「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

The BAW resonator is provided with a substrate 10, a lower electrode 20 formed on an upper surface 11 of the substrate 10, a piezoelectric layer 30 formed on an upper layer 21 of the lower electrode 20, an insulating layer 40 formed on an upper surface 31 of the piezoelectric layer 30, and an upper electrode 50 formed on an upper surface 41 of the insulating layer 40.例文帳に追加

基板１０と、基板１０の上面１１に形成された下部電極２０と、下部電極２０の上面２１に形成された圧電層３０と、圧電層３０の上面３１に形成された絶縁層４０と、絶縁層４０の上面４１に形成された上部電極５０とを備える。 - 特許庁

The ink jet recording paper has a constitution wherein the lower layer of a recording layer containing a polymeric compound (A) showing hydrophilicity in a temperature region not higher than a temperature sensing point and hydrophobicity in a temperature region higher than the temperature sensing point and particulates (B) is provided on a substrate and the upper layer of the recording layer containing particulates (C) is provided on the lower layer.例文帳に追加

支持体に、感温点以下の温度領域では親水性を示し、感温点を超える温度領域では疎水性を示す高分子化合物（Ａ）と微粒子（Ｂ）とを含有する記録層下層を設け、該記録層下層上に微粒子（Ｃ）を含有する記録層上層を設けたインクジェット記録用紙。 - 特許庁

A GND layer 14 nearest a forming layer of a wiring pattern 16 is cut off along with the formation route lower portion of the wiring pattern B (a cut-off portion extends the layer of a prepreg 15), a signal layer 12 left one more away is cut off along with the formation route lower portion of the wiring pattern 16, and a GND layer 17 is formed in this portion.例文帳に追加

配線パターン１６の形成層に一番近いＧＮＤ層１４を、配線パターンＢの形成経路下部に沿って切り取り（切り取った部分はプリプレグ１５の層を拡張する）、もう一つ離れた信号層１２を、配線パターン１６の形成経路下部に沿って切り取り、この部分にＧＮＤ層１７を設ける。 - 特許庁

This layer 6 has a laminated structure and a lower layer 6a of the layer 6 that is in contact with the base 1 contains at least one kind of acid type phosphoric ester, while an upper layer 6b formed on the lower layer 6a contains specific polyglycerin fatty acid ester or specific glycerin fatty acid ester.例文帳に追加

耐熱滑性層６は積層構造をなし、耐熱滑性層６のうち基材１に接している下層６ａが、酸型リン酸エステルを少なくとも１種含有し、下層６ａの上に形成される上層６ｂが、特定のポリグリセリン脂肪酸エステルまたは特定グリセリン脂肪酸エステルを含有している。 - 特許庁

Part of a conductive layer 57 configuring an electrode connected to an MR element is placed in a groove formed between the lower shield layer 53 and the first part 54a of the upper shield layer in a state insulated from the lower shield layer 53 and the first part 54a of the upper shield layer via an insulation film 56.例文帳に追加

下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａの間に形成された溝内に、ＭＲ素子に接続される電極を構成する導電層５７の一部が、絶縁膜５６によって、下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａに対して絶縁された状態で配置される。 - 特許庁

A semiconductor device 200 has the electric fuse 100 including: an upper-layer fuse wiring 112 formed on a substrate (not shown); a lower-layer fuse wiring 122; and a via 130 which is connected to one end of the upper-layer fuse wiring 112 and connects the upper-layer fuse wiring 112 and the lower-layer fuse wiring 122.例文帳に追加

半導体装置２００は、基板（不図示）上に形成された上層ヒューズ配線１１２、下層ヒューズ配線１２２、および上層ヒューズ配線１１２の一端と接続され、上層ヒューズ配線１１２と下層ヒューズ配線１２２とを接続するビア１３０から構成される電気ヒューズ１００を含む。 - 特許庁

The MR head 10 has a magnetic shield layer 12 also acting as a lower electrode, a magnetic gap controlling layer 14 formed on the lower electrode and magnetic shield layer 12, an MR element 30 formed on the magnetic gap controlling layer 14, and a magnetic shield layer 28 also acting as an upper electrode formed on the MR element 30.例文帳に追加

ＭＲヘッド１０は、下電極兼磁気シールド層１２と、下電極兼磁気シールド層１２上に形成された磁気ギャップ調整層１４と、磁気ギャップ調整層１４上に形成されたＭＲ素子３０と、ＭＲ素子３０上に形成された上電極兼磁気シールド層２８とを備えている。 - 特許庁

This piezoelectric element includes a diaphragm 10, an aluminum oxide layer 20 provided on the diaphragm 10, a lower electrode 30 provided on the aluminum oxide layer 20, a piezoelectric layer 40 provided on the aluminum oxide layer 20 and the lower electrode 30, and an upper electrode 50 provided on the piezoelectric layer 40.例文帳に追加

本発明の圧電素子は、振動板１０と、振動板１０の上に設けられた酸化アルミニウム層２０と、酸化アルミニウム層２０の上に設けられた下部電極３０と、酸化アルミニウム層２０の上、および下部電極３０の上に設けられた圧電体層４０と、圧電体層４０の上に設けられた上部電極５０と、を含む。 - 特許庁

In a manufacturing method of a magnetic recording medium 10 wherein a lower non-magnetic layer 2 and the magnetic layer 3 having ≤50 nm film thickness are laminated on a supporting body 1, the lower non-magnetic layer 2 is subjected to calender treatment and heat curing treatment to suppress drying speed of the magnetic layer as a step prior to a step for forming the magnetic layer 3.例文帳に追加

支持体１上に、下層非磁性層２と、膜厚５０ｎｍ以下の磁性層３とが積層形成されている磁気記録媒体１０を製造する方法において、磁性層３の形成工程の前工程として、下層非磁性層２に、カレンダー処理及び熱硬化処理を行い、磁性層の乾燥速度を抑制する。 - 特許庁

Consequently, the constraint film 25 is simultaneously thermocompression bonded to the lower surface of the lowermost green sheet 21 at the time of thermocompression bonding the green sheets 21 of the lower-layer section to each other.例文帳に追加

これにより、下層部の複数枚のグリーンシート２１を熱圧着するのと同時に、その下面に拘束フィルム２５を熱圧着する。 - 特許庁

On the lower layer absorber 32, a plurality of recesses 32a are formed by pressing work of pressing from the side of the lower surface 32B to the side of the upper surface 32A.例文帳に追加

下層吸収体３２は、下面３２Ｂ側から上面３２Ａ側へ圧する圧加工によって複数の凹部３２ａが形成されている。 - 特許庁

Displacements of lower layers are assumed by reading the historical data of displacements of a part of layers or all layers lower than the present pattern layer.例文帳に追加

現在のパターンレイヤよりも下層に位置する一部またはすべての層の位置ずれ履歴データを読み出して、下層の位置ずれ関係を見積もる。 - 特許庁

There are further provided a lower electrode on the lower surface of a substrate 11, and an upper electrode 17 at a central portion on the upper surface of the upper clad layer 14.例文帳に追加

基板１１の下面には下部電極１６、上部クラッド層１４の上面中央部には上部電極１７が設けられている。 - 特許庁

Then, lower layer wiring 106 consisting of a first barrier metal film 104 and a first metallic film 105 is formed in the lower wiring groove 103.例文帳に追加

次に、下層配線溝１０３内に第１のバリアメタル膜１０４及び第１の金属膜１０５からなる下層配線１０６を形成する。 - 特許庁

A lower-side electrode layer formed at a lower-side film comprises a plurality of electrode parts 7, in comb-like, each of which is straight.例文帳に追加

下側フィルムに形成される下側電極層は、それぞれ直線状を成す複数本の電極部７が櫛歯状に設けられている。 - 特許庁

The upper silicon structure overlaps with the lower silicon structure and is insulated from the lower silicon structure by an insulating layer formed between the structures.例文帳に追加

上側シリコン構造は、下側シリコン構造に重なり、構造間に形成された絶縁層によって下側シリコン構造から絶縁されている。 - 特許庁

The flying lead 8 having at least a copper layer 4A is formed so that its lower face is nearly flush with the lower face of an insulating base material 2.例文帳に追加

少なくとも銅層部分４Ａを有するフライングリ−ド８の下面が絶縁べ−ス材２の下面と略同一になるように形成する。 - 特許庁

A high temperature fluid inlet 1a of the high temperature passage layer 1 is provided in a lower left side in the figure, and an outlet 1b is provided in a lower right side.例文帳に追加

高温流体通路層１の高温流体入口１ａを図中の下部左寄りに、同出口１ｂを下部右寄りに設ける。 - 特許庁

A lower-layer capacitor comprising a lower electrode, an upper electrode and a dielectric film arranged between both electrodes are disposed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

下部電極、上部電極、及び両者の間に配置された誘電体膜を含む下層キャパシタが、半導体基板の上に配置されている。 - 特許庁

In this way, a green compact 11' in which the compression ratio in the lower layer part of the film is made lower than the compression ratio in the internal region can be obtained.例文帳に追加

これにより、被膜下層部における圧縮比を、内部領域の圧縮比に比べて小さくした圧粉成形体１１’が得られる。 - 特許庁

The second lens wafer has a planar upper wafer surface adjacent and parallel to the planar lower surface of the lower substrate layer of the electro-active lens assembly.例文帳に追加

第２レンズウエハは、電気駆動レンズアセンブリの下側の基板層の下側の平表面に平行で近接する、上側のウエハ平表面を有する。 - 特許庁

The lower electrode 2 is connected electrically with a second layer wire 8 through a contact hole 4 for lower electrode passing through the through hole 5.例文帳に追加

そして、貫通穴５を通過する下部電極用コンタクト４によって、下部電極２と第２層配線８とを電気的に接続している。 - 特許庁

An organic layer 5 is formed in a state covering the lower part electrode 4 on the substrate 2 at which the lower electrode 4 and the auxiliary wiring N have been formed.例文帳に追加

下部電極４と補助配線Ｎとが形成された基板２上に、下部電極４を覆う状態で有機層５を形成する。 - 特許庁

The lower part of the side walls 17 formed on a drain diffusion layer 15 side are formed in the position lower than the main surface of the semiconductor region.例文帳に追加

ドレイン拡散層１５側に形成されたサイドウォール１７は、その下部が半導体領域の主面よりも低い位置に形成されている。 - 特許庁

A piezoelectric thin film 2 is formed on a lower face of a first metallic electrode 1 and a semiconductor layer 3 is formed on a lower face of the piezoelectric film 2.例文帳に追加

第１の金属電極１の下面には圧電体膜２が形成され、圧電体膜２の下面に半導体層３が形成されている。 - 特許庁

When the substrate has the Vickers hardness of 500 or lower, the undercoat layer has the Vickers hardness higher than that of the substrate but lower than 810.例文帳に追加

基材のビッカース硬度が５００以下である場合には、アンダーコート層のビッカース硬度は、基材のそれよりも高く且つ８１０よりも低い。 - 特許庁

When the substrate has the Vickers hardness of 600 or lower, the undercoat layer has the Vickers hardness lower than that of the substrate but higher than 230.例文帳に追加

一方、基材のビッカース硬度が６００以下である場合には、アンダーコート層のビッカース硬度は、基材のそれよりも低く且つ２３０よりも高い。 - 特許庁

Further, the lower part of the plug penetrates the SiCN film partially brought into contact with the lower layer wiring, and the upper part of the plug is in contact with the upper wiring.例文帳に追加

さらにプラグの下部はＳｉＣＮ膜を部分的に貫通して、下層配線に接し、プラグの上部は上層配線と接している。 - 特許庁

In this manner, even if the upper-layer ultraviolet curing resin 2A and the lower-layer ultraviolet curing resin 3A, namely liquid synthetic resins for sealing adhesives are used, the liquid lower-layer ultraviolet curing resin 3A is cured and the lower-layer sealing material layer 3 is formed and then the solar battery cell 4 is disposed, thus easily disposing the solar battery cell 4 and securing alignment precision.例文帳に追加

このように、液状の封止接着剤用合成樹脂である上層紫外線硬化樹脂２Ａ及び下層紫外線硬化樹脂３Ａを用いる場合であっても、液状の下層紫外線硬化樹脂３Ａを硬化させて下層封止材層３を形成した後に太陽電池セル４を配置するため、太陽電池セル４を容易に配置でき、アライメント精度を確保することができる。 - 特許庁

Action of stopping rotation of a pickup roller 41 is inserted at least either before action of feeding the mediums to a separation position where the mediums are separated to the uppermost layer and the lower layer when they are doubly fed by the pickup roller 41 displaced to a feed position or before action of returning the medium in the lower layer after the mediums are separated to the uppermost layer and the lower layer.例文帳に追加

給送位置に変位させたピックアップローラ４１により媒体が重送されたときに最上層と下層に分離する分離位置まで前記媒体を給送する動作の前と、前記媒体を最上層と下層に分離して下層の前記媒体を戻す動作の前の少なくとも一方に、前記ピックアップローラの回転を停止させる動作を挿入する。 - 特許庁

A capacitor section 102 is formed of a lower electrode 111 provided on a SiO2 layer 119 on a doped layer 117 provided on a substrate 100, a ferroelectric layer 109 provided on the lower electrode 111, and an upper electrode 107 provided on the ferroelectric layer 109.例文帳に追加

基板１００に設けられた不純物層１１７上のＳｉＯ2層１１９上に設けられた下部電極１１１、下部電極１１１上に設けられた強誘電体層１０９、強誘電体層１０９上に設けられた上部電極１０７によってキャパシタ部１０２を形成する。 - 特許庁

Lower layer flow flowing in the lower layer channel X flows in a circumference direction of a combustion chamber 3 through an intake valve opening part region Z and generates swirl in opening the intake valve 6, and upper layer flow flowing in the upper layer channel Y flows in the combustion chamber 3 through the swirl part 7.例文帳に追加

下層流路Ｘ内を流れる下層流は吸気弁６の開弁時に吸気弁開口部領域Ｚを通り燃焼室３の周辺方向に流入してスワールを発生させ、上層流路Ｙ内を流れる上層流は渦巻部７を通って燃焼室３内に流入する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a porous container formed into a hollow state by including an inclusion material between an upper layer and a lower layer and eluting the inclusion material in the porous container constituted by forming the upper layer and the lower layer from a porous material manufactured by an electrospinning method.例文帳に追加

エレクトロスピニング法にて作製した多孔質材料から上部層および下部層を形成してなる多孔質容器であって、上部層と下部層の間に内包材料を包含させたり、内包材料を溶出させて中空状態にした多孔質容器の製造方法を提供する。 - 特許庁

An aluminum oxide layer 3 is formed on one major surface of a silicon substrate 2 where a silicon oxide layer exists, a lower electrode layer 4 is formed thereon, and then the lower electrode layer 4 is heat-treated at a temperature of 600°C-1000°C thus enhancing the bonding strength thereof.例文帳に追加

シリコン基板２の、シリコン酸化物層が存在している一方主面上に酸化アルミニウム層３を形成し、その上に下部電極層４を形成し、次いで、下部電極層４を、６００℃以上かつ１０００℃以下の温度で熱処理し、下部電極層４の接合強度を向上させる。 - 特許庁

A piezoelectric/electrostrictive element 1 has a two-layer structure in which a lower layer electrode film 112, a lower layer piezoelectric/electrostrictive film 116, an inner layer electrode film 118, an upper piezoelectric/electrostrictive film 120, and an upper electrode film 114 are laminated, in this order, on a thin part 104 of a base 102.例文帳に追加

圧電／電歪素子１は、基体１０２の薄肉部１０４の上に、下層電極膜１１２、下層圧電／電歪体膜１１６、内層電極膜１１８、上層圧電／電歪体膜１２０及び上層電極膜１１４をこの順序で積層した２層構造を有している。 - 特許庁

After a copper plating layer 16 is formed on the surface of a lower-side metal layer 14 on the lower surface 11B of an original substrate 11, an insulating resin layer 19 is formed to cover the copper plating layer 16 on a cut line L extending over the entire width along the cut line L.例文帳に追加

元基板１１の下面１１Ｂ上の下側金属層１４の表面に銅めっき層１６が形成された後、切断ラインＬ上において、その銅めっき層１６を切断ラインＬに沿う方向の全幅にわたって覆うように絶縁樹脂層１９が形成される。 - 特許庁

The mass ratio of a content of the alkaline earth metal contained in the upper layer to a content of the alkaline earth metal contained in the lower layer is adjusted to 1:4 to 9:10, whereby the deactivation of the Pd in the lower layer can be inhibited while ensuring the activity of the Rh in the upper layer.例文帳に追加

上層に含まれるアルカリ土類金属の含有量と下層に含まれるアルカリ土類金属の含有量との質量比率を１：４〜９：１０とすることにより、上層のＲｈの活性を確保しつつ、下層のＰｄの失活も抑制することができる。 - 特許庁

A decorative sheet S formed of a polyolefin resin and having a concave-convex pattern 4 formed by embossing comprises the lower layer 1 of an olefinic thermoelastomer and the upper layer 2 of a crystalline polyolefin resin and the surface protective layer 3 of a cured product of an ionizing radiation curable resin stacked on the lower layer 1.例文帳に追加

ポリオレフィン系樹脂からなりエンボス加工による凹凸模様４を有する化粧シートＳを、オレフィン系熱可塑性エラストマーの下層１上に、結晶性ポリオレフィン系樹脂の上層２、及び、電離放射線硬化性樹脂の硬化物の表面保護層３が積層された構成とする。 - 特許庁

The etching depth of the part 52B which is not superimposed on the first trenches 51 of the second trench 52 is set in a depth penetrating an upper second DBR mirror layer containing an upper oxidizable layer in the laminating direction, but does not reach a lower second DBR mirror layer containing the lower oxidizable layer.例文帳に追加

第２溝５２の第１溝５１に重ならない部分５２Ｂのエッチング深さを、積層方向において上部酸化可能層を含む上部第２ＤＢＲミラー層を貫通すると共に、下部酸化可能層を含む下部第２ＤＢＲミラー層に達しない深さとする。 - 特許庁

The outermost layer contains a heat-resistant binder resin and 10-80 mass% of a fluorinated olefinic resin while the lower layer contains the heat-resistant binder resin and 5-50 mass% of the fluorinated olefinic resin and Ra (roughness) of the interface between the outermost layer and the lower layer is 0.3-0.6 μm.例文帳に追加

最上層は、耐熱性バインダー樹脂および１０〜８０質量％のフッ素化オレフィン樹脂を含み、下層は、耐熱性バインダー樹脂および５〜５０質量％のフッ素化オレフィン樹脂を含んでおり、最上層と下層との間の界面のＲａが０．３μｍ〜０．６μｍである。 - 特許庁

The underground wall 2 includes a non-liquefied layer burying underground wall 21 having a lower end part 2a reaching the non-liquefied layer 12 in the ground and being sufficiently buried thereinto and an in-liquefied layer underground wall 22 having the lower end part 2a buried into the liquefied layer 11 in the ground, and these underground walls are alternately arranged.例文帳に追加

地中壁２には下端部２ａが地盤内の非液状化層１２に達して十分に根入れされている非液状化層根入れ地中壁２１と、下端部２ａが地盤内の液状化層１１にある液状化層内地中壁２２とがあり、交互に配列される。 - 特許庁

In the optical waveguide having a lower clad layer, a core part and an upper clad layer, at least one of the lower clad layer, the core part and the upper clad layer consists of a cured product of a radiation-curing resin composition containing the following components (A) to (C).例文帳に追加

下部クラッド層と、コア部分と、上部クラッド層とを含む光導波路において、前記下部クラッド層、コア部分および上部クラッド層の少なくとも一つが、下記（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する放射線硬化性樹脂組成物の硬化物であることを特徴とする光導波路。 - 特許庁

The temporary structure 1 is provided with an upper concrete layer 2 having a strength fixing the equipment 10 for temporarily arranging the temporary equipment 10 at the upper part and a lower concrete layer 3 integrally formed with the upper concrete layer 2 at the vertically lower side of the upper concrete layer 2.例文帳に追加

この仮設構造物１は、上部に仮設の設備１０が配置され、配置される設備１０を固定可能な強度を有する上部コンクリート層２と、上部コンクリート層２の鉛直下方で上部コンクリート層２と一体に設けられる下部コンクリート層３とを備えている。 - 特許庁

In the planar magnetic element of such structure that a planar coil and an upper ferrite magnetic layer are laminated in the order on a lower ferrite magnetic layer, the magnetic substance volume density of the lower ferrite magnetic layer is set to 80 vol.% or over, and the magnetic substance volume density of the upper ferrite magnetic layer is set to 30 vol.% or over.例文帳に追加

下部フェライト磁性層の上に、平面コイルおよび上部フェライト磁性層を順次に積層した構造になる平面磁気素子において、下部フェライト磁性層の磁性体体積密度を 80vol％以上、上部フェライト磁性層の磁性体体積密度を30 vol％以上とする。 - 特許庁

A capacitor 102 is formed of a lower electrode 111 provided over the SiO2 layer 119 on an impurity layer 117 provided to a substrate 100, a ferroelectric layer 109 provided on the lower electrode 111, and an upper electrode 107 provided on the ferroelectric layer 109.例文帳に追加

基板１００に設けられた不純物層１１７上のＳｉＯ2層１１９上に設けられた下部電極１１１、下部電極１１１上に設けられた強誘電体層１０９、強誘電体層１０９上に設けられた上部電極１０７によってキャパシタ部１０２を形成する。 - 特許庁