「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(60ページ目) - Weblio英語例文検索

Then the photosensitive polyimide resin precursor layer 4 is developed to be formed in the specified pattern, and is then hardened to form a core layer 6 in the specified pattern on the lower clad layer 3.例文帳に追加

その後、現像して、感光性ポリイミド樹脂前駆体層４を所定のパターンに形成した後、硬化させることにより、下部クラッド層３の上にコア層６を所定のパターンで形成する。 - 特許庁

A predetermined pattern is formed by exposing and developing the positive resist layer 12 as the lower layer with an ionizing radiation in a wavelength range capable of having decomposing reaction of the positive resist layer (PMMA) 12.例文帳に追加

次に、ポジ型レジスト層（ＰＭＭＡ）１２が分解反応する波長域の電離放射線にて下層のポジ型レジスト層１２を露光、現像して所定のパターンを形成する。 - 特許庁

A conductive buffer layer 2 is formed as a lower electrode on a conductive Si substrate 1, and a dielectric layer 3 and an upper electrode layer 4 are formed sequentially to from a capacitor.例文帳に追加

導電性Ｓｉ基板１に導電性バッファ層２を形成して４下部電極とし、誘電体層３と上部電極層４を順次成膜することによって、コンデンサを構成している。 - 特許庁

The organic laser device comprises an organic compound layer, a first electrode formed on the upper surface of the organic compound layer, and a second electrode formed on the lower surface of the organic compound layer.例文帳に追加

有機化合物層と、前記有機化合物層の上面に設けられた第１の電極と、有機化合物層の下面に設けられた第２の電極と、を有する有機レーザー装置である。 - 特許庁

The spacer layer 40 is formed in a region at the lower side of the source/drain electrodes 70 and is provided with a second spacer layer 42 that is smaller in the band gap than the first spacer layer 41.例文帳に追加

そして、スペーサ層４０は、ソース／ドレイン電極７０の下側の領域に形成され、第１のスペーサ層４１よりもバンドギャップが小さい第２のスペーサ層４２を備える。 - 特許庁

The barrier layer comprises a magnesium oxide, and the lower magnetic shield film has a multilayer structure including a crystalline layer 71 and an amorphous layer 73 provided at the upper part in its laminating direction.例文帳に追加

バリア層は、酸化マグネシウムで構成されており、下部磁気シールド膜は、結晶質層７１と、その積層方向上方に設けられたアモルファス層７３とを含む複層構造を有している。 - 特許庁

The upper layer resistors 7a and 7b and the lower layer resistors 9a, 9b and 9c are formed simultaneously by impurity ion injection to the semiconductor layer 3 and have the same resistivity.例文帳に追加

上層抵抗体７ａ，７ｂと下層抵抗体９ａ，９ｂ，９ｃは、半導体層３への不純物イオン注入によって同時に形成されたものであり、かつ、同じ抵抗率をもつ。 - 特許庁

To prevent charge capture density from decreasing as much as possible by suppressing nitriding of an insulating layer as a lower layer and suppressing diffusion of oxygen from an insulating film as an upper layer.例文帳に追加

下層の絶縁膜が窒化するのを抑制するとともに上層の絶縁膜からの酸素の拡散を抑制して電荷捕獲密度の低下を可及的に防止することを可能にする。 - 特許庁

A first layer 30 of which a refractive index is higher than that of a transparent substrate 10, and a second layer 40 of which the refractive index is lower than that of the first layer 30 are laminated on the light transparent substrate 10.例文帳に追加

光透明性基板１０上に、屈折率が透明性基板１０よりも高い第一の層３０と、屈折率が第一の層３０よりも低い第二の層４０を積層する。 - 特許庁

Related to a manufacturing method for a thin-film magnetic head, a lower part shield layer 16 together with a dummy layer 54 are formed, which are coated with alumina, and the surface is polished by CMP to form a flattened layer 24.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドの製造方法において、下部シールド層１６と共にダミー層５４を形成した後アルミナで被覆し、ＣＭＰにより表面研磨して平坦化層２４を形成する。 - 特許庁

A low-refractive-index layer 21 comprising an SiO_2 layer having a lower refractive index than that of a contact layer 19 is provided right above a region A wherein a light emission region 16 is provided.例文帳に追加

発光領域１６が設けられた領域Ａの真上に、コンタクト層１９の屈折率より低い屈折率を有するSiO_2層からなる低屈折率層２１が設けられている。 - 特許庁

Apart from an n-type collector layer 24, a p^- -type impurity area 31 is formed which has lower impurity density than a p-type base layer 21 while connected to the p-type base layer 21.例文帳に追加

ｎ型コレクタ層２４と離間した位置に、ｐ型ベース層２１に接続した状態でｐ型ベース層２１より不純物濃度の低いｐ^−型不純物領域３１を形成する。 - 特許庁

Since the lower magnetic pole part 41 is extended and formed below the Gd deciding layer 45, magnetic saturation on the lower magnetic pole part 41 is suppressed.例文帳に追加

Ｇｄ決め層４５の下層に下部磁極部４１を延長して形成できるので、下部磁極部４１における磁気飽和を抑えることができる。 - 特許庁

This heat insulating panel 20 comprises a heat insulating material layer 22, a lower plate 21 affixed to a lower side thereof, and an upper plate 23 affixed to an upper side thereof.例文帳に追加

この断熱パネル２０は、断熱材層２２と、その下面に貼り付けられた下板２１と、上面に貼り付けられた上板２３とを備えている。 - 特許庁

A lower part area 10 and a lower side side part area 13 of the supporting layer 7 are constituted of a high rigidity part, and an upper side side-part area 12 is constituted of a low rigidity part.例文帳に追加

支持層７は、下部域１０及び下側側部域１３を高剛性部分で構成し、上側側部域１２を低剛性部分で構成する。 - 特許庁

An angular velocity sensor has a three-layer structure in which a structure of a movable part is held between an upper glass substrate and a lower glass substrate from upper and lower directions.例文帳に追加

角速度センサは、可動部構造体が上部ガラス基板及び下部ガラス基板によって上下方向から挟み込まれた３層構造となっている。 - 特許庁

In an optical fiber, a ring shaped loss layer 5 is provided to attenuate lower order modes which propagate in the fiber and does not attenuate the modes that are higher than the lower order modes.例文帳に追加

光ファイバ内に、この光ファイバを伝搬する低次のモードを減衰させ、これよりも高次のモードを減衰させないリング状の損失層５を設ける。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory device in which a cylinder type, lower electrode of a capacitor is formed by using a carbon-contained film as a lower mold layer.例文帳に追加

炭素含有膜を下部モールド層として利用して、シリンダー型のキャパシタ下部電極を形成する半導体メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A double gate field effect transistor comprises a lower gate electrode 3, a lower gate insulating film 4, a channel layer 5, a gate insulation film 7, and an upper gate electrode 8.例文帳に追加

ダブルゲート構造電界効果トランジスタは、下部ゲート電極３、下部ゲート絶縁膜４、チャネル層５、ゲート絶縁膜７、上部ゲート電極８を備える。 - 特許庁

The front side part from the sitting person's buttocks at the lower face of the lower layer seat 50 is regulated in deformation by a resin plate 56 mounted to that part.例文帳に追加

下層シート５０の下面における着座者の臀部よりも前側部分は、該部分に取り付けられた樹脂プレート５６によって変形が規制される。 - 特許庁

To enable film thickness control for providing a desired thickness for a lower electrode while flattening a surface of the lower electrode used as a base of an organic layer.例文帳に追加

有機層の下地となる下部電極表面の平坦化を図りながら、下部電極に対して所望の厚さを得る膜厚制御を可能にする。 - 特許庁

To prevent the capacitance from decreasing by preventing passivation of impurities in a lower electrode thereby controlling spread of a depletion layer in the lower electrode.例文帳に追加

下部電極中の不純物の不活性化を防止することにより、下部電極における空乏層の広がりを抑制し、キャパシタ容量の低減を防止する。 - 特許庁

Then while the lower-layer wiring 9 is exposed at the bottom of the connection hole 16, a second heat treatment is carried out at lower temperature than the first heat treatment.例文帳に追加

次に、接続孔１６の底部に下層配線９を露出させた状態で、第１の熱処理よりも低い温度で第２の熱処理を行う。 - 特許庁

Then, a plating layer 19 is formed on the bottom 181 and side face 183 of the groove 18, the lower surface 32 of a die pad 3 and the lower surface 142 of a lead 14.例文帳に追加

次いで、溝１８の底面１８１および側面１８３と、ダイパッド３の下面３２と、リード１４の下面１４２とにめっき層１９を形成する。 - 特許庁

To prevent sticking such as adhering of a structure to a lower substrate in a process of etching a sacrifice layer at the lower of the structure and drying the same.例文帳に追加

構造体の下部を犠牲層エッチングして乾燥させる工程において構造体が下部の基板にくっついてしまうというスティッキングを防止する。 - 特許庁

When magnetic pole parts of the thin-film magnetic heads for upper face and for lower face are formed, a photoresist is uniformly applied on a lower core layer at first.例文帳に追加

上面用薄膜磁気ヘッド及び下面用薄膜磁気ヘッドの磁極部を形成する際に、先ず、下部コア層上にフォトレジストを均一に塗布する。 - 特許庁

A magnetic random access memory according to an embodiment is provided with a laminate film, on which a lower electrode, a magnetoresistance effect element, and an upper electrode are sequentially laminated from a lower layer.例文帳に追加

実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極、磁気抵抗効果素子、上部電極が下層から順に積層された積層膜が設けられる。 - 特許庁

The isolation layer adjacent to the lower gate trench is partially etched to expose sidewalls of the active region adjacent to the bottom and sidewalls of the lower gate trench.例文帳に追加

下部ゲートトレンチの底面及び側壁に隣接する活性領域の側壁を露出するように下部ゲートトレンチに隣接する素子分離膜を部分エッチングする。 - 特許庁

Each of the lower electrodes 22 is covered with a second inter-layer film 25 formed with a plurality of openings for exposing the middle part of each of the lower electrodes 22.例文帳に追加

下部電極２２は、各下部電極２２の中央部を露出させる複数の開口部が設けられた、第２の層間絶縁膜２５に覆われている。 - 特許庁

To provide an electrode mechanism in a dielectric material film capacitor which assures close contact between a lower electrode and a layer under the lower electrode and is not easily oxidized and thermally stable.例文帳に追加

誘電体膜キャパシタにおいて、下部電極とこの下の層との密着性が良く、酸化されにくく熱的に安定な電極機構を提供する。 - 特許庁

The via electrodes 26 are laminated as they each spread over the lower via electrode 26 formed below it and the electric insulating layer 22 partially overlapping with the lower via electrode 26.例文帳に追加

ビア電極２６は、その下に形成されたビア電極２６とそのビア電極２６に部分的に被さる電気絶縁層２２の上に跨って積層する。 - 特許庁

To provide an electrode structure of the dielectric material film capacitor which assures close contact between a lower electrode and the lower layer thereof and is not easily oxidized and thermally stable.例文帳に追加

誘電体膜キャパシタにおいて、下部電極とその下層との密着性が良く、酸化されにくく熱的に安定な電極構造を提供する。 - 特許庁

The upper end of the fiber layer 3 (end apart further from the bead part 7) and the lower end of it are projected slightly from the upper and lower ends of the side reinforced rubber pad 2, respectively.例文帳に追加

この繊維層３の上端（ビード部７に遠い方の端）及び下端は、それぞれ、サイド補強ゴムパッド２の上端及び下端から少しはみ出る。 - 特許庁

A lower layer master station 11a imparts a line connection number to a lower slave station 12a, and transmits the line connection number imparted to an upper slave station 2a.例文帳に追加

下位親局１１ａは、下位子局１２ａに回線接続番号を付与し、付与した回線接続番号を上位子局２ａに送信する。 - 特許庁

A non-magnetic layer patterns 10 and 12 are disposed between an upper pole chip 13a and a lower magnetic pole 9 in the order closer to the lower magnetic pole 9.例文帳に追加

上部ポールチップ１３ａと下部磁極９との間に、非磁性パターン１０および非磁性パターン１２を下部磁極９に近い順に配設する。 - 特許庁

The piezoelectric thin film resonator 100 includes a substrate 1, and a resonating part 10 formed above the substrate 1, the resonating part 10 having a lower electrode layer 12, a piezoelectric material layer 14 and an upper electrode layer 16 and generating acoustic vibrations in the thickness direction of the piezoelectric material layer 14 by giving an electric field to the piezoelectric material layer 14 by the lower electrode layer 12 and the upper electrode layer 16.例文帳に追加

圧電薄膜共振子１００は、基板１と、前記基板１の上方に形成された共振部１０であって、下部電極層１２と、圧電体層１４と、上部電極層１６とを有し、前記下部電極層１２と前記上部電極層１６とによって前記圧電体層１４に電界を与えることにより、前記圧電体層１４の厚み方向に音響振動が生成される共振部１０と、を含む。 - 特許庁

The spacer layer 104 is formed to contact with the base layer 103 and the emitter layer 105 in a state of having an energy level of a conduction band edge lower than that of the base layer 103 and higher than that of the emitter layer 105, and having an energy level of a valence band edge lower than that of the base layer 103 and higher than that of the emitter layer 105.例文帳に追加

スペーサ層１０４は、ベース層１０３の伝導帯端のエネルギー準位よりも低く、エミッタ層１０５の伝導帯端よりも高い伝導帯端のエネルギー準位を有し、ベース層１０３の価電子帯端のエネルギー準位よりも低く、エミッタ層１０５の価電子帯端よりも高い価電子帯端のエネルギー準位を有した状態で、ベース層１０３およびエミッタ層１０５に接して形成されている。 - 特許庁

The field emission type electron source 10 comprises a lower electrode 2 formed on one surface side of a substrate, a non-doped polycrystalline silicon layer 3 formed on the lower electrode 2 as a semiconductor layer, a strong electric field drift layer 6 composed of oxidized porous silicon polycrystalline layer formed on the polycrystalline silicon layer 3 as an electron passing layer, and a surface electrode 7 formed on the strong electric field drift layer 6.例文帳に追加

電界放射型電子源１０は、基板１の一表面側に下部電極２が形成され、下部電極２上に半導体層としてノンドープの多結晶シリコン層３が形成され、多結晶シリコン層３上に電子通過層として、酸化した多孔質多結晶シリコン層よりなる強電界ドリフト層６が形成され、強電界ドリフト層６上に表面電極７が形成されている。 - 特許庁

The magnetic recording medium 10 has a magnetic layer showing perpendicular magnetic anisotropy as a recording layer 18 and a material of the soft magnetic backing layer (an upper soft magnetic backing layer 13c and a lower soft magnetic backing layer 13a) formed in a lower layer of the recording layer 18 is alloy formed by adding at least one element of Ta and Nb and further adding Cr to FeCoZr alloy.例文帳に追加

磁気記録媒体１０は、垂直磁気異方性を示す磁性層を記録層１８とする磁気記録媒体１０であり、記録層１８の下層に形成する軟磁性裏打層（上側軟磁性裏打層１３ｃ及び下側軟磁性裏打層１３ａ）の材質がＦｅＣｏＺｒ合金にＴａまたはＮｂの少なくとも一つの元素が添加された合金であり、さらにＣｒが添加された合金である。 - 特許庁

A method includes the steps of: preparing a substrate; sequentially forming a lower semiconductor layer, an active layer, and an upper semiconductor layer on the substrate; forming a photoresist pattern on the upper semiconductor layer so that its side wall is inclined to an upper surface of the substrate; and sequentially etching the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer by using the photoresist pattern as an etching mask.例文帳に追加

基板を用意する段階と、前記基板上に、下部半導体層、活性層及び上部半導体層を順次形成する段階と、前記上部半導体層上に、その側壁が前記基板の上部面に対して傾斜するように、フォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用し、前記上部半導体層、活性層及び下部半導体層を順次にエッチングする段階とを有する。 - 特許庁

Next, a lower electrode is formed on an upper face of the anti-diffusion layer by a sputter method (S104), and the lower electrode is heated at 500°C for 30 minutes (S105), to relieve a residual stress of the lower electrode.例文帳に追加

次に、スパッタ法により拡散防止層の上面に下部電極を形成し（Ｓ１０４）、下部電極を５００℃で３０分間加熱して（Ｓ１０５）下部電極の残留応力を緩和させる。 - 特許庁

According to the caisson type earthquake resistant quay, a base-isolation layer is formed on at least one of an immediately rear surface of the caisson type quay, a lower surface of back-filling stones, a lower surface of a waste rock mound, and a lower surface of a filled-up land.例文帳に追加

本発明のケーソン式耐震岸壁においては、ケーソン式岸壁の直背後、裏込石の下面、捨石マウンドの下面、埋立地の下面の少くとも１つに免震層を設ける。 - 特許庁

Similarly, the alignment marks are formed successively from a lower layer, and the respective layers are bonded to complete a scanner 1.例文帳に追加

同様に、下層から順次アライメントマークを形成し、各層を接着させてスキャナ１を完成する。 - 特許庁

A lower electrode 610 is formed on the insulating layer in a capacitor region 301, and the common line is covered.例文帳に追加

コンデンサ領域３０１内のゲート絶縁層上に下電極６１０を形成し、共通線を覆う。 - 特許庁

Then the semiconductor construct 2 is mounted on a top surface of the lower insulating film 1 with an adhesion layer 3 interposed therebetween.例文帳に追加

次に、下層絶縁膜１の上面に半導体構成体２を接着層３を介して搭載する。 - 特許庁