「nm a」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

As the laser, solid laser having a wavelength of 1 nm or more and 380 nm or less is used.例文帳に追加

また、前記レーザーとして、１ｎｍ以上３８０ｎｍ以下の波長を有する固体レーザーを用いる。 - 特許庁

It is preferable that the mean surface roughness Ra of the film is at a value from 5 nm to 120 nm.例文帳に追加

また、フィルムの平均表面粗さＲａは５ｎｍ以上、１２０ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁

The received light wavelength area of the phototransistor 32 is in a wavelength area from 300 nm to 600 nm.例文帳に追加

フォトトランジタ３２の受光波長領域は、３００ｎｍから６００ｎｍまでの波長領域にある。 - 特許庁

The filter 30 is a band-pass filter having 245 nm center wavelength and 240 to 270 nm transmission wavelength range.例文帳に追加

フィルタ３０は、中心波長２４５ｎｍ、通過波長帯域２４０〜２７０ｎｍのバンドパスフィルタである。 - 特許庁

The adhesion layer 4 consists of silicon(Si), with a range of thickness of not less than 1 nm and not more than 5 nm.例文帳に追加

密着層４はケイ素（Ｓｉ）からなり、厚さは１ｎｍ以上５ｎｍ以下の範囲内である。 - 特許庁

A maximum opening size Dmax(nm) and a minimum opening size Dmin(nm) of the smoothed resist pattern should, preferably, fall within ±5% with respect to a target opening size Dav.(nm), and an average opening size Dav.(nm) of the smoothed resist pattern should satisfy the relation Dav.(nm)≥D(nm)×(90/100).例文帳に追加

平滑化したレジストパターンの最大開口寸法Ｄｍａｘ（ｎｍ）及び最小開口寸法Ｄｍｉｎ（ｎｍ）が、目的開口寸法Ｄ（ｎｍ）に対し±５％以内の態様、平滑化したレジストパターンの平均開口寸法Ｄａｖ．（ｎｍ）が、Ｄａｖ．（ｎｍ）≧Ｄ（ｎｍ）×（９０／１００）、を満たす態様などが好ましい。 - 特許庁

In the nano area, a rugged structure whose pitch in an intra-plane direction is 250 nm and whose depth is 170 nm is formed.例文帳に追加

ここで、ナノ領域には、面内方向ピッチ２５０nm、深さ１７０nmの凹凸構造が形成されている。 - 特許庁

A value obtained by dividing dispersion in a wavelength of 1,590 nm by a dispersion slope is set to be 50 to 150 nm, and a cutoff wavelength in an optical fiber length of 2 m is set to be 1,565 nm or less.例文帳に追加

波長１５９０ｎｍにおける分散値を分散スロープで割った値を５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下とし、条長２ｍにおけるカットオフ波長を１５６５nm以下とする。 - 特許庁

Subsequently, a ratio of a strength of an interference light having a wavelength of 600 nm to an integration value of the strength of the interference light in a wavelength region of 400 nm to 800 nm is obtained.例文帳に追加

続いて、波長が６００ｎｍの干渉光の強度の、４００ｎｍから８００ｎｍまでの波長領域についての干渉光の強度の積分値に対する比を求める。 - 特許庁

On a die surface to contact with a work, ripples 24 with a cycle of 100-1,000 nm and a depth of 10-100 nm are formed.例文帳に追加

被加工材料と接触する金型表面に、周期１００〜１０００ｎｍ、深さ１０〜１００ｎｍのリップル２４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for precisely measuring the depth distribution of dopants injected in a flat substrate at a depth of several ten nm, in a nondestructive manner.例文帳に追加

平坦な基板に数十nmの深さに注入した不純物の深さ分布を非破壊で精度よく測定する方法を提供する。 - 特許庁

A length of a gate electrode 33 (gate length) is 100 nm or less.例文帳に追加

ゲート電極３３の長さ（ゲート長）は、１００ｎｍ以下である。 - 特許庁

Further, the optical control reflective film has a low reflection band even at a wavelength of 780 nm.例文帳に追加

さらに、波長７８０ｎｍでも、低反射帯域としている。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 generates a laser beam with a wavelength of 635 nm.例文帳に追加

半導体レーザ１は、波長６３５ｎｍのレーザ光を生成する。 - 特許庁

The carbon nano tube has a diameter of 1 nm and a length of approximately 1 μm.例文帳に追加

カーボンナノチューブは、直径１ｎｍ、長さ約１μｍ程度である。 - 特許庁

Preferably, the film thickness of a reflection layer is in a range of 120-180 nm and the groove width of the reflection layer is in a range of 85-150 nm.例文帳に追加

また、反射層の膜厚を１２０〜１８０ｎｍとし、反射層の溝幅を８５〜１５０ｎｍとすることが好ましい。 - 特許庁

The fluorescent light 3 has a borosilicate glass cylinder 6 eliminating a wavelength of 280-300 nm and a wavelength of 340-550 nm.例文帳に追加

蛍光灯３は、２８０〜３００ｎｍの波長と３４０〜５５０ｎｍの波長とを除去するホウケイ酸ガラスシリンダ６を有している。 - 特許庁

A semiconductor laminated layer 25a includes an active layer 27 having a light emitting peak within a wavelength of ≥400 nm and ≤550 nm.例文帳に追加

半導体積層２５ａは、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長範囲内の発光ピークを有する活性層２７を含む。 - 特許庁

The rutile type titanium oxide film has a parallel ray permeability of ≥60% at a wavelength of 550 nm, and a film thickness of ≥600 nm.例文帳に追加

波長５５０ｎｍの平行光線透過率が６０％以上で、膜厚が６００ｎｍ以上のルチル型酸化チタン膜。 - 特許庁

Secondly, a leak at a short wavelength side (400-480 nm) is formed by a LED main body and a peak at a long-wavelength side (650-700 nm) is formed by a substrate placing the LED.例文帳に追加

第２に、短波長側（400〜480nm）のピークをＬＥＤ本体で生成させ、長波長側（650〜700nm）のピークは、そのＬＥＤを載置する基板で生成させるようにする。 - 特許庁

For example, in case when the metal electrode is approx. 500-700 nm in thickness and a distance between the electrodes is approx. 600 nm, an O_3TEOS film is stacked at 300 nm.例文帳に追加

例えばメタル電極が５００ｎｍ〜７００ｎｍ程度の厚さで電極間が６００ｎｍ程度ある場合、Ｏ_３ＴＥＯＳ膜を３００ｎｍ堆積する。 - 特許庁

The preferable molecular absorption material is such a material that fine pores composed of a mesopore having a pore diameter of 1 nm or more and 100 nm or less and a micropore having a pore diameter of 0.2 nm or more and less than 1 nm formed on the pore wall of the mesopore are periodically formed.例文帳に追加

分子吸着材料としては、孔径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下のメソ孔と該メソ孔の孔壁に形成された孔径０．２ｎｍ以上１ｎｍ未満のマイクロ孔とからなる細孔が、周期的に形成されたものが好適である。 - 特許庁

Color polarizing filters 6, 8, 10 have a characteristic of a transmittivity of 20% or below in the absorption axis for wavelength bands of wavelength of 550 nm or below for the filter 6, a wavelength of 520 nm or over and a wavelength of 710 nm or below for the filter 8, and a wavelength of 600 nm or over for the filter 10 respectively.例文帳に追加

カラー偏光フィルタ６，８，10はそれぞれ波長５５０ｎｍ以下、波長５２０ｎｍ以上波長７１０ｎｍ以下、波長４８０ｎｍ以下および波長６００ｎｍ以上の波長域で吸収軸の透過率が２０％以下である。 - 特許庁

After an SiGe layer 14 is formed on a silicon layer 13 of a substrate 21, a P++ doped SiGe layer 15 with a thickness about 10 nm-100 nm is formed and then an SiGe layer 16 with a thickness of about 500 nm-1000 nm is formed.例文帳に追加

基板２１のシリコン層１３上にＳｉＧｅ層１４を形成した後、Ｐ^^^++ドープのＳｉＧｅ層１５を膜厚１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度に形成し、続いてＳｉＧｅ層１６を膜厚５００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度に形成する。 - 特許庁

A fibrous polymer having a size in the minor axis direction of ≥1 nm and ≤500 nm and in the major axis direction of ≥500 nm and ≤1,000 μm is used as the polymer.例文帳に追加

用いられる高分子として、短軸方向が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下、長軸方向が５００ｎｍ以上１０００μｍ以下の繊維状高分子がある。 - 特許庁

A substrate specified to have the birefringence within a pattern region to no more than 1.2 nm/cm, 2 nm/cm or 4 nm/cm is used for the substrate of the mask M.例文帳に追加

マスクＭ用の基板として、パターン領域内における複屈折量が１．２ｎｍ／ｃｍ、２ｎｍ／ｃｍ、又は４ｎｍ／ｃｍ以下に規定された基板を使用する。 - 特許庁

(2) The write-once-read-many type optical recording medium described in (1) has a film thickness of the recording layer being 3-20 nm, and a film thickness of the overcoating layer being 5-60 nm or 70-150 nm.例文帳に追加

（２）記録層の膜厚が３〜２０ｎｍ、上引層の膜厚が５〜６０ｎｍ、又は７０〜１５０ｎｍであることを特徴とする（１）記載の追記型光記録媒体。 - 特許庁

The dispersion shifted monomode optical fiber which, in the wavelength range 1400 nm to 1650 nm, presents both a wavelength dispersion maximum and a wavelength dispersion slope of absolute value less than 0.05 ps/(nm^2 km), is provided.例文帳に追加

１４００〜１６５０ｎｍの波長範囲で、波長分散の最大値を有し、また絶対値が０．０５ｐｓ／ｎｍ^２・ｋｍ未満の波長分散勾配を有する。 - 特許庁

A three wavelength laser module 10 is provided with a laser emitting part 31 outputting laser beams of three wavelength of 785 nm (infrared), 660 nm (read color), 405 nm (blue-violet color).例文帳に追加

３波長レーザモジュール１０は、７８５ｎｍ（赤外），６６０ｎｍ（赤色），４０５ｎｍ（青紫色）の３波長のレーザ光を出力するレーザ発光部３１を備えている。 - 特許庁

The fiber has a ratio of a chromatic dispersion to chromatic dispersion slope from 30 to 500 nm at 1,550 nm.例文帳に追加

ファイバは、１５５０ｎｍにおいて、３０ｎｍから５００ｎｍの間の波長分散と波長分散勾配との比を有する。 - 特許庁

(g) The thickness (d) of a barrier layer is in the range of 1≤d≤5 nm.例文帳に追加

（ｇ）障壁層の厚さｄは、１≦ｄ≦５ｎｍの範囲。 - 特許庁

The conductive layer 102 is constituted of a shapeless carbon layer which is formed by a sputtering method and whose thickness is 5 nm to 10 nm.例文帳に追加

導電層１０２は，スパッタ法により形成された５ｎｍ〜１０ｎｍの厚みの不定形炭素層から成る。 - 特許庁

To support a NO_x-occlusion material as fine particles having diameters of ≤10 nm.例文帳に追加

NO_x 吸蔵材を数10nm以下の微細な粒子として担持する。 - 特許庁

The retardation Re(550) of the in-plane direction at a wavelength of 550 nm is equivalent to the retardation Re(440) of the in-plane direction at a wavelength of 440 nm.例文帳に追加

式（１） ２．０＜Ｚ１＜２．７（式（１）中、Ｚ１は低置換度層のセルロースアシレートの総アシル置換度を表す。 - 特許庁

The low refractive index layer has a refractive index in the wavelength 400 nm of light being 1.33-1.53 and a film thickness of 10-50 nm.例文帳に追加

低屈折率層は、光の波長４００ｎｍにおける屈折率が１．３３〜１．５３、膜厚が１０〜５０ｎｍである。 - 特許庁

After that, an IrO_Y film 26 having a thickness of 50 nm-100 nm is formed on the IrO_X film 25 by a sputtering method.例文帳に追加

その後、ＩｒＯ_X膜２５上にスパッタ法により厚さが５０ｎｍ〜１００ｎｍのＩｒＯ_Y膜２６を形成する。 - 特許庁

Preferably, the rare earth metal film 3 has a thickness of 5-1000 nm, and the protective film 5 has a thickness of 5-40 nm.例文帳に追加

希土類金属膜３の厚さが５〜１０００ｎｍであり、保護膜５の厚さが５〜４０ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁

The floating quantity of a head from the medium is ≤15 nm.例文帳に追加

ヘッドの媒体からの浮上量を１５ｎｍ以下とする。 - 特許庁

A rotation speed predicting part 28 predicts Nm(t) in time t by applying the input/output history to a linear model.例文帳に追加

回転速度予測部２８は、上記の入出力履歴を線形モデルに当てはめて時刻tにおけるNm(t)を予測する。 - 特許庁

Diameters of the nanoparticles are within a range of 0.5-900 nm.例文帳に追加

（Ｄ）ナノ粒子の径が、０．５ｎｍ〜９００ｎｍの範囲である。 - 特許庁

A coefficient calculating part 26 calculates a linear model to be established between the Tq and Nm based on the input/output history.例文帳に追加

係数演算部２６は、その入出力履歴に基づいてTqとNmの間に成立する線形モデルを算出する。 - 特許庁

The semiconductor region is made of a second semiconductor material different from the first semiconductor material and has a width smaller than about 50 nm.例文帳に追加

半導体領域は、第一半導体材料と異なる第二半導体材料からなり、幅は約５０ nmより小さい。 - 特許庁

To obtain a fine and straight carbon fiber having 1 nm to 50 nm diameter by using an inexpensive catalyst in a high yield.例文帳に追加

安価な触媒を用いて直径が１ｎｍ〜５０ｎｍの直線性のよい微細炭素繊維を高収率で得る。 - 特許庁

Further metallic ink discharged on the green sheet 4S absorbs light of a wavelength within a range between 400 nm and 1,200 nm.例文帳に追加

また、グリーンシート４Ｓに吐出される金属インクが、４００ｎｍ〜１２００ｎｍの範囲にある波長の光を吸収する。 - 特許庁

The optically transparent substrate has an absorbance of greater than 1 at a wavelength that is in a range of from about 300 nm to about 1,000 nm.例文帳に追加

光学的透明基板は、約３００〜約１０００ｎｍの範囲内の波長で１を超える吸光度を有している。 - 特許庁