「pattern for」に関連した英語例文の一覧と使い方(85ページ目)

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pattern forの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 30926件

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例文

To keep amusement in a pattern change itself, i.e., the prediction of the pattern change by having a function for obtaining variations in the pattern change owing to change through the use of a pattern group which is arranged in a matrix shape and also for relieving load and time in correspondence to things other than the pattern change.例文帳に追加

マトリクス状に配列された図柄群を用いて変動することで図柄変動のバリエーションを増やすことができると共に、図柄変動以外の対応に手間取ることを防止する機能を持たせることで、図柄変動の予測という図柄変動自体の趣向性を維持する。 - 特許庁

To provide a mask for manufacturing a semiconductor device, and its manufacturing method and exposing method which improve exposure characteristics by performing multiple exposure under the best lighting conditions for a rough pattern and a fine pattern when exposure to a pattern having both the rough pattern and fine pattern is carried out.例文帳に追加

疎のパターンと密のパターンが混在するパターンを露光する場合に、疎のパターン及び密のパターンそれぞれに最適な照明条件で多重露光することにより露光特性を向上させた半導体装置製造用マスク、その製造方法及び露光方法を提供する。 - 特許庁

Then, according to judgement results, the total control board 29 determines either pattern between the performance content pattern for probability variation patterns and the performance content pattern for non-probability variation pattern, which are distributed with respect to one performance pattern, and outputs the control commands indicating the performance content patterns to each sub-control boards 26-28.例文帳に追加

そして、判定結果に基づき、統括制御基板２９は、一つの演出パターンに振分けられた確変図柄用の演出内容パターン又は非確変図柄用の演出内容パターンの何れかを決定し、該演出内容パターンを示す制御コマンドを各制御基板２６〜２８に出力する。 - 特許庁

To provide a pattern forming technology for forming a prescribed pattern on a substrate by applying an application liquid containing a pattern forming material from a nozzle relatively moved to the surface of the substrate, wherein the pattern stable in the pattern width and in an end part position is formed.例文帳に追加

基板表面に対して相対移動するノズルからパターン形成材料を含む塗布液を塗布して、基板上に所定のパターンを形成するパターン形成技術において、パターン幅および端部位置の安定したパターンを形成する。 - 特許庁

例文

This imaging device performs detection for the limitation pattern, and when the copy-limitation pattern detection part 7 recognizes the copy-restriction pattern, the copy-inhibition pattern imparting part 8 imparts the copy-inhibition pattern to printed matter to be copied.例文帳に追加

本画像形成装置において、制限パターンの有無検知を実行し、複写制限パターン検知部７がこの複写制限パターンを認識した場合には、複写禁止パターン付与部８は複写印刷物に対して複写禁止パターンを付与する。 - 特許庁

例文

To realize a pattern detection circuit capable of saving a resource for storing a detection pattern and a detection position and reducing the overhead of processing after the pattern detection in performing pattern detection in accordance with comparison results of retrieval object data with an entry pattern.例文帳に追加

検索対象データとエントリーパターンとの比較結果に応じてパターン検出を行う場合、検出パターンと検出位置を記憶するリソースを節約でき、パターン検出後の処理のオーバーヘッドを削減できるパターン検出回路を実現する。 - 特許庁

For each light-emitting element 4, a p-electrode side wiring pattern 2 and an n-electrode side wiring pattern 3 are arranged such that one becomes a wide wiring pattern and the other becomes a narrow wiring pattern, and the light-emitting element 4 is arranged in the center of the wide wiring pattern.例文帳に追加

各発光素子４に対し、一方が幅広、他方が幅狭の配線パターン部になるようにｐ電極側配線パターン部２とｎ電極側配線パターン部３とを配設し、発光素子４を幅広の配線パターン部の中央部に配置する。 - 特許庁

A best adapted pattern selecting means 5 selects a pattern 3a highest in a rate of coinciding most with the pattern extraction object for every pattern extraction object based on the collated result, and stores these pairs in a best adapted pattern storage means 6.例文帳に追加

最良適合パターン選出手段５は、その照合結果に基づいて、パターン抽出対象ごとに、パターン抽出対象と最も一致する割合が高いパターン３ａを選出し、それらの組を最良適合パターン格納手段６に格納する。 - 特許庁

When operating a practical-use pattern group key 10 of an operation panel 8, this sewing pattern display device sets a practical-use pattern group mode, reads zoom display data of a practical-use pattern group command symbol 10A for imaging the practical-use pattern group and develops them on a display buffer.例文帳に追加

操作パネル８の実用模様群キー１０を操作すると、実用模様群モードが設定され、この実用模様群をイメージさせる実用模様群指示記号１０Ａの拡大表示データが記号メモリから読み込んで表示バッファに展開される。 - 特許庁

例文

Then, the hairline pattern of one cell is prepared based on the two-dimensional scalar field (S4), and the hairline pattern of one cell and a hairline pattern obtained by rotating this by 90 °C are alternately arranged like a checkered pattern so that a hairline pattern for emboss working can be prepared (S5).例文帳に追加

その２次元スカラ場に基づいて、１セルの万線パターンを作成し（Ｓ４）、その１セルの万線パターンと、それを９０°回転した万線パターンとを交互に、市松模様になるように配置してエンボス加工用万線パターンを作成する（Ｓ５）。 - 特許庁

例文

A pattern P particularly adapted to the speed of image formation and a pattern elongated in the sub-scanning direction so that precise measurement of the positional shift amount is allowed (preferably, a pattern in which the pattern P is repeated a plurality of times) are used as the two types for the inter-color registration correction pattern.例文帳に追加

色間レジ補正パターンには、画像形成の速度を特に重視したパターンＰと、正確に位置ズレ量を測定ができるよう副走査方向に長いパターン（好適には、パターンＰを複数回繰り返したパターン）と、の２種類を用いる。 - 特許庁

For the color, the pattern generation part 7 newly generates a pattern and outputs it to the pattern management part 5, which outputs the drawing data and pattern to a drawing execution part 8, so that the drawing execution part 8 adds the pattern to the drawing data to draw an image.例文帳に追加

その色に対してパターン生成部７は新たにパターンを生成してパターン管理部５へ出力し、パターン管理部５は描画データとパターンを描画実行部８へ出力し、描画実行部８は描画データにパターンを付加して描画を行う。 - 特許庁

To provide a vehicular illumination lighting fixture for forming an additional light distribution pattern against a light distribution pattern for a lower beam in which center luminosity of additional light distribution pattern is sufficiently elevated while its depth size is made smaller, when the light distribution pattern for a high beam is formed.例文帳に追加

ハイビーム用配光パターンを形成する際、ロービーム用配光パターンに対して付加される付加配光パターンを形成するための車両用照明灯具において、その奥行寸法を小さくした上で付加配光パターンの中心光度を十分高める。 - 特許庁

Tables for determining failure variation pattern types which are used for determining the variation pattern, have common determination values partially allocated for variation pattern types including the variation pattern with super ready-to-win status, regardless of the total count of saved prize ball data.例文帳に追加

また、変動パターンを決定する際に用いるはずれ用変動パターン種別判定テーブルは、スーパーリーチを伴う変動パターンを含む変動パターン種別の一部分に対しては、合算保留記憶数にかかわらず、共通の判定値が割り当てられている。 - 特許庁

In the circuit pattern forming method, a liquid discharge head for discharging liquid drops and a substrate 10 are relatively scanned two or more times; meanwhile, the liquid drops of a solution 11 for forming a conductive pattern and a solution 13 for forming an insulation pattern are discharged to draw a conductive pattern 11 and an insulation pattern 13 with a predetermined thickness in an overlapping manner.例文帳に追加

液滴を吐出する液体吐出ヘッドと基材１０とを相対的に複数回走査させながら導電パターン形成用溶液１１および絶縁パターン形成用溶液１３の液滴を吐出して、所定の厚さの導電パターン１１および絶縁パターン１３をそれぞれ重ねて描画する。 - 特許庁

Jetting is performed such that a jetting amount of liquid from a jetting head for jetting the liquid used for forming a later pattern is larger than that for forming a former pattern when the later pattern formed on the former pattern is larger than the former pattern on account of constitution of the electronic device or the electronic circuit.例文帳に追加

電子デバイスあるいは電子回路の構成上、先に形成したパターンよりそのパターンの上に後から形成するパターンが大きい場合の、先と後のパターン形成に使用する液体を噴射する噴射ヘッドの単位時間あたりの液体の噴射量を、後のパターン形成に使用する方が大となるようにして噴射する。 - 特許庁

The method for forming a pattern includes a first application step S30 for linearly supplying a high-viscosity application liquid to a principal surface of a substrate to form a small-width pattern, and a second application step S50 for linearly supplying a low-viscosity application liquid onto the principal surface of the substrate and the small-width pattern to form a large-width pattern intersecting with the small-width pattern.例文帳に追加

基板の主面に高粘度の塗布液を線状に供給して幅小パターンを形成する第１塗布工程（ステップＳ３０）と、基板の主面および幅小パターン上に低粘度の塗布液を線状に供給して、幅小パターンと交差する幅大パターンを形成する第２塗布工程（ステップＳ５０）とを含む。 - 特許庁

After simultaneously forming a resist pattern 22A for ion implantation and a resist pattern 22B for an alignment mark on a semiconductor film 13, ion implantation 23 is applied to the whole surface of that patterns, and after applying ashing 24 to an altered layer 16 formed on a resist pattern 22A' other than a resist pattern forming part B' for the alignment mark, the resist pattern 22A' is removed.例文帳に追加

半導体膜１３上にイオン注入用レジストパターン２２Ａとアライメントマーク用レジストパターン２２Ｂを同時に形成した後、その全面にイオン注入２３し、アライメントマーク用レジストパターン形成部Ｂ’以外のレジストパターン２２Ａ’を、表面に形成された変質層１６をアッシング２４した後レジストパターン２２Ａ’を除去する。 - 特許庁

The pattern retrieving device comprises a means for storing the feature quantities of images of a plurality of definitions different from each other of each sample pattern, a means for calculating the feature quantity of the presented pattern, and a means for measuring a distance between the feature quantity of the image of each definition of each sample pattern and the feature quantity of the presented pattern.例文帳に追加