「pin junction」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To adopt a pin junction form for an end part of an RC beam.例文帳に追加

ＲＣ梁の端部に対するピン接合形式の採用を可能とする。 - 特許庁

As a result, the multi-junction photoelectric conversion device in which sufficient conductivity between pin junction and pin junction is secured and semiconductor junctions are connected in series can be provided.例文帳に追加

その結果、ｐｉｎ接合とｐｉｎ接合との十分な導電性を確保した、半導体接合を直列接続する多接合タイプの光電変換装置を提供することができる。 - 特許庁

Accordingly, there is provided the multi-junction photoelectric conversion device, in which semiconductor junctions are connected in series and full electrical connection between pin junction and pin junction is ensured.例文帳に追加

その結果、ｐｉｎ接合とｐｉｎ接合との十分な導電性を確保した、半導体接合を直列接続する多接合タイプの光電変換装置を提供できる。 - 特許庁

The multijunction solar cell comprises a plurality of laminated pin junction cells, and an intermediate member in dot- or stripe-form that is provided between at least two pin junction cells of the plurality of pin junction cells.例文帳に追加

複数のｐｉｎ接合セルを積層して構成され、複数のｐｉｎ接合セルの内、少なくとも１つのｐｉｎ接合セル間にドット状またはストライプ状の中間部材が設けられてなることを特徴とする多接合型太陽電池により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

In the first step, a silicon oxide film is formed in a wafer having a semiconductor layer constituting the PIN junction part.例文帳に追加

上記ＰＩＮ接合部を構成する半導体層を有するウェハに酸化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

The turning pin 2 is turnable with a junction to the polymer waveguide film 1 as a support point.例文帳に追加

回動ピン２は、ポリマ導波路フィルム１との接合箇所を支点に回動可能となっている。 - 特許庁

The pin junction 100 is obtained by stacking an n-layer 13, an i-layer 14 and a p-layer 15 in this order.例文帳に追加

ｐｉｎ接合１００は、ｎ層１３、ｉ層１４、及びｐ層１５をこの順に積層して得る。 - 特許庁

A coupling pin is pinchingly fixed with engaging grooves 29 and 29 which are provided between the junction parts of the flange parts.例文帳に追加

前記フランジ部の接合部間に設けた係合溝２９，２９で連結ピンを挟み込み固定する。 - 特許庁

A slider side junction board 40 comprises a junction 41 and a wound part 42 which is connected integrally to the junction 41 and is fitted rotatably to the pin 39.例文帳に追加

スライダ側接合板４０は、接合部４１と、接合部４１に一体に結合しピン３９に回転自在に嵌合する巻回部４２とを有している。 - 特許庁

To provide a reliable wiring board having a lead pin capable of ensuring sufficient junction strength between the lead pin and a connection pad formed on a wiring board, and to provide the lead pin used for the wiring board.例文帳に追加

リードピンと配線基板に形成された接続パッドとの十分な接合強度を確保し、信頼性の高いリードピン付配線基板及びこれに用いるリードピンを提供する。 - 特許庁

To provide a reliable wiring board having a lead pin for ensuring full junction strength between the lead pin and a connection pad formed on the wiring board, and to provide the lead pin used for the wiring board.例文帳に追加

リードピンと配線基板に形成された接続パッドとの十分な接合強度を確保し、信頼性の高いリードピン付配線基板及びこれに用いるリードピンを提供する。 - 特許庁

Further, a Schottky diode is used as the SiC diode and a PN junction diode or PIN diode is used as the Si diode.例文帳に追加

また、ＳｉＣダイオードをショットキー型ダイオード、ＳｉダイオードをＰＮ接合型ダイオードまたはＰＩＮ型ダイオードとする。 - 特許庁

To block the current conduction of a built-in PiN diode in a junction barrier Schottky (JBS) structure.例文帳に追加

接合障壁ショットキー（ＪＢＳ）構造内のビルトインＰｉＮダイオードの電流伝導を阻止する。 - 特許庁

To improve efficiency in a non-single crystal thin-film solar battery having a pin or pn junction that is made of an amorphous thin film containing a microcrystal phase.例文帳に追加

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐｉｎまたはｐｎ接合を有する非単結晶薄膜太陽電池において、効率の向上を図る。 - 特許庁

To improve photoelectric conversion efficiency by refining the interface of pin junction of a crystalline silicon thin film solar battery.例文帳に追加

結晶シリコン系薄膜太陽電池のｐｉｎ接合の界面を改良することにより光電変換効率を向上する。 - 特許庁

In the second step, a mask formed of a photo resist film forming the PIN junction side wall is formed on the silicon oxide film.例文帳に追加

第２工程は、上記酸化シリコン膜上に上記ＰＩＮ接合部側壁を形成するホトレジスト膜からなるマスクを形成する。 - 特許庁

To provide a waveguide type semiconductor optical device with which excellent extinction ratio characteristics are obtained and which contains a pin type junction structure.例文帳に追加

良好な消光比特性が得られるｐｉｎ型接合構造を含む導波路型半導体光デバイスを提供する。 - 特許庁

From the optical viewpoint, a light-receiving part having a PIN junction structure is formed in the lower semiconductor reflection mirror of the resonator.例文帳に追加

光学的には、共振器の下部半導体反射ミラー内にＰＩＮ接合構造を有する受光部が形成された構造となっている。 - 特許庁

A solar cell 10 is manufactured by stacking a metal electrode layer 12, a pin junction 100 and a transparent electrode layer 16 in this order on a substrate 11.例文帳に追加

太陽電池１０は、基体１１上に、金属電極層１２、ｐｉｎ接合１００、及び透明電極層１６が順に積層されて製造される。 - 特許庁

The high-speed nonvolatile optical memory element is composed of a PIN diode having a magnetic tunnel junction electrode.例文帳に追加

高速不揮発性光メモリ素子において、メモリ素子は、磁気トンネル接合電極を持ったＰＩＮダイオードから構成されている。 - 特許庁

An i-type a-Si layer 2 and a p-type a-Si layer 3 are deposited on the substrate 1 (an n-type silicon wafer), and a PIN junction is formed (a).例文帳に追加

基板１（ｎ型シリコンウエハ）上に、ｉ型ａ−Ｓｉ層２及びｐ型ａ−Ｓｉ層３を堆積させてｐｉ接ｎ合を作成する（ａ）。 - 特許庁

The pin junction 100 is constituted by successively laminating an n-layer 13, an i-layer 14, and a p-layer 15 upon another in this order.例文帳に追加

また、ｐｉｎ接合１００は、ｎ層１３、ｉ層１４、及びｐ層１５が順に積層されて成るものである。 - 特許庁

In addition, the amplitude of the detected output signal is compared with a reference value, thus judging as to whether the junction state between the test pin 17 and pattern 17a is confirming.例文帳に追加

さらに、検出された出力信号の振幅を基準値と比較し、テストピン１７とパターン１７ａとの接合状態の良否を判定する。 - 特許庁

When a reverse bias is applied to the pin structure by electrostatic discharge, the maximum electric field at the pin junction J1 becomes smaller that the maximum electric field at a pn junction consisting of the p-type clad region 15 and the n-type buried layer 33.例文帳に追加

静電放電により、このｐｉｎ構造に逆バイアスが印加されるとき、ｐｉｎ接合Ｊ１における最大電界は、ｐ型クラッド領域１５及びｎ型埋め込み層３３からなるｐｎ接合における最大電界より小さくなる。 - 特許庁

The method is used to manufacture a semiconductor device that includes a PIN junction part with an I-type semiconductor layer formed on the main surface of a semiconductor substrate and is provided with a PIN junction side wall having a flat face where a part corresponding to the I-type semiconductor layer is vertical to the main surface thereof.例文帳に追加

半導体基板主面に形成されたＩ型半導体層を有するＰＩＮ接合部とを含んで、上記Ｉ型半導体層に対応した部分が上記主面に対して垂直方向に向かう平面的な面を持つＰＩＮ接合部側壁を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To form a thin film having no grain boundary in a region wherein a pn junction or a pin junction or a channel is formed on a low cost substrate by a simple method.例文帳に追加

ｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合、またはチャネルを形成する領域に、結晶粒界がない薄膜を、安価な基板上に、簡単な方法で作製する。 - 特許庁

When the header pin is inserted into a housing of receptacle contact, it has a configuration having an inducing means which moves the header pin to a junction of receptacle contact, and presses.例文帳に追加

本発明は、ヘッダーピンをリセプタクルコンタクトのハウジングに挿入した時、ヘッダーピンをリセプタクルコンタクトの接点に移動し押圧する誘導手段を有する構成とした。 - 特許庁

To provide a pinned wiring board which is brazed at its pin junction to a pin with a highly reliable connection intensity.例文帳に追加

基板のピン接合部にピンがロウ付けされた配線基板において、ピンと、ピン接合部との接続強度の信頼性の高いピン付き配線基板を提供する - 特許庁

The PIN photo diode further includes a gate electrode construction comprising a gate insulating layer 28 and a gate electrode pad 29 to prevent excessive depletion of a junction layer caused when a negative voltage is applied to an electrode 26 brought into contact with the junction layer 25.例文帳に追加

ピンフォトダイオードは、接合層２５とコンタクトした電極２６に負の電圧を印加する時に接合層が過度に空乏されることを防止するように、ゲート絶縁層２８及びゲート電極パッド２９からなるゲート電極構造をさらに含むこと特徴とする。 - 特許庁

By forming the pn junction or the pin junction of a diode, or the channel of a transistor in these thin lines, crystalline thin film semiconductor devices with identical characteristics can be manufactured nearly as same as those in the case where a single crystal is used.例文帳に追加

この細線部にダイオードのｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合、またはトランジスタのチャネルを形成することにより、単結晶を用いた場合の特性に近く、かつ、特性が揃った結晶性薄膜半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

In a hinge body 36 of the hinge device 14, a panel side junction 30 is formed by bending at a right angle from a side plate part 29, and a pin 39 is fixed on the side plate part 29 and is protruding therefrom to a side the same as the panel side junction 30.例文帳に追加

ヒンジ装置１４のヒンジ体３６において、パネル側接合部３０は側板部２９から直角に折り曲げられて形成され、ピン３９は、側板部２９に固定されて、側板部２９からパネル側接合部３０と同じ側に突出している。 - 特許庁

Since a length W3 of a flange 123 of a pin 121 parallel to the major surface of a board is set to satisfy a predetermined condition, stress concentration less takes place at a brazing material between the side of the flange of the pin 121 and a junction part 11.例文帳に追加

ピン１２１の鍔部１２３の基板の主面と平行方向の長さＷ３を所定の条件を満たす長さとしたため、ピン１２１の鍔部側面とピン接合部１１１との間のロウ材の部分に応力集中が発生しにくい。 - 特許庁

A wiring process 102 is performed in which circuit correction performing wiring in the state passing the uppermost layer or its one lower layer is considered about from a necessary pin to a junction.例文帳に追加

所要のピンからの分岐点までの配線について、最上位層またはその１層下の層を通る状態で配線する回路修正を考慮した配線工程１０２を行う。 - 特許庁

A solar cell 10 is constituted by successively laminating a metallic electrode layer 12, a pin junction 100, and a transparent electrode layer 16 upon a substrate 11, such as the silicon substrate etc., in this order.例文帳に追加

太陽電池１０は、シリコン基板等の基体１１上に、金属電極層１２、ｐｉｎ接合１００、及び透明電極層１６が順に積層されたものである。 - 特許庁

A pin-junction is formed by laminating an i-type hydrogenated amorphous silicon layer 2 and a p-type hydrogenated amorphous silicon layer 3 on an n-type silicon wafer 1.例文帳に追加

ｎ型のシリコンウェハ１に、ｉ型の水素化非晶質シリコン層２及びｐ型の水素化非晶質シリコン層３を積層して．ｐｉｎ接合を構成する。 - 特許庁

To provide a glass ceramics multilayer circuit board where junction characteristics are good between a glass ceramics and a surface conductor layer as well as between the surface conductor layer and a pin.例文帳に追加

ガラスセラミックスと表面導体層との接合性、表面導体層とピンとの接合性がともに良好なガラスセラミック多層回路基板を提供すること。 - 特許庁

To achieve high-density wiring and fine pitch without arranging an electrically-plated conductor, to improve a bonding property to a gold wire of wire bonding junction, and to respond to usage of a high pin number of a fine pitch.例文帳に追加

電気めっき導線を配置することはなく、高密度配線と微細ピッチの達成ができ、ワイヤボンディング接合の金線との結合性を向上させ、微細ピッチの高ピン数の使用に応じることができるようにする。 - 特許庁

To provide a compound which is chemically safe and easy to be transported in large quantities as a compound used for a pin-junction amorphous semiconductor film formed as a photoelectric conversion layer of a photovoltaic device.例文帳に追加

光起電力装置の光電変換層として成膜されるｐｉｎ接合の非晶質半導体膜に用いられる化合物として、化学的に安全で、かつ大量輸送しやすい化合物を提供する。 - 特許庁

To provide a film formation material which is chemically safe and facilitates mass transport as a compound used for a pin-junction amorphous semiconductor film formed as a photoelectric conversion layer of a photovoltaic device.例文帳に追加

光起電力装置の光電変換層として成膜されるｐｉｎ接合の非晶質半導体膜に用いられる化合物として、化学的に安全で、かつ大量輸送しやすい成膜原料を提供する。 - 特許庁

Though eject pin impressions are formed as recessions 28, 38 in the first resin formed member 2 and second resin formed member 3, bubbles do not remain because air in the recessions 28, 38 escapes to the outside through a deaerating groove 35 when in junction.例文帳に追加

第１の樹脂成形部材２および第２の樹脂成形部材３では、エジェクトピン痕が窪み２８、３８として形成されているが、接合の際、窪み２８、３８の空気が脱気溝３５から外部に逃げるので、気泡が残留しない。 - 特許庁

To provide a photovoltaic element (thin film silicon solar battery) without performance degradation by light induction compared to amorphous silicon while maintaining high conversion efficiency and to especially provide the photovoltaic element suitable for being applied to the thin film silicon solar battery of a pin junction suitable for the effective utilization of solar light energy by a tandem structure.例文帳に追加

高い変換効率を維持しつつ、アモルファスシリコンに比べて、光誘起による性能劣化のない構成の光起電力素子（薄膜シリコン太陽電池）を提供する。 - 特許庁

The n-type low refractive index layer 21, the light absorption layer 22 and the p-type high refractive index layer 23 adjoining each other constitute a PIN junction, i.e. an optical detection mechanism (photodetector 24).例文帳に追加

互いに隣り合うｎ型低屈折率層２１、光吸収層２２およびｐ型高屈折率層２３がＰＩＮ接合、すなわち光検出機構（光検出器２４）を構成する。 - 特許庁

To provide an improved magnetic resistance tunnel junction(MTJ) sensor which fixes a magnetizing direction of an antiparallel(AP) pin MTJ sensor, using a high coercive magnetic substance.例文帳に追加

高飽和保磁力磁性体を使用して逆平行（ＡＰ）ピンＭＴＪセンサの磁化方向を固定する、改良型の磁気抵抗トンネル接合（ＭＴＪ）センサを提供すること。 - 特許庁

To provide a coil component having a structure to prevent residual flux from being attached to a junction of magnetic cores during insertion of magnetic cores into a bobbin even when a flux melts up along the bobbin in soldering of a coil terminal onto a terminal pin.例文帳に追加

巻線端末の端子ピンへの半田付け時に、フラックスがボビンに沿って溶け上がっても、磁気コアをボビンに挿入する際に、フラックス滓が、磁気コア同士の接合部に付着しない構造にする。 - 特許庁

To improve photoelectric conversion efficiency of a crystalline silicon photoelectric converter consisting of a pin junction deposited in the same deposition chamber.例文帳に追加

本発明の課題は、同一製膜室で製膜されたｐｉｎ接合からなる結晶質シリコン光電変換装置において、結晶質シリコン光電変換装置の光電変換効率を改善することである。 - 特許庁