「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To restrain destruction in the vicinity of an interface between a catalyst electrode layer and an electrolyte membrane of a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池の触媒電極層において、電解質膜との界面付近が破壊されることを抑制すること。 - 特許庁

To determine interface layer between two materials respectively located on top and bottom inside the vessel, especially the interface layer between slug layer and underlying molten steel, a sensor 7 for identifying variation in material is placed within the lower material, measurement signal of the sensor 7 is measured during casting or efflux of material from the vessel, then signal variation is established when the sensor 7 has contact with the interface layer between two materials.例文帳に追加

容器内の上下に配置された二つの材料間、特にスラグ層と下にある溶鋼との間の界面層を決定するため、材料の変化を特定するためのセンサー７が下方の材料内に配置され、容器からの材料の鋳込み又は流出の間にセンサー７の測定信号が測定され、センサー７が材料間の界面層と接する時に信号の変化が確立される。 - 特許庁

The particulate layers 51 operate as antireflection bodies preventing interface reflection due to refractive index differences on the interface between the MLA substrate 31 and junction surface 47 and the interface between the junction layer 47 and counter substrate 32 to prevent a decrease in contrast caused by stray light.例文帳に追加

微粒子層５１は、ＭＬＡ基板３１と接合層４７の界面、接合層４７と対向基板３２の界面における屈折率差に起因した界面反射を防止する反射防止体として作用し、迷光によるコントラスト低下を防止する。 - 特許庁

A thin film resistor TFR structure comprises a TFR; a first electrical interface portion coupled to a first end of the TFR; and a second electrical interface portion coupled to a second end of the TFR, the first electrical interface portion and the second electrical interface portion being formed of a layer of titanium Ti and a layer of titanium nitride TiN.例文帳に追加

薄膜抵抗体、 前記薄膜抵抗体の第一端部に結合した第一電気的界面部分、及び 前記薄膜抵抗体の第二端部に結合した第二電気的界面部分、を具え、然も、前記第一電気的界面部分及び第二電気的界面部分が、チタン（Ｔｉ）の層及び窒化チタン（ＴｉＮ）の層から形成されている、薄膜抵抗体（ＴＦＲ）構造体。 - 特許庁

Moreover, the method of manufacturing the electrode for the lithium battery includes interface part forming step of forming the interface part containing the lithium metal oxide on the current collector by a sputtering method, and an upper layer part forming step of forming the upper layer part containing the lithium metal oxide on this interface part by a vapor-deposition method.例文帳に追加

また、本発明のリチウム電池用電極の製造方法は、集電体上にスパッタリング法によりリチウム金属酸化物を含む界面部を形成する界面部形成工程と、この界面部上に蒸着法によりリチウム金属酸化物を含む上層部を形成する上層部形成工程とを備える。 - 特許庁

The light-diffusing member has a laminated structure of a polymer layer and a monomer absorption layer, capable of absorbing at least one monomer component constituting the polymer, the polymer layer which is an unevenly-distributed light-diffusing particle polymer layer, containing light-diffusing particles in a form in which they are disributed unevenly on an interface opposite to the monomer absorbing layer, or in the vicinity of the interface.例文帳に追加

本発明の光拡散部材は、ポリマー層と、そのポリマーを構成する少なくとも１種のモノマー成分を吸収可能なモノマー吸収層との積層構造を有する部材であって、該ポリマー層が、モノマー吸収層とは反対側の界面又は該界面近傍に偏って分布する形態で光拡散粒子を含む光拡散粒子偏在ポリマー層であることを特徴とする。 - 特許庁

The problem can be solved by the thin-film laminated body providing a light transmitting substrate, an antistatic layer and a hard coating layer in the order on the light transmitting substrate wherein an interface between the light transmitting substrate and the antistatic layer does not substantially exist and/or an interface between the antistatic layer and the hard coating layer does not substantially exist.例文帳に追加

光透過性基材と、該光透過性基材の上に、帯電防止層とハードコート層とをこれらの順で備えてなる薄膜積層体であって、前記光透過性基材と前記帯電防止層の界面が実質的に存在せず、および／または、前記帯電防止層と前記ハードコート層の界面が実質的に存在しないものである薄膜積層体により達成される。 - 特許庁

A first electronic supply layer 5 is formed thinly with AlN, and further, an inclined composition layer is formed as a second electronic supply layer 6, resulting in alleviating stress generated in an interface by the inclined composition layer irrespective of the formation of a hetero interface with GaN and AlN having a large lattice constant difference, and the generation of cracks in the electronic supply layer is restrained.例文帳に追加

第１電子供給層５をＡｌＮによって薄く形成し、さらに第２電子供給層６として傾斜組成層を設けることにより、ヘテロ界面が格子定数差が大きいＧａＮとＡｌＮとによって形成されているにも関わらず、該界面で生じる応力が傾斜組成層によって緩和され、電子供給層におけるクラックの発生が抑制される。 - 特許庁

An oxidized interface 110 in a semiconductor device having a first layer 104 and a second layer 108 is reduced by introducing a hydrogen- containing plasma to the first layer 108 having the oxidized interface 110, and the material used for forming the second layer 108 is deposited on the first layer 104 in an oxidation preventing environment by also introducing the hydrogen-containing plasma to the material.例文帳に追加

半導体デバイスの第１の層１０４と第２の層１０８との間の部分的に酸化されたインタフェース１１０を持つ第１の層１０４に水素含有プラズマを作用させて、酸化されたインタフェース１１０を減少させ、第２の層１０８形成材料にも水素含有プラズマを作用させて、酸化防止の環境下で第１の層１０４上に堆積させる。 - 特許庁

In the field effect transistor of a top gate type or a bottom gate type which has a gate electrode, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer on the surface of a substrate, an interface between the gate insulating layer and the organic semiconductor layer exists at a gate electrode side from an interface at the gate insulating layer, the source electrode, and the drain electrode.例文帳に追加

基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有するトップゲート型あるいはボトムゲート型の電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする。 - 特許庁

In the case where a joint of high reliability is required, a Cu layer is deposited under the Sn-Bi layer to provide n a connection of sufficient interface strength.例文帳に追加

更に高信頼性の継ぎ手が要求される場合には、Ｓｎ−Ｂｉ層の下にＣｕ層を施すことによって、十分な界面強度を有する接続部を得る。 - 特許庁

To provide an optical recording medium wherein change of reflectance of recording and reproducing light in the interface between a recording layer and a reflective layer is made large to enhance recording characteristics.例文帳に追加

記録再生光に対して記録層及び反射層の界面における反射率の変化を大きくし、記録特性の向上を図る光記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SIMOX wafer capable of reducing or eliminating a defect gathering layer present nearby the interface of a bulk layer with an embedded silicon oxide film.例文帳に追加

バルク層の埋め込みシリコン酸化膜との界面付近に存在する欠陥集合層を低減または消滅可能なＳＩＭＯＸウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a ferromagnetic tunnel junction element, which is much improved in quality by realizing an optimal reaction condition, when an interface layer is turned to a high-resistance layer through a reactive gas treatment.例文帳に追加

界面層を反応ガス処理して高抵抗層とする際に、最適な反応状態を実現し高品質な強磁性トンネル接合素子を得ることを目的とする。 - 特許庁

A large number of micro plates 18 are arranged in a capacitor 19 which is an interface between the photo-conductive layer 12 and charge transferring layer 13 of a radiation solid detector 30 on a random basis.例文帳に追加

放射線固体検出器３０の、記録用光導電層１２と電荷輸送層１３との界面である蓄電部１９に、マイクロプレート１８をランダムに多数配設する。 - 特許庁

The solar cell 30 is embedded in a heat sinking layer 34, so that it has a sufficiently reliable bonding interface between itself and the heat sink layer 34.例文帳に追加

太陽電池セル３０は、放熱層３４に埋設されていることから、その放熱層３４との間に十分な信頼性を有する接着界面を備えている。 - 特許庁

To provide a high-performance thin-film solar cell where bonding property of an interface between a transparent conductive layer and a photoelectric conversion layer is improved.例文帳に追加

本発明は、透明導電層と光電変換層間の界面の接合性が改善された性能の高い薄膜太陽電池を提供する事を目的とする。 - 特許庁

The thickness T1 of the interface layer 15 and the thickness T2 of the high-k layer 16 should satisfy T1/(T1+T2)≤0.3, or more preferably, T1/(T1+T2)≤0.2.例文帳に追加

界面層１５の厚さＴ１及びhigh-k層１６の厚さＴ２は、Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）≦０．３の関係、より好ましくはＴ１／（Ｔ１＋Ｔ２）≦０．２の関係を満たす。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a surface light-emission type semiconductor laser wherein the occurrence of interface levels between an embedded layer and an active layer is suppressed or reduced.例文帳に追加

埋込み層と活性層との間の界面準位の発生を抑制あるいは減少させることができる面発光型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, without causing a trouble of high corrosion and handling difficulty, the interface-adhesion between the SUS foil layer 2 and the liquid crystal polymer layer 3 can be enhanced.例文帳に追加

これにより、腐食性が高くて取扱いが難しいという問題を生じることなく、ＳＵＳ箔層２と液晶ポリマー層３との密着性を改善することができる。 - 特許庁

As described above, C is prevented from piling up, thereby suppressing the formation of a high resistance layer in the interface between the epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.例文帳に追加

このようにＣのパイルアップを抑制することで、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面における高抵抗層の形成が抑制される。 - 特許庁

Then a maximum value of nitrogen atom concentration in a region which is ≤10 nm away from an interface between the p-type layer 4 and oxide layer 8 is ≥1×10^21 cm^-3.例文帳に追加

そして、ｐ型層４と酸化膜８との界面から１０ｎｍ以内の領域における窒素原子濃度の最大値は１×１０^２１ｃｍ^−３以上となっている。 - 特許庁

A ZnO-based crystal layer having grown on a substrate of a sapphire (Al_2O_3) single crystal has a solid solution layer formed by solidly solving aluminum (Al) of the substrate in an interface with the substrate.例文帳に追加

サファイア（Ａｌ_2Ｏ_3）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面に基板のアルミニウム（Ａｌ）が固溶された固溶層を有している。 - 特許庁

To provide a method for producing a plated product, by which the adhesion strength between a metal-plated layer and a topcoat layer is improved and the exfoliation at the interface can be inhibited.例文帳に追加

金属めっき層とトップコート層との付着強度を向上させ、境界面での剥離を防止することができるめっき製品の製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the difference of the amount of contraction between the nonmagnetic layer 11 and the magnetic layer 35 can be restrained upon baking an element 2, and occurrence of a crack in an interface can be suppressed.例文帳に追加

この結果、素体２の焼成の際、非磁性体層１１と磁性体層３５との間の収縮量差が抑えられ、界面でのクラックの発生を抑制できる。 - 特許庁

The interface between the transparent conductive oxide layer 2 and the p-type silicon layer 3b includes an irregular face, which has a level difference within the range of not less than 0.1 μm and not more than 0.5 μm.例文帳に追加

透明導電性酸化物層（２）とｐ型シリコン層（３ｐ）との界面は、０．１μｍ以上、０．５μｍ以下の範囲内の高低差を有する凹凸面を含む。 - 特許庁

In the unipolar diode 100, two-dimensional electron gas is formed on the interface 2a of a high resistance layer 1 composed of i-AlGaN and a channel layer 2 composed of an n-GaN.例文帳に追加

ユニポーラダイオード１００は、ｉ−ＡｌＧａＮから成る高抵抗層１とｎ−ＧａＮから成るチャネル層２の界面２ａに２次元電子ガスが形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an organic transistor, capable of improving the smoothness of the interface of a gate insulating layer and an organic semiconductor layer and obtaining satisfactory transistor characteristics.例文帳に追加

ゲート絶縁層および有機半導体層の界面の平滑性を改善し、良好なトランジスタ特性を得ることが可能な有機トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of high reliability which is provided with a field effect type thin film transistor wherein the interface of a semiconductor layer and a gate insulating layer is suitably controlled.例文帳に追加

半導体層とゲート絶縁層との界面が適切に制御された電界効果型薄膜トランジスタを備えた、信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

To manufacture a solid state macromolecular fuel cell with high cell property by preventing the formation of proton conductive polymer-rich layer on an interface between a catalytic layer and a base material.例文帳に追加

触媒層と基材との界面へのプロトン伝導性ポリマーのリッチな層の形成を防止して、電池特性の高い固体高分子型燃料電池を製造する。 - 特許庁

The fine pattern is formed by condensing a particularly ultrashort pulse laser beam to focus on an interface between a substrate and a photosensitive resin layer so as to react the photosensitive resin layer.例文帳に追加

特に極短パルスレーザを、その焦点が基板と感光性樹脂層との界面に位置するように集光して、感光性樹脂層を反応させて微細パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a bump pad structure which protects an interface between a USG layer and a low dielectric layer with an improved mechanical strength of the bump pad structure, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

バンプパッド構造の機械強度を高め、ＵＳＧ層と低誘電体層との間の界面を保護するバンプパッド構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The electron transit layer 17 and the electron supply layer 15 are formed into a heterojunction structure, and is set to be HEMT, where a two-dimensional gas channel 16 can be formed at the junction interface.例文帳に追加

電子走行層１７と電子供給層１５とはヘテロ接合構造とし、接合界面に二次元電子ガスチャネル１６を形成可能なＨＥＭＴとする。 - 特許庁

Then, a carrier foil layer 32b and a copper foil layer 32a of a copper foil 32 with a carrier foil are mechanically peeled from each other in an interface between them to obtain the wiring board 1.例文帳に追加

それから、キャリア箔付銅箔３２のキャリア箔層３２ｂと銅箔層３２ａとの界面で、両者を機械的に剥離することにより、配線基板１を得る。 - 特許庁

At least one superlattice layer having a thickness of approximately 10 nm or smaller is formed at the interface of Si and SiC, or Si and SiGeC-based layer, thus increasing crystallinity further.例文帳に追加

また、ＳｉとＳｉＣまたはＳｉＧｅＣ系層の界面に、厚み１０ｎｍ程度以下の超格子層を１層以上入れることで、結晶性をさらに高くする。 - 特許庁

The hot-dip aluminized steel plate preferably has an Al-Fe-Si ternary alloy layer with a thickness of ≥0.1 μm, which is formed on an interface between the plated layer and base steel.例文帳に追加

溶融アルミニウムめっき鋼板は、好ましくは厚さ０.１μｍ以上のＡｌ-Ｆｅ-Ｓｉ三元合金層をめっき層／下地鋼の界面に形成している。 - 特許庁

After forming the uneven refractive-index interface 1a (10a), an element structure is formed on which a semiconductor crystal layer including a light-emitting layer A is laminated thereon.例文帳に追加

これら凹凸状の屈折率界面１ａ（１０ａ）を形成した後、その上に、発光層Ａを含む半導体結晶層が積層された素子構造を形成する。 - 特許庁

An optical film thickness of one side is thick like a spacer layer 202 among the multilayers interface filters used as a pair, and an optical film thickness is thin like a spacer layer 205 as for another side.例文帳に追加

対となる多層膜干渉フィルタのうち一方はスペーサ層２０２のように光学膜厚が厚く、他方はスペーサ層２０５のように光学膜厚が薄くなっている。 - 特許庁

To provide a damping material which never causes peeling at an interface between a restriction layer and a damping resin layer even in a case that the restricted damping material is stuck to a vibrating body having an irregular surface.例文帳に追加

拘束型制振材を凹凸面のある振動体に貼り付けても拘束層と制振樹脂層の間の界面で剥離が起きることがない制振材を提供する。 - 特許庁

Since electrons are reflected specularly on an interface between the layer 42 and the layer 48, shift of the bias-applying position is suppressed, and the applying position is controlled strictly.例文帳に追加

シード層４２と挿入層４８との界面において電子が鏡面反射するため、バイアス印加位置がシフトすることが抑制され、バイアス印加位置が厳密に制御される。 - 特許庁

Further, the arrangement of the thin conductive silicon-based interface layer at the rear of the silicon-based low refcation factor layer can keep the series resistance of the solar cell small.例文帳に追加

さらにシリコン系低屈折率層の後方に薄い導電型シリコン系界面層を配置することで太陽電池の直列抵抗を小さく保つことができる。 - 特許庁

In the interface of the n-type AlGaN electron-donor layer 3 and the n-type InAlGaN cap layer 4, the bottoms of the conduction bands of the two layers substantially are uninterrupted.例文帳に追加

ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層３とｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４との界面において、それぞれの伝導帯の下端が実質的に連続する。 - 特許庁

On a lower interface of a core layer 13, an information uneven part 16 scattering laser light introduced in the core layer 13 from a light introduction surface 18 is formed.例文帳に追加

コア層１３の下側の界面には、光導入面１８からコア層１３に導入されたレーザ光を散乱させる情報用凹凸部１６が形成されている。 - 特許庁

The light L_2 reflected at the interface between the window portion 44 and a reflection preventing film 45 also reaches the optical absorbing layer 41 and is then absorbed with the light absorbing layer 41.例文帳に追加

また、窓部４４と反射防止膜４５との界面で反射された光Ｌ_2もまた光吸収層４１に至ることができ、光吸収層４１により吸収される。 - 特許庁

To provide a surface light emitter in which total reflection of light at the interface of a transparent electrode layer and a buffer layer is suppressed and extraction efficiency of light can be improved.例文帳に追加

透明電極層と緩和層との界面で光が全反射することを抑制し、光の取り出し効率を向上することができる面発光体を提供する。 - 特許庁