「pattern for」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR ESTIMATING AMOUNT OF OSCILLATION OF LOAD HANGING FROM CABLE CRANE AND METHOD FOR SETTING OPERATION PATTERN例文帳に追加

ケーブルクレーンに吊持された吊荷の振れ量予測方法および運行パターン設定方法 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING RESIST PATTERN USING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING PRINTED WIRING BOARD例文帳に追加

感光性エレメント、これを用いたレジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法 - 特許庁

RESIST COMPOSITION FOR EUV LIGHT EXPOSURE AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN USING THE SAME例文帳に追加

ＥＵＶ光露光用レジスト組成物並びにこれを用いたレジストパターン形成方法 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR IMMERSION EXPOSURE AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN USING THE SAME例文帳に追加

液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING UNEVEN PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING PATTERNED MEDIUM TYPE MAGNETIC RECORDING MEDIUM例文帳に追加

凹凸パターンの形成方法およびパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORFORMING FILM PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTROOPTICAL DEVICE, ELECTROOPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING MASK, STORAGE MEDIUM STORED WITH MASK PATTERN LAYOUT PROGRAM, AND APPARATUS FOR PRODUCING MASK例文帳に追加

マスク製造方法、マスクパターンレイアウトプログラムを記憶した記憶媒体、及びマスク製造装置 - 特許庁

To provide an image recognition device for reducing a load necessary for pattern matching processing.例文帳に追加

パターンマッチング処理に要する負荷を低減させる画像認識装置を提供すること。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING DECORATION PATTERN ON CONSTITUTION PART OF LAMPLIGHT OR INDICATOR FOR AUTOMOBILE例文帳に追加

自動車用灯火または指示装置の構成部品上に、装飾図柄を形成する方法 - 特許庁

RESIST COMPOSITION FOR LIQUID IMMERSION EXPOSURE PROCESS AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN BY USING THE RESIST MATERIAL例文帳に追加

液浸露光プロセス用レジスト組成物、該レジスト材料を用いたレジストパターン形成方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR DECIDING SYSTEMATIC ERROR VALUE IN TRIGGER PATTERN GENERATION FOR DISK例文帳に追加

ディスクのトリガ・パターン生成における系統的エラーの値を決定する方法および装置 - 特許庁

RESIST COMPOSITION FOR EXTREME ULTRAVIOLET (EUV), PRODUCTION METHOD OF RESIST COMPOSITION FOR EUV, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN例文帳に追加

ＥＵＶ用レジスト組成物、ＥＵＶ用レジスト組成物の製造方法、およびレジストパターン形成方法 - 特許庁

MASK FOR VACUUM DEPOSITION, METHOD FOR DEPOSITING THIN FILM PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING EL ELEMENT USING THE MASK例文帳に追加

真空蒸着用マスク、それを用いた薄膜パターンの形成方法及びＥＬ素子の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE, OPTICAL ELEMENT AND EXPOSURE APPARATUS例文帳に追加

レジストパターンの形成方法、光学素子の製造方法、基板の製造方法、光学素子、及び露光装置 - 特許庁

STORAGE MEDIUM FOR RECORDING INTERFACE SPECIFICATION DEFINITION AND METHOD FOR VERIFYING CONNECTION AND METHOD FOR GENERATING SIGNAL PATTERN例文帳に追加

インタフェース仕様定義を記録した記憶媒体、及び接続検証方法、及び信号パタン生成方法 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE例文帳に追加

感光性樹脂組成物、レジストパターンの形成方法、基板の加工方法及びデバイスの作製方法 - 特許庁

METHOD FOR APPLYING PHOTORESIST, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING MASTER INFORMATION CARRIER BY USING THESE METHODS例文帳に追加

フォトレジスト塗布方法、レジストパターン形成方法およびそれを用いたマスター情報担体の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYER SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING MICROSCOPIC PASSAGE STRUCTURE例文帳に追加

導電性パターンの形成方法、積層基板の製造方法及び微細流路構造体の製造方法 - 特許庁

GLASS SUBSTRATE FOR IMPRINT, RESIST PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD AND APPARATUS FOR INSPECTING GLASS SUBSTRATE FOR IMPRINT例文帳に追加

インプリント用ガラス基板、レジストパターン形成方法、インプリント用ガラス基板の検査方法及び検査装置 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERFILM, RESIST UNDERFILM, METHOD FOR FORMING THE RESIST UNDERFILM, AND METHOD FOR FORMING PATTERN例文帳に追加

レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法、及びパターン形成方法 - 特許庁

METHOD FOR INSPECTING LOCAL VARIANCE IN MASK PATTERN, METHOD FOR ASSURING LOCAL VARIANCE, AND INSPECTION PROGRAM FOR LOCAL VARIANCE例文帳に追加

マスクパターンのローカルばらつき検査方法、ローカルばらつき保証方法、及びローカルばらつき検査プログラム - 特許庁

LETTERPRESS PRINTING APPARATUS, METHOD FOR FORMING PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT例文帳に追加

凸版印刷装置及びパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、有機ＥＬ素子の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR DESIGNING PHASE SHIFT MASK例文帳に追加

パターン形成方法、半導体装置の製造方法、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの設計方法 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, RESIST UNDERLAYER FILM, METHOD FOR FORMING THE SAME, AND METHOD FOR FORMING PATTERN例文帳に追加

レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法、及びパターン形成方法 - 特許庁

The pattern 7 for wiring is provided with an electrode 9 for external connection terminal and an electrode 11 for bonding.例文帳に追加

配線用パターン７は外部接続端子用電極９とボンディング用電極１１を備えている。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING GRADATION PATTERN ON MOLDING SURFACE OF CORE FOR MOLD FOR MOLDING LIGHT GUIDE SHEET BY EMBOSSING PROCESS例文帳に追加

導光板成形用金型入子の成形表面にシボによるグラデーションパターンを形成する方法 - 特許庁

Furthermore, the operation part compares the valve pattern for comparison with the error pattern corresponding to the range and the oil-liquid output part, and determines that there is an error in a valve position including the valve pattern for comparison corresponding to the error pattern corresponding to the range and the oil-liquid output part.例文帳に追加

そして、比較用バルブパターンと前記レンジ・油液出力部対応エラーパターンとを対比し、前記レンジ・油液出力部対応エラーパターンに対応する比較用バルブパターンを有するバルブの位置にエラーがあると判定する。 - 特許庁

To provide a mask pattern inspecting method for electron beam exposure, with which a position relation between a first complementary pattern and a second complementary pattern, which are formed by dividing an original mask pattern for electron beam exposure, by a cut line, is inspected on a computer.例文帳に追加

元の電子線露光用マスクパターンを切断線で分割して形成した第１の相補パターン及び第２の相補パターンの位置関係を計算機上で検査することができる電子線露光用マスクパターン検査方法を得る。 - 特許庁

To provide a pattern generator and capable of generating test pattern data by an interleave method without having to analyze or creating internal operations for pattern generation for each interleave operation, and to provide a pattern generating method.例文帳に追加

パターン生成のための内部演算をインターリーブ動作の各々に対して分析して作成しなくても、インターリーブ方式でテストパターンデータの生成が可能な半導体テストのためのパターン生成装置及びパターン生成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern data high-speed drawing method of large-scale pattern data for rapidly and rationally drawing large-scale pattern data expressed by XY coordinate on a display device, and a pattern data high-speed drawing device suitable for the execution of the method.例文帳に追加

ＸＹ座標で表現される大規模図形データを、ディスプレイ装置上に迅速かつ合理的に描画する大規模図形データ高速描画方法および該方法の実行に適する図形データ高速描画装置を提供する。 - 特許庁

Though the winding route of the many turn-side coil pattern 3L is almost fixed and the degree of freedom for design of the pattern 3L is low, the degree of freedom for setting the winding route of the less-turn side coil pattern 3L becomes higher accordingly to the reduced number of turns of the pattern 3S.例文帳に追加

多ターン側コイルパターン３Ｌの巻回経路はほぼ定まってしまい、その設計の自由度は低いのに対して、少ターン側コイルパターン３Ｓは、巻回数が少ない分、その巻回経路の設定の自由度は高くなる。 - 特許庁

A test pattern for pattern dependency test is stored in the BIST 4, and a test pattern for timing dependency test is stored in the BOST 3, and the pattern dependency test and the timing dependency test are performed by using the BOST 3 and the BIST 4.例文帳に追加

パターン依存試験用試験パターンがＢＩＳＴ４に格納され、タイミング依存試験用試験パターンがＢＯＳＴ３に格納されて、ＢＯＳＴ３及びＢＩＳＴ４を使用して、パターン依存試験及びタイミング依存試験が行われる。 - 特許庁

The integrated test pattern is generated by generating a pattern for merge to properly connect plural test patterns and simultaneously merging the test pattern for merge into the plural test patterns based on condition information by the test pattern generating part 17.例文帳に追加

テストパタン生成部１７は、条件情報に基づいて、複数のテストパタンを適正に接続するためのマージ用パタンを生成すると共に、該マージ用パタンと複数のテストパタンとをマージして、一体化したテストパタンを生成する。 - 特許庁

A scan line halftone pattern writing section 74 receives a parameter such as a value of a coordinate Y for plotting an image, reads the halftone pattern corresponding to the coordinate Y for plotting the image from the main memory 54, and then sequentially writes the halftone pattern to a scan line halftone pattern memory section 76.例文帳に追加

スキャンラインハーフトンパターン書込部７４は，描画のＹ座標値などのパラメータを受け取り，メインメモリ５４から描画するＹ座標に対応するハーフトンパターンを読み込み、スキャンラインハーフトンパターン記憶部７６へ順次書き込む。 - 特許庁

Design pattern density for a correction object area on the mask is computed and correction data for the mask pattern density corresponding to the design pattern density are selected to correct design pattern data of the correction object area according to the data.例文帳に追加

一方、マスク上の補正対象領域に対する設計パターン密度を算出し、この設計パターン密度に対応するマスクパターン密度の補正データを選択し、これに基づいて、補正対象領域の設計パターンデータに補正を行う。 - 特許庁

As for pattern data for which the turn of variable display has come, pattern character failure moving image data corresponding to the pattern data are read and displayed instead of the pattern data and the moving image display is successively performed (S217:NO - S221).例文帳に追加

変動表示の順番がきた図柄データについては、その図柄データに代わって、当該図柄データに対応する図柄キャラ失敗動画データを読み出して表示し、この動画表示を順次に行う（Ｓ２１７：ＮＯ〜Ｓ２２１）。 - 特許庁

To provide a pattern forming method for forming a fine pattern with high precision, while improving the productivity of the pattern formation and for forming a predetermined pattern on a photosensitive composition with high resolution.例文帳に追加

微細パターンを高精細に形成することが可能であり、パターン形成における生産性を向上することが可能であり、かつ、高解像度で感光性組成物に所定パターンを形成することが可能なパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The pattern for the inspection in an arrangement position of the pattern for the inspection is found by a ray tracing computation to be prepared, so as to bring a reflection image of the pattern for the inspection imaged in the imaging position into a linear or a truly round pattern having no distortion, based on a design data for the inspection-objective curved surface mirror.例文帳に追加

検査対象曲面鏡の設計データを基に、撮像位置で撮像される検査用パターンの反射像がゆがみのない直線状または真円状のパターンとなるように、検査用パターン配置位置での該検査用パターンを光線追跡演算で求めて作成する。 - 特許庁

To mainly provide a coating liquid for forming a wettability pattern which can be used for manufacturing a pattern form and which does not elute metal or the like, and a method for manufacturing the pattern form using the coating liquid for forming the wettability pattern.例文帳に追加

本発明においては、パターン形成体の製造に用いることが可能な金属等を溶出させること等のない濡れ性パターン形成用塗工液、およびその濡れ性パターン形成用塗工液を用いたパターン形成体の製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁

A recessed and projecting pattern for a female die for press molding for giving a surface recessed and projecting pattern 42 for fixing the decorative stone 50 to the surface of a glass support frame 40 which is a part of the case surrounding a dial of a wristwatch is stamped using a first pattern body 10 and a second pattern body 30.例文帳に追加

腕時計の文字盤を包囲するケースの一部であるガラス支持枠４０の表面に装飾石５０を固定するための表面凹凸模様４２を付与するプレス成形用雌型ダイに対する凹凸模様の刻設を第一原型体１０と第二原型体３０を用いて行なう。 - 特許庁

The method of manufacturing a plasma display panel includes step 2 for forming an address electrode pattern on a rear glass substrate, step 3 for curing the address electrode pattern, step 4 for forming an underlying dielectric paste film covering the address electrode pattern, and step 5 for calcinating the underlying dielectric paste film and the address electrode pattern.例文帳に追加

背面ガラス基板上にアドレス電極パターンを形成するステップ２と、アドレス電極パターンをキュアするステップ３と、アドレス電極パターンを覆う下地誘電体ペースト膜を形成するステップ４と、下地誘電体ペースト膜とアドレス電極パターンとを焼成するステップ５と、を含む。 - 特許庁

A wafer for evaluation is made in accordance with the correction data of the mask pattern of a mask for evaluation obtained by inputting the design data of the mask pattern of the mask for evaluation to the rule base OPC and the length measurement of the gate pattern of the wafer for evaluation is performed.例文帳に追加

ルールベースＯＰＣに評価用マスクのマスクパターンの設計データを入力することにより、得た評価用マスクのマスクパターンの補正データに基づいて評価用ウェハを製作し、評価用ウェハのゲートパターンの測長を行なう。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING RESIN FOR FAR ULTRAVIOLET-SENSITIVE MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR PATTERN例文帳に追加

半導体集積回路用遠紫外線感光材料用樹脂の製造方法、及び半導体パターンの形成方法 - 特許庁

INSPECTION DEVICE FOR PHOTOMASK, INSPECTION METHOD FOR PHOTOMASK, METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DEVICE, AND PATTERN TRANSFER METHOD例文帳に追加

フォトマスクの検査装置、フォトマスクの検査方法、液晶装置製造用フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法 - 特許庁

Based on the displacement quantity of both patterns to be obtained by measuring an alignment mark for a light shielding pattern and an alignment mark for the phase shift pattern, displacement quantity of pieces of design data of both patterns is compensated and pattern defect inspection of a pattern to be inspected is performed on the basis of a reference pattern obtained by compensation of the displacement quantity.例文帳に追加

遮光パターン用のアライメントマークと位相シフトパターン用のアライメントマークを計測して得られる両パターンの位置ずれ量に基づき、両パターンの設計データの位置ずれ量を補正し、それにより得られた参照パターンを基準として披検査パターンのパターン欠陥検査を行う。 - 特許庁