「memory block」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Before data writing for one memory block in the plurality of memory blocks is completed, the control circuit starts the data writing for a memory block different from the one block and, thereby, includes a control logic 400 which permits parallel processing of the writing operation.例文帳に追加

上記制御回路は、上記複数のメモリブロックにおける一つのメモリブロックに対するデータ書込みが完了する前にそれとは別のメモリブロックに対するデータ書込みを開始することによって、書込み動作の並列処理を可能とする制御ロジック（４００）を含む。 - 特許庁

When the error bit number of the read data matches the allowable error bit number, the selected memory block inside the code data area is replaced by an extra memory block, and the selected memory block in the code data area is designated as a user data area.例文帳に追加

前記読み出されたデータのエラービット数が許容されるエラービット数と一致する場合、前記コードデータ領域の選択されたメモリブロックが余分のメモリブロックに取り替えられ、前記コードデータ領域の選択されたメモリブロックがユーザーデータ領域に指定される。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit device has a memory section including a block replacement information registration area capable of registering the block replacement information containing the address information of defective blocks, a bad block information registration area capable of registering the bad block information containing the bad block address information; a block replacement information register group to set the block replacement information; and a bad block flag register group to set the bad block information.例文帳に追加

ディフェクティブブロックのアドレス情報を含むブロック置換情報の登録が可能なブロック置換情報登録領域、及びバッドブロックのアドレス情報を含むバッドブロック情報の登録が可能なバッドブロック情報登録領域を含む記憶部と、ブロック置換情報がセットされるブロック置換情報レジスタ群と、バッドブロック情報がセットされるバッドブロックフラグレジスタ群とを備える。 - 特許庁

A rearrangement decision part activates a rearrangement signal when an access request address for wrap-accessing at least one memory block that is an access unit of the semiconductor memory is different from a head address of the memory block.例文帳に追加

並べ替え判定部は、半導体メモリのアクセス単位である少なくとも１つのメモリブロックをラップアクセスするためのアクセス要求アドレスが、メモリブロックの先頭アドレスと異なるときに並べ替え信号を活性化する。 - 特許庁

While receiving the element of the data block, the interface logic decides repeatedly a free memory capacity of the buffer memory, if the free memory capacity is lower than a prescribed threshold value, a block transfer is stopped temporarily.例文帳に追加

データ・ブロックの要素を受信している間、インタフェース・ロジックは、メモリ・バッファの空きメモリ容量を繰り返し決定し、空きメモリ容量が所定のしきい値を下回るときにブロック転送を一時的に停止する。 - 特許庁

This processing time measuring system comprises a memory 30, a first block 10 executing a plurality of communication processings using the memory 30, and a second block 20 connected to the memory 30 and monitoring the plurality of communication processings.例文帳に追加

処理時間測定システムは、メモリ３０と、メモリ３０を用いて複数の通信処理を実行する第１ブロック１０と、メモリ３０に接続され複数の通信処理を監視する第２ブロック２０とを備える。 - 特許庁

The number of defective memory blocks 2 is counted by a counter 4 based on the detection result of a block failure detection part 3, and when the number exceeds a preliminarily set comparison value, it is decided that the memory block is defective by a memory failure determination part 5.例文帳に追加

ブロック故障検出部３の検出結果に基づいて、カウンタ４で故障したメモリブロック２の数をカウントし、その数が予め設定した比較値を超えた場合にメモリ故障判定部５で故障と判定する。 - 特許庁

In the storage device, a connection interface connected to a host computer is installed, the connection interface connects a microcontroller to a memory, and the memory is divided into a hiding block, a first application program block, an unsecurity protection data block and a security protection data block to store an authentication program.例文帳に追加

ストレージデバイスはホストコンピューターに連接する連接インターフェースを設置し、連接インターフェースはマイクロコントローラーとメモリを連接し、メモリは隠れブロック、第一アプリケーションプログラムブロック、未機密保持データブロック、機密保持データブロックに分割されて認証プログラムを保存する。 - 特許庁

Also, a method of scanning the nonvolatile memory device for the bad blocks can be provided by sequentially scanning blocks in the nonvolatile memory device for data indicating that a respective block is a bad block starting at a starting block address that is above a lowermost block address of the nonvolatile memory device.例文帳に追加

また、不良ブロックに対する不揮発性メモリ装置のスキャニング方法は、各ブロックが不揮発性メモリ装置の最も低いブロックアドレス上にある開始ブロックアドレスで始まる不良ブロックであるということを表すデータに対する前記不揮発性メモリ装置のブロックを順次スキャニングすることによって提供することができる。 - 特許庁

When a power is started to supply to a second memory 104, and when a data transmission request is received, a first CPU 101 sequentially generates memory block identifiers each of which specifies each memory block in a predetermined order, writes data into the memory blocks in a predetermined order, and writes the memory block identifiers into a transfer management table 205.例文帳に追加

第１のＣＰＵ１０１は、第２のメモリ１０４に対する電源の供給が開始された場合においてデータ送信要求を受けた際に、各々のメモリブロックを所定の順番で特定するメモリブロック識別子を順次生成し、所定の順番に従ってメモリブロックにデータを書き込むとともにメモリブロック識別子を転送管理テーブル２０５に書き込む。 - 特許庁

The control part 45 accesses the backup block area, when the address pair is erased from the volatile memory 44a, to read the head address of the backup block and the head address of the defective block stored in the backup block, generates an address pair of the head address of the backup block and the head address of the defective block, and stores the generated address pair in the volatile memory 44a.例文帳に追加

制御部４５は、揮発性メモリ４４ａからアドレス対が消失している場合、予備ブロック領域へアクセスし、予備ブロックの先頭アドレスと当該予備ブロックに記憶されている不良ブロックの先頭アドレスを読み出し、予備ブロックの先頭アドレスと不良ブロックの先頭アドレスのアドレス対を生成し、生成したアドレス対を揮発性メモリ４４ａに記憶する。 - 特許庁

This simulation device changes an input port block having a configuration for receiving data from a block outside a subsystem block and inside an upper layer system, among a block group constituting the subsystem block, into a variable reading block acquiring a value set in a prescribed memory area (S220, S225).例文帳に追加

シミュレーション装置は、サブシステムブロックを構成するブロック群の内、サブシステムブロック外であって上層システム内のブロックからデータを受け取る構成にされた入力ポートブロックを、所定のメモリ領域に設定された値を取得する変数読出ブロックに変更する（Ｓ２２０，Ｓ２２５）。 - 特許庁

This device is provided with a plurality of cell blocks Block0- Block1023 in which a memory cell array is divided, and a plurality of ROM blocks Block-ROM0, Block-ROM1 which are provided as a storage region which cannot be rewritten freely by a user, which have respectively storage capacity being smaller than each cell block, and to which different block addresses are allotted.例文帳に追加

メモリセルアレイが分割された複数のセルブロックBlock0〜Block1023 と、ユーザーが自由に書き換えられない記憶領域として設けられ、それぞれ各セルブロックよりも小さな記憶容量を有し、それぞれ異なるブロックアドレスが割り当てられた複数のＲＯＭブロックBlock-ROM0、Block-ROM1とを具備する。 - 特許庁

The held data is read by the flash memory controller 3, and inputted to an ECC block 11 within the memory controller 3.例文帳に追加

保持されたデータは、フラッシュメモリコントローラ３によって読み出され、フラッシュメモリコントローラ３内のＥＣＣブロック１１に入力される。 - 特許庁

The semiconductor memory includes a plurality of blocks, each block is constituted of a plurality of pages, and each page has a plurality of memory cells.例文帳に追加

半導体メモリは、複数のブロックを有し、各ブロックは複数のページで構成され、各ページは複数のメモリセルを有している。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory in which a memory block can be divided arbitrarily to a 1T/1C type area and a 2T/2C type area.例文帳に追加

メモリブロックを１Ｔ／１Ｃ型領域と２Ｔ／２Ｃ型領域とに任意に分割できる強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

In the nonvolatile memory composed of multi-value memory cells, each page constituting a physical block is divided into four areas.例文帳に追加

多値メモリセルによって構成される不揮発性メモリにおいて、物理ブロックを構成する各ページは、４つの領域に区分される。 - 特許庁

It is determined whether a home system memory, to which an address related to a memory block is allocated, is inside the first matching domain or not.例文帳に追加

メモリ・ブロックに関連したアドレスが割り当てられたホーム・システム・メモリが第１の整合ドメイン内にあるかどうかが判断される。 - 特許庁

In order to equalize all the structures of memory blocks, a redundant word line and a redundant bit line are formed at each memory block.例文帳に追加

メモリブロックの構造を全て同じにするため、各メモリブロックに冗長ワード線および冗長ビット線が形成されている。 - 特許庁

In a block B control circuit 210, retrieval in the memory array B is started two cycle after the start of retrieval in the memory array A.例文帳に追加

ブロックＢ制御回路２１０は、メモリアレイＡでの検索を開始してから、２サイクル後に、メモリアレイＢでの検索を開始させる。 - 特許庁

The display memory (RAM block 200) includes a plurality of wordlines WL, a plurality of bitlines BL, and a plurality of memory cells MC.例文帳に追加

表示メモリ（ＲＡＭブロック２００）は、複数のワード線ＷＬと、複数のビット線ＢＬと、複数のメモリセルＭＣとを含む。 - 特許庁

Data read from a memory cell MC for one page in one block BL of a memory cell array is stored in a data holding circuit 12.例文帳に追加

メモリセルアレイの１ブロックＢＬ内の１ページ分のメモリセルＭＣから読み出されたデータがデータ保持回路１２で保持される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile data storage device that prevents bipolar phenomenon between pass transistors connected to a memory block of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイのメモリブロックに接続されるパストランジスタ間のバイポーラ現象を防止する不揮発性データ貯蔵装置を提供する。 - 特許庁

Subsequently, the data is transmitted to a memory cell on a selected word line in the other memory block through the rearrangement data line pair GRAP.例文帳に追加

次いで、このデータを再配置データ線対ＧＲＡＰを介して他方のメモリブロックの選択ワード線のメモリセルに伝達する。 - 特許庁

The memory cell array block 200 includes at least first and second memory cell blocks 21, 22 divided into blocks with an erasure unit.例文帳に追加

メモリセルアレイブロック２００は、消去単位でブロック分割された少なくとも第１及び第２のメモリセルブロック２１，２２を含む。 - 特許庁

In response to the initialization request, the target memory block is initialized to an initialization value within a memory of the data processing system.例文帳に追加

初期設定要求に応答して、ターゲット・メモリ・ブロックはデータ処理システムのメモリ内で初期設定値に初期設定される。 - 特許庁

To provide a stack type nonvolatile semiconductor memory device capable of selectively performing an erasing operation in a memory block.例文帳に追加

メモリブロック内で選択的に消去動作を実行することが可能な積層型の不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

An encoding section 106 inputs the block image data and the block support information simultaneously read from the memory 105 via the data transfer control section 104 and encodes the block image data for the unit of a block on the basis of the block support information.例文帳に追加

符号化部１０６は、データ転送制御部１０４を介しメモリ１０５から一度に読み出されるブロック画像データとブロック補助情報とを入力して、ブロック画像データをブロック補助情報に基づいてブロック単位に符号化をする。 - 特許庁

The memory startup control block CTRL1 interprets an address signal ADDR11 and an instruction signal CMD11 input from the arithmetic block IP1, and when a readout instruction is issued successively two times or more for a same memory address, stops a memory starting signal CLK12 to the memory block MEM1.例文帳に追加

メモリ起動制御ブロックＣＴＲＬ１は、演算ブロックＩＰ１から入力されるアドレス信号ＡＤＤＲ１１と命令信号ＣＭＤ１１を解釈し、同一メモリアドレスに対して２回以上連続して読み出し命令が発行された場合には、メモリブロックＭＥＭ１に対するメモリ起動信号ＣＬＫ１２を停止する。 - 特許庁

By means of a memory control block 43 the USB memory 4 stores into a memory 44 data inputted from the computer proper 1 through the USB terminal 41 and the USB interface control block 42, and reads data stored in the memory 44 and outputs the data into the computer body 1 through the USB interface control block 42 and the USB terminal 41.例文帳に追加

メモリ制御部４３で、ＵＳＢ端子４１およびＵＳＢインタフェース制御部４２を介してコンピュータ本体１から入力したデータをメモリ４４に格納し、メモリ４４に格納されたデータを読み出してＵＳＢインタフェース制御部４２およびＵＳＢ端子４１を介してコンピュータ本体１に出力する。 - 特許庁

This integrated circuit is provided with the plurality of blocks including the input block, the output block, and the signal processing block; and a front side memory for writing and a back side memory for reading as a plurality of communication memories corresponding to a plurality of transmission paths among the blocks, wherein the front side memory and the back side memory are switched in each sampling cycle.例文帳に追加

入力ブロック、出力ブロック、信号処理ブロックを含む複数のブロックと、ブロック間の複数の伝送経路に対応した複数の通信メモリで書き込み用の表側メモリと読み出し用の裏側メモリとを有し、サンプリング周期毎に表側メモリと裏側メモリとが入れ替わるものとを含むようにする。 - 特許庁

This device comprises a bad block determining part 15 for determining an unusable block (bad block) of a tested memory 20 on the basis of a result of comparison of contents of an output signal SG6 from the tested memory 20 and an expected value included in an expectation signal SG5, and storing a block address for specifying the block.例文帳に追加

被試験メモリ２０からの出力信号ＳＧ６の内容と期待信号ＳＧ５に含まれる期待値とを比較する比較部１３の比較結果に基づいて、被試験メモリ２０の使用不可能なブロック（バッドブロック）の判定を行い、そのブロックを特定するブロックアドレスを記憶するバッドブロック判定部１５を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having strong resistance to errors in a software even if using a memory block corresponding to an ECC system and a BIST block together.例文帳に追加

ＥＣＣシステム対応のメモリブロックとＢＩＳＴブロックを併用した場合でもソフトエラー耐性の強い半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a control method for a defective block by which a defective block is easily controlled and to provide a semiconductor memory.例文帳に追加

本発明は、不良ブロックの管理が容易な不良ブロック管理方法及び半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Thus, selection of a block corresponding to the block address signal ARi is performed for each memory cell array 11a, 11b.例文帳に追加

これにより、メモリセルアレイ１１ａ，１１ｂごとに、ブロックアドレス信号ＡＲｉに対応したブロックの選択が行われる構成となっている。 - 特許庁

Otherwise, a routine for writing the result obtained in each signal processing block to the memory 7 is added to the next stage of the signal processing block.例文帳に追加

または、各信号処理ブロックで得られた結果をメモリ７に書き込むためのルーチンを信号処理部ブロックの次段に追加する。 - 特許庁

An address management table LPT and a physical block management table ET are held in a physical block different from data in a nonvolatile memory 20.例文帳に追加

不揮発性メモリ２０内のデータとは異なる物理ブロックにアドレス管理テーブルＬＰＴおよび物理ブロック管理テーブルＥＴを保持する。 - 特許庁

A block extraction part 102 extracts image data per macro block pair from a frame memory 101 and outputs the extracted image data to a first buffer 103.例文帳に追加

ブロック抽出部１０２はフレームメモリ１０１からマクロブロック・ペア単位で画像データを抽出し、第１のバッファ１０３へ出力する。 - 特許庁

A controller 11 of a recording medium 1 obtains block attribute information from each erasure block of a user area of a memory 12 when processing of a writing system to the memory 12 is performed.例文帳に追加

記録メディア１のコントローラ１１は、メモリ１２への書き込み系の処理が行われた場合、メモリ１２のユーザ領域の各消去ブロックからブロック属性情報を取得する。 - 特許庁

Each first driver unit before a selection memory block, connects a corresponding digit line and first voltage depending on a voltage level of the digit line of the same row of a memory block of the preceding stage.例文帳に追加

選択メモリブロック以前の各第１のドライバユニットは、前段のメモリブロックの同一行のデジット線の電圧レベルに応じて対応するデジット線と第１の電圧とを接続する。 - 特許庁

In this case, the software is not rewritten over all memory (ROM) spaces of the portable telephone set, but is segmentalized, then the segmentalized software are arranged for every block of the memory (ROM) space and are rewritten in block unit.例文帳に追加

この時に、携帯電話機の全てのメモリ（ROM）空間に対して書き換えを行うのではなく、ソフトを細分化してメモリ（ROM）空間のブロックごとに配置し、そのブロック単位で書き換えを行う。 - 特許庁

When data in a memory block MB to be erased is erased, the voltage VPW of the P-type well PW is applied to all the word lines WL in the memory block MB to be erased.例文帳に追加

また、消去対象のメモリブロックＭＢのデータを消去する場合、Ｐ型ウェルＰＷの電圧ＶＰＷを、消去非対象のメモリブロックＭＢの全ワード線ＷＬに印加する。 - 特許庁

When a memory block is requested, the 1st list is retrieved, a memory block of proper size is allocated to the request and then the contents of the 1st and 2nd lists are updated based on the allocation.例文帳に追加

そして、メモリブロックが要求された場合には、第１のリストを検索して適切なサイズのメモリブロックを割り当て、その後、その割り当てに基づいて第１及び第２のリストを更新する。 - 特許庁

When processing of a write-in system to a memory 12 is performed, a controller 11 of a recording medium 1 acquires block attribute information from each erasure block of a user area of the memory 12.例文帳に追加

記録メディア１のコントローラ１１は、メモリ１２への書き込み系の処理が行われた場合、メモリ１２のユーザ領域の各消去ブロックからブロック属性情報を取得する。 - 特許庁

The arithmetic unit 12a selected from the plurality of arithmetic units 12 transfers data inside the memory block A30 of the removal object to a memory block D33 secured as a transfer destination.例文帳に追加

複数の演算装置１２の中から選定された演算装置１２ａは、抜去対象のメモリブロックＡ３０内のデータを、転送先として確保したメモリブロックＤ３３に転送する。 - 特許庁