「pin junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The two flows are generated to envelop the pin and reunite to form a junction surface 34, such that the mean length of the trace of the junction surface 34 in a section plane perpendicular to a mold face 16 for molding the running surface and to the axial direction, is larger than the minimum distance 24 between the cavity and the mold face for molding the running surface.例文帳に追加

２つの流動は、ピンを包囲しかつ接合面３４を形成すべく再結合し、走行面を成形する成形面１６および軸線方向に対して垂直な断面内での接合面３４のトレースの平均長さが、キャビティと走行面を成形する成形面との間の最小距離２４より大きくなるように発生される。 - 特許庁

The semiconductor element includes a semiconductor nano-wire 1 having a first region 7 provided with pn junction or pin junction, and a second region 8 provided with a field effect transistor structure; a pair of electrodes (2, 3) to be connected to both ends of the semiconductor nanowire 1; and a gate electrode 4 provided on at least one part of the second region via an insulation layer 5.例文帳に追加

ＰＮ接合またはＰＩＮ接合を備える第１の領域７と、電界効果型トランジスタ構造を備える第２の領域８とを有する半導体ナノワイヤ１と、半導体ナノワイヤ１の両端に接続される一対の電極（２，３）と、第２の領域の少なくとも一部に絶縁層５を介して設けられているゲート電極４とを備えている。 - 特許庁

The push-up pin 3 with a temperature measuring function used for semiconductor devices having a temperature measuring function at its tip provided with a thermocouple 4 is manufactured by setting a measuring junction 2 of a thermocouple 4 coated with a ceramics plate 1 having a thickness of 2.5 mm or less and a heat conductivity of 20 W/mxK or more on the tip of the push-up pin 3.例文帳に追加

厚さ２．５ｍｍ以下で熱伝導率２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックス板１により被覆された熱電対４の測温接点２を突き上げピン３の頭部に設置することにより、頭部が熱電対４による温度測定機能を具備した半導体製造装置に使用される温度測定機能付突き上げピン３を製造する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a semiconductor element (thin film transistor, a thin film diode, a photoelectric converter made of a PIN junction of a silicon or a silicon resistance element) which is thin in overall thickness and flexible (bendable) and has a light weight.例文帳に追加

全体の厚さが薄く、軽量、且つ、フレキシブルな（湾曲することが可能な）半導体素子（薄膜トランジスタ、薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子）を有する半導体装置およびその作製方法を提供する。 - 特許庁

To realize a semiconductor light receiving element having a high response rate and a high photoelectric conversion efficiency owing to multiple reflection effect of light by decreasing the pin junction area sufficiently and forming a p-side electrode stably.例文帳に追加

半導体受光素子に関し、ｐｉｎ接合面積を充分に小さくして、且つ、ｐ側電極を安定に形成することができるようにして、応答速度が速く、また、光の多重反射効果に依る高い光電変換効率をもつ受光素子を実現しようとする。 - 特許庁

The element may be a thin-film transistor, a light emitting element having a layer containing an organic compound, an element having liquid crystal, a memory element, a thin-film diode, a photoelectric conversion element comprising a silicon PIN junction, or a silicon resistance element.例文帳に追加

上記構成において、前記素子は、薄膜トランジスタ、有機化合物を含む層を有する発光素子、液晶を有する素子、メモリー素子、薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子、またはシリコン抵抗素子であってもよい。 - 特許庁

The photonic crystal has a PIN junction structure formed by joining a P clad 130 made of a P-type semiconductor, an I part 170 including an active part, and an N clad 140 made of an N-type semiconductor together in a first direction, and has the plurality of resonators including the active part 160.例文帳に追加

フォトニック結晶は、Ｐ型半導体からなるＰクラッド１３０、活性部を含むＩ部１７０およびＮ型半導体からなるＮクラッド１４０が第１の方向に接合されたＰＩＮ接合構造を有するとともに、該活性部１６０を含む複数の共振器を有する。 - 特許庁

To provide a tine plate of a structure that a connector pin is soldered to a substrate, and that even if the tine plate is expanded or contracted by temperature changes when adopted for a product, stress is not applied to a soldered junction part, and a connector using this.例文帳に追加

コネクタピンが基板にはんだ付けされ、製品に適用されて温度変化によりタインプレートが膨張又は収縮しても、はんだ接合部に応力がかからない構造のタインプレート及びこれを用いたコネクタを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a stacked photoelectromotive element with which shunting of the stacked photoelectromotive element where a transparent conductive layer is installed between a plurality of photoelectromotive elements having pin junction is solved and a stacked solar battery having a satisfactory characteristic and high yield is realized.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を有する複数の光起電力素子の間に透明導電層を設けた積層型光起電力素子のシャントを解決し、良好な特性及び高い歩留りを有する積層型太陽電池を実現しうる積層型光起電力素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The stacked photovoltaic element characterized in that comprising a plurality of unit photovoltaic elements each composed of a pn- or pin-junction, connected to each other in series, wherein a zinc oxide layer is provided at least in one position between the unit photovoltaic elements, and the zinc oxide layer has resistivity varying in the thickness direction.例文帳に追加

複数のｐｎ接合またはｐｉｎ接合からなる単位光起電力素子を直列に積層してなる光起電力素子であって、前記単位光起電力素子間の少なくとも一ヶ所に酸化亜鉛層を配置しており、該酸化亜鉛層の抵抗率が層厚方向で異なることを特徴とする。 - 特許庁

To prevent occurrence of cracks on both sides of a stem pin joint part of the base material, secure air tightness and superior appearance of a sealed container, and to secure a prescribed voltage tolerance by obtaining a state as if a triple junction is concealed.例文帳に追加

ベース材のステムピン接合部の両側でのクラックの発生を防止し密封容器の気密性及び良好な外観を確保すると共に、トリプルジャンクションを隠蔽するが如き状態として所定の電圧耐性を確保する。 - 特許庁

The reflection of infrared rays is controlled by forming a pn structure, pin structure, MIS structure, MIM structure or Schottky junction by stacking a translucent semiconductor film, a translucent electroconductive film, a translucent insulating film or the like on a glass substrate and electrically controlling the carrier concentration in these films.例文帳に追加

ガラス基板上に、透光性半導体膜、透光性導電膜、透光性絶縁膜等を積層して、ｐｎ構造、ｐｉｎ構造、ＭＩＳ構造、ＭＩＭ構造又はショットキー接合を形成し、それらの膜中のキャリア濃度を電気的に制御して赤外線の反射をコントロールする。 - 特許庁

A middle mold 18 is transferred accompanied with a transporting of a foamed molded article 2 in the extracting direction X by a junction force between a non-gradient part 10 of the foamed molded article 2 pushed by an ejecting pin 22 and a face 19 for forming the non-gradient part at mold releasing [cf. Fig.(a)].例文帳に追加

離型時に、エジェクトピン２２により押された発泡成形品２の無勾配部１０と無勾配部形成用面１９との接合力により、発泡成形品２の抜き方向Ｘへの移動に同伴して中間型１８が移動する〔図２（ａ）参照〕。 - 特許庁

The inspection method of the photovoltaic device includes a step for applying an AC voltage to the photovoltaic device that comprises at least one pin junction, and a step for detecting the response output of the photovoltaic device applied with the AC voltage.例文帳に追加

この光起電力装置の検査方法は、少なくとも１つのｐｉｎ接合を有する光起電力装置に交流電圧を印加するステップと、前記交流電圧が印加された光起電力装置の応答出力を検出するステップとを備えている。 - 特許庁

In the photovoltaic device having pin junction using a-SiGe: H where an unbonding hand is terminated by hydrogen for (i) layer, the amount of hydrogen in a film decreases from a P-layer side to an n-layer side in the (i) layer, and at the same time the amount of Ge decreases in linkage.例文帳に追加

この発明は、未結合手を水素により終端したａ−ＳｉＧｅ：Ｈをｉ層に用いたｐｉｎ接合を備えた光起電力装置において、ｉ層でｐ層側からｎ層側へ向かって膜中の水素量が減少するとともにＧｅ量が連動して減少する。 - 特許庁

In a thin-film solar battery containing pin junction in which a non-single crystalline silicon thin film containing a crystal is used as an i- layer, the oxygen atom concentration on the interface between a p-type or an n-type conductive layer on a substrate side and the i-layer is suppressed to be 5×10^20 atoms/cm^3 or below.例文帳に追加

結晶質を含む非単結晶シリコン系薄膜をｉ層として用いたｐｉｎ接合を含む薄膜太陽電池における基板側のｐまたはｎ型導電層とｉ層との界面における酸素原子濃度を５×１０^20ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下に抑制する。 - 特許庁

To enhance the efficiency of an amorphous thin film solar cell having at least one pin junction formed of a p-type semiconductor layer or an n-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film including a microcrystalline phase, a substantially intrinsic i-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film, or an n-type semiconductor layer or a p-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film.例文帳に追加

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐ型半導体層またはｎ型半導体層、非晶質薄膜からなり実質的に真性なｉ型半導体層、非晶質薄膜からなるｎ型半導体層またはｐ型半導体層で構成されるｐｉｎ接合を少なくとも一つ有する非単結晶薄膜太陽電池において、効率の向上を図る。 - 特許庁

To manufacture a photovoltaic power element having excellent characteristics by preventing the characteristics from being deteriorated due to the mixing of doping gases or the like into a substantially intrinsic i-type semiconductor layer, even if a transparent conductive layer wherein a high texture degree is included but adsorptive sites increase is used, when manufacturing the photovoltaic power element including a pin junction.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を有する光起電力素子の製造に際し、高いテクスチャー度を有するが吸着サイトが増加している透明導電層を使用した場合においても、ドーピングガス等が実質的に真性なｉ型半導体層に混入して特性が低下するのを防止して良好な特性を有する光起電力素子を製造できるようにする。 - 特許庁

The waveguide type semiconductor optical device 20 is a waveguide type semiconductor optical device with the pin type junction structure comprising n-type cladding layers 2, 3, an i-type absorption layer 4 and p-type cladding layer 6 formed on a semi-insulating substrate 1 wherein an impurity concentration in the i-type absorption layer is 10^16 cm^-3 or less.例文帳に追加

導波路型半導体光デバイス２０は、半絶縁性基板１上に、ｎ型クラッド層２、３、ｉ型吸収層４及びｐ型クラッド層６とからなるｐｉｎ型接合構造を形成した導波路型半導体光デバイスであって、前記ｉ型吸収層における不純物濃度が１０^１６ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

In this manufacturing method of the photovoltaic device in pin junction structure with amorphous silicon as a main material, a p-type layer 3 is formed and then hydrogen plasma treatment is made to the p-type layer 3, then CO2 plasma treatment is made for oxidizing a p-type layer surface, and a buffer layer 4a is formed between the p-type layer and an i-type layer.例文帳に追加

非晶質シリコンを主材料としたｐｉｎ接合構造を有する光起電力装置の製造方法において、ｐ型層３を形成後にこのｐ型層３に水素プラズマ処理を施し、その後ＣＯ_2プラズマ処理を行いｐ型層表面を酸化させて、ｐ型層とｉ型層との間のバッファ層４ａを形成する。 - 特許庁

In the process for fabricating a photoelectric conversion element, a p-layer constituting the photoelectric conversion element having a pin junction is formed by depositing a first p-layer 7 having a film thickness of 5 nm or less and added with impurities uniformly, and then depositing a second p-layer 8 on the first p-layer 7 by gas decomposition containing no p-type impurity.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を有する光電変換素子を構成するｐ層を、５ｎｍ以下の膜厚を有する均一に不純物が添加された第１ｐ層７を成膜し、該第１ｐ層７上にｐ型不純物を含まないガス分解によって第２ｐ層８を成膜することにより形成する光電変換素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

Photocurrent generated in the second pin junction having the i-type microcrystal semiconductor 108 is less by 0.8 mA/cm^2 or more than photocurrent generated in adjacent first and third pin junctions.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を３組直列に設ける光起電力素子において、光入射側からｉ型非晶質半導体１１１を有する第１のｐｉｎ接合と、次にｉ型微結晶半導体１０８，１０５を有する第２と第３のｐｉｎ接合とにより構成され、ｉ型微結晶半導体１０８を有する第２のｐｉｎ接合で発生する光電流が隣接する第１および第３のｐｉｎ接合で発生する光電流より０．８ｍＡ／ｃｍ^２以上少ないことを特徴とする。 - 特許庁

In the stacked photoelectric converter device containing a plurality of photoelectric converter units formed by a pin junction, at least one or more portions constituted sequentially of a first photoelectric converter unit, a silicon composite layer and a second photoelectric converter unit from a side close to the light incident side are contained, and the silicon composite layer contains a silicon crystal phase in an amorphous alloy of silicon and oxygen, thereby solving the problem.例文帳に追加

本発明によると、ｐｉｎ接合からなる光電変換ユニットを複数含む積層型光電変換装置において、光入射側に近い側から第一の光電変換ユニット、シリコン複合層、第二の光電変換ユニットより順次構成された部分を少なくとも一つ以上含み、前記シリコン複合層はシリコンと酸素の非晶質合金中にシリコン結晶相を含むことを特徴とすることによって課題を解決する。 - 特許庁