「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

The via hole 10 is connected to a lower-layer wiring 42 (first wiring), and an upper-layer wiring 44 (second wiring) provided to mutually different layers.例文帳に追加

ビア１０は、相異なる層に設けられた下層配線４２（第１の配線）および上層配線４４（第２の配線）に接続されている。 - 特許庁

An insulating layer 32 is formed on the upper face of the lower layer insulating film 1 around the first and second semiconductor constructing bodies 2a and 2b.例文帳に追加

第１、第２の半導体構成体２ａ、２ｂの周囲における下層絶縁膜１の上面には絶縁層３２が設けられている。 - 特許庁

The CMOS inverters NT1, PT1 are electrically connected to the lower layer wires 32a, 32b via the upper layer wires 34c, 34d.例文帳に追加

ＣＭＯＳインバータＮＴ１、ＰＴ１は上層配線３４ｃ、３４ｄを介して下層配線３２ａ、３２ｂに電気的に接続されている。 - 特許庁

In this case, the upper layer 14 and the lower layer 15 of the strip mask 13 are formed of materials, each of them will not contain chlorine compound.例文帳に追加

この場合、ストリップマスク１３の上層部１４及び下層部１５は、いずれも塩素化合物を含まない材料から形成されている。 - 特許庁

To enhance overlay accuracy between lower-layer patterns and upper- layer patterns in the photolithographic process of the manufacturing of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置製造の製造工程において、フォトリソグラフィ工程時の下層パターンと上層のパターンとの重ね合わせ精度を向上させる。 - 特許庁

The laminated structure 170 on a semiconductor substrate 100 is provided with a lower cladding layer 103, an active layer 106, and upper cladding layers 108 and 110.例文帳に追加

半導体基板１００上の積層構造１７０は、下クラッド層１０３、活性層１０６、および上クラッド層１０８，１１０を備える。 - 特許庁

Besides, the width of the adhesive sheet positioned on the upper layer is larger than that of the adhesive sheet 3 positioned on the lower layer.例文帳に追加

これと共に上層側に位置する粘着シート３の幅がそれよりも下層側に位置する粘着シート３の幅よりも大きくなっている。 - 特許庁

To understand the entire image from the work flow of an upper layer level and understand the detail of each object from the work flow of a lower layer level.例文帳に追加

上位の階層レベルの業務フローでは全体像を把握し、下位の階層レベルの業務フローでは各オブジェクトの詳細を把握する。 - 特許庁

Modulus of elasticity of the elastic material layer 30 is higher than modulus of elasticity of the basic material 20 and is lower than modulus of elasticity of the hard resin material layer 40.例文帳に追加

弾性材料層３０の弾性率が、基材２０の弾性率より高く、かつ硬質樹脂材料層４０の弾性率より低い。 - 特許庁

The thermoplastic synthetic fibers 11 and 12 are welded to one another respectively in each of the upper surface layer 3 and the lower surface layer 5.例文帳に追加

熱可塑性合成繊維１１，１２のそれぞれは、上部表面層３と下部表面層５とのそれぞれにおいて互いに溶着している。 - 特許庁

A lower shielding layer 3 and a first portion 4a of the upper shielding layer is arranged in a state such that both layers are insulated from each other on the same plane.例文帳に追加

下部シールド層３と上部シールド層の第１の部分４ａは、同一平面上に、互いに絶縁された状態で配置される。 - 特許庁

The insulation layers (309, 310, 311) have the same plane shape as that of the lower layer (306) and the intermediate layer (307).例文帳に追加

前記絶縁層（３０９，３１０，３１１）の平面形状と前記下部層（３０６）と前記中間層（３０７）の平面形状は同一である。 - 特許庁

The fiber mat 1 is composed of a plurality of layers, and the dynamic stiffness of an upper layer 1a in an upper section is made higher than that of a lower layer 1b.例文帳に追加

繊維マット１が複数層よりなり、上方の上層１ａの動的バネ定数を下層１ｂの動的バネ定数よりも高くした。 - 特許庁

A lower shielding layer 53 and a first portion 54a of an upper shielding layer are arranged on the same plane in the state of insulating these layers from each other.例文帳に追加

下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａは、同一平面上に、互いに絶縁された状態で配置される。 - 特許庁

In addition, the upper unsetting material layer forming means 70 and a lower unsetting material layer forming means 20 are driven by the same driving means.例文帳に追加

また、上部未硬化材料層形成手段７０と下部未硬化材料層形成手段２０を同一の駆動手段によって駆動する。 - 特許庁

The eraser 1 is prepared by stacking the luster material-containing layer 2 on the upper and lower surface sides of the sheet-like main body layer 3 and integrating them with one another.例文帳に追加

消しゴム１は、シート状の本体層３の上面側および下面側に光輝材含有層２を積層し、一体化したものである。 - 特許庁

The lower layer 2 is a heat insulation layer which contains numerous aggregates and binders for fixing the aggregates mutually with air holes 2a retained between the aggregates.例文帳に追加

下層２は、無数の骨材と、各骨材間に気孔２ａを有しながら各骨材を互いに固定するバインダとからなる断熱層である。 - 特許庁

On top of a semiconductor substrate 102 including an opening which reaches an interconnection in a lower layer, a TiN/Ti adhesion layer 103 is deposited by CVD (chemical vapor deposition) method.例文帳に追加

下層配線に達する開口部を含む半導体基板１０２上へＴｉＮ／Ｔｉ密着層１０３をＣＶＤ法で堆積する。 - 特許庁

It is effective if the upper layer part 7T is retracted by 20 μm or more from the edge of the upper face of the lower layer part 7B, with the hight of 5-10 μm.例文帳に追加

上層部７Ｔは、下層部７Ｂの上面の端より２０μｍ以上ずつ内側で、５〜１０μｍの高さにすると効果的である。 - 特許庁

The top surface (laminated layer surface) of the 2nd plug 14 is larger in area than the lower magnetic layer of the TMR element 18 laminated on the surface.例文帳に追加

第２のプラグ１４の上面（被積層面）は、この面上に積層されるＴＭＲ素子１８の下磁性層よりも大面積である。 - 特許庁

To prevent the increase of phytoplankton so that streams of water in an upper layer and a lower layer can be almost and completely separated from each other in the closed water.例文帳に追加

閉鎖性水域内において、上層と下層の水の流れをほぼ完全に分離されるようにして植物プランクトの増殖を防止する。 - 特許庁

The lower-layer phase shift film 11 and an upper-layer phase shift film 12 are laminated on the transmissive substrate 10 in a light half-shielding part formation area.例文帳に追加

半遮光部形成領域の透過性基板１０上に下層位相シフト膜１１と上層位相シフト膜１２とが積層されている。 - 特許庁

Further, this enables the use of media of the physicochemically same one as the upper layer medium and the lower layer medium and equal in specific gravity.例文帳に追加

また、これにより、上層媒体と下層媒体として物理化学的に同一の、比重が等しい媒体を使用することが出来るようにした。 - 特許庁

The lower and upper magnetic pole layers 10, 17 are each provided with a magnetic pole part layer 10a, 17a and a yoke part layer 10b, 17b respectively.例文帳に追加

下部磁極層１０と上部磁極層１７は、それぞれ、磁極部分層１０ａ，１７ａとヨーク部分層１０ｂ，１７ｂとを有している。 - 特許庁

The fluorinated carbon resin is fired in inert gas atmosphere while temperature of the elastic layer 12 is maintained to be lower than that of the surface of the releasing layer 13.例文帳に追加

前記フッ素樹脂は、不活性ガス雰囲気中で、弾性層１２を離型層１３の表面より低温に維持して焼成されている。 - 特許庁

The surface sheet for the absorptive article has an upper layer 2 and a lower layer 3 both made of a substantially inextensible sheet-like substance.例文帳に追加

本発明の吸収性物品用の表面シートは、実質的に伸縮しないシート状物からなる上層２及び下層３を有している。 - 特許庁

The low-refractive-index layer has a refractive index lower than a refractive index of the first semiconductor layer, and partially covers the light extraction surface.例文帳に追加

前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆う。 - 特許庁

The organic electroluminescent element is pinched by flexible panel supporting layers (a lower panel supporting layer 18, an upper panel supporting layer 19) facing each other.例文帳に追加

有機電界発光素子は、対向する可撓性を有するパネル支持層（下部パネル支持層１８、上部パネル支持層１９）により挟まれている。 - 特許庁

The exposed second layer is etched while the second layer in the lower section of the mask pattern is etched in the lateral direction, and the mask pattern is left in an eaves shape.例文帳に追加

露出した第２の層をエッチングするとともに、マスクパターンの下方の第２の層を横方向にエッチングし、マスクパターンを庇状に残す。 - 特許庁

A lower clad layer 2 consisting of polyfluoroalkylmethacrylate and a core layer 3 consisting of polymethylmethacrylate are successively laminated on a substrate 1 consisting of quartz glass.例文帳に追加

石英ガラスから成る基板１上に、ポリフルオロアルキルメタクリレートから成る下部クラッド層２、ポリメチルメタクリレートから成るコア層３を順次積層する。 - 特許庁

The sintered parts are decarburized to form a decarburized surface layer portion 18 in which the carbon concentration is lower than the initial value only for the surface layer portion.例文帳に追加

その焼結部品が脱炭処理され、表層部のみ初期炭素濃度より低い炭素濃度の脱炭表層部１８が形成される。 - 特許庁

The B constant B1 of the thermistor layer 3 and the B constant B2 of the thermistor layer 4 are lower than the B constant B0 of the thermistor element 2.例文帳に追加

ここで、サーミスタ層３のＢ定数Ｂ１及びサーミスタ層４のＢ定数Ｂ２は、サーミスタ素体２のＢ定数Ｂ０より低くなっている。 - 特許庁

The upper-layer second silicon nitride film is formed by the CVD method by using N_2 as the nitrogen source gas and includes more Si-H bondings than that in the lower layer.例文帳に追加

上層の第２窒化シリコン膜は、窒素ソースガスにＮ_２を用いてＣＶＤ法で形成され、Ｓｉ−Ｈ結合を下層よりも多く含む。 - 特許庁

The temperature at which the heat-treatment is carried out is lower than the glass transition temperature of the organic low molecule layer 5, and the organic low molecule layer 5 is never crystallized.例文帳に追加

加熱処理を行う温度は有機低分子層５のガラス転移温度以下であり、有機低分子層５が結晶化することもない。 - 特許庁

An upper insulation layer 450 is provided on the lower insulation layer 430 so that the multiple metal patterns 440 are partially exposed.例文帳に追加

この複数の金属パターン４４０の一部分が外部に露出されるように下部絶縁層４３０上に上部絶縁層４５０が備えられる。 - 特許庁

A layer 405 of dielectric material is disposed on the lower electrode 102 and on the top surface 203 of the integrated circuit dielectric layer D2.例文帳に追加

誘電体材料層４０５が、この下部電極１０２の上と、集積回路誘電体層Ｄ２の上部表面２０３の上に配置される。 - 特許庁

The horizontal rib 12 consists of the same easily weldable metal as a base layer 21 and also has a height as low as or lower than a thickness of the base layer 21.例文帳に追加

横リブ１２は、ベース層２１と同じ易溶接性金属からなり、かつそのベース層２１の厚さと同じかこれより低い高さである。 - 特許庁

The welding film layer is made of a biodegradable resin having a lower melting point than the biodegradable resin used for forming the indication film layer.例文帳に追加

溶着フィルム層は、表示フィルム層の形成に使用される生分解性樹脂よりも低い融点の生分解性樹脂から形成される。 - 特許庁

The masking tape 4 has a first tape 1 at the lower layer side, a second tape 2 at the upper layer side and a release paper 3 sticking to the first tape 1.例文帳に追加

マスキングテープ４は、下層側の第１テープ１と、上層側の第２テープ２と、第１テープ１に貼着された離型紙３とを有する。 - 特許庁

After a microcrystal silicon thin film 5 is deposited as a lower layer gate electrode, a metal thin film 6 is deposited continuously as an upper layer gate electrode.例文帳に追加

次に、下層ゲート電極としてマイクロクリスタルシリコン薄膜５を堆積した後、上層ゲート電極として金属薄膜６を続けて堆積する。 - 特許庁

The heat conductivity in an air layer 362 part is lower than in the other part of the sealing film 360, and the temperature in the vicinity of the air layer is liable to be high.例文帳に追加

封止膜３６０において、空気層３６２の部分は、他の部分よりも熱伝導率が低く、その近傍で高温になりやすい。 - 特許庁

An underlying insulation layer 1, a lower metal wiring 2, having a TiN layer 2a on the surface, a BCB film 3, a SiN film 4a are formed sequentially (a).例文帳に追加

下地絶縁膜１、表面にＴｉＮ層２ａを有する下層メタル配線２、ＢＣＢ膜３、ＳｉＮ膜４ａを順に形成する（ａ）。 - 特許庁

The second field plate of the upper layer is disposed above the gap between the first field plates of the lower layer, and wiring 30 is passed above it.例文帳に追加

上層の第２フィールドプレートは下層の第１フィールドプレート間の間隙の上方に位置しており、その上には配線３０が通っている。 - 特許庁

Though the reason is not clear, the shift of Rh existing in the upper catalyst layer to the lower catalyst layer is suppressed in a high-temperature oxidative atmosphere.例文帳に追加

理由は不明であるが、上触媒層に存在するRhが高温酸化雰囲気において下触媒層へ移行するのが大きく抑制される。 - 特許庁

METHOD FOR TRANSMITTING RECEIVED DATA SEGMENT FROM LOWER LAYER TO HIGHER LAYER IN PROTOCOL STACK, PROTOCOL STACK PRODUCT, AND TERMINAL FOR PROTOCOL STACK PRODUCT例文帳に追加

プロトコルスタックにおいて下位層から上位層まで受信データセグメントを送信する方法、プロトコルスタック製品、及びプロトコルスタック製品の端末 - 特許庁