「nm a」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The metal particles have a particle diameter, ranging from 1 to 50 nm.例文帳に追加

そして、前記金属粒子は、平均粒径が１〜５０ｎｍで構成する。 - 特許庁

The produced titanium oxide particles 10 have a particle size of about 400 nm.例文帳に追加

製造された酸化チタン粒子１０の粒径は、約４００ｎｍである。 - 特許庁

A solid polymer electrolyte membrane containing: a polymer with a sulfonic acid group; and metal oxide particles with number average primary particle size of 1 nm to 20 nm and number average secondary particle size of 30 to 200 nm.例文帳に追加

スルホン酸基を有する重合体、および数平均一次粒子径が１ｎｍ〜２０ｎｍであって、数平均二次粒子径が３０ｎｍ〜２００ｎｍである金属酸化物粒子を含む固体高分子電解質膜。 - 特許庁

To provide a fluorescent substance that is excited by light of any wavelength in a wavelength range of 350-500 nm and has an emission peak wavelength of not less than 540 nm to not more than 560 nm and to provide a process for producing the fluorescent substance.例文帳に追加

３５０〜５００ｎｍの波長範囲のいずれかの波長の光で励起され、発光ピークの波長が５４０ｎｍ以上５６０ｎｍ以下である蛍光体およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The second silicon oxide film OX2 has a thickness not larger than 1 nm.例文帳に追加

第２のシリコン酸化膜ＯＸ２は１ｎｍ以下の厚みを有している。 - 特許庁

To stably maintain a dye having the maximum absorption wavelength in 800 to 1,100 nm, 640 to 700 nm, or 570 to 600 nm with the lapse of time and to maintain the shield effect for a long period of time, in a liquid crystal display.例文帳に追加

液晶ディスプレイにおいて、８００〜１１００ｎｍ、６４０〜７００ｎｍ、または５７０〜６００ｎｍに最大吸収波長を有する色素が、経時的に安定に維持され、長期間遮断効果を維持すること。 - 特許庁

In doing so, a film thickness of the affected layer preferably reaches 100 nm or less.例文帳に追加

その際、加工変質層の膜厚が100nm以下になることが好ましい。 - 特許庁

As the two wavelength areas, it is preferable to consider the light absorption spectrum of hemoglobin and to use narrow band light (a half value width of 20 nm or less) of a central wavelength of 545 nm and a central wavelength of 650 nm.例文帳に追加

２つの波長領域として、ヘモグロビンの光吸収スペクトルを考慮して、中心波長５４５ｎｍ及び中心波長６５０ｎｍの狭帯域光（半値幅２０ｎｍ以下）を用いることが好ましい。 - 特許庁

The initial layer 53 is formed at a thickness of 5 nm with low oxygen partial pressure.例文帳に追加

初期層５３は、低酸素分圧にて５ｎｍの厚さで形成する。 - 特許庁

The ultraviolet ray means light in a wavelength region of 320 to 370 nm.例文帳に追加

紫外線は３２０ｎｍ〜３７０ｎｍの波長領域の光をいう。 - 特許庁

The catalyst is formed on the base material at a speed of 0.5 nm/s.例文帳に追加

前記触媒は０．５ｎｍ／ｓの速度で前記基材に形成される。 - 特許庁

A peak wavelength of the ultraviolet radiation is preferably 100-400 nm.例文帳に追加

また、紫外線のピーク波長は、１００〜４００ｎｍであるのが好ましい。 - 特許庁

The nickel film 21 is 60 nm thick on a silicon oxide film 20.例文帳に追加

ニッケル膜２１の厚さは、シリコン酸化膜２０上で６０ｎｍとする。 - 特許庁

The major side length of a semiconductor chip is 0.5 nm or shorter in top view.例文帳に追加

半導体チップの平面長辺寸法を０．５ｍｍ以下とする。 - 特許庁

An n-side GRIN-SCH (Grated Index-Separate Confinement Heterostructure) layer 4 is constructed with three layers, that is, a 1.0Q layer 4a with 20 nm thickness, a 1.1Q layer 4b with 20 nm thickness and a 1.2Q layer 4c with 20 nm thickness from the n-type InP substrate side.例文帳に追加

ｎ側ＧＲＩＮ−ＳＣＨ層４は、ｎ型ＩｎＰ基板側から厚さ２０ｎｍの１．０Ｑ層４ａ、厚さ２０ｎｍの１．１Ｑ層４ｂ、厚さ２０ｎｍの１．２Ｑ層４ｃの３層で構成される。 - 特許庁

A perpendicular magnetic recording medium includes a nonmagnetic interlayer formed on a nonmagnetic substrate, an antiferromagnetic layer having a thickness of 2 nm or more and 30 nm or less, a first nonmagnetic underlayer having a thickness of 0.2 nm or more and 5 nm or less, a first bit patterned ferromagnetic layer, a first bit patterned nonmagnetic layer, and a second bit patterned ferromagnetic layer.例文帳に追加

非磁性基板上に形成された非磁性中間層、２ｎｍ以上３０ｎｍ以下の厚さを有する反強磁性層、０．２ｎｍ以上５ｎｍ以下の厚さを有する第１の非磁性下地層、第１のビットパターン状強磁性層、第１のビットパターン状非磁性層、第２のビットパターン状強磁性層を有する垂直磁気記録媒体。 - 特許庁

In a method for discriminating the quality of the sheet, a sheet to be discriminated is irradiated with a short wavelength light having 370 nm and a long wavelength light having 420 to 1,000 nm in the case of discriminating the quality of the sheet.例文帳に追加

紙質を判別する際に、判別対象としての紙に３７０ｎｍの短波長光、および４２０〜１０００ｎｍの長波長光を照射する。 - 特許庁

A printed board K is obliquely irradiated with violet light, which has a peak wavelength within a range exceeding 420 nm but less than 450 nm, from a lower ring light 13.例文帳に追加

プリント基板Ｋに対し、下部リングライト１３より、斜め方向から４２０ｎｍを上回り４５０ｎｍを下回る範囲にピーク波長をもつ紫色光が照射される。 - 特許庁

A substrate for organic electroluminescence includes at least a barrier layer having a thickness unevenness of 10 nm or more and 1,000 nm or less, and a fine particle layer containing fine particles.例文帳に追加

厚みむらが１０ｎｍ以上１，０００ｎｍ以下であるバリア層と、微粒子を含有する微粒子層とを少なくとも有する有機電界発光用基板である。 - 特許庁

An input/output history storage part 24 stores the input/output history of a variable output system 10 (a torque command value Tq prior to a time t-1 and the history of a motor rotation speed Nm).例文帳に追加

入出力履歴記憶部２４は可変出力システム１０の入出力履歴（時刻t-1以前のトルク指令値Tqと電動機回転速度Nmの履歴）とを記憶する。 - 特許庁

The black ink comprises at least a phthalocyanine coloring matter having a maximum absorption wavelength of at least 600 nm and a coloring matter having a maximum absorption wavelength of 450-600 nm.例文帳に追加

少なくとも、極大吸収波長が６００ｎｍ以上のフタロシアニン系色素および極大吸収波長が４５０〜６００ｎｍの色素を含有する黒色インク。 - 特許庁

The light-emitting layer has a first surface and a second surface, and can emit emission light having a peak wavelength in a wavelength range from 740 nm or more to 830 nm or less.例文帳に追加

発光層は、第１の面および第２の面を有し、７４０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の波長範囲にピーク波長を有する放出光を放出可能である。 - 特許庁

The light-reflecting sheet is composed of a sheet containing single fibers having a number average diameter of 1-1,000 nm and has a light reflectance at a wavelength of 560 nm of ≥95%.例文帳に追加

数平均直径が１〜１０００ｎｍである単繊維を含むシートからなり、波長５６０ｎｍにおける光の反射率が９５％以上である光反射シート。 - 特許庁

The light 111 of the wavelength 772 nm is condensed to a nonlinear optical crystal LBO 113 by a lens 112 and is converted into a light of a wavelength 386 nm by second optical harmonic generation.例文帳に追加

波長772nmの光１１１は、レンズ１１２により非線形光学結晶ＬＢＯ１１３に集光され、第二光高調波発生により波長386nmの光に変換される。 - 特許庁

To provide an optical recording medium capable of recording and reproducing with a laser of 300-900 nm in wavelength to be noted as a high density optical recording medium, especially with a blue purple laser of 400-410 nm in wavelength by using the heterocyclic compound as a recording layer.例文帳に追加

波長３００〜９００ｎｍのレーザーで良好な記録および再生が可能な光記録媒体および新規な複素環式化合物を提供する。 - 特許庁

If a second pattern (110) is formed by using an SOG film, a hard mask pattern (111) having a pitch of 30 nm can be formed by using ASML1400 ArF DRY equipment that has, for example, a resolution ability of 60 nm.例文帳に追加

SOG膜による第２パターン(110)を形成すれば、例えば、60nmの解像能力を有するASML1400 ArF DRY装備を用いて30nmのピッチを有するハードマスクパターン(111)を形成できる。 - 特許庁

At this stage, the thickness of the silicon oxide film is set at a value within a range of 32 to 48 nm.例文帳に追加

ここで、シリコン酸化膜の厚みを、３２〜４８ｎｍの範囲内の値とする。 - 特許庁

Typically, the amorphous Al_2O_3 film has a thickness within a range of 3-15 nm.例文帳に追加

一般的に、上記アモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜は、３ｎｍ〜１５ｎｍの厚みを有する。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor having the contact hole of a nm order size.例文帳に追加

ｎｍオーダーサイズのコンタクトホールを有する磁気センサを提供することを目的とする。 - 特許庁

A conductor wiring 12 having a thickness of 400 nm is formed on an IC board 11.例文帳に追加

ＩＣ基板１１上に４００ｎｍの厚さの導体配線１２を形成する。 - 特許庁

To provide a red semiconductor laser of the 650 nm band, which has a low threshold current.例文帳に追加

閾値電流が低い６５０ｎｍ帯の赤色半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

Also, it is appropriate as a structure to shield a light of 1,013 nm in central wavelength.例文帳に追加

中心波長１０１３ｎｍの光を遮断する構造としても好適である。 - 特許庁

To reduce the threshold current of a semiconductor laser device having a 780 nm band InGaAsP well layer.例文帳に追加

７８０nm帯ＩnＧaＡsＰ井戸層半導体レーザ素子の低閾値電流化を図る。 - 特許庁

To provide a metal halide lamp capable of irradiating light having a wavelength ranging from 300 to 330 nm.例文帳に追加

３００nm〜３３０nmの波長の光を照射できるメタルハライドランプを提供する。 - 特許庁

A laser diode 16 outputs 1,455 nm laser beam as a Raman pump light source.例文帳に追加

レーザダイオード１６はラマンポンプ光源として、１４５５ｎｍのレーザ光を出力する。 - 特許庁

A third light source part 3 emits a green laser beam L3 of 532 nm wavelength.例文帳に追加

第３の光源部３が、波長５３２ｎｍの緑色レーザ光Ｌ３を出射する。 - 特許庁

Recently, a HAADF resolution higher than 0.1 nm has been pursued by the use of a STEM Cs corrector. 例文帳に追加

最近、0.1nmより高いHAADF分解能が、STEM Csコレクタの利用によって追求されてきた。 - 科学技術論文動詞集

In a longitudinal section at the center of a base film 15 of a circular porous PTFE, a working electrode 12 is formed on a 100 nm thick Pt layer as a 1500 nm Au layer, and a counter electrode 14 and a reference electrode 13 are formed on both sides as a 100 nm Pt layer by sputtering.例文帳に追加

円形の多孔質ＰＴＦＥの基膜１５上の中央縦に、作用極１２がＰｔ層１００ｎｍ厚さ上にＡｕ層１５００ｎｍ厚さで、その両側に対極１４と参照極１３がＰｔ層１００ｎｍ厚さでスパッタリングして形成される。 - 特許庁

By the process, a hollow fibrous silica in which a hollow part having 25-50 nm inner diameter inside a cylindrical shape having 50-100 nm outer diameter, especially composed of a bundle of plural hollow silica hollow fibers having about 3 nm inner diameter of the hollow part.例文帳に追加

外径50〜100nmの円柱形状内部に内径25〜50nmの中空部分が存在する中空糸状シリカ、特に、中空部分が内径3nm程度の複数のシリカ中空繊維の束から構成されている中空糸状シリカが得られる。 - 特許庁

R (nm) is a fiber radius of the fibrous conductive carrier, A (piece/nm^2) is fiber piece density per a unit electrode area of the fibrous conductive carrier, and L (nm) is a fiber length of the fibrous conductive carrier.例文帳に追加

但し、Ｒ（ｎｍ）は前記繊維状導電性担体の繊維半径、Ａ（本／ｎｍ^2）は前記繊維状導電性担体の単位電極面積当たりの繊維本数密度、Ｌ（ｎｍ）は前記繊維状導電性担体の繊維長さである。 - 特許庁

In the resin film, retardation R (650) at a wavelength of 650 nm, retardation R (550) at a wavelength of 550 nm, and retardation R (450) at a wavelength of 450 nm satisfy formulas (A) and (B) and having water absorption of 1% or less.例文帳に追加

波長６５０ｎｍにおける位相差Ｒ（６５０）と波長５５０ｎｍにおける位相差Ｒ（５５０）と波長４５０ｎｍにおける位相差Ｒ（４５０）とが、次式（Ａ）、（B）を満たし、かつ吸水率が１％以下である樹脂フィルム。 - 特許庁

The dispersion liquid contains titanium oxide fine particles A where secondary particles each having a particle diameter of 100-2,000 nm are formed by binding primary particles each having a particle diameter of 10-50 nm, and titanium oxide fine particles B each having a primary particle diameter of 3-20 nm.例文帳に追加

粒径が１０〜５０ｎｍの一次粒子が連結して、粒径が１００〜２０００ｎｍの二次粒子を形成している酸化チタン微粒子（Ａ）及び３〜２０ｎｍの一次粒径を有する酸化チタン微粒子（Ｂ）を含有する分散液。 - 特許庁

A buffer layer 2 made of aluminium nitride with a thickness of 100 nm, a first semiconductor layer 3 made of undoped gallium nitride with a thickness of 1,500 nm and a second semiconductor layer 4 made of undoped gallium nitride with a thickness of 25 nm are formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上には、厚さが１００ｎｍの窒化アルミニウムからなるバッファ層２と、厚さが１５００ｎｍのアンドープの窒化ガリウムからなる第１の半導体層３と、厚さが２５ｎｍのアンドープのアルミニウム窒化ガリウムからなる第２の半導体層４とが形成されている。 - 特許庁

In a guest-host reflection type liquid crystal display element provided with a λ/4 plate, one sheet of a polymer film having 100-125 nm and 135-160 nm retardation values when measured with light having 450 nm and 590 nm wavelengths respectively is utilized as the λ/4 plate.例文帳に追加

λ／４板を備えたゲストホスト反射型液晶表示素子において、λ／４板として、波長４５０ｎｍで測定したレターデーション値が１００乃至１２５ｎｍであり、かつ波長５９０ｎｍで測定したレターデーション値が１３５乃至１６０ｎｍである一枚のポリマーフイルムを用いる。 - 特許庁

To obtain a network system which is not necessary to connect a signal line for operating NM (Network Management) function even if it is an NM non-compliant ECU (Electronic Control Unit), moreover, can be connected to an NM compliant ECU even if it is the NM non-compliant ECU assumed not to transit to a sleep state.例文帳に追加

ＮＭ未対応ＥＣＵであっても、ＮＭ機能を運用するための信号線を接続する必要がなく、またスリープ状態へ遷移することが想定されていないＮＭ未対応ＥＣＵであっても、ＮＭ対応ＥＣＵに接続可能とするネットワークシステムを得る。 - 特許庁