「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

A lower gap layer 2 includes a base closely-adhered layer 12 composed of Al2O3 and the like, an AlN film 13 having high thermal conductivity and a protective layer 14 composed of A12O3 and the like.例文帳に追加

下部ギャップ層２が、Ａｌ_2Ｏ_3などで形成された下地密着層１２、熱伝導率の高いＡｌＮ膜１３、及びＡｌ_2Ｏ_3などで形成された保護層１４により形成されている。 - 特許庁

The bank lower layer part 31 where an organic layer is formed is formed of the non-volatile oil material, and so the profile of the organic layer is free from a change with surface tension.例文帳に追加

また、有機層が形成されるバンク下層部３１は非撥油性材料で形成されているため、有機層のプロファイルが表面張力によって変化するようなことがない。 - 特許庁

Further, a monolayer of a second silicon layer is formed on the first silicon layer on the lower inner wall of the hole, and then, a first silicon nitride layer is formed on the whole inner wall surface of the hole by a nitriding process.例文帳に追加

ホールの下部内壁上の第１のシリコン層に更に、１原子層の第２のシリコン層を形成後、窒化処理によりホールの内壁全面に第１の窒化シリコン層を形成する。 - 特許庁

The packaged two-layer jelly is such that the interface between the upper layer gel and the lower layer gel has almost the same shape of the inner bottom of a jelly container, and the inner bottom of the jelly container is not flat.例文帳に追加

上層のゲルと下層のゲルとの界面が、ゼリー容器の内底面と略同一形状であり、該ゼリー容器の内底面が平面ではないことを特徴とする容器入り二層ゼリー。 - 特許庁

The optical property improving member includes: a base film layer placed above the light-emitting board and an optical property-improving layer formed on the lower surface of the base film layer facing the light-emitting board.例文帳に追加

光特性向上部材は、発光ボードの上部に配置されたベースフィルム層、及び発光ボードと向かい合うベースフィルム層の下面の上に形成された光特性向上層を含む。 - 特許庁

The upper end of the electrode 15 is electrically connected to the transparent common electrode layer 13 and the lower end is provided with an insulation layer 17, which is electrically isolated from the common electrode layer 12.例文帳に追加

電極１５の上端は透明共通電極層１３と電気的に接続し、下端側は絶縁層１７を設けて共通電極層１２と電気的に絶縁する。 - 特許庁

The optical waveguide 120 is formed by piling up in order a lower clad layer 130 made of n-InP, a core layer 140 and an upper clad layer 150 made of p-InP.例文帳に追加

光導波路１２０は，ｎ−ＩｎＰからなる下部クラッド層１３０とコア層１４０とｐ−ＩｎＰからなる上部クラッド層１５０とが順次積層された構成となっている。 - 特許庁

A first conductive layer to form lower-layer wiring W1 is formed on a substrate, an insulating film is formed, and a groove for the upper-layer wiring and a contact hole CH communicating therewith are formed.例文帳に追加

基板に下層配線Ｗ１となる第１導電層を形成し、絶縁膜を形成し、上層配線用溝とこれに連通するようにコンタクトホールＣＨを形成する。 - 特許庁

To easily conform to the standard/low temp. treating technology to improve the capacitance density and maintain a desired flatness by laying a dielectric material layer on lower electrodes and the surface of a dielectric layer and forming upper electrodes on the dielectric material layer.例文帳に追加

標準／低温処理技術と適合しキャパシタンスの密度を向上させる多層構造で使用されるＣＭＰと適合性を有するキャパシタ構造を提供すること。 - 特許庁

The diffused front of the Zn diffused from the p-type AlGaAs upper clad layer 18 reaches the n-type AlGaAs lower clad layer 14 through the active layer 16 and forms a Zn-diffused region 26 under the opening 24.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ層から拡散させたＺｎ拡散の拡散フロントは、活性層を貫通してｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層に達し、開口下にＺｎ拡散領域２６を形成する。 - 特許庁

The ferromagnetic thin film 24' of the lower part of the AFC recording layer is a ferromagnetic CoCrFe alloy, and no new creation layer is necessary between it and a Cr alloy base layer 13.例文帳に追加

ＡＦＣ記録層の下部の強磁性薄膜２４’は強磁性ＣｏＣｒＦｅ合金であって、それとＣｒ合金下地層１３との間にニュークリエーション層を必要としない。 - 特許庁

To provide a technology for reducing coding time when coding a scalable moving image having a layer structure wherein an upper layer and a lower layer are not spatially matched on a one-to-one correspondence.例文帳に追加

本発明は、上位レイヤと下位レイヤが空間的に１対１に対応しないレイヤ構造のスケーラブル動画像符号化において、符号化時間を削減する技術の提供を目的とする。 - 特許庁

A resonator structure including a buffer layer 102, a lower semiconductor DBR 103 and an active layer 105, an upper semiconductor DBR 107, and a contact layer 109 are laminated on a substrate 101.例文帳に追加

基板１０１上にバッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。 - 特許庁

The lower surface of a base material layer (5) of the outer cover material (1) is provided with the unstretched polypropylene film layer of the inner cover material (2) and a polyethylene film layer (6) made by melt extrusion in a boundary separable manner.例文帳に追加

外蓋材（１）の基材層（５）下面には、内蓋材（２）の未延伸ポリプロピレンフィルム層と界面剥離可能な溶融押出しによるポリエチレン系フィルム層（６）が設けられている。 - 特許庁

A foundation film containing a first thermal conduction layer and a second thermal conduction layer having a thermal conductivity lower than the first thermal conduction layer is formed between an insulating substrate and the semiconductor thin-film.例文帳に追加

絶縁性基板と半導体薄膜との間に、第１熱伝導層と第１熱伝導層よりも熱伝導率が低い第２熱伝導層とを含む下地膜を設ける。 - 特許庁

On the substrate 2, a first electrode 111, a functional layer 110 including a light-emitting layer 110b, and a transparent second electrode 12 composed of the metal oxide are laminated in this sequence from the lower layer side.例文帳に追加

基板２上に、第１の電極１１１と、発光層１１０ｂを含む機能層１１０と、金属酸化物からなる透明な第２の電極１２とが下層側から順に積層する。 - 特許庁

On a base film 51, a lower electrode 52 formed of Ir, an initial layer 53 of a PZT film, a core layer 54, a termination layer 55 and an upper electrode 56 formed of IrO_2 are formed.例文帳に追加

下地膜５１上に、Ｉｒからなる下部電極５２、ＰＺＴ膜の初期層５３、コア層５４及び終端層５５、並びにＩｒＯ_2からなる上部電極５６を形成する。 - 特許庁

A diffusion prevention layer formed of an Al thin film is formed on at least either of a lower part and an upper part of the reference layer included in a spin valve layer of the CPP magnetoresistive effect element.例文帳に追加

ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ層に含まれるリファレンス層の下部及び上部のうちの少なくとも一方にＡｌの薄膜よりなる拡散防止層を形成する。 - 特許庁

Among a lower-layer electrode 122, an insulating film 131 and an upper-layer electrode 143 within the short-included region 164, at least the upper-layer electrode 143 is removed to form an opening.例文帳に追加

短絡包含領域１６４内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３のうち少なくとも上層電極１４３を除去し、開口部を形成する。 - 特許庁

To obtain a novel silicon-containing copolymer useful for a photosensitive resin composition which is used for the upper layer of a double-layer resist system and has excellent tack to the lower layer of a resin.例文帳に追加

二重層レジストシステムの上層に使用され、樹脂下層に対して優れた粘着性を有する感光性樹脂組成物のために有用な新規なケイ素含有コポリマーを提供すること。 - 特許庁

A detile processing control means 114 puts the highest layer (detile start layer) to which detile processing is applied for a color difference component lower than the detile start layer for a luminance component.例文帳に追加

デタイル処理制御手段１１４は色差コンポーネントについてデタイル処理を施す最も高い階層（デタイル開始階層）を、輝度コンポーネントについてのデタイル開始階層より下位の階層とする。 - 特許庁

A 2nd adhesive layer 12 is formed by coating a 2nd adhesive on this 1st adhesive layer 11 and drying it at a temperature lower and for a time shorter than for the 1st adhesive layer.例文帳に追加

この第１の接着層１１の上に、第２の接着剤を塗布し、第１の接着剤より低温又は短時間で乾燥されてなる第２の接着層１２が設けられている。 - 特許庁

Oxygen partial pressure before first film formation in the fixed layer 5 and/or oxygen partial pressure before second film formation in the free layer 7 is lower than oxygen partial pressure before third film formation in the buffer layer 3.例文帳に追加

固定層５における第１成膜前酸素分圧及びフリー層７における第２成膜前酸素分圧の少なくとも一方は、バッファー層３の第３成膜前酸素分圧よりも低い。 - 特許庁

The semiconductor optical element comprises, on a substrate 101, an active layer 102, a clad layer 103, a contact layer 104, a passivation film 105, an upper part electrode 106, and a lower part electrode 107.例文帳に追加

半導体光素子は、基板１０１上に活性層１０２、クラッド層１０３、コンタクト層１０４、パッシベーション膜１０５、上部電極１０６、及び下部電極１０７から構成される。 - 特許庁

When the gate electrode with the Ti layer and the Au layer is to be formed on the InGaP layer, the Ti and Au layers are formed at a substrate temperature of 180°C or lower.例文帳に追加

さらに、Ｔｉ層とＡｕ層とを有するゲート電極をＩｎＧａＰ層の上面に形成する場合において、１８０℃以下の基板温度でＴｉ層およびＡｕ層を成膜する。 - 特許庁

In this case, the planarity of the active layer is increased with the lower cladding layer 111 as InAlGaAs, and reliability is improved by preventing surface oxidation (deterioration) with the upper cladding layer 113 as InGaP.例文帳に追加

このとき、下クラッド層１１１をＩｎＡｌＧａＡｓとして活性層の平坦性を高くし、上クラッド層１１３をＩｎＧａＰとして表面酸化（劣化）せず信頼性を向上した。 - 特許庁

A columnar soil improvement body reaching non-liquefaction layer positioned in the lower layer of the liquefaction layer is formed, and the flat-plate soil improvement body is supported by the columnar soil improvement body.例文帳に追加

液状化層の下層に位置する非液状化層に達する柱状の地盤改良体を形成し、その柱状の地盤改良体により平板状の地盤改良体を支持する。 - 特許庁

This pneumatic tire has a carcass layer 2 installed between a pair of bead parts and a belt layer 3 arranged on the tire outer peripheral side of the carcass layer 2 and on a lower part of the tread part.例文帳に追加

この空気入りタイヤ１は、一対のビード部間に架け渡されたカーカス層２と、カーカス層２のタイヤ外周側であってトレッド部の下部に配置されたベルト層３とを有する。 - 特許庁

After a tunnel ring oxide film layer is formed on a silicon substrate 100 in which a predetermined lower part structure is formed, a dot floating gate layer is formed on the tunnel ring oxide film layer.例文帳に追加

所定の下部構造が形成されたシリコン基板１００上にトンネルリング酸化膜層を形成した後、前記トンネルリング酸化膜層上にドットフローティングゲート層を形成する。 - 特許庁

An etching removal part 85 in a wafer comprises: a second layer 77 suited for dry etching; a first layer 75 and a third layer 79 formed on the upper and lower parts and suited for wet etching.例文帳に追加

ウエハにおけるエッチング除去部８５は、ドライエッチングに適した第２層７７と、その上下に形成されてウェットエッチングに適した第１層７５及び第３層７９とを含む。 - 特許庁

The semiconductor optical element according to one embodiment has a lower cladding layer, an upper cladding layer, and a bulk-structured active layer, on one main surface side of a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る半導体光素子は、半導体基板の一方の主面側に、下部クラッド層、上部クラッド層、及びバルク構造の活性層を有している。 - 特許庁

A heat resistant layer 6, which has positive hole transporting property and glass transition temperature not lower than 150°C or does not effect glass transition, is provided between the positive hole injection layer 4 and the organic luminescent layer 5.例文帳に追加

正孔注入層４と有機発光層５との間に、正孔輸送性を有し、かつガラス転移温度が１５０℃以上、又はガラス転移しない耐熱性層６が設けられてなる。 - 特許庁

A first layer 30 of which a refractive index is higher than that of a transparent substrate 10 and a second layer 40 of which the refractive index is lower than that of the first layer 30 are laminated on the light transparent substrate 10.例文帳に追加

光透明性基板１０上に、屈折率が透明性基板１０よりも高い第一の層３０と、屈折率が第一の層３０よりも低い第二の層４０を積層する。 - 特許庁

The active layer is equipped with one end which receives light emitted from outside, the other end which outputs the amplified light and provided between the first region of the lower clad layer and the upper clad layer.例文帳に追加

活性層は、外部からの光を受ける一端と増幅した光を出力する他端とを有しており、下部クラッド層の第１の領域と上部クラッド層との間に設けられている。 - 特許庁

A first gate insulating layer is divided into the lower layer 60 and the upper layer 61 when cleaning and removing a resist used for forming the second source/drain regions 12, 13, 18, 19 of the second transistor.例文帳に追加

第２のトランジスタの第２のソースドレイン領域１２，１３，１８，１９を形成するために用いられたレジストを洗浄除去するときに、下層６０と上層６１とに区別された。 - 特許庁

To provide an etching preventing layer where only a part of a lower inter-layer insulating layer is selectively patterned for allowing outgassing in a manufacturing process thereafter.例文帳に追加

ボイド領域内に形成された局部エッチング阻止層が備えられたビットラインスタッド上のビットラインランディングパッドとボーダレスコンタクトを有する半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a packaged tow-layer yogurt of after-fermentation type, having an upper layer consisting of sauce and a lower layer consisting of yogurt, and capable of preventing the sauce and the yogurt from being mixed to be turbid, when produced, distributed or stored.例文帳に追加

ソ−スが上層、ヨ−グルトが下層で、製造中、流通中又は保存中におけるソースとヨ−グルトの混濁が抑制された、後発酵型容器入り二層ヨ−グルトの提供。 - 特許庁

The fuel adsorbing layer 4 formed inside of a canister is defined into an upper adsorbing layer 4A and a lower adsorbing layer 4b by a partitioning plate 13 in which a heater is buried.例文帳に追加

キャニスタの内部に形成される燃料吸着層４は、ヒータが埋設された仕切板１３によって上部吸着層４Ａと下部吸着層４Ｂとに区画されている。 - 特許庁

A conductive film 8 is formed on the insulating film 7, and a lower layer resist film 9, an intermediate layer 10, an anti-reflection film 11, and an upper layer resist film are formed on this conductive film 8.例文帳に追加

絶縁膜７上に導電膜８を形成し、該導電膜８上に下層レジスト膜９、中間層１０、反射防止膜１１および上層レジスト膜を形成する。 - 特許庁

Between the end portion 32 of the optical fiber 30 and the mirror member 120, an optical waveguide 110 composed of a first lower clad layer 144, a core layer 145, and an upper clad layer 146 is equipped.例文帳に追加

光ファイバ３０の端部３２とミラー部材１２０との間に、第１下部クラッド層１４４、コア層１４５、上部クラッド層１４６からなる光導波路１１０を備える。 - 特許庁

In this case, the bus bar 40P positioned at the side of an upper layer is constituted of a metallic member, while the bus bar 40N positioned at the side of a lower layer is constituted of a wiring layer formed on the insulating substrate 50.例文帳に追加

このとき、上層側に位置するバスバー４０Ｐは金属部材で構成され、下層側に位置するバスバー４０Ｎは絶縁基板５０上に形成された配線層で構成される。 - 特許庁

A resistive element R of a phase change memory has a laminated structure comprising a lower electrode 121, a piezoelectric material layer 122, a barrier layer 123, a memory layer 124, and upper electrode 125.例文帳に追加

相変化メモリの抵抗素子Ｒは、下部電極１２１、圧電材料層１２２、バリア層１２３、記憶層１２４および上部電極１２５の積層構造で構成されている。 - 特許庁

The capacitor 10 is composed of a lower electrode layer 10b, a dielectric layer 10a and an upper electrode layer 10c, which are formed in order from the side of the insulating separation film 11.例文帳に追加

このキャパシタ１０は、絶縁分離膜１１側から順次形成された下層側電極層１０ｂ、誘電体層１０ａおよび上層側電極層１０ｃから構成されている。 - 特許庁

The wet etching is performed until the non-magnetic body layer 29 existing in a lower part of the magnetic body layer 30 is partially eroded and then both side parts of the magnetic body layer 30 are worked by ion milling.例文帳に追加

ウェットエッチングは、磁性体層３０の下部にある非磁性体層２９が一部侵食されるまで行い、その後にイオンミリングで磁性体層３０の両側部を加工する。 - 特許庁

Since the upper and lower layers of the high melting-point metal are formed of a high melting-point metal silicide layer, the laminate layer has a better adhesion with an insulation film 5, and a delamination in the high melting-point metal layer does not occur.例文帳に追加

また、高融点金属層の上下に高融点金属シリサイド層を形成するため、絶縁膜５との密着性がよくなり、高融点金属層の膜剥がれが起きなくなる。 - 特許庁