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「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(62ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > lower- layerの意味・解説 > lower- layerに関連した英語例文

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lower- layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11223



例文

The wiring under the power supply line 31a is formed by using the lower wiring layer the same as the wiring 31.例文帳に追加

電源線下配線31aは、配線31と同じ下層配線層を用いて形成されている。 - 特許庁

When, for example, CF_4 is used as etching gas, a hole can vertically be formed in the lower-layer wire 4.例文帳に追加

エッチングガスは、例えばCF_4を用いると下層配線4上を垂直に開口することができる。 - 特許庁

The semiconductor device includes the bonding pad and a slit via region provided in a lower layer of the bonding pad.例文帳に追加

半導体装置は、ボンディングパッドと、ボンディングパッドの下層に設けられるスリットビア領域とを備えている。 - 特許庁

On the other hand, the lower layer 15 of the strip mask 13 is formed of the acrylic resin having flexibility.例文帳に追加

一方、ストリップマスク13の下層部15は、軟質性を有するアクリル系の樹脂から形成されている。 - 特許庁

例文

In the abrasive grain layer 3, cut-out parts 5 and 6 are periodically provided on the upper surface side and lower surface side.例文帳に追加

砥粒層3には、その上面側と下面側とに周期的に切欠部5、6が設けられている。 - 特許庁


例文

An insulating layer 17 is formed on both sides of the lower electrode 12 in an oxidizing atmosphere.例文帳に追加

その後、酸化性ガス雰囲気中で下部電極12の両側面に絶縁層17を形成する(図1(e))。 - 特許庁

The gate width W1 of each upper and lower layer 34A and 34B is smaller than a resist pattern width W2.例文帳に追加

上層34A及び下層34Bのゲート幅W1は、レジストパターン幅W2よりも狭くなる。 - 特許庁

Consequently, fine and acute protrusions and recesses (crystal destruction layer of silicon) are formed on the lower surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

この場合、シリコン基板1の下面に微細で鋭角な凸凹(シリコンの結晶破壊層)が形成される。 - 特許庁

Also, at the lower-layer region of each photosensor section 120, sufficient sensitivity is obtained at the deep overflow barrier 180.例文帳に追加

また、各フォトセンサ部120の下層領域では、深いオーバーフローバリア180で十分な感度を得る。 - 特許庁

例文

The electrode 12 is provided with a low-work-function layer on the surface of a base material with a work function lower than the base material.例文帳に追加

電極12は、基材表面に基材よりも仕事関数が小さい低仕事関数層を具える。 - 特許庁

例文

Process B: The surface of the cleaned roof R is coated with an lower layer resin 1 (Fig. 1) (Omittable).例文帳に追加

工程B:この清掃された屋根Rの表面の上に下層樹脂1を塗布する(図1)(省略可能)。 - 特許庁

The third p-type contact layer has the Mg concentration not lower than10^20/cm^3, and is 2 to 10 nm in thickness.例文帳に追加

第3pコンタクト層は、Mg濃度が1×10^20/cm^3 以上で、厚さは2〜10nmである。 - 特許庁

To epitaxially grow a high-quality single-crystal silicon layer at a lower temperature than that of the conventional CVD method.例文帳に追加

従来のCVD法より低温で、高品質の単結晶シリコン層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Insulating films 17 and 18 are formed on the first interlayer insulating film 13 and a lower layer wiring 16.例文帳に追加

第1の層間絶縁膜13及び下層配線16上に絶縁膜17,18が形成されている。 - 特許庁

In the space between a couple of capacitors, an insulating layer Low-k having a lower specific dielectric constant is disposed.例文帳に追加

2つのキャパシタ間のスペースには、低い比誘電率を有する絶縁層Low−kが配置される。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of forming a first insulating film 2 and a second insulating film 3 on lower layer wiring 1.例文帳に追加

下層配線1の上に、第1の絶縁膜2および第2の絶縁膜3を形成する。 - 特許庁

The surface of a base material 1 is coated by spraying with a primer mainly composed of an acrylic resin, by which a lower layer 2 is formed.例文帳に追加

基材1上にアクリル系樹脂を主体としたプライマをスプレーにより塗布し、下層2とする。 - 特許庁

The upper end surface of each first conductive layer 3 is lower than the upper end surface of the element isolation insulating film 7.例文帳に追加

第一導電層3の上部端面は、素子分離絶縁膜7の上部端面の位置よりも低い。 - 特許庁

When the IPMP information includes no IPMP information of a lower layer (S6), the steps after the step S1 are repeated.例文帳に追加

IPMP情報が下位階層のIPMP情報を含まない場合(S6)、S1以降を繰り返す。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and manufacturing device of spontaneous light emitting element forming a lower electrode on a substrate directly or through the other layer, laminating a film layer on the lower electrode, and forming an upper electrode on the film layer, not forming defective part on the film even if foreign obstacle or indentation are substituent on the face of the film formed on the lower electrode.例文帳に追加

基板上に直接又は他の層を介して下部電極を形成し、該下部電極上に成膜層を積層した上に上部電極を形成する自発光素子の製造において、仮に下部電極上等の被成膜面上に異物や凹凸が存在する場合であっても、成膜欠陥部を形成しない。 - 特許庁

A colored hemming layer 16 is arranged on a lower edge 14b of the resin key top 14.例文帳に追加

樹脂キートップ14の下端縁14bに着色形成された縁取層16を有するものとした。 - 特許庁

Moreover, it is possible to lower a resistance in source and drain diffusion layer by the thickness of the polysilicon film which is thick in the source and drain.例文帳に追加

しかもソースドレイン部の厚いポリシリコン膜厚によりソースドレイン拡散層抵抗を低くできる。 - 特許庁

A part of the upper conductive layer 9 is etched away, and a lower electrode 10 of MIM is formed.例文帳に追加

上層導電層9の一部をエッチング除去して、MIMの下層電極10を形成する。 - 特許庁

Moreover, the layer 20 can be used for one part or all of the lower plate of a ferroelectric capacitor.例文帳に追加

また、バリア層は、強誘電性コンデンサの下部プレートの一部または全てに使用することができる。 - 特許庁

To provide a two-layer sintered body which can increase the strength at a junction between its upper and lower layers.例文帳に追加

上下の層の接合部分の強度を向上することができる二層焼結体を提供する。 - 特許庁

A ridge 20 and a lower part 42 on both sides of the ridge are formed by etching to the active layer 36.例文帳に追加

活性層36までのエッチングによりリッジ部20とその両脇の低地部42とを形成する。 - 特許庁

The average enrichment of an outermost layer in both of upper and lower regions is about 5.6 wt%.例文帳に追加

最外層の平均濃縮度は上部領域および下部領域ともに約5.6wt%である。 - 特許庁

Slot height is normalized by the end edge at the lower magnetic pole top end 19a side of the insulating layer 20a.例文帳に追加

絶縁層20aの下部磁極先端部19a側の端縁によってスロートハイトが規定される。 - 特許庁

Damage of the magneto-resistance effect film 65 of the air flow-out side rather than the lower shield layer 63 is prevented.例文帳に追加

下部シールド層63よりも空気流出側の磁気抵抗効果膜65の損傷は回避される。 - 特許庁

An upper substrate 10 disposed with an upper orientation control layer 18 which is formed on an upper electrode 14 and is subjected to orientation treatment and a lower substrate 12 disposed with a lower orientation control layer 20 which is formed on a lower electrode 16 and is subjected to orientation treatment in the same orientation direction as that of the layer 18 are stuck together.例文帳に追加

上電極14上に形成され配向処理が施された上配向制御層18が配設された上基板10と、下電極16上に形成され上配向制御層18と同じ配向方向に配向処理が施された下配向制御層20が配設された下基板12とを貼り合わせる。 - 特許庁

The hardness of the marker 5 is set larger than the hardness of the lower layer exterior material 2 and the hardness of the element body 3.例文帳に追加

マーカー5の硬度は下層外装材2の硬度及び素体3の硬度よりも大きく設定する。 - 特許庁

The light emitting part 20 includes a lower multilayer film reflecting mirror 12 and a light emitting layer 21 formed on the mirror.例文帳に追加

発光部20は、下部多層膜反射鏡12とその上に形成された発光層21とを含む。 - 特許庁

The optical guide layer 104 is maintained at a level lower than the crest of the diffraction grating 102.例文帳に追加

光ガイド層104は、その全面にわたって回折格子102の山頂よりも低いレベルにある。 - 特許庁

The transparent layer 1 is formed with materials having the extinction factor lower than that of the transparent electrode 14.例文帳に追加

透明層1は消光係数が透明電極14よりも小さい材料から形成されている。 - 特許庁

The wax is one type to be burned out at a lower temperature than a sintering temperature for the first LTCC tape layer.例文帳に追加

サックスは、第1のLTCCテープ層の焼結温度より下の温度で焼き尽くすタイプのものである。 - 特許庁

A lower diffusion preventive insulating layer 112 of silicon nitride is formed on an Si substrate 111.例文帳に追加

Si基板111上にシリコン窒化膜からなる下部拡散防止絶縁層112が形成されている。 - 特許庁

The lower layer quantum dots 12 do not have interaction with the adjoining quantum dots, and are grounded 4.例文帳に追加

下の層の量子ドット12は隣接する量子ドットと相互作用を持たず、グラウンド4に接地する。 - 特許庁

Inside the lower epitaxial layer of the anode electrode, there are a plurality of second-conductivity embedded layers 3.例文帳に追加

アノード電極の下方のエピタキシャル層の内部に、複数の第二導電型埋め込み層3を備える。 - 特許庁

The side surface yoke layer 14 includes an angled portion 14a projected on the lower side from an edge of the wiring 12.例文帳に追加

前記側面ヨーク層14は、前記配線12のエッジから下方に突出する角部14aを含む。 - 特許庁

A lower layer wiring groove 103 is formed on an insulation film 102 formed on a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板101の上に形成された絶縁膜102に、下層配線溝103を形成する。 - 特許庁

The conductive reinforcement impurities are diffused from the local connection layer to the lower semiconductor substrate material.例文帳に追加

導電性増強不純物を局所接続層からその下の半導体基板材料内に拡散する。 - 特許庁

The thermal expansion coefficient is lower than that (about 16 ppm/K) when nickel is used as the metallic layer 3.例文帳に追加

この熱膨張係数は、金属層3としてニッケルを用いた場合(約16ppm/K)よりも低い。 - 特許庁

A core board 30 is composed of BT resin and a lower interlayer resin insulation layer 50 contains epoxy resin.例文帳に追加

コア基板30がBTレジンから成り、下層層間樹脂絶縁層50が、エポキシ樹脂を含有する。 - 特許庁

The lower layer film is etched by using etching gas containing chlorine or bromine in the chamber.例文帳に追加

チャンバー内において、下層膜に対して塩素又は臭素を含むエッチングガスを用いてエッチングを行なう。 - 特許庁

In a fifth step, the pit is formed on the lower photoresist layer through the vapor etching by 100% of oxygen (O_2).例文帳に追加

第5ステップにて、100%の酸素(O_2)によるガスエッチングにより下フォトレジスト層にピットを形成する。 - 特許庁

A lower-layer phase shift film 11 is formed on the transmissive substrate 10 in a phase shifter formation area.例文帳に追加

位相シフター形成領域の透過性基板10上に下層位相シフト膜11が形成されている。 - 特許庁

The lower layer pattern is formed only on the other parts and may comprise a polymethyl glutaric imide or a dye added polymethyl glutaric imide.例文帳に追加

下層パターンは、例えばポリメチルグルタルイミドもしくは染料が添加されたポリメチルグルタルイミドよりなる。 - 特許庁

The support layer 3 is constituted of material which is lower in reactivity with the material 4 to be processed than the base material 2.例文帳に追加

支持層3を基材2に比して被加工材4との反応性が低い材質により構成する。 - 特許庁

The composite laminated plywood includes an upper layer (4') and a plurality of lower layers (5') bonded thereto.例文帳に追加

本発明に係る複合積層合板は、上層(4’)とこれに接着された複数の下層(5’)とを含む。 - 特許庁

例文

An inter-layer insulating film 4 is formed on the semiconductor substrate 1 and capacitance lower electrode 3.例文帳に追加

半導体基板1上及び容量下部電極3上に層間絶縁膜4が形成されている。 - 特許庁




  
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