角部を有さない、なだらかな傾斜で構成された波型形状である。 - 特許庁
When this request is received, a layer 2 data link control part sets the reception enable information of DLCI=y to a reception interface part.例文帳に追加
レイヤ2データリンク制御部は、この要求を受け取ると、DLCI=yの受信可情報を受信インタフェース部に設定する。 - 特許庁
A key on the user interface is provided with a key body (138) with a phosphorus surface and a practically opaque material layer (144).例文帳に追加
ユーザ・インターフェイスのキーは、燐光表面を備えたキー本体(138)と実質的に不透明な材料の層(144)とを備える。 - 特許庁
An interface surface 31 of the doubling plate 3 has an aluminum thermal spraying layer 32 formed by spraying aluminum put in a melting state.例文帳に追加
添板3の接合面31は、溶融状態にしたアルミを吹き付けることによって形成されるアルミ溶射層32を有する。 - 特許庁
A p^+-type embedded impurity region 4 is formed in an interface of the embedded impurity region 3 and the semiconductor layer 2.例文帳に追加
埋め込み不純物領域3と半導体層2との界面にはp^+型の埋め込み不純物領域4が形成されている。 - 特許庁
An oxidizer atmosphere containing oxygen and a reducing agent is used at a high temperature for growing the interface oxide layer 418.例文帳に追加
酸素および還元剤を含有する酸化剤雰囲気を高温で用いて当該界面酸化物層(418)を成長させる。 - 特許庁
To restrain occurrence of impurities on an interface between an air electrode of high-conductivity oxide and electrolyte or a double-layer electrolyte.例文帳に追加
高導電性酸化物の空気極と電解質との界面、2層電解質の界面における不純物の生成を抑制する。 - 特許庁
One part of a light Lb is reflected on an interface between the photoresist mask layer 316 and a polysilicon film 304, and a reflection light Lb1 can be obtained.例文帳に追加
光Lbの一部は,フォトレジストマスク層316とポリシリコン膜304の界面で反射し,反射光Lb1が得られる。 - 特許庁
To provide a liquid crystal display panel having small color tone change at high transmittance by lowering risk of film peeling in a layer interface.例文帳に追加
層界面における膜剥離のおそれが低く、高透過率で色調変化の小さい液晶表示パネルを提供する。 - 特許庁
To improve power generation performance by improving the bondability of an interface between an electrolyte film and a catalyst layer formed by vapor deposition.例文帳に追加
電解質膜と蒸着形成された触媒層との界面における接合性を改善し、発電性能を向上させる。 - 特許庁
The active layer includes at least two chemically distinct crosslinked polyamide films, and the films are crosslinked with each other at an interface.例文帳に追加
活性層は少なくとも2つの化学的に異なる架橋ポリアミド膜を含み、これらの膜は界面で互いに架橋結合する。 - 特許庁
To provide a method for evaluating insulation in an interface between a substrate and a buffer layer without destroying a semiconductor epitaxial crystal wafer.例文帳に追加
半導体エピタキシャル結晶ウエハを破壊することなく、基板とバッファ層との界面の絶縁性を評価する方法の提供。 - 特許庁
The memory circuit 1000 is electrically connected to the logic circuit 3000 by an interface layer 1200 being provided over a plurality of chips.例文帳に追加
メモリ回路は、複数のチップに渡っての受けられたインターフェース層1200によって、ロジック回路との電気的接続をとる。 - 特許庁
In a transmission system consisting of the image sensor 1 and the image processing LSI2, a circuit for performing an ECC process is provided to a link layer of the interface part, and the transmission error that occurs at a physical layer is corrected at the link layer.例文帳に追加
イメージセンサ1と画像処理LSI2からなる伝送システムにおいては、インタフェース部のリンク層にECC処理を行う回路が設けられ、物理層で生じた伝送誤りをリンク層において訂正するようになされている。 - 特許庁
The position of the reflecting mirror is set so that an optical distance from the light-emitting boundary of the organic emission layer to the reflecting mirror becomes longer than the coherence length Lc of light in which the optical path length from the luminescence interface of the organic emission layer to the reflecting mirror is emitted from the emission layer.例文帳に追加
反射ミラーの位置は、有機発光層の発光界面から反射ミラーまでの光学距離が発光層から放出される光の可干渉距離Lc以上となるように設定した。 - 特許庁
To provide an electrode active material layer restraining generation of a high resistance layer generated with reaction between the electrode active material layer and a sulfide solid electrolyte material, and having low an interface resistance.例文帳に追加
本発明は、、電極活物質および硫化物固体電解質材料の反応により生じる高抵抗層の生成を抑制でき、界面抵抗の低い電極活物質層を提供することを主目的とする。 - 特許庁
At least, the uppermost part of the second clad layer 107 contains Al, a second conductivity-type mesa protective layer 108 whose Al composition ratio is smaller than that of the uppermost part of the second clad layer 107 is provided thereon so as to protect a re-grown interface 132a against oxidation.例文帳に追加
第2クラッド層107の少なくとも最上部にAlを含み、その上にそれよりもAl組成比が小さい第2導電型のメサ保護層108を設けて再成長界面132aの酸化を防ぐ。 - 特許庁
A piece of original laser beam having properties to filter out the coating layer, to reflect in the interface between the coating layer and the groundwork member, and to strip the coating layer in the reflecting position from the groundwork member, is branched into a plurality of laser beams.例文帳に追加
被覆層を透過し、被覆層と下地部材との界面で反射し、反射位置の被覆層を下地部材から剥離させる性質を有する1本の原レーザビームを複数本のレーザビームに分岐させる。 - 特許庁
Accordingly, not only migration from the reflection electrode layer 22 comprising the silver alloy is inhibited, but also blackening on at interface with the light-transmitting electrode layer 21 comprising ITO as a lower layer can be prevented, thus the efficiency of light extraction is improved.例文帳に追加
これにより、銀合金から成る反射電極層22からのマイグレーションを抑制した上、下層のITOから成る透光性電極層21との界面での黒化を防止でき、光取り出し効率が向上する。 - 特許庁
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