「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

The second low-resistance layer 111 is made of a dislocation layer of C54 or the like in which the lattice structure of the first low-resistance layer 111a is dislocated by thermal energy, and it is lower in electric resistance than the first low-resistance layer 111a.例文帳に追加

第２低抵抗層１１１は、第１低抵抗層１１１ａの格子構造が熱エネルギーによって転位してなるＣ５４等の転位層であり、第１低抵抗層１１１ａより電気抵抗が低い。 - 特許庁

A lower DBR mirror layer 11 and an upper DBR mirror layer 15 each have a structure in which a plurality of combinations of high refractive index layer 11Ai (15Aj) and a low refractive index layer 11Bi (15Bj) are laminated.例文帳に追加

下部ＤＢＲミラー層１１および上部ＤＢＲミラー層１５は、それぞれ高屈折率層１１Ａｉ（１５Ａｊ）および低屈折率層１１Ｂｉ（１５Ｂｊ）の組を複数積層した構造を有する。 - 特許庁

An end 14 inclining to a lower face of an n-type GaN layer 11 is formed in the n-type GaN layer 11, an active layer 12, and a p-type GaN layer 13 which form a GaN based light emitting diode 1.例文帳に追加

ＧａＮ系発光ダイオード１を形成するｎ型ＧａＮ層１１、活性層１２およびｐ型ＧａＮ層１３にｎ型ＧａＮ層１１の下面に対して傾斜している端面１４を形成する。 - 特許庁

The low-refractive-index layer has a refractive index lower than a refractive index of the first semiconductor layer, and partially covers the light extraction surface, and a part or all of the low-refractive-index layer is embedded in the first semiconductor layer.例文帳に追加

前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆い、一部または全部が前記第１半導体層に埋め込まれている。 - 特許庁

This optical information recording medium has at least a lower protecting layer, a recording layer, an upper protecting layer and a reflective layer, formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に少なくとも下部保護層、記録層、上部保護層、反射層を有し、該記録層が次の組成式（但し、α、β、γは原子比）で示される合金を主成分とすることを特徴とする光情報記録媒体。 - 特許庁

Also, a primary anode layer 41A made of aluminum or mainly made of aluminum as well as with a lower resistivity than that of the second anode layer 41C is arranged on the second anode layer 41C at an opposite side of the organic layer 53.例文帳に追加

また、この第２陽極層４１Ｃの有機層５３とは反対側に、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とすると共に第２陽極層４１Ｃよりも抵抗率が低い第１陽極層４１Ａを設ける。 - 特許庁

The conductors connected to a plurality of electrodes included in an arm part 10 are divided into a conductor layer having lower-layer conductors 3' and a conductor layer having upper-layer conductors 55 and are provided in a base part 20 on a substrate.例文帳に追加

アーム部１０に含まれる複数の電極に接続された配線が、下層配線３’を有する配線レイヤーと、上層配線５５を有する配線レイヤーとに分けられて、基板上のベース部２０に設けられる。 - 特許庁

An upper semiconductor reflection mirror is constituted by the p-type multilayer-film reflective layer 10, and a lower semiconductor reflection mirror is constituted by the p-type multilayer-film reflective layer 2, the i-type multilayer-film reflective layer 3, and the n-type multilayer-film reflective layer 4.例文帳に追加

上部半導体反射ミラーはｐ型多層膜反射層１０で、下部半導体反射ミラーはｐ型多層膜反射層２とｉ型多層膜反射層３とｎ型多層膜反射層４で構成されている。 - 特許庁

The auxiliary capacity line 17 has a 1st layer 171 which is conductive and a 2nd layer 172 which is formed of a conductive material having lower resistivity than the 1st layer 171 and conductive to the 1st layer 171.例文帳に追加

補助容量線１７は、導電性を有する第１層１７１と、この第１層１７１よりも抵抗率の低い導電性材料によって形成されて第１層１７１に導通する第２層１７２とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a substrate 11 is installed, and a silicon oxide film 12, a lower electrode layer 13, a ferroelectric oxide layer 14, a diffusion prevention layer 15, and an upper electrode layer 16, are laminated in order on the substrate 11.例文帳に追加

基板１１と、基板１１上にシリコン酸化膜１２、下部電極層１３、強誘電体酸化物層１４、拡散防止層１５、上部電極層１６が順次積層されて構成された構成とする。 - 特許庁

A surfactant is added to an undercoat layer consisting of a thermosetting resin provided at the lower part of a carbon nanotube conductive layer, and a silane coupling agent is added to an overcoat layer consisting of an inorganic oxide provided at the upper part of the carbon nanotube conductive layer.例文帳に追加

カーボンナノチューブ導電層下部に設ける熱硬化樹脂からなるアンダーコート層に界面活性剤を、カーボンナノチューブ導電層上部に設ける無機酸化物からなるオーバーコート層にシランカップリング剤を添加する。 - 特許庁

The piezoelectric element 17 is provided with a piezoelectric layer 31 consisting of an upper layer piezoelectric material 34 and a lower layer piezoelectric material 35 which are alternately stacked, and electrode layers 33, 36 and 37 for generating electric fields provided to the layer 31.例文帳に追加

圧電素子１７は、互いに積層された上層圧電体３４及び下層圧電体３５からなる圧電体層３１と、この圧電体層３１に付与される電場を発生する電極層３３，３６，３７とを備える。 - 特許庁

A signal wiring line is formed of a layered film having a first layer 2B as a lower layer and a second layer 2C as an upper layer on a glass substrate 1 or on a transparent conductive film 2A mainly comprising indium formed on the glass substrate 1.例文帳に追加

ガラス基板１、又はガラス基板１上に形成したインジウムを主成分とする透明導電膜２Ａ上に、第一層２Ｂを下層とし第二層２Ｃを上層とする積層膜で信号配線を形成する。 - 特許庁

While the gate electrode is applied with no voltage, the base energy level of the quantum well layer of the semiconductor upper layer is adjusted to be higher than the base energy level of the quantum well layer of the semiconductor lower layer.例文帳に追加

ゲート電極に電圧を印加しない状態で、半導体上層の量子井戸層の基底エネルギー準位が半導体下層の量子井戸層の基底エネルギー準位よりも高くなるように調整する。 - 特許庁

The density of the catalyst layer on the gas diffusion layer side is made lower than that of the catalyst layer on the proton conductive electrolyte membrane side, and the ratio of the amount of the polymer electrolyte in the catalyst layer to the amount of the catalyst is made almost constant.例文帳に追加

ガス拡散層側の触媒層の密度がプロトン伝導性電解質膜側の触媒層の密度より小さくし、かつ触媒層中の高分子電解質の量と触媒の量との比をほぼ一定にする。 - 特許庁

In this semiconductor laser device, an n-type AlGaAs buffer layer 5 as an intermediate layer is formed between a stripe-like convex portion 3 and an n-type AlGaAs lower cladding layer 6 as a first clad layer.例文帳に追加

この半導体レーザ装置では、中間層としてのＮ型ＡｌＧａＡｓバッファ層５がストライプ状の凸部３と第１クラッド層としてのＮ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層６との間に形成されている。 - 特許庁

A resin layer based on a straight chain polyphenylen sulfide resin is formed on the inner surface of a steel pipe and a coupling treatment layer due to an organic silane coupling agent containing a sulfur atom is preferably formed as the lower layer of the resin layer.例文帳に追加

鋼管の内面に直鎖状ポリフェニレンサルファイド樹脂を主成分とする樹脂層を形成し、好ましくは該樹脂層の下層にイオウ原子を含む有機シラン系カップリング剤によるカップリング処理層を形成する。 - 特許庁

An energy barrier does not exist substantially between the emitter barrier layer 6 and the emitter layer 7, and further the height of the energy barrier of the collector barrier layer 4 is lower than the height of the energy barrier of the emitter barrier layer 6.例文帳に追加

そして、エミッタバリア層６とエミッタ層７との間のエネルギー障壁は実質的に存在しないとともに、コレクタバリア層４のエネルギー障壁の高さはエミッタバリア層６のエネルギー障壁の高さよりも低い。 - 特許庁

A side diffusion preventing insulating layer 103 is formed on the silicon layer 113 and connected to the lower diffusion preventive insulating layer 112, continuously surrounding two element regions 101 surrounded by an element isolation insulating layer.例文帳に追加

そして、シリコン層１１３に、素子分離絶縁層に囲まれた二つの素子領域１０１を切れ目無く取り囲み、下部拡散防止絶縁層１１２に接続する側部拡散防止絶縁層１０３が形成されている。 - 特許庁

A laminate comprises a base material 1, a gas barrier layer 3, a polyester film 4 and a sealant layer 10 wherein the sealant layer 10 is an adhesive resin layer 5 extruded at a resin temperature of not lower than 300°C.例文帳に追加

基材１、ガスバリア層３、ポリエステルフイルム４、シーラント層１０からなる積層体において、シーラント層１０が３００℃以上の樹脂温度で押し出された接着性樹脂５からなることを特徴とする。 - 特許庁

The intermediate elongation degree of the belt-reinforcing layer 8 disposed at the end part on the white side-wall side of the belt layer 5 is set lower than the intermediate elongation degree of the belt-reinforcing layer 8 disposed at the other end part of the belt layer 5.例文帳に追加

そして、ベルト層５のホワイトサイドウォール側の端部に配置されるベルト補強層８の中間伸度が、ベルト層５の他方の端部に配置されるベルト補強層８の中間伸度よりも低く設定される。 - 特許庁

The auxiliary layer is disposed as a lower layer of the controlling layer, and has alignment controllability at least in an azimuth direction along the substrate surface out of the specified direction to assist the controlling layer with respect to the alignment controllability.例文帳に追加

補助層は、規制層の下層として設けられ、規制層を配向規制力について補助すべく、特定方向のうち少なくとも基板表面に沿った方位角方向の配向規制力を有する。 - 特許庁

Then, a covered layer 18A which is formed of an inorganic material other than metal and has a lower etching speed than that of the metal layer in a subsequently performed second etching process is formed so as to cover the metal layer and the polishing stop layer.例文帳に追加

次に、金属層と研磨停止層とを覆うように、後に行われる第２のエッチング工程におけるエッチング速度が金属層よりも小さい、金属以外の無機材料よりなる被覆層１８Ａを形成する。 - 特許庁

In an infrared ray imaging mode, the cavity layer 12 is enlarged by applying a negative voltage to a lower surface of the infrared ray receiving layer 13, and the carriers generated in the infrared ray receiving layer 13 are promoted to enter the cavity layer 12.例文帳に追加

赤外光撮像モードでは、赤外受光層１３下面に負電圧を印加することにより空乏層１２を拡大し、赤外受光層１３で発生したキャリアが空乏層１２へ入ることを促進する。 - 特許庁

Related to a ferromagnetic tunneling effect element 10, a lower part ferromagnetic body layer 82, an oxidation-resistance layer 12, a tunnel barrier layer 84, and an upper part ferromagnetic body layer 86 are laminated in this order on a substrate 84.例文帳に追加

本発明に係る強磁性トンネル効果素子１０は、基板８８上に、下部強磁性体層８２、耐酸化層１２、トンネルバリア層８４及び上部強磁性体層８６が、この順に積層されてなるものである。 - 特許庁

A plurality of the via-hole embedding plugs 113 interconnects a wiring layer 15 behind aluminum electrode pads 16 with which probe electrodes are in contact at the inspection of electric characteristics, and the wiring layer 14 of the a lower layer of the wiring layer 15.例文帳に追加

電気特性の検査時にプローブ電極を接触するアルミ電極パッド１６の裏の配線層１５とその下層の配線層１４とが複数のビアホール埋め込みプラグ１１３で接続されている。 - 特許庁

Then a conductor layer is formed on the surface of the insulating layer and a spiral conductor pattern connected to the spiral conductor pattern of the lower layer through the through hole is formed by etching the conductor layer.例文帳に追加

この絶縁層の表面に導体ペーストを塗布して導体層を形成し、その導体層をエッチングすることによりスルーホールを介して下層のスパイラル状導体パターンと接続されたスパイラル状導体パターンを形成する。 - 特許庁

The projecting part 50A has a dielectric layer 50A and a low resistance layer 50B having specific volume resistance lower than the dielectric layer 50A and laminated on the dielectric layer 50A.例文帳に追加

この突状部５０は、誘電体層５０Ａと、この誘電体層５０Ａより低い体積抵抗率を有するとともに誘電体層５０Ａの上に積層された低抵抗層５０Ｂとを有して形成されている。 - 特許庁

The adhesive layer 3 has a two-layer dot structure made of a lower layer 4 coated with an acrylic or urethane-based water-soluble binder and an upper layer 5 having a surface coated with a polyamide-based resin adhesive in a dot state.例文帳に追加

この接着層３は、アクリル系、ウレタン系の水溶性バインダーを塗布して設けた下層４と、その表面にポリアミド系の樹脂接着剤をドット状に塗布して設けた上層５からなる二層ドット構造とする。 - 特許庁

The interface becomes steep between the quantum well active layer 107 and the upper guide layer 109 and between the quantum well active layer 107 and the lower guide layer 105 and epitaxial growth is improved.例文帳に追加

上記量子井戸活性層１０７と上ガイド層１０９との間および量子井戸活性層１０７と下ガイド層１０５との間の界面が急峻になるとともに、結晶のエピタキシー成長が良好になる。 - 特許庁

Then the barrier layer is formed which includes a residual metal layer formed along a lower sidewall and a bottom of the opening and a metal nitride layer formed along an upper sidewall of the opening and a surface of the residual metal layer.例文帳に追加

その後、開口の下部側壁及び底面に沿って形成された残留金属膜と開口の上部側壁及び残留金属膜の表面に沿って形成された金属窒化膜とを含む障壁層を形成する。 - 特許庁

(2) the film thickness of the lower protective layer is 50-100 nm, the film thickness of the recording layer is 10-20 nm, the film thickness of the upper protective layer is 3-15 nm and the film thickness of the reflecting layer is 100-300 nm in the optical recording medium dealt in (1).例文帳に追加

（２）下部保護層の膜厚が５０〜１００ｎｍ、記録層の膜厚が１０〜２０ｎｍ、上部保護層の膜厚が３〜１５ｎｍ、反射層の膜厚が１００〜３００ｎｍである（１）記載の光記録媒体。 - 特許庁

An n-type GaN layer 11, an active layer 12, and p-type GaN layer 13 constitute a structure of the light emitting diode, and have an edge face 14 slanting at an angle of θ_1 to a lower face of the n-type GaN layer 11.例文帳に追加

発光ダイオード構造を形成するｎ型ＧａＮ層１１、活性層１２およびｐ型ＧａＮ層１３に、ｎ型ＧａＮ層１１の下面に対して角度θ_1 傾斜している端面１４を形成する。 - 特許庁

The upper and lower surfaces of a water conduction plate body 19 are formed into rough surfaces 31 and 32, the waterproof layer 10 bites into the lower rough surface 32, and the adhesive layer 15 bites into the upper rough surface 31.例文帳に追加

通水板本体１９の上下の面は粗面３１，３２に形成され、下の粗面３２に防水層１０が食い込むと共に、上の粗面３１に接着層１５が食い込んだ状態にある。 - 特許庁

METHOD FOR CALCULATING LOWER END HEIGHT OF SMOKE LAYER, METHOD FOR EVALUATING EVACUATION SAFETY PERFORMANCE IN BUILDING FIRE, PROGRAM FOR PERFORMING CALCULATING AND EVALUATING METHODS, AND SYSTEM FOR CALCULATING LOWER END HEIGHT OF SMOKE LAYER例文帳に追加

煙層の下端高さの算定方法、建築物の火災時の避難安全性能の評価方法、この算定方法又は評価方法を実行するプログラム、及び煙層の下端高さの算定システム - 特許庁

The outer surface of a lower outer layer material 3 is embossed 33 in a panel 4 made of a pair of upper and lower outer layer materials 2 and 3, and a plurality of spacers 5 are intervened in an inner space.例文帳に追加

一対の上・下の外層材２，３からなるパネル体４において、下方の外層材３の外表面にエンボス加工３３を施し、内部空間に複数個のスペーサー５，５，…が介在させてある。 - 特許庁

Track width accuracy is improved by providing a lower part magnetic pole tip part on a lower part magnetic pole main layer and forming an upper part magnetic pole tip part or an upper part magnetic pole tip layer on this flat plane.例文帳に追加

下部磁極主層上に下部磁極先端部を設けこの平坦面上に上部磁極先端部または上部磁極先端層を形成することによりトラック幅精度を向上する。 - 特許庁

Further, the upper and lower first clad layers of the first active layer are composed of a substantially identical semiconductor material, and the upper and lower second clad layers of the second active layer are composed of a substantially identical semiconductor material.例文帳に追加

更に、第１活性層の上下の第１クラッド層が略同一の半導体材料からなり、かつ第２活性層の上下の第２クラッド層が略同一の半導体材料からなる。 - 特許庁

Also a projecting and recessing pattern 8g for light scattering is formed on a surface of the light transmission film 8a by forming a lower layer side projection and recession forming film 13a on the lower layer side of the light transmission film 8a.例文帳に追加

また、光反射膜８ａの下層側に下層側凹凸形成膜１３ａを形成することにより、光反射膜８ａの表面に光散乱用の凹凸パターン８ｇを形成する。 - 特許庁

The face surface side area is preferably a ferrous sintered body excellent in wear resistance, or can be an upper and lower double layer having ferrous sintered material excellent in wear resistance in a lower surface and ferrous sintered body excellent in property for light metal alloy cast-covering in an upper layer.例文帳に追加

また、フェース面側である下層を耐摩耗性に優れた鉄系焼結体とし、上層を軽金属合金鋳包み性に優れた鉄系焼結体とする上下２層としてもよい。 - 特許庁

Furthermore, a slope section 40 having a sloping surface for smoothing a step between the mounting surface of the mounting substrate 10 and the lower-layer chip 20 is formed at least at a part of the periphery of the lower-layer chip.例文帳に追加

さらに、実装基板１０の実装面と、下段チップ２０との段差を緩和する傾斜面を有したスロープ部４０が、下段チップ２０の外周の少なくとも一部に設けられている。 - 特許庁

Next, the polycarbonate resin plate 7 with the coating film layer 8 and the top coat layer 9 formed on the surface is mounted on a lower mold 10 (Fig. c) and heated/compressed by the lower mold 10 and an upper mold 11 (Fig. d).例文帳に追加

次に、前記表面に塗膜層８とトップコート層９が形成されたポリカーボネート樹脂板７を下型１０に乗せ（図３のｃ）、その下型１０と上型１１とで加熱圧縮する（図３のｄ）。 - 特許庁

After formation of lower layer film 35 of polysilicon film on the substrate 32 of Si etc., the lower layer film 35 is doped with impurity such as P and thermally diffused so as to make continuity.例文帳に追加

Ｓｉ等の基板３２の上にポリシリコン薄膜からなる下層膜３５を形成した後、下層膜３５にＰ等の不純物をドープして熱拡散させることにより下層膜３５を導通化させる。 - 特許庁

The melting furnace 1 is equipped with a furnace body 2, a slag discharge port 22, a lower layer melt discharge port 101 and a melt discharge port 102 and heating coils 190 are provided to the lower layer melt discharge port 101 and the melt discharge port 102.例文帳に追加

溶融炉１は、炉体２に、出滓口２２と、下層の溶湯排出口１０１と、出湯口１０２とを備え、下層の溶湯排出口１０１、出湯口１０２に加熱コイル１９０を具備する。 - 特許庁

A thickness H_2 from the lower surface of the upper cladding layer 108 to the lower surface of a buried layer 115 in the second stripe side area 152 is smaller than a thickness H_1 in the first stripe side area 151.例文帳に追加

第２ストライプサイド領域１５２における上クラッド層１０８下面から埋め込み層１１５下面までの厚さＨ_２は、第１ストライプサイド領域１５１における厚さＨ_１よりも小さい。 - 特許庁