「o layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The deviation (eccentricity) of the origin (O) of the first layer and the rotation center (O') of a turntable and a rotation angle (θO) are calculated (49) from the position of the alignment mark.例文帳に追加

アライメントマークの位置から第１の層の原点(O)とターンテーブルの回転中心(O')とのずれ（偏心）と、回転角(θ_０)を算出する(49)。 - 特許庁

The electrode contains a layer of a composition of Ir-M-O.例文帳に追加

その電極は、組成Ｉｒ−Ｍ−Ｏの層を含む。 - 特許庁

The recording layer comprises an (a) layer containing SiC and O (oxygen), a (b) layer laminating an SiO_2 layer and an SiC layer to this order, a (c) layer laminating the SiC layer and the SiO_2 layer to this order.例文帳に追加

（ａ）ＳｉＣとＯ（酸素）とを含有する層、（ｂ）ＳｉＯ_２層とＳｉＣ層をこの順に積層した層、（ｃ）ＳｉＣ層とＳｉＯ_２層とをこの順に積層した層 - 特許庁

The layered product contains at least each of a polyester film layer, a metal layer (M layer), and a metallic oxide layer (O layer).例文帳に追加

ポリエステルフィルム層と金属層（Ｍ層）と金属系酸化物層（Ｏ層）を少なくともそれぞれ１層含む積層体とする。 - 特許庁

A first high-resistance layer 22A comprising cadmium oxide (Gd-O) is formed in a storage layer 20, together with a second high-resistance layer 22B comprising aluminum oxide (Al-O) or silicon oxide (Si-O).例文帳に追加

記憶層２０に、酸化ガドリニウム（Ｇｄ−Ｏ）よりなる第１高抵抗層２２Ａと、酸化アルミニウム（Ａｌ−Ｏ）または酸化シリコン（Ｓｉ−Ｏ）よりなる第２高抵抗層２２Ｂとを設ける。 - 特許庁

Moreover, the layer of Al_2O_3 is made to include the supplementary layer of at least one layer containing Al, Si and O.例文帳に追加

さらに、Ａｌ_２Ｏ_３層は、Ａｌ、Ｓｉ及びＯを含有する少なくとも１層の副層を含む。 - 特許庁

The (Ni, Zn)O layer 3 is preferably composed of a sintered body.例文帳に追加

（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層３は焼結体からなることが好ましい。 - 特許庁

The single layer pad 103 is formed on the I/O buffer 102.例文帳に追加

単層パッド１０３は、Ｉ／Ｏバッファ１０２上に形成されている。 - 特許庁

The lower layer 31 is formed by any of Ta-Si-O, Ta-Si-O-N, Ta-Si-Al-O, or Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 33 is also formed by the same composition.例文帳に追加

下部層３１はＴａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ又はＴａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎのいずれかで形成され、発熱抵抗層３３も同様の組成で形成される。 - 特許庁

A magnetoresistive effect element having a high magnetoresistive effect is obtained by forming a high-polarizability layer having a thickness of ≤10 nm in contact with the interface between a nonmagnetic layer and an intermediate layer as an Fe-rich Fe-O layer and heat-treating the Fe-O layer into a ferromagnetic Fe-O layer.例文帳に追加

非磁性層中間層界面に接して１０ｎｍ以下の厚さの高分極率層を、ＦｅリッチなＦｅ—Ｏ層として形成し、熱処理によって強磁性Ｆｅ−Ｏ層の積層膜とし、これによって高い磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子を得る。 - 特許庁

A free magnetic layer 6 is laminated in the order of an enhancement layer 12, a first soft magnetic layer 13, a nonmagnetic metal layer 14 and a second soft magnetic layer 15 from the bottom on an insulation barrier layer 5 composed of Mg-Ti-O or Ti-O.例文帳に追加

フリー磁性層６は、Ｍｇ−Ｔｉ−Ｏ、あるいは、Ｔｉ−Ｏから成る絶縁障壁層５上に、下から、エンハンス層１２、第１軟磁性層１３、非磁性金属層１４、第２軟磁性層１５の順に積層されている。 - 特許庁

SOLAR CELL WHOSE STRUCTURE LAYER IS (Zn, In, Al)O BASED TRANSPARENT ELECTRODE LAYER, AND ZnO-In2O3-Al BASED SPUTTERING TARGET USED FOR FORMING THE (Zn, In, Al)O BASED TRANSPARENT ELECTRODE LAYER例文帳に追加

（Ｚｎ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記（Ｚｎ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層の形成に用いられるＺｎＯ−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ系スパッタリングターゲット - 特許庁

SOLAR CELL WHOSE STRUCTURE LAYER IS (Zn, Ga, Al)O BASED TRANSPARENT ELECTRODE LAYER, AND ZnO-Ga2O3-Al BASED SPUTTERING TARGET USED FOR FORMING THE (Zn, Ga, Al)O BASED TRANSPARENT ELECTRODE LAYER例文帳に追加

（Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記（Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層の形成に用いられるＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３−Ａｌ系スパッタリングターゲット - 特許庁

An Si layer of the I/O region 15 is an Si epitaxial layer 18 whose thickness is larger than that of the Si layer 13 of the core region 14.例文帳に追加

Ｉ／Ｏ領域１５のＳｉ層は、コア領域１４のＳｉ層１３より厚いＳｉエピタキシャル層１８である。 - 特許庁

An operating system kernel includes a device driver layer, an enhanced I/O abstraction layer and a physical hardware implementation detail layer.例文帳に追加

オペレーティング・システム・カーネルは、デバイス・ドライバ・レイヤ、拡張Ｉ／Ｏアブストラクション・レイヤ、および物理ハードウェア実装詳細レイヤを含む。 - 特許庁

When Co content at the inner circumferential part is Co(i) (mass%) and Co content in the Co-reducing layer is Co(o) (mass%), the ratio of both Co(o)/Co(i) is ≥50% and <80% and the thickness of the Co-reducing layer is <10 μm.例文帳に追加

この内周部におけるCo含有量をCo(i)（質量％）、Co低減層におけるCo含有量をCo(o)（質量％）とするとき、両者の比率Co(o)/Co(i)が50％以上80％未満であり、Co低減層の厚さが10μm未満である。 - 特許庁

When Co content at the inner circumferential part is Co(i) (mass%) and Co content in the Co-reducing layer is Co(o) (mass%), the ratio of both Co(o)/Co(i) is ≥80% and ≤95% and the thickness of the Co-reducing layer is <10 μm.例文帳に追加

この内周部におけるCo含有量をCo(i)（質量％）、Co低減層におけるCo含有量をCo(o)（質量％）とするとき、両者の比率Co(o)/Co(i)が80％以上95％以下であり、Co低減層の厚さが10μm未満である。 - 特許庁

The base high resistance layer 22 is made of any of a Ta-Si-O, a Ta-Si-O-N, a Ta-Si-Al-O and a Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 23 is made of the same composition.例文帳に追加

下地高抵抗層２２はＴａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ又はＴａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎのいずれかで形成され、発熱抵抗層２３も同様の組成で形成される。 - 特許庁

The surface-treated steel sheet has an Fe-Ni alloy layer on at least one surface of the steel sheet and has a coating film containing Ti and O on the Fe-Ni alloy layer.例文帳に追加

鋼板の少なくとも片面に、Fe-Ni合金層を有し、該Fe-Ni合金層上に、TiおよびOを含む皮膜を有することを特徴とする表面処理鋼板。 - 特許庁

An insulating barrier layer 5 of Mg-O is formed on the second fixed magnetic layer 4c.例文帳に追加

前記第２固定磁性層４ｃ上にＭｇ−Ｏから成る絶縁障壁層５が形成されている。 - 特許庁

The insulating barrier layer 5 made of Al-O is formed on the second fixed magnetic layer 4c.例文帳に追加

前記第２固定磁性層４ｃ上にＡｌ−Ｏから成る絶縁障壁層５が形成されている。 - 特許庁

SOLAR CELL HAVING CONSTITUENT LAYER OF (Zn, Al)O-BASED TRANSPARENT ELECTRODE LAYER AND ZnO-Al2O3-BASED SPUTTERING TARGET USED FOR FORMING THE (Zn, Al)O-BASED TRANSPARENT ELECTRODE LAYER例文帳に追加

（Ｚｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記（Ｚｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層の形成に用いられるＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３系スパッタリングターゲット - 特許庁

The O^2- conduction part 31 of the ion and electron conductive layer 21 transmits the electron of the PM oxidation layer 22 to the NO_x reduction layer 23.例文帳に追加

イオン電子伝導層２１のＯ^２−伝導部３１は、ＰＭ酸化層２２の電子をＮＯ_ｘ還元層２３へと伝達する。 - 特許庁

The surface layer is formed while being reduced in difference in the atomic % of oxygen in a top most surface and in a central section of the surface layer and the atomic % in oxygen atom, fluorine atom and carbon atoms with C-O bond and C=0 bond controlled on the top most layer of the surface layer.例文帳に追加

最表面と表面層中心部における酸素の原子％の差が小さく、表面層の最表面における酸素原子とフッ素原子とC-O結合及びC＝O結合を持つ炭素原子の原子％が制御された表面層を形成する。 - 特許庁

A negative electrode active substance layer 13B contains Si and O as components.例文帳に追加

負極活物質層１３Ｂは構成元素としてＳｉとＯとを含んでいる。 - 特許庁

Further, the electron conductive part 32 of the ion and electron conductive layer 21 transmits O^2- of the NO_x reduction layer 23 to the PM oxidation layer 22.例文帳に追加

また、イオン電子伝導層２１の電子伝導部３２は、ＮＯ_ｘ還元層２３のＯ^２−をＰＭ酸化層２２へと伝達する。 - 特許庁

It is preferable that the atomic ratio of O to B in the recording layer is 2.2≤O/B≤13 and that the content ratio of O in the whole elements constituting the recording layer ranges 50% to 67% by the atomic ratio.例文帳に追加

記録層におけるＯとＢの原子比が２．２≦Ｏ／Ｂ≦１３である態様、記録層を構成する元素全量のうち、Ｏが占める割合が、原子比で５０％から６７％の範囲である態様などが好ましい。 - 特許庁

The I/O layer includes one or more I/O module models 110 that receive the system model outputs and creates the application layer inputs in the same or similar manner as an I/O module in the system being simulated.例文帳に追加

Ｉ／Ｏ層は、シミュレート中のシステムにおけるＩ／Ｏモジュールと同じまたは同様の方法でシステムモデル出力を受け取りアプリケーション層入力を作成する１つまたは複数のＩ／Ｏモジュールモデル１１０を含む。 - 特許庁

The second interface layer does not exist in the first interface layer, and includes an additional element different from Si, O, and N.例文帳に追加

第２の界面層は第１の界面層内になくかつＳｉ、Ｏ及びＮと異なる添加元素を有する。 - 特許庁

This is the organic electric field light-emitting element comprising that a layer containing at least one kind of tribenzo[hi, o, uv]triphenyleno[2,1,12,11-bcdef]ovalene derivative is pinched at least for one layer between a pair of electrodes.例文帳に追加

一対の電極間に、トリベンゾ[hi,o,uv] トリフェニレノ[2,1,12,11-bcdef] オバレン誘導体を少なくとも１種含有する層を、少なくとも１層挟持してなる有機電界発光素子。 - 特許庁

A Y-Ba-Cu-O system thin film laminate is provided, which has a LaNiO_3 thin film layer formed on the surface of a substrate material and a Y-Ba-Cu-O system thin film layer formed on the LaNiO_3 thin film layer.例文帳に追加

基板材料の表面に形成したＬａＮｉＯ_３薄膜層と、当該ＬａＮｉＯ_３薄膜層の上に形成されたＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系薄膜層を有することを特徴とする。 - 特許庁

Additionally, an aluminum oxide layer is formed on a contact surface of the O-ring to increase the pyrolysis temperature of the O-ring.例文帳に追加

更に、Ｏリングの接触面に、酸化アルミニウム層を形成することによって、Ｏリングの熱分解温度を上昇させることができる。 - 特許庁

These solder balls are designed to pass I/O signals or power to and from an IC, which is supported on the first metal layer.例文帳に追加

これらのはんだボールは、第１の金属層上に支持されたＩＣへ及びＩＣからのI/O信号、または電力を通すようにされる。 - 特許庁

However, the intermediate layer 130 is fixed to the lower layer 150 in an outer peripheral area O, and the intermediate layer 130 is not fixed thereto in a central area C.例文帳に追加

ただし、中間層１３０と下層１５０とが外周領域Ｏでは固定されていて中央領域Ｃでは固定されていない。 - 特許庁

In this method for forming the solder bump, a wafer equipped with a plurality of I/O pads, a passivation layer, an insulating metal layer, and a UBM layer is provided.例文帳に追加

本はんだバンプ形成方法は、複数のＩ／Ｏパッド、不動態化層、絶縁金属層、及びＵＢＭ層を備えるウェーハを提供している。 - 特許庁

In addition, it is made possible to reduce the crystalline deterioration of the activity layer 7 caused by the diffusion of H and O.例文帳に追加

そして、Ｈ，Ｏの拡散による活性層７の結晶性低下も低減できる。 - 特許庁

An anode electrode 5 is formed on the o-type anode region 3 and on the n-type drift layer 2.例文帳に追加

ｐアノード領域３上とｎドリフト層２上にアノード電極５を形成する。 - 特許庁

Further, each layer contains at least one element from among Ag, Bi, O, or N.例文帳に追加

さらに、各々の層は、Ａｇ、Ｂｉ、Ｏ及びＮの少なくとも一つの元素を含有する。 - 特許庁

A second conduction layer 108 is deposited o stacked on the other surface of the substrate.例文帳に追加

第２の導電層１０８は、基板のもう一方の表面に堆積又は積層される。 - 特許庁

The adhesion interfacial layer is formed from a Ge-N or Ge-O-N substance.例文帳に追加

前記粘着界面層は、Ｇｅ−ＮまたはＧｅ−Ｏ−Ｎ物質から形成される。 - 特許庁

In a free magnetic layer 6, an enhance layer 12, a first soft magnetic layer 13, a non-magnetic metal layer 14, and a second soft magnetic layer 15 are stacked in this order upwardly on an insulating barrier wall layer 5 of, for example, Mg-Ti-O.例文帳に追加

フリー磁性層６は、例えば、Ｍｇ−Ｔｉ−Ｏから成る絶縁障壁層５上に、下から、エンハンス層１２、第１軟磁性層１３、非磁性金属層１４、第２軟磁性層１５の順に積層されている。 - 特許庁

The semiconductor device is manufactured by a method of having the steps of: implanting P and O into a SiN layer; and reacting P and O implanted into the SiN layer with H_2O to etch the SiN layer.例文帳に追加

ＳｉＮ層にＰおよびＯを注入する工程と、前記ＳｉＮ層に注入されたＰおよびＯをＨ_2Ｏと反応させ、前記ＳｉＮ層をエッチングする工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。 - 特許庁

Impurities, such as C, H and O are prevented from being mixed into the i-type μc-Si:H layer 3 (photoelectric conversion layer) at the p-type a-Si:H layer 5.例文帳に追加

Ｃ，Ｈ，Ｏ等の不純物のｉ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層３（光電変換層）への混入がｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層５にて防止される。 - 特許庁

Moreover, a second layer 44 containing a water-based polyurethane O/W type emulsion resin is desirably provided between the first layer 42 and the outermost layer 43.例文帳に追加

さらには、前記第一層42と前記最外層43との間に水性ポリウレタンＯ／Ｗ型エマルジョン樹脂を含有する第二層44を備えることが望ましい。 - 特許庁

A coated layer made on the surface of a granular material containing the biologically active substance is a polymer of a polyisocyanate ingredient and a polyol ingredient containing a polyester polyol and has a urethane resin layer containing a urethane resin having a partial structure of oxycarbonyl [-O-C(=O)-] in the molecule and a protective layer which is made on the outside of the urethane resin layer and which contains a vegetable hardened oil.例文帳に追加

生物活性物質を含有する粒状物質の表面に被覆層が設けられており、該被覆層は、ポリイソシアネート成分とポリエステルポリオールを含有するポリオール成分との重合物であってオキシカルボニル［−O−C（＝O）−］の部分構造を分子内に有するウレタン樹脂を含むウレタン樹脂層と、該ウレタン樹脂層の外側に設けられた、植物硬化油を含む保護層とを有する。 - 特許庁