「mr2」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The gate of the third set transistor ms3 and the gate of the second reset transistor mr2 are connected to the output terminal of the first inverter 32.例文帳に追加

第３セットトランジスタｍｓ３のゲートおよび第２リセットトランジスタｍｒ２のゲートは、第１インバータ３２の出力端子と接続される。 - 特許庁

Memory cells in a second group of the memory cells are mask ROM memory cells MR1 and MR2 in which data is set by a mask.例文帳に追加

複数のメモリーセルのうちの第２のグループのメモリーセルは、マスクによりデータが設定されるマスクＲＯＭメモリーセルＭＲ１、ＭＲ２である。 - 特許庁

Thereafter, complex conjugate data MR1*, MR2* on one of the first magnetic resonance signal MR1 and the second magnetic resonance signal MR2 are generated in series so as to correspond to a step of the other polarity in the phase encode direction Gp of the k space alternately in a time axial direction collecting the first magnetic resonance signal MR1 and the second magnetic resonance signal MR2 to fill the k space.例文帳に追加

その後、第１磁気共鳴信号ＭＲ１と第２磁気共鳴信号ＭＲ２とを収集した時間軸方向で交互になるように、第１磁気共鳴信号ＭＲ１と第２磁気共鳴信号ＭＲ２との一方についての複素共役データＭＲ１＊，ＭＲ２＊を、ｋ空間の位相エンコード方向Ｇｐにおける他方の極性のステップに対応するように、順次生成し、ｋ空間を埋める。 - 特許庁

(meth) acrylic compound of the formula CH2=C(R1)COO-(CnH2nO)mR2 (R1 is H or methyl; R2 is phenyl or a 1-5C alkyl; (n) is 1-3; (m) is 1-25).例文帳に追加

ＣＨ_2＝Ｃ（Ｒ^1）ＣＯＯ−（Ｃ_nＨ_2nＯ）_mＲ^2 （１） （Ｒ^1はＨまたはメチル基、Ｒ^2は、フェニル基またはＣ_１〜５のアルキル基、ｎは１〜３、ｍは１〜２５） - 特許庁

Among them, A1, A2, B1 and B2 are magnetoresistance effect elements constituting the sensing part, and MR1 and MR2 are magnetoresistance effect elements constituting the reference part.例文帳に追加

このうち、Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２はセンシング部を構成する磁気抵抗効果素子であり、ＭＲ１，ＭＲ２はリファレンス部を構成する磁気抵抗効果素子である。 - 特許庁

In a display memory, first and second memory areas MR1 and MR2 for storing display data of first and second display areas of the electrooptical panel are secured.例文帳に追加

表示メモリーには電気光学パネルの第１、第２の表示領域の表示データを記憶する第１、第２のメモリー領域ＭＲ１、ＭＲ２が確保される。 - 特許庁

In the second treatment block 12, there are a plurality of end face cleaning units SSB, a plurality of front cleaning units SS, and a second main robot MR2.例文帳に追加

第２の処理ブロック１２には、複数の端面洗浄ユニットＳＳＢ、複数の表面洗浄ユニットＳＳおよび第２のメインロボットＭＲ２が設けられている。 - 特許庁

The correction electrode 16' is connected to the output voltage electrode 16 in a region different from that on a formation surface of the magnetoresistive elements MR1, MR2 of the semi-insulating substrate 11.例文帳に追加

補正用電極１６’は、半絶縁性基板１１の磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２形成面上とは異なる領域で出力電圧用電極１６に接続する。 - 特許庁

In the mask ROM memory cells MR1 and MR2, data is set, according to the presence/absence of contacts CN1 and CN2 for electrically connecting a source and the corresponding source line SL2.例文帳に追加

マスクＲＯＭメモリーセルＭＲ１、ＭＲ２は、ソースと対応するソース線ＳＬ２とを電気的に接続するためのコンタクトＣＮ１、ＣＮ２の有無によってデータが設定される。 - 特許庁

The storage device includes a plurality of memory cells ME1, ME2, MR1, and MR2; a plurality of word lines WL1 and WL2; a plurality of bit lines BL1 and BL2; and a plurality of source lines SL1 and SL2.例文帳に追加

記憶装置は、複数のメモリーセルＭＥ１、ＭＥ２、ＭＲ１、ＭＲ２と、複数のワード線ＷＬ１、ＷＬ２と、複数のビット線ＢＬ１、ＢＬ２と、複数のソース線ＳＬ１、ＳＬ２とを含む。 - 特許庁

The wear resistant ring formed of a porous metal sintered body is cast in the piston so that the surface roughness satisfies the inequality {Rvk×(100-Mr2)}/100≥1.5, and the boundary strength is stably above the desired value.例文帳に追加

多孔質金属焼結体からなる耐摩環の表面粗さを｛Ｒ_vk×（100 −Ｍ_r2）｝／100 ≧1.5 を満足するようにして、ピストンに鋳包み、境界強度を安定して所望の強度以上とする。 - 特許庁

The optical scanning apparatus includes a light source 14, an optical system before a polariscope, a polygon mirror, and a scanning optical system including a plastic scanning lens 11 and three folding mirrors (MR1, MR2, and MR3), or the like.例文帳に追加

光源１４、偏光器前光学系、ポリゴンミラー、樹脂製の走査レンズ１１及び３枚の折り返しミラー（ＭＲ１、ＭＲ２、ＭＲ３）を含む走査光学系などを備えている。 - 特許庁

For each of the magnetic detection elements 12, 22, as to measurement values of the element, displacements of the measurement values with respect to reference measurement values Mr1, Mr2 in a reference state such as shipping time before the displacements occur are calculated.例文帳に追加

磁気検出素子１２、２２毎にその測定値について、変位が生じる前の、出荷時等といった基準状態における基準測定値Ｍｒ１、Ｍｒ２に対する測定値の変位を演算する。 - 特許庁

A magnetic detection part 10 includes a first series circuit 101, including a magnetoresistive element MR1 and a resistive element R1, and a second series circuit 102 including a magnetoresistive element MR2 and a resistive element R2.例文帳に追加

磁気検出部１０は、磁気抵抗素子ＭＲ１と抵抗素子Ｒ１とからなる第１直列回路１０１と、磁気抵抗素子ＭＲ２と抵抗素子Ｒ２とからなる第２直列回路１０２とを備える。 - 特許庁

Here, Rvk is a depth (depth of a groove part dislocated from an effective load roughness Rk) (μm) of an oil reservoir, and Mr2 is a load length ratio 2 (load length ratio corresponding to an lower limit of the effective load roughness Rk) (%).例文帳に追加

ここで、Ｒｖｋは油溜まり深さ（有効負荷粗さＲｋを外れる溝部の深さ）（μｍ）であり、Ｍｒ２は負荷長さ率２（有効負荷長さＲｋの下限値に相当する負荷長さ率）（％）である。 - 特許庁

MR1 indicates the ratio of the number of mols of the hydroxyl group to the number of mols of the isocyanate group in one adhesion layer and MR2 indicates the mol ratio (the number of mols of the isocyanate group/the number of mols of the hydroxyl group) in another adhesion layer.例文帳に追加

但し、ＭＲ１は一方の接着層におけるイソシアネート基のモル数に対する水酸基のモル数の比率を表し、ＭＲ２は、他方の接着層におけるモル比率（水酸基のモル数／イソシアネート基のモル数）を表す。 - 特許庁

The diameters of the respective main reels MR1, MR2 and MR3 are relatively small compared to a multiple display area WD2, and a plurality of patterns each of whose vertical width is determined to be ≥25mm and horizontal width is determined to be ≥35mm are formed on respective outer peripheral surfaces.例文帳に追加

各メインリールＭＲ１，ＭＲ２，ＭＲ３は、多重表示領域ＷＤ２に較べて相対的に小さい直径とし、夫々の外周面に縦幅が２５ｍｍ以上、横幅が３５ｍｍ以上に決められた複数個の図柄を形成する。 - 特許庁

The diameter of the respective main reels MR1, MR2 and MR3 is relatively small compared to the display window WD2 of the sub reel device 200, and a plurality of patterns whose vertical width is set to ≥25 mm and horizontal width is set to ≥35 mm are formed on respective outer peripheral surfaces.例文帳に追加

各メインリールＭＲ１，ＭＲ２，ＭＲ３は、サブリール装置２００の表示窓ＷＤ２に較べて相対的に小さい直径とし、夫々の外周面に縦幅が２５ｍｍ以上、横幅が３５ｍｍ以上に決められた複数個の図柄を形成する。 - 特許庁

Then, a relationship of m1+g2<m2+g1 is satisfied, and a difference, between reflectance of a p-polarized component and an reflectance of s-polarized component at the folding mirror MR3, is smaller than that between reflectance of a p-polarized component and reflectance of an s-polarized component at each of the remaining folding mirrors (MR1 and MR2).例文帳に追加

そして、ｍ１＋ｇ２＜ｍ２＋ｇ１の関係が満足され、折り返しミラーＭＲ３におけるｐ偏光成分の反射率とｓ偏光成分の反射率の差は、残りの折り返しミラー（ＭＲ１、ＭＲ２）におけるｐ偏光成分の反射率とｓ偏光成分の反射率の差よりも小さい。 - 特許庁

A panel 14a for performance is provided with a transmission type liquid crystal display panel LCD, a sub reel device 200 provided with sub reels SR1, SR2 and SR3 is disposed on the back surface side, and a main reel device 100 provided with main reels MR1, MR2 and MR3 is arranged at a panel 13f for the performance above the panel 14a for the performance.例文帳に追加

演出用パネル１４ａに、透過型の液晶ディスプレイパネルＬＣＤを設け、その裏面側にサブリールＳＲ１，ＳＲ２，ＳＲ３を備えたサブリール装置２００を配設し、演出用パネル１４ａの上方の演出用パネル１３ｆに、メインリールＭＲ１，ＭＲ２，ＭＲ３を有するメインリール装置１００を配置する。 - 特許庁

Thereafter, when a MIL (Malfunction Indicator Lamp) 22 is turned on, the in-vehicle electronic controller causes a permanent failure code storage area MRP in a first storage area MR3 of the RAM 4 and a second storage area MR2 different from the first storage area MR1 of the first block to store a permanent failure code corresponding to the MIL 22.例文帳に追加

その後に、ＭＩＬ２２が点灯すると、ＭＩＬ２２に対応する永久故障コードを、ＲＡＭ４の第１記憶領域ＭＲ３内の永久故障コード記憶領域ＭＲＰと、第１ブロックの第１記憶領域ＭＲ１とは別に予め設けられた第２記憶領域ＭＲ２に記憶させる。 - 特許庁

The sensor unit 20 constitutes an offset variable means for offsetting the difference between output Vins (V1, V2) from the MR sensors 22 (the MR1, MR2 sensors) by providing a variable resistor VR44 as a resistor, in which a resistance value is changed (variable) corresponding to the output from the preamplifier 25, to a four-terminal bridge 41.例文帳に追加

センサユニット２０は、プリアンプ２５からの出力に応じて抵抗値が変化（可変）する抵抗器として可変抵抗器ＶＲ４４を４端子ブリッジ４１に設けることで、ＭＲセンサ２２（ＭＲ１，ＭＲ２センサ）からの出力Ｖｉｎ（Ｖ１，Ｖ２）の差分をオフセットするオフセット可変手段を構成している。 - 特許庁

On a semi-insulating substrate 11, a magnetoresistive element MR1 including a semiconductor film 13A and a magnetoresistive element MR2 including a semiconductor film 13B are formed in a long shape, and an input voltage electrode 14, a ground connection electrode 15, and an output voltage electrode 16 are formed.例文帳に追加

半絶縁性基板１１上には、半導体膜１３Ａを有する磁気抵抗素子ＭＲ１と半導体膜１３Ｂを有する磁気抵抗素子ＭＲ２とが長尺状に形成されるとともに、入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６が形成される。 - 特許庁

On a semi-insulating substrate 11, a magnetoresistive element MR1 including a semiconductor film 13A and a magnetoresistive element MR2 including a semiconductor film 13B are formed in a long shape, and an input voltage electrode 14, a ground connection electrode 15, and an output voltage electrode 16 are formed.例文帳に追加

半絶縁性基板１１上には、半導体膜１３Ａを有する磁気抵抗素子ＭＲ１と半導体膜１３Ｂを有する磁気抵抗素子ＭＲ２とが長尺状に形成されるとともに、入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６が形成されている。 - 特許庁

This polyamide-based fiber structure is composed of a colored polyamide fiber having ≥2.5 difference (ΔMR) between a moisture-absorbing and desorbing rate MR2 at 30°C and 90% RH and a moisture-absorbing and desorbing rate MR1 at 20°C and 65% RH and having a covalently bonded dye.例文帳に追加

また、本発明のポリアミド系繊維構造物は、３０℃×９０％ＲＨにおける吸放湿率ＭＲ２と、２０℃×６５％ＲＨにおける吸放湿率ＭＲ１との差（△ＭＲ）が２．５以上であり、かつ、染料が共有結合してなる着色ポリアミド系繊維で構成されていることを特徴とするものである。 - 特許庁

The first series circuit 101 outputs a first magnetic detection signal Vout1, corresponding to a change of a passing magnetic flux density by the magnetoresistive element MR1, and the second series circuit 102 outputs a second magnetic detection signal Vout2, corresponding to a change of a passing magnetic flux density by the magnetoresistive element MR2.例文帳に追加

第１直列回路１０１は、磁気抵抗素子ＭＲ１による通過磁束密度の変化に応じた第１磁気検出信号Ｖｏｕｔ１を出力し、第２直列回路１０２は、磁気抵抗素子ＭＲ２による通過磁束密度の変化に応じた第２磁気検出信号Ｖｏｕｔ２を出力する。 - 特許庁

Besides, by a first current supply control model element 54, a model current flowing from a model power source ME1 through a model resistor MR2 for bias can be supplied to a model transistor MQ7 through a base electrode or to the output terminal P1a of the analog model circuit 44 corresponding to the output of the analog model circuit 44.例文帳に追加

また、第１の電流供給制御モデル要素５４は、バイアス用のモデル抵抗ＭＲ２を介してモデル電源ＭＥ１から流れるモデル電流を、アナログモデル回路４４の出力に対応させて、ベース電極を介してモデルトランジスタＭＱ７に供給したり、アナログモデル回路４４の出力端Ｐ１ａに供給したりすることができる。 - 特許庁

The polyamide textile product at least partly contains polyamide fibers ≥2.5% in the difference(ΔMR) between moisture absorption/release rate MR2 at 30°C×90%RH and that MR1 at 20°C×65%RH, wherein the surface of said polyamide fibers bears a sulfo-containing compound and/or a polyhydric phenolic compound.例文帳に追加

３０℃×９０％ＲＨにおける吸放湿率ＭＲ２と、２０℃×６５％ＲＨにおける吸放湿率ＭＲ１との差（ΔＭＲ）が２．５％以上であるポリアミド系繊維を少なくとも一部に含む繊維製品において、該ポリアミド系繊維の表面がスルホン基含有化合物および／または多価フェノール系化合物を有してなることを特徴とするポリアミド系繊維製品。 - 特許庁