「planar junction」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This structure is so constituted that, at least, each cross section of two pipes 19, 20 of the junction part 18 is approximately semi-circular having a planar wall 4, the planar walls 4 of the both pipes 19, 20 are mutually faced to each other or closely stuck together, and the both planar walls 4 becomes an integral member folded down in the ends.例文帳に追加

少なくとも合流部１８の２本の管１９，２０の横断面が平面壁４を有する略半円形状であり、前記両管１９，２０の平面壁４が相互に対峙もしくは密着し、かつその両平面壁４が端部で折り返された一体部材である構造。 - 特許庁

A multijunction photovoltaic structure includes: a first subcell including a p-n or p-i-n junction with elongated structures; and a second subcell, arranged in tandem with the first subcell, and including a planar p-n or p-i-n junction.例文帳に追加

マルチ接合光電池構造は、背高構造を有するｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第１サブセルと、上記第１サブセルと縦に並んで配置され、平坦ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第２サブセルとを含む。 - 特許庁

The Hastelloy (R)-made supporting member is subjected to a planar junction to the attachment hole 3a of the dust collection electrode element 3 or is welded thereto so as to protrude to edges.例文帳に追加

ハステロイ（登録商標）製支持部材は集塵極エレメント３の取付け孔３ａの部分に面接合するか、端縁に張り出すようにして溶着する。 - 特許庁

Junction members 8a, 8b, and 8c are provided between a ground plate 1, radiation element 2, 3, and 4, and a radome 5 for greatly affecting the antenna characteristics of the inverse-F-type planar antenna device, respectively.例文帳に追加

逆Ｆ型の平面アンテナ装置のアンテナ特性を左右するグランド板１、放射素子２，３，４、レドーム５の間に、それぞれ接合部材８ａ，８ｂ，８ｃを設けた。 - 特許庁

In the record layer of a ferromagnetic tunnel junction element 61, its planar shape is formed asymmetrically to an axis to make easy a magnetization and symmetrically to an axis to make a magnetization difficult.例文帳に追加

強磁性トンネル接合素子６１の記録層は、平面形状が、磁化容易軸に対して非対称に、かつ、磁化困難軸に対して対称に形成されている。 - 特許庁

A single-crystal silicon layer 8 and a metal silicide layer 13 layered on it are formed on a bulk silicon substrate side of a planar structure p-n junction, formed in an SOI layer which is a thermoelectric transducing part of a forward bias p-n junction type non-cooled infrared sensor.例文帳に追加

順バイアスｐｎ接合型の非冷却赤外線センサの熱電変換部となる、ＳＯＩ層に形成されたプレーナ構造ｐｎ接合のバルクシリコン基板側に単結晶シリコン層８と積層された金属シリサイド層１３が形成される。 - 特許庁

Therefore, the high withstand voltage characteristics can be obtained stably, because a depletion layer produced from a pn junction is uniformly spread in the planar direction without the fluctuation of its width, and a uniform electric field distribution is exhibited without generating any concentrated point of electric fields when a voltage which biases a pn junction in the reverse direction is impressed.例文帳に追加

従って、ＰＮ接合を逆方向バイアスする電圧を印加した際に、ＰＮ接合部から生じる空乏層の幅がばらつかず平面方向に一様に広がり、電界集中点が発生せずに一様な電界分布を示すため、高い耐圧特性が安定して得られる。 - 特許庁

A planar shape of each cathode electrode 18 of the LED chip 10 is formed in a circular shape having a diameter L2 not more than a diameter L1 of the circular junction face with a conductive pattern 28 of a bump 38.例文帳に追加

ＬＥＤチップ１０の各カソード電極１８の平面形状は、直径Ｌ２がバンプ３８における導体パターン２８との円形状接合面の直径Ｌ１以下の円形状に形成されている。 - 特許庁

To provide a technology to realize a MOSFET with a low on-state resistance and a low feedback capacitance by preventing punch-through of a channel layer, even if a shallow junction is formed in the channel layer in a planar MOSFET.例文帳に追加

プレーナ型ＭＯＳＦＥＴにおいて、チャネル層を浅接合化しても、チャネル層のパンチスルーを防止し、低オン抵抗かつ低帰還容量のＭＯＳＦＥＴを実現することができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a planar thin-film SQUID differential magnetic flux sensor having a special structure which makes any magnetic flux trap difficult to occur at a Josephson junction, and to provide a non-destructive inspection apparatus using it.例文帳に追加

ジョセフソン接合での磁束トラップが発生しにくい特殊な構造を有する平面薄膜型ＳＱＵＩＤ微分型磁束センサ及びそれを用いた非破壊検査用装置を提供する。 - 特許庁

A mask for use in making a planar PN junction in a semiconductor device includes a central mask opening and a plurality of spaced apart concentric mask openings surrounding the central mask opening.例文帳に追加

半導体デバイス中のプレーナＰＮ接合を作る際に使用するためのマスクは、中央マスク開口と、中央マスク開口を囲む複数の間隔を空けて配置された同心円マスク開口とを含む。 - 特許庁

A spacer layer (105) and a Schottky junction forming layer (107) for forming a portion of a barrier layer are formed of an undoped compound semiconductor layer (InP, GaP, AlP, etc.) including P as a component element, and the carbon planar doped layer (106) is formed in the surface of the spacer layer (105) which has contact with the Schottky junction forming layer (107).例文帳に追加

バリヤ層の一部を構成するスペーサ層（１０５）およびショットキー接合形成層（１０７）を、Ｐを一成分元素ととして含むアンドープの化合物半導体層（ＩｎＰ、ＧａＰ、ＡｌＰなど）から形成し、スペーサ層（１０５）のショットキー接合形成層（１０７）に接する面に、炭素のプレーナドープ層（１０６）を形成する。 - 特許庁

To provide an electrode junction structure which can prevent defects from being caused due to an external force applied to flexible substrates and which can reduce the area of the sealing resin and flexible substrates in the planar view.例文帳に追加

フレキシブル基板に外力が加わることによる不良の発生を抑えるとともに、平面視における封止樹脂及びフレキシブル基板の面積を小さくすることができる電極接合構造体を提供する。 - 特許庁

With this constitution, a sheet resistance component, which is produced undersirably by a large area planar structure p-n junction in a thin SOI layer, can be substantially subs reduced, and as a result, a non-cooled infrared sensor with low noise and high sensitivity can be obtained.例文帳に追加

このような構成により、薄いＳＯＩ層における大面積プレーナ型ｐｎ接合で問題となっていたシート抵抗成分を大幅に低減することができ、その結果として低雑音・高感度の非冷却赤外線センサを得ることが出来る。 - 特許庁

To provide an electronic control apparatus the lifetime of which can be enhanced by suppressing application of an excessive stress to junction of electronic components of a circuit board even when a force of deforming the circuit board in a planar direction is applied to the circuit board due to a temperature change.例文帳に追加

温度変化により回路基板が面方向において変形する力が加わった際にも回路基板での電子部品の接合部に無理な応力が加わるのを抑制して寿命向上を図ることができる電子制御装置を提供する。 - 特許庁

A tunable oscillator includes a first transistor, a second transistor connected in parallel with the first transistor, a noise feedback and bias network coupled to the first and the second transistors, a planar coupled resonator network coupled to the first and the second transistors, and a means for dynamically tuning the resonant frequency of the planar coupled resonator network and the junction capacitance of the first and the second transistors.例文帳に追加

第１のトランジスタと、第１のトランジスタと並列に接続された第２のトランジスタと、第１および第２のトランジスタに結合したノイズフィードバック・バイアス回路網と、第１および第２のトランジスタに結合した平面結合共振器回路網と、平面結合共振器回路網の共振周波数と第１および第２のトランジスタの接合静電容量を動的に調整するための手段とを備える。 - 特許庁

To provide a planar type semiconductor device in which a horizontal direction of a depletion layer near a guard ring region is easily broadened, an electric field near a corner of a main junction region is sufficiently alleviated, and a concentration of an avalanche current to the corner is prevented to improve a withstand voltage.例文帳に追加

ガードリング領域近傍における空乏層の水平方向の広がりやすくして、主接合領域の隅部近傍の電界を十分に緩和させ、アバランシェ電流の当該隅部への集中を防止することにより、耐圧を向上させたプレーナ型半導体装置を提供することを目的すること。 - 特許庁

To provide a bidirectional high breakdown voltage planar semiconductor device having a high avalanche resistance in which forward breakdown voltage is stabilized with higher reliability, a new reverse breakdown voltage structure is contrived, and occurrence of breakdown due to field concentration is prevented in the junction termination structure in both forward and reverse directions when a voltage is applied.例文帳に追加

順方向耐圧をよりいっそう高信頼性に安定させ、逆方向耐圧構造を新たに工夫し、順逆方向共に、電圧印加時に、接合終端構造内での電界集中によるブレークダウンが発生せず、共に高アバランシェ耐量を有する双方向高耐圧プレーナ型半導体装置の提供。 - 特許庁

In the planar thin-film SQUID differential magnetic flux sensor which has a primary or more differential magnetic flux detecting coil for measuring a magnetic field differentiation, a SQUID ring is directly coupled with the magnetic flux detecting coil such that bias current flows in the Josephson junction in the SQUID ring along a direction parallel to a direction of an exciting magnetic field.例文帳に追加

平面薄膜型ＳＱＵＩＤ微分型磁束センサにおいて、磁界微分を計測する一次以上の微分型磁束検出コイルを有する平面薄膜型ＳＱＵＩＤ微分型磁束センサにおいて、励磁磁場の方向と、ＳＱＵＩＤリング中のジョセフソン接合部に流れるバイアス電流の方向が平行になるようにＳＱＵＩＤリング部と磁束検出コイルを直接結合させることを特徴とする。 - 特許庁