「movpe method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An n-type layer 103, the light emitting layer 104 and a p-type layer 105 in which III nitride compound semiconductor or the like is formed on a sapphire substrate 101 are sequentially formed by an MOVPE method or the like.例文帳に追加

MOVPE 法等により、サファイア基板１０１上にIII 族窒化物系化合物半導体等であるｎ型層１０３、発光層１０４、ｐ型層１０５を順次形成する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR MOVPE AND COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER USING THE SAME例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ用化合物半導体基板及びこれを用いた化合物半導体ウェハの製造方法 - 特許庁

To provide a new epitaxial growth method which can increase the epitaxial growth speed of a nitride-based semiconductor by MOVPE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供する - 特許庁

To provide a compound semiconductor wafer for MOVPE hard to cause slippage in a wafer plane, even if rapid temperature change is applied, and to provide its manufacturing method, and a manufacturing method of a compound semiconductor epitaxial wafer for MOVPE.例文帳に追加

急激な温度変化が与えられても、ウェハ面内にスリップが発生し難いＭＯＶＰＥ用化合物半導体ウェハ、その製造方法及びＭＯＶＰＥ用化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor wafer is provided with at least a channel layer 35, formed on a substrate 30 by an MOVPE method and planar doped layers 37 and 39 formed isolated in at least two layers on the layer 35 via a planar doped isolation layer 38 by the MOVPE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法により、基板３０上に形成されたチャネル層３５と、前記チャネル層上にプレーナドープ分離層３８を介して少なくとも２層に分離形成されたプレーナドープ層３７、３９とを少なくとも備える。 - 特許庁

To provide a novel epitaxial growth method of increasing an epitaxial growth speed of a nitride group semiconductor by a MOVPE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供すること。 - 特許庁

In a semiconductor device, an N-InP buffer layer 2 0.5 to 2 μm in thickness is grown on an N-InP substrate 1 through a MOVPE method.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に，ｎ−ＩｎＰバッファ層２（厚さ０．５〜２μｍ）をＭＯＶＰＥ法によって成長させる。 - 特許庁

When the multilayer quantum well active layer 15 is grown by MOVPE method, triethyl gallium is employed as a gallium source.例文帳に追加

また、ＭＯＶＰＥ法を用いて多重量子井戸活性層１５を成長する際には、ガリウム源としてトリエチルガリウムを用いる。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor crystal and a method for growing the same, by which an interface of a δ dope layer is made sharper and the mobility of electrons is improved in either MOVPE method or MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法であれＭＢＥ法であれ、δドープ層界面をよりシャープにして電子移動度の向上を図った化合物半導体結晶及びその成長法を提供すること。 - 特許庁

A p-type CdTe monocrystal layer 12 is epitaxially grown by using an MOVPE method and formed on a CdTe monocrystal wafer 11.例文帳に追加

ＣｄＴｅ単結晶ウェーハ１１上にｐ型ＣｄＴｅ単結晶層１２をＭＯＶＰＥ法によりエピタキシャル成長させて形成する。 - 特許庁

To provide an MOVPE growth method capable of keeping the surface state of an epitaxial wafer after growth specular continuously without contaminating the surface state.例文帳に追加

常に成長後のエピタキシャルウェハの表面状態を汚さず鏡面に保つことを可能にしたＭＯＶＰＥ成長方法を提供することにある。 - 特許庁

A P-type CdTe growth layer 13 of a high-resistance is formed by the MOVPE method on the Si substrate 11 on which the arsenic coating layer 12 is formed.例文帳に追加

砒素被覆層１２の形成されたＳｉ基板１１上に、ＭＯＶＰＥ法により高抵抗のＰ型のＣｄＴｅ成長層１３が積層形成される。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor surface light emitting device having a plurality of wavelengths on the same substrate using the MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy) selective growth method.例文帳に追加

本発明は、ＭＯＶＰＥ選択成長法を用いて、同一基板上に複数の波長を有する半導体面発光素子を製造することを目的とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the p-type nitride compound semiconductor comprises the steps of growing the p-type nitride layer 4, grown by vapor phase growth method such as MOVPE method, and then cooling the layer 4 in an atmosphere of rare gas which does not contain hydrogenated gas, such as ammonia or the like, and which contains hydrogen.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法等の気相成長法によりｐ型窒化物層４を成長させた後、アンモンニア等の水素化物ガスを含まず、かつ、水素を含む希ガスの雰囲気内において冷却を行う。 - 特許庁

To provide an MOVPE growth apparatus capable of keeping mirror surface state without contaminating the surface condition of an epitaxial wafer after growing, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

成長後のエピタキシャルウェハの表面状態を汚さず鏡面に保つことを可能にしたＭＯＶＰＥ成長装置及び成長方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide an organic metal vapor deposition apparatus and its deposition method for preventing contamination of impurity in a MOVPE process using a material gas of doped chlorine.例文帳に追加

有機金属気相成長装置及び有機金属気相成長方法に関し、Ｃｌ添加原料ガスを用いたＭＯＶＰＥ工程における不純物の混入を防止する。 - 特許庁

In a method for manufacturing the compound semiconductor substrate 10 for MOVPE, on which an epitaxial layer 20 made of a material including GaAlAs is grown according to MOVPE method, and the compound semiconductor wafer using the same, when a surface 1 where the epitaxial layer 20 is formed is placed face up, a central part 3 is bent at a high position and a peripheral part 4 is bent at a low position.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法によりＧａＡｌＡｓ等のエピタキシャル層２０を成長させるＭＯＶＰＥ用化合物半導体基板１０及びそれを用いた化合物半導体ウェハの製造方法において、エピタキシャル層２０が形成される表面１を上側に向けたとき中央部３が高く、かつ周辺部４が低く湾曲するように形成する。 - 特許庁

In the compound semiconductor wafer for MOVPE in which an epitaxial layer, such as AlGaAs or InGaAs is grown by the MOVPE method, the epitaxial growth takes place by means of a wafer which is low at the center, when a surface for growing the epitaxial layer faces upward and whose periphery is warped high and concentrically.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法によりＡｌＧａＡｓやＩｎＧａＡｓ等のエピタキシャル層を成長させるＭＯＶＰＥ用化合物半導体ウェハにおいて、エピタキシャル層を成長させる表面を上側に向けた時に中央部が低く、かつ周辺部が高く同心円状に反っているウェハを用いてエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A CdTe growth layer of film thickness of about 0.2 to 0.5 μm is formed in the Si substrate wherein the arsenic coating layer is formed by an MOVPE method in atmosphere of about 450 to 500°C .例文帳に追加

砒素被覆層の形成されたＳｉ基板に、４５０〜５００°Ｃ程度の雰囲気中で、ＭＯＶＰＥ法によりＣｄＴｅ成長層が０．２〜０．５μｍ程度の膜厚で形成される。 - 特許庁

To provide a method for reducing the lattice defects on an n-type nitride semiconductor layer and growing an n-type nitride semiconductor at the time of growing it on the surface of a substrate for which lattice coherence is not obtained by a vapor growth method such as MOVPE and MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥ法等の気相成長法により、格子整合していない基板の表面にｎ型窒化物半導体を成長させる際に、ｎ型窒化物半導体層の格子欠陥を少なくして成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor wafer which has the structure of a high-electron mobility transistor, which is manufactured through an MOVPE method and comprises planar doped layers, and is high in both the sheet carrier concentration and the electron mobility in the wafer.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法により製造されたプレーナドープ層を含む高電子移動度トランジスタの構造を有し、シートキャリア濃度や移動度が共に高い化合物半導体ウェハを提供すること。 - 特許庁

When that layer is formed by MOVPE method, missing of oxygen can be suppressed effectively during film deposition and a p-type MgxZn1-xO layer having good characteristics can be obtained.例文帳に追加

そして、その層形成をＭＯＶＰＥ法にて行なうことにより、成膜中の酸素欠損発生を効果的に抑制でき、良好な特性のｐ型Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ層を得ることが可能となる。 - 特許庁

To realize a constant coupling coefficient without depending upon an oscillation wavelength in the batch formation method of a different- wavelength DFB laser or a different-wavelength EA modulator integrated DFB laser manufactured by using a selective MOVPE method.例文帳に追加

選択ＭＯＶＰＥ法を用いて作製する異波長ＤＦＢレーザあるいは、異波長ＥＡ変調器集積ＤＦＢレーザの一括形成方法において、発振波長によらず一定の結合係数（κ）を実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor element in which an MgZnO based oxide element layer can be grown with high efficiency and high quality on a substrate of a different material, e.g. sapphire or SiC, by MOVPE.例文帳に追加

サファイアやＳｉＣ等の異材質基板上にＭｇＺｎＯ系酸化物素子層をＭＯＶＰＥ法により高能率かつ高品質にて成長できる化合物半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

When an N-type conductive layer 2 is grown on a semiconductor substrate 1 through an MOVPE method, a mixture of Si2H6 and H2Se as N-type dopant is fed to enable Si and Se to reside in the N-type conductive layer.例文帳に追加

半導体基板１上に、ＭＯＶＰＥ法によってｎ型導電性層２を成長させる場合に、ｎ型ドーパントとしてＳｉ_2Ｈ_6およびＨ_2Ｓｅを供給してｎ型導電性層中にＳｉおよびＳｅを存在させる。 - 特許庁

Here, the compound semiconductor layer 2 is made of AlN and the compound semiconductor layers 3A, 3B are made of AlGaN, however when the compound semiconductor layer 3A is grown by a normal MOVPE method, the Al composition ratio becomes smaller than a target value.例文帳に追加

ここで、化合物半導体層２はＡｌＮ、化合物半導体層３Ａ，３ＢはＡｌＧａＮからなるが、化合物半導体層３Ａを通常のＭＯＶＰＥ法で成長させると、Ａｌ組成比が目的の値よりも小さくなってしまう。 - 特許庁

A crystal defect due to donor appears in n-type AlGaAs grown by MOVPE but a similar crystal defect is not detected in n-type GaInP, n-type AlInP and n-type AlGaInP grown by the same method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法で成長させたｎ型ＡｌＧａＡｓにはドナーに起因する結晶欠陥が発生するが、同様の方法で成長させたｎ型ＧａＩｎＰ、ｎ型ＡｌＩｎＰ、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰには同種の結晶欠陥は検出されない。 - 特許庁

In the case of growing an epitaxial layer containing an active layer 4 and a window layer 6 on an n-type GaAs substrate 1 by an MOVPE method, the layer 8 has a carrier concentration of 5×1018 cm-3 or more and is formed of an AlGaInP layer having a larger band gap than that of the layer 4.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上にＭＯＶＰＥ法によって活性層４およびウィンドウ層６を含むエピタキシャル層を成長させる際に、ウィンドウ層６は、５×１０^18ｃｍ^-3以上のキャリア濃度を有し、かつ、活性層４よりバンドギャップの大きいＡｌＧａｌｎＰ層により構成する。 - 特許庁

To realize an epitaxial wafer for an HEMT which is more excellent in electrical property than uniform dope and planar dope by inserting a thin layer of a high carrier concentration instead of a planar dope technique which hardly shows characteristics in a compound semiconductor mainly containing nitrogen formed by an MOVPE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法で成長した、窒素を主に含む化合物半導体では特性を出しにくいプレーナードープ技術に代わり、高キャリア濃度の薄層を挿入することにより、均一ドープやプレーナードープよりさらに電気的特性の優れたＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハを実現すること。 - 特許庁

At growing a group III-V compound semiconductor crystal whose V group elements contain phosphate by an MOVPE method, gas other than hydrogen which is chemically stable at a standard condition of 0°C and one atmospheric pressure, for example, the mixed gas of nitride or rare gas and gas made of phosphate raw materials and group III raw materials is made to flow as carrier gas.例文帳に追加

Ｖ族元素にリンを含むIII−Ｖ族化合物半導体結晶をＭＯＶＰＥ法で成長する際、０℃、１気圧の標準状態で化学的に安定な水素以外のガス、例えば窒素や希ガスと、リン原料及びIII族原料のガスとの混合ガスをキャリアガスとして流す。 - 特許庁

Inconstant κ, depending upon the oscillation wavelength or mask width used for selective MOVPE in a conventional manufacturing method is corrected by previously modulating a diffraction grating shape before crystal growth, and constant κ is realized without depending upon the oscillation wavelength and selective-growth mask width.例文帳に追加

従来の製造方法では、発振波長あるいは選択ＭＯＶＰＥに用いるマスク幅に依存して変化してしまうκを、結晶成長前の回折格子形状をあらかじめ変調しておくことにより補正し、発振波長や選択成長マスク幅に依存せず一定のκ実現する。 - 特許庁

A growth speed of 10 μm/Hr or over is obtained by decreasing a V/III ratio under a prescribed condition by the MOVPE method, and this is applied to the growth of an a-plane nitride group semiconductor layer on an r-plane sapphire substrate so as to apply the growth method to a light emitting element and an electron transit element using the a-plane nitride group semiconductor.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でＶ／ＩＩＩ比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをr面サファイア基板上のａ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子走行素子への応用を行うこと。 - 特許庁

Extending over the entire surface of the upper surface of a substrate 11A made of sapphire, which has a projected part 11a having a width of about 10 μm in a side direction on the upper surface, a first semiconductor layer 12A composed of Al_yGa_1-yN and a second semiconductor layer 13 composed of In_xGa_1-xN are sequentially grown by a MOVPE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法を用いて上面に側面方向の幅が１０μｍ程度の凸部１１ａを有するサファイアよりなる基板１１Ａの上面に全面にわたって、Ａｌ_y Ｇａ_1-y Ｎよりなる第１の半導体層１２Ａと、Ｉｎ_x Ｇａ_1-x Ｎよりなる第２の半導体層１３とを順次成長させる。 - 特許庁

A growth substrate is arranged in a reaction vessel, organic metal gas of a group III metal diluted with a carrier gas is used as a group III metal source, and a semiconductor layer of the group III nitride compound is epitaxially grown on the growth substrate through an MOVPE method using ammonia gas as a nitrogen source.例文帳に追加

成長用基板を反応容器中に配置し、ＩＩＩ族金属源として該ＩＩＩ族金属の有機金属ガスをキャリアガスにて希釈して用い、窒素源としてアンモニアガスを用いたＭＯＶＰＥ法によりＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層を成長用基板上にエピタキシャル成長する。 - 特許庁

In an epitaxial wafer for HTV, a collector contact layer 8 of n+-GaAs, a collector layer 7 of n-GaAs, a base layer 6 of p+-GaAs, an emitter layer 5 of n-InGaP, and a non-alloy layer 4 of n+-InGaAs are grown by MOVPE method on a semi-insulating GaAs substrate.例文帳に追加

このＨＴＢ用エピタキシャルウェハは、半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、ｎ^+-ＧａＡｓからなるコレクタコンタクト層８、ｎ−ＧａＡｓからなるコレクタ層７、ｐ^+-ＧａＡｓからなるベース層６、ｎ−ＩｎＧａＰからなるエミッタ層５、およびｎ^+-ＩｎＧａＡｓからなるノンアロイ層４をＭＯＶＰＥ法により成長させたものである。 - 特許庁

An InGaAsP guide layer 104, an MQW active layer 105 and a p-InP clad layer 106 are selectively grown on an n-InP substrate 101 by a selective MOVPE method by using a pair of SiO2 stripe masks 103, in such a way that the width of the stripe masks 103 is made wide according to an oscillation wavelength.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１０１上に、一対のＳｉＯ_2ストライプマスク１０３を用いて、前記ストライプマスク１０３の幅を、発振波長に応じて広くし、選択ＭＯＶＰＥ法によって、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１０４、ＭＱＷ活性層１０５、およびｐ−ＩｎＰクラッド層１０６を選択成長させる。 - 特許庁

To improve efficiency of a light-emitting device by improving crystallinity of another nitride semiconductor, growing on the surface of an n-type nitride semiconductor layer, by providing a method for growing the n-type nitride semiconductor layer with less lattice defects when the n-type nitride semiconductor layer grows on the surface of a lattice-mismatched substrate, with a vapor phase growth method, such as a MOVPE and MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥ法等の気相成長法により、格子整合していない基板の表面にｎ型窒化物半導体を成長させる際に、ｎ型窒化物半導体層の格子欠陥を少なくして成長させる方法を提供することにより、ｎ型窒化物半導体層の表面に成長させる他の窒化物半導体の結晶性を向上させて、発光素子の効率を向上させる。 - 特許庁

Further, such a quantum dot density distribution is possible by providing a two-line stripe shape, using a mask with a space variation shape in which the space in a region at an optical incidence plane side of the optical waveguide becomes narrower than the space in the region at the optical outgoing plane side, and forming a lamination by the MOVPE method.例文帳に追加

また、その様な量子ドット密度分布は、２列のストライプ形状を有し、かつ前記光導波路の光入射面側の領域における前記間隔が、光出射面側の領域における前記間隔よりも狭くなるような間隔変化形状をもったマスクを用い、有機金属気相成長法によって積層形成することで可能となる。 - 特許庁

As a p-type contact layer composed of AlGaN is grown by a MOVPE method as the uppermost layer of the lamination structure of a GaN series semiconductor to be formed on a substrate, ammonia and an inert gas with respect to the GaN semiconductor are introduced into a growing furnace so that a ratio of ammonia is set to 0 to 0.025, while a temperature of the p-type contact layer is dropped.例文帳に追加

基板上に形成するＧａＮ系半導体の積層構造の最上層として、ＡｌＧａＮからなるｐ型コンタクト層をＭＯＶＰＥ法により成長した後、成長炉内にアンモニアと、ＧａＮ系半導体に対して不活性なガスとを、アンモニアの比率が０〜０．０２５となるように導入しながら、ｐ型コンタクト層の降温を行う。 - 特許庁

In the MOVPE method there is obtained a growth speed of 10 μm/Hr or higher by lowering the group V/III ratio under a definite condition, and by applying this to the growth of an A surface nitride-based semiconductor layer on an R surface sapphire substrate, an application to a light emitting element and an electronic device using the A surface nitride-based semiconductor is executed.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でV／III比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをＲ面サファイア基板上のＡ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、Ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子デバイスへの応用を行う。 - 特許庁