「nm a」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The optical fiber relating to this invention has a spectrum spread of ≥-20 ps/nm/km and ≤-3 ps/nm/km (more preferably, ≥-12 ps/nm/ km and ≤-4 ps/nm/km) in the full range of a 1.30 μm-1.60 μm wavelength band.例文帳に追加

本発明に係る光ファイバは、波長帯域１．３０μｍ〜１．６０μｍの全範囲において、波長分散が−２０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以上−３ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下（より好適には、−１２ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以上−４ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下）である。 - 特許庁

In a preferable embodiment, the polymer blend is substantially transparent for far-ultraviolet radiation (i.e., a radiation having >250 nm wavelengths including 157 nm, 193 nm and 248 nm wavelengths) and has improved photosensitivity and resolution.例文帳に追加

好ましい実施形態において、該ポリマー混合物は、遠紫外線（すなわち、１５７ｎｍ、１９３ｎｍおよび２４８ｎｍの波長を含む２５０ｎｍ未満の波長を有する放射線）に対して実質的に透明であり、かつ改善された感光性および解像度を有する。 - 特許庁

The phosphor has a chemical composition expressed by the following formula [1], and is characterized by having an emission peak in the range of the wavelength of at least 600 nm and at most 630 nm when excited with the light which has a peak in the range of the wavelength of at least 250 nm and at most 500 nm.例文帳に追加

下記式［１］で表される化学組成を有し、かつ、波長２５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲にピークを有する光で励起した際に、波長６００ｎｍ以上、６３０ｎｍ以下の範囲に発光ピークを有することを特徴とする、蛍光体。 - 特許庁

The optical compensation film having a transparent film containing a polymer having either of a lactone ring unit and a gultaric anhydride has 20-150 nm of retardation Re 550 in a face in 550 nm of a wavelength and 70-190 nm of retardation Rth 550 out of a face in 550 nm of a wavelength.例文帳に追加

ラクトン環単位及びグルタル酸無水物単位のいずれかを有する重合体を含有する透明フィルムを有する光学補償フィルムであって、波長５５０ｎｍにおける面内のレタデーションＲｅ５５０が２０〜１５０ｎｍであり、波長５５０ｎｍにおける面外のレタデーションＲｔｈ５５０が７０〜１９０ｎｍであることを特徴とする光学補償フィルム。 - 特許庁

A part of a primary light is converted to a reddish colored light, whose wavelength is in a range of 600-620 nm.例文帳に追加

１次光の１部は、６００〜６２０ｎｍの波長の範囲にある類赤色光に変換される。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor contains a combination of a ring-expanded porphyrin or a macrocyclic compound and a 400 nm laser.例文帳に追加

環拡大ポルフィリンまたは、大環状化合物＋４００ｎｍレーザーを搭載した電子写真感光体。 - 特許庁

The first inner protective film 23 is a biaxial resin film of which the absolute value of an in-plane phase difference value is within a range from 40 to 500 nm and the absolute value of the phase difference value in a thickness direction at a wavelength of 590 nm is within a range from 20 to 500 nm.例文帳に追加

また、第１の内側保護フィルム２３は、面内の位相差値の絶対値が４０〜５００ｎｍの範囲にあり、波長５９０ｎｍにおける厚み方向の位相差値の絶対値が２０〜５００ｎｍの範囲にある二軸性樹脂フィルムからなる。 - 特許庁

To provide an apparatus for rapidly analyzing the crystal structure of a surface crystal layer that is several nm to tens of nm thick or the crystal structure of a thin-film crystal, a crystal domain size, and the ratio of a domain when a plurality of domains having different orientations are present.例文帳に追加

サブnmから数10nmの厚さの表面結晶層、あるいは、薄膜結晶の結晶構造、結晶ドメインサイズ、および、方位の異なる複数の結晶ドメインが存在する場合のドメインの割合を迅速に解析するための装置である。 - 特許庁

A field effect transistor includes: a thin oxide semiconductor with a thickness of 1 nm or more and 30 nm or less formed approximately perpendicular to an insulation surface; a gate insulation film formed covering the oxide semiconductor; and stripe-shaped gates each with a width of 10 nm or more and 100 nm or less formed covering the gate insulation film.例文帳に追加

絶縁表面に略垂直に形成された厚さが１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の薄片状の酸化物半導体と、前記酸化物半導体を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を覆って形成されたストライプ状の幅１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下のゲートを有する電界効果トランジスタ。 - 特許庁

A method for photorejuvenation, wrinkle removal, wound healing and/or sharp pain alleviation includes irradiation of light of wavelength in a range of about 610-680 nm with a maximum intensity of preferably about 630 nm, or in a range of about 800-880 nm with a maximum intensity of preferably about 830 nm.例文帳に追加

光若返り、しわ除去、創傷治癒および／または疼痛軽減の方法が、略６１０−６８０ｎｍの範囲内、かつ好ましくは約６３０ｎｍに最大強度を有し、または略８００−８８０ｎｍの範囲内、かつ好ましくは約８３０ｎｍの最大強度を有する波長の光による照射を含む。 - 特許庁

A light-emitting diode 20 of a blue-color light having a luminous peak at a wavelength of 460 nm is used as a light source.例文帳に追加

光源として、波長４６０ｎｍに発光ピークを有する青色発光の発光ダイオード２０を用いる。 - 特許庁

To provide a compound having a structure that serves as a substrate for a luciferase and having a luminescent wavelength longer than 700 nm.例文帳に追加

ルシフェラーゼの基質となりうる構造を有し、発光波長が７００ｎｍを超える化合物の提供。 - 特許庁

A metallic fine particle 102 having a particle size of 5 nm or less is formed on a substrate 101.例文帳に追加

基板１０１の上に、直径が５ｎｍ以下の粒子径の金属微粒子１０２を形成する。 - 特許庁

An IrO_X film 25 having a thickness of 50 nm is formed on a PZT film 24 by a sputtering method.例文帳に追加

ＰＺＴ膜２４上にスパッタ法により厚さが５０ｎｍのＩｒＯ_X膜２５を形成する。 - 特許庁

A noble metal is supported on a support composed of a multiple oxide in which ceria and alumina are dispersed in nanometer scale.例文帳に追加

セリアとアルミナがnmスケールで分散した複合酸化物を含む担体に貴金属を担持した。 - 特許庁

In a preferable manner, the photo-reactive chiral compound has the isomerizing absorption band in 490-570 nm or 630-690 nm and further the wavelength of the circularly or elliptically polarized light is 490-570 nm or 630-690 nm.例文帳に追加

光反応型キラル化合物が４９０〜５７０ｎｍ若しくは６３０〜６９０ｎｍに異性化可能な吸収を有し、かつ円偏光若しくは楕円偏光の波長が４９０〜５７０ｎｍ若しくは６３０〜６９０ｎｍである態様が好ましい。 - 特許庁

The rubber composition comprises 100 pts.wt. diene rubber, 5-80 pts.wt. silica (A) having ≥5/nm^2 silanol bonded amount per unit surface area and 5-80 pts.wt. silica (B) having ≤4/nm^2 silanol bonded amount per unit surface area.例文帳に追加

ジエン系ゴム１００重量部、単位表面積当りのシラノール基結合量が５個／nm^2 以上のシリカ（Ａ）５〜８０重量部及び単位表面積当りのシラノール基結合量が４個／nm^2 以下のシリカ（Ｂ）５〜８０重量部を含んでなるゴム組成物。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element, such as a high- output red semiconductor laser which stably oscillates in 635-nm band, 650-nm band, etc., at a high temperature, a visible semiconductor laser which oscillates at a wavelength shorter than 600 nm at a room temperature, a visible light emitting diode having a high luminous efficiency, etc.例文帳に追加

本発明は、高温，高出力，安定動作する６３５ｎｍ，６５０ｎｍ帯等の赤色半導体レーザ、室温において６００ｎｍより短い波長で発振する可視半導体レーザや高発光効率の可視発光ダイオードなどの半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, a polysilicon film 2 with 20 nm thickness is formed in a light shielding region 20 on an insulating substrate 1 as a primary coat, further a WSiN film 3, a part of a light shielding film, with 20 nm thickness is formed with a sputtering method and subsequently a WSi film 4, the light shielding film, with 100 nm thickness is formed.例文帳に追加

絶縁基板１上の光遮蔽領域２０に、下地としてのポリＳｉ膜２を２０ｎｍ厚形成し、さらに遮光膜の一部であるＷＳｉＮ膜３をスパッタ法により２０ｎｍ厚形成後、遮光膜のＷＳｉ膜４を１００ｎｍ厚形成する。 - 特許庁

A first clutch is put in a status just before tightening by a real pressure Pc1 at t2, and a revolution speed Nm is increased by increasing motor torque Tm for starting an engine at t3 after the lapse of a set time TM1 since t2.例文帳に追加

t2より第1クラッチを実圧Pc1により締結直前状態にし、t2から設定時間TM1が経過するt3より、モータトルクTmをエンジン始動用に増大させて回転数Nmを上昇させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device whose lasing wavelength is longer than 760 nm and shorter than 800 nm and has a high reliability, a long life, and a high output power, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さくて、高信頼性、長寿命、かつ、高出力な半導体レーザ装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A light absorbing film 2 having 1 or higher of absorbance for the light having a wavelength of 450-520 nm is laminated on a display surface of a fluorescent converting film 1 having 1 or less of absorption for the light having a wavelength of 450-520 nm.例文帳に追加

波長４５０ｎｍ〜５２０ｎｍの吸光度が１以下の蛍光変換膜の表示面側に、波長４５０ｎｍ〜５２０ｎｍの吸光度が１以上の光吸収膜を積層させる。 - 特許庁

A light-emitting device comprises: a light-emitting element having a main light-emitting peak in a wavelength region of more than 420 nm and 500 nm or less; and a phosphor layer formed on the light-emitting element.例文帳に追加

発光装置は、４２０ｎｍを越え５００ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する発光素子と、前記発光素子上に形成された蛍光体層とを具備する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of forming a semiconductor film 7 which has a thickness of >50 nm and ≤150 nm and has a first layer 7m and a second layer 7n.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、５０ｎｍを超え１５０ｎｍ以下の厚みを有し、第１の層７ｍと第２の層７ｎとを有する半導体膜７を形成する工程を備える。 - 特許庁

To provide a fluorescent lamp having a phosphors coating film suitable for general lighting, basing on a vacuum ultraviolet radiation source especially emitting a wavelength within a rage of around 154 nm-185 nm.例文帳に追加

一般照明に適した蛍光体被膜を備え、約１４５ｎｍ〜１８５ｎｍの範囲の波長を特に発生する真空紫外線放射源を基礎とする蛍光ランプを提供する。 - 特許庁

A semiconductor laser element 1 is provided with a laser diode chip for emitting a laser beam of 650 nm wavelength, and a laser diode chip for emitting a laser beam of 780 nm wavelength.例文帳に追加

半導体レーザ素子１は、波長６５０ｎｍのレーザ光を出射するレーザダイオードチップ１１および波長７８０ｎｍのレーザ光を出射するレーザダイオードチップ１２を備える。 - 特許庁

Image signals are obtained by alternately emitting a white light L1, a narrow-band light L2 with a center wavelength of 415 nm and a narrow-band light L3 with a center wavelength of 540 nm.例文帳に追加

白色光Ｌ１と、中心波長４１５ｎｍの狭帯域光Ｌ２および中心波長５４０ｎｍの狭帯域光Ｌ３とを交互に射出して、画像信号を取得する。 - 特許庁

A reinforcing layer 3 the outermost surface of which has particles of average particle size a (3 nm<a≤50 nm) is interposed between a non-magnetic substrate 1 and a magnetic layer 2 of the metal thin film type magnetic recording medium 100.例文帳に追加

金属薄膜型磁気記録媒体100の非磁性支持体１と磁性層２の間に最外表面の粒子の平均粒径ａが３＜ａ≦50ｎｍである強化層３を設置する。 - 特許庁

For example, an A/D conversion part 127 whose position-expressed resolution is 1 nm can be used to implement position detection in 0.1 nm units.例文帳に追加

たとえば、位置換算値１ｎｍの分解能のＡ／Ｄ変換部１２７を用いて０．１ｎｍ単位の位置検出を行うことができる。 - 特許庁

Preferably, the film thickness of the thin film is about 25 nm and aluminum to be deposited has a granular structure of 10 to 20 nm in diameter.例文帳に追加

この際、薄膜の膜厚を約２５ｎｍとして、付着するアルミニウムが直径１０〜２０ｎｍの粒状構造であることが好ましい。 - 特許庁

Here, the absorption coefficient for light having a wavelength not shorter than 500 nm and not longer than 780 nm can be lower than 7 cm^-1.例文帳に追加

ここで、波長が５００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光に関する吸収係数を７ｃｍ^-1未満とすることができる。 - 特許庁

The coating composition comprises a silicone emulsion having an average particle size ranging from 50 nm to 800 nm.例文帳に追加

エマルジョンの平均粒子径が５０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲にあるシリコーンエマルジョン溶液を含有することを特徴とするコーティング組成物。 - 特許庁

For example, a Ti film whose thickness is 100 nm and an Al film whose thickness is 700 nm are used as the different wiring materials of at least two kinds.例文帳に追加

前記少なくとも２種類の異なる配線材料としては、例えば膜厚100nmのＴｉ膜及び膜厚700nmのＡｌ膜を用いる。 - 特許庁

Preferably, the regular mesoporous body has silica as the main component of the skeleton and a pore size of 1.4 nm or larger and 10 nm or smaller.例文帳に追加

規則性メゾポーラス多孔体として、骨格の主成分がシリカで、開口径が１．４ｎｍ以上１０ｎｍ以下のものが好ましい。 - 特許庁

The peak wavelength λmax in a light grain distribution of the active layer is about 1530 nm, and the band gap wavelength of the diffraction grating is about 1510 nm.例文帳に追加

活性層の光利得分布のピーク波長λ_maxは約１５３０ｎｍ、回折格子のバンドギャップ波長は約１５１０ｎｍである。 - 特許庁

The UV-reflecting layer 8 shows high reflectivity in the wavelength range of plasma emission (>172 nm) and shows high permeability in a visible light wavelength range.例文帳に追加

UV反射層(8)は、プラズマ発光の波長領域(>172 nm)では高い反射性を示し、可視光波長領域では高い透過性を示す。 - 特許庁

The titanium oxide is preferably a colloid- shaped suspended liquid of particles having 5-100 nm particle diameters, especially 5-50 nm particle diameters.例文帳に追加

酸化チタンは、粒子径が５〜１００ｎｍのコロイド状懸濁液体であることが好ましく、特に５〜５０ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁

The first photodetector is more sensitive to light having a wavelength between 400 nm and 500 nm than the second photodetector.例文帳に追加

第１の光検出器は、第２の光検出器よりも、４００ｎｍ〜５００ｎｍの波長を有する光に対してより感度が高い。 - 特許庁

A light emitting element having an emission wavelength of 440 nm or higher can be fabricated by controlling the thickness of the well layer to 2.5 nm or higher.例文帳に追加

井戸層の厚みを２．５ｎｍ以上にすることによって、発光波長４４０ｎｍ以上の発光素子を作製することができる。 - 特許庁

The optical amplifying medium has the gain of amplification in at least a part of wavelength zone in the wavelength range of 1000 nm to 1400 nm.例文帳に追加

光増幅媒体としては、波長範囲１０００〜１４００ｎｍの少なくとも一部の波長領域で増幅利得を有する。 - 特許庁

The thickness of a common electrode 13 constituted of an indium tin oxide (ITO) is turned to be equal to or more than 80 nm and less than 100 nm.例文帳に追加

インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）により構成された共通電極１３の厚さを、８０ｎｍ以上１００ｎｍ未満とする。 - 特許庁

The regular mesoporous material preferably comprises a material containing silica as the main component of the skeleton and having an open pore diameter of ≥1.4 nm and ≤10 nm.例文帳に追加

規則性メゾポーラス多孔体として、骨格の主成分がシリカで、開口径が１．４ｎｍ以上１０ｎｍ以下のものが好ましい。 - 特許庁

To provide a dispersion liquid of copper fine-particles having particle diameters of less than 200 nm.例文帳に追加

２００ｎｍ未満の粒子径を有する銅微粒子分散液の提供。 - 特許庁

A plane size of the irregular pattern P is almost a rectangle of 50 nm×50 nm to 30 μm×15 mm, and flatness of the disk is 50 μm or less.例文帳に追加

凹凸パターンＰの平面サイズが５０ｎｍ×５０ｎｍ〜３０μｍ×１５ｍｍの略矩形であり、ディスクの平坦度が５０μｍ以下である。 - 特許庁

(a) The average diameter of the ultrafine single filaments is 200-2,000 nm.例文帳に追加

ａ）極細単糸繊維の平均直径が２００〜２０００ｎｍであること。 - 特許庁