「plasma state」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

When carrying out the PECVD reaction in the source gas plasma, the catalyst surface is treated with the reducing gas plasma prior to generation of the source gas plasma so as to maintain the catalytic activity in a high state.例文帳に追加

原料ガスのプラズマ中でＰＥＣＶＤ反応を行う際、原料ガスのプラズマの発生に先立ち、触媒表面を還元ガスのプラズマにより処理して、触媒活性を高い状態に保持する。 - 特許庁

To provide an inductive coupling plasma processing apparatus which is capable of controlling a plasma state in the middle of plasma processing without increasing the apparatus cost and the power cost.例文帳に追加

、装置コストおよび電力コストを高くすることなく、プラズマ処理の途中でプラズマ状態の制御を行うことができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide plasma processing semiconductor fabrication equipment which can prevent variation in the state of plasma and deposits a film of a desired thickness uniformly by plasma processing.例文帳に追加

プラズマの変化の状態を防止でき、所望の膜厚および均一に成膜し、プラズマ処理を施すプラズマ処理半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma detector capable of easily detecting plasma in a state of being harmful to machining without complicating the constitution, and to provide a laser beam machine with the plasma detector.例文帳に追加

構成を複雑化させることなく、加工に有害な状態のプラズマを容易に検出することの出来る、プラズマ検出装置、及びプラズマ検出装置付きレーザ加工機の提供。 - 特許庁

The oxygen plasma treatment is followed by a plasma treatment on the substrate having the through-hole by plasma of an oxygen gas in the state of the application of the bias to the substrate being suspended.例文帳に追加

さらに、上記酸素プラズマ処理と連続して、貫通孔が形成された基板に対して、上記基板バイアスの印加を停止した状態で、酸素ガスのプラズマによるプラズマ処理を行う。 - 特許庁

To detect directly, simply a state of plasma produced by applying a high frequency wave or a high voltage on a window type probe, a plasma monitoring apparatus, and a plasma treatment apparatus.例文帳に追加

窓型プローブ、プラズマ監視装置、及び、プラズマ処理装置に関し、高周波或いは高電圧の印加によって発生させたプラズマの状態を直接、簡便に検出する。 - 特許庁

A plasma CVD device generates plasma 8 with the supply of electrical energy applied by a power supply 6, places material gas into a plasma state, and treats the surface of a substrate 1 by decomposing the material gas into active species.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置は、電源６による電気的エネルギーの供給によってプラズマ８を発生させて材料ガスをプラズマ状態とし、材料ガスを活性種に分解することにより基板１の表面を処理する。 - 特許庁

To provide a structure of a plasma exhaust gas treatment tower which brings the inside of the plasma exhaust gas treatment tower into a homogeneous plasma generation state to prevent the dispersion from occurring in the decomposition of a passing gas.例文帳に追加

プラズマ排ガス処理塔内を均一なプラズマ発生状態にして通過ガスの分解にばらつきが起こらないようにするプラズマ排ガス処理塔の構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a plasma processing apparatus that suitably control the potential of a wall in accordance with processes while stably maintaining a state of a plasma.例文帳に追加

プラズマの状態を安定的に保ちながら、プロセスに応じて適正に壁の電位を調整することが可能な、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In response to change in plasma state, a transition is made from a process of generating plasma under a first condition to a process of generating plasma under a second condition.例文帳に追加

プラズマ状態の変化に対応して、第１の条件でプラズマを発生させる工程から第２の条件でプラズマを発生させる工程への移行が行われる。 - 特許庁

As a result, the gap G (G1 or G2) is wider on the upstream side, where a plasma generation condition is better, and becomes narrower on the downstream side, where the plasma generation condition is worse, so that the balance of the state of plasma generated on the upstream side and on the downstream side is kept.例文帳に追加

これにより、間隔Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）がプラズマの発生条件のよい上流側では広くなり、プラズマの発生条件の悪い下流側では狭くなり、上流側と下流側のプラズマの発生状態がバランスする。 - 特許庁

Two sheet plasma beams SPB1 and SPB2, deformed from columner plasma beams at respective sheet plasma deforming parts 24a and 24b, are made incident into the vacuum chamber 12 in the state that the sheet planes are in parallel.例文帳に追加

各シートプラズマ変成部２４ａ、２４ｂで円柱プラズマビームから変成された２つのシートプラズマビームＳＰＢ１、ＳＰＢ２は、シート面を並列にして真空容器１２に入射される。 - 特許庁

In the plasma injector, the exhaust gas purification system, and the injection method of a reducing agent, the reducing agent injected from an injection port 19 of a tip 18 of an injection nozzle is at least partly converted in the state of plasma in a plasma region 20.例文帳に追加

噴射ノズル先端部分１８の噴射口１９から噴射した還元剤を、プラズマ領域２０において少なくとも部分的にプラズマ化するインジェクター、排ガス浄化システム、及び還元剤噴射方法とする。 - 特許庁

To simplify management of plasma treatment by providing a method for checking surface change state of copper after plasma treatment, in-plane uniformity of plasma treatment, etc., using a simple method.例文帳に追加

プラズマ処理後の銅の表面変化状態、プラズマ処理の面内均一性等を簡単な方法で調べる方法を提供して、プラズマ処理の管理の簡単化を図る。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes: a reaction chamber for generating plasma and applying plasma processing to an object to be processed; an extract section for extracting an emission amount from the plasma; and a control section for variably controlling one of groups of parameters used for controlling the plasma on the basis of the emission amount within a predetermined range of processing conditions to control the state of the plasma.例文帳に追加

プラズマを発生し、被処理物をプラズマ処理する反応チャンバと、前記プラズマからの発光量を抽出する抽出部と、予め定められた処理条件の範囲内で、前記発光量に基づいて前記プラズマ密度をするパラメータ群の一つを可変制御してプラズマ状態を制御する。 - 特許庁

The plasma treatment apparatus comprises a chamber 10 containing a powder and a plasma gas generator 12 for sending gas made to be in plasma state, and while the fluidized powder is fluidized by gas flow in the chamber, the gas made to be in plasma state is introduced into the fluidized powder and plasma is radiated repeatedly to the powder.例文帳に追加

粉体を入れたチャンバ１０と、プラズマ化したガスを送り出すプラズマ化ガス発生器１２とを備え、粉体をチャンバ内においてガスの流れに乗せて流動させつつ、その流動している粉体に対して、特定の箇所からプラズマ化ガスを導入し、粉体に対して繰り返しプラズマを照射する。 - 特許庁

The plasma 3 is preserved by means of a high-frequency sequence of pulse-shaped currents the pulse repetition period of which is adjusted so as to be shorter than a lifetime of the plasma 3 so that the plasma 3 is kept periodically alternating between a high-energy state of an emitting compressed plasma 31 and a low-energy state of a relaxing plasma 32.例文帳に追加

プラズマ３は、パルス状電流のパルス繰り返し周期が、プラズマ３の寿命より短く調整され、パルス状電流の高周波数シーケンスによって、プラズマ３が、放出圧縮プラズマ３１の高エネルギ状態と緩和プラズマ３２の低エネルギ状態との間で周期的に交替しながら維持される。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method that can suppress an increase in manufacturing cost of the apparatus, can perform detailed control of a plasma processing state, and can improve in-plane uniformity of plasma processing.例文帳に追加

装置の製造コストの増大を抑制することができるとともに、プラズマ処理状態の微細な制御を行うことができプラズマ処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and an apparatus thereof, capable of generating plasma suitable to a process by controlling the kind of radical species or ion species existing in plasma or density thereof, and switching the plasma state, depending on the presence or absence of radiation of light having a controllable radiation range.例文帳に追加

プラズマ内に存在するラジカル種及びイオン種の種類又は密度を制御し、プロセスに対して適したプラズマを生成し、かつ、照射範囲の制御可能な光の照射の有無によりプラズマ状態の切り換えをすることができるラズマエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and an apparatus thereof, capable of generating plasma suitable to a process by controlling the kind of radical species or ionic species existing in plasma or density thereof, and switching the plasma state, depending on the presence or the absence of radiation of light having a controllable radiation range.例文帳に追加

プラズマ内に存在するラジカル種及びイオン種の種類又は密度を制御し、プロセスに対して適したプラズマを生成し、かつ、照射範囲の制御可能な光の照射の有無によりプラズマ状態の切り換えをすることができるプラズマエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing method of a semiconductor device with a plasma treatment process of a wafer for forming a semiconductor device, a wafer in which an organic film is formed is regularly subjected to plasma treatment by S2 (plasma treatment of an organic film) and the plasma treatment state is checked.例文帳に追加

半導体装置が形成されるウエハのプラズマ処理工程を備えた半導体装置の製造方法において、「有機膜のプラズマ処理」Ｓ２によって、有機膜を形成したウエハを定期的にプラズマ処理して、前記プラズマ処理状態を調べる。 - 特許庁

To achieve high selective etching which enables SiO_2 and Si to be etched simultaneously at very different etching rates in a state where plasma is efficiently generated, in an etching apparatus where a substrate as a processing target is etched with plasma extracted from a plasma generating chamber where the plasma is generated by a high-frequency induction field or the like.例文帳に追加

高周波誘導電場などによりプラズマ生成室で生成したプラズマを引き出して処理対象の基板をエッチングするドライエッチング装置において、効率よくプラズマが生成される状態で、ＳｉＯ_2／Ｓｉの高選択比エッチングが実現できるようにする。 - 特許庁

It lowers the developmental state of the plasma at the upstream side of a space 10 and suppresses moisture lost by the plasma generated at the upstream side, and thereby the developmental state of the downstream plasma is strengthened and the upstream and downstream plasmas are balanced.例文帳に追加

これにより、空間１０の上流側部分でのプラズマの発生状態が緩和（低下）され、上流側で発生するプラズマにより失われる水分が抑えられ、その分、下流側でのプラズマの発生状態が強くなり、上流側と下流側のプラズマの発生状態がバランスする。 - 特許庁

To provide a method for detecting an abnormality of a plasma treatment device capable of precisely and certainly detecting the abnormal state of the plasma treatment device without determining the state of the plasma process wrong and capable of preventing the flow out of a defective product produced in a front-end to a post-process.例文帳に追加

プラズマ処理時のプロセス状態を誤判定することなく、プラズマ処理装置の異常状態を精度よく確実に検出することができ、前工程で発生した不良品を後工程に流出することを防止することができるプラズマ処理装置の異常検出方法を提供する。 - 特許庁

The plasma opening switch changes from a closed state to an open state when a plasma discharge in the plasma opening switch is driven by magnetic force from a first region (45) along the transmission line to a second region towards the load.例文帳に追加

プラズマ開放スイッチにおけるプラズマ放電が第１の領域(45)から第２の領域へ伝送線に沿って負荷の方向へ磁気力によって駆動されるときに、このプラズマ開放スイッチは閉止状態から開放状態に切り替わる。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus that uses a counter electrode which is divided into a plurality of portions for detecting the distribution state of plasma in a treatment vessel, and at the same time, can arrange each of divided counter electrodes at optimum position according to the state of the detected plasma.例文帳に追加

複数に分割された対向電極を用いて、処理容器内におけるプラズマの分布状態を検出しつつ、検出されたプラズマの状態に応じて分割された対向電極のそれぞれを最適な位置に配置することができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a state detecting device and the like for accurately detecting a state between a laser processing nozzle and a work, for example, a gap length or plasma.例文帳に追加

レーザ加工ノズルとワークの間の状態、例えば、ギャップ長やプラズマなどを精度良く検出できる状態検出装置などを提供する。 - 特許庁

In a plurality of processes with respect to a workpiece, a treatment state in a designated process or the state of plasma equipment is monitored.例文帳に追加

被加工物に対する複数の工程のうち、所定の工程における処理状態または当該プラズマ装置の状態をモニタする。 - 特許庁

At the same time, the welding state is monitored on the real-time basis by the plasma monitoring system to determine presence/absence of any change of the welding state.例文帳に追加

同時に溶接状態をプラズマモニタリング方式にてリアルタイムで監視して、溶接状態変化の有無判定を行う。 - 特許庁

The ECU 30 detects a charging state of the plasma capacitor 18, and detects the abnormality caused on the secondary coil 14b side based on its detected charging state of the plasma capacitor 18.例文帳に追加

そして、ＥＣＵ３０は、プラズマコンデンサ１８の充電状態を検出し、その検出したプラズマコンデンサ１８の充電状態に基づいて、二次コイル１４ｂ側で生じる異常を検出する。 - 特許庁

To provide a determination method capable of correctly determining a plasma discharge state when automaticable controlling so as to obtain a plasma starting state suitable for forming a board as a film.例文帳に追加

基板を成膜するに適したプラズマ開始状態が得られるように自動制御する場合に、プラズマ放電状態を正確に判定できる判定方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for monitoring a plasma, by which the state of the plasma can be measured with high accuracy in an in-line state with a simple device constitution.例文帳に追加

簡単な装置構成で高精度にプラズマ状態をインラインで測定することのできるプラズマモニタリング装置およびプラズマモニタリング方法を提供する。 - 特許庁

CONFIRMATION METHOD OF CONTACT STATE OF ULTRASONIC SENSOR, PLASMA ABNORMAL DISCHARGE CHECKING DEVICE WITH CONFIRMATION FUNCTION OF CONTACT STATE OF ULTRASONIC SENSOR, AND PLASMA TREATMENT DEVICE例文帳に追加

超音波センサの接触状態の確認方法、超音波センサの接触状態の確認機能を備えたプラズマ異常放電監視装置、及び、プラズマ処理装置 - 特許庁

In this way, the state of operation of the plasma treating apparatus and the state of treatment of the wafer can be judged according to the emission spectrum of plasma which is formed of a wide range of wavelength bands.例文帳に追加

これにより，広範囲の波長帯からなるプラズマの発光スペクトルに基づいて，装置の運転状態，ウエハの処理状態を判断することが可能となる。 - 特許庁

The first adjustment mechanism 21 includes apertures of different width in a plurality of positions in the lengthwise direction of the line state plasma, while the second adjustment mechanism includes apertures with a uniform width over the lengthwise direction of the linear state plasma.例文帳に追加

第１の調整機構２１はライン状プラズマの長さ方向の複数位置において幅が異なる開口を持ち、第２の調整機構はライン状プラズマの長さ方向に渡り均一な幅の開口を有している。 - 特許庁

The main control unit 80 changes over and controls the heating state by the plasma gun 30 between a heating state (a current IA during film formation) in a film-forming state and a heating state (a current IB during film formation) in a non film-forming state.例文帳に追加

主制御装置８０は、プラズマガン３０による加熱状態を、成膜状態の加熱状態（成膜時電流Ｉ_Ａ）と、非成膜状態における加熱状態（成膜時電流Ｉ_Ｂ）との間で切り替え制御する。 - 特許庁

This invention relates to the plasma arc welding method in which a non-keyhole welding state and a keyhole welding state are periodically changed, wherein a flow rate of plasma gas is controlled to turn into non-keyhole welding state and, by periodically supplying plasma gas for addition to the plasma gas at the time of being in the non-keyhole welding state, the pressure of the plasma gas is instantaneously increased to turn into the keyhole welding state.例文帳に追加

非キーホール溶接状態と、キーホール溶接状態とを周期的に変化させるプラズマアーク溶接方法であって、プラズマガスの流量を制御して非キーホール溶接状態とし、非キーホール溶接状態時のプラズマガスに添加用プラズマガスを周期的に供給することにより、プラズマガスの圧力を瞬間的に大きくしてキーホール溶接状態とすることを特徴とするプラズマアーク溶接方法である。 - 特許庁

To provide a treatment method of heating a matter in powder state, particle state or aggregate state or the like at high temperature in a stable state of discharge in high efficiency, and of reacting the matters with plasma by the use of hollow negative electrode discharge.例文帳に追加

中空陰極放電を用いて粉・粒状物質や塊状物質などを高効率で放電の安定した状態で高温に加熱し、また、その物質とプラズマを反応させる。 - 特許庁

To provide a device and method for a plasma treatment by which various kinds of plasma treatments can be made by easily controlling the state of the plasma in accordance with the treatment without extending the footprint even when the diameter of a vacuum chamber is increased.例文帳に追加

真空チャンバの大径化によるフットプリントの増大を招くことがなく、かつ、実行する処理に応じてプラズマの状態を容易に制御することができ、各種のプラズマ処理に容易に対応することのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) system where, in the case a thin film is deposited on a film by plasma discharge between a pair of electrodes, the return path of a plasma discharge current is secured at a position close to the electrodes, and a satisfactory film deposition state can be achieved.例文帳に追加

フィルムに一対の電極間のプラズマ放電によって薄膜を成膜する場合に、プラズマ放電電流の帰路を電極に近接した位置に確保し、良好な成膜状態を施すことができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

The discharge power supply 12 is connected to an auxiliary anode 2 via a first switching element SW1, and plasma (pilot) can be held between the plasma generating cathode 1 and the auxiliary anode 2 in the standby state when no plasma process is under way.例文帳に追加

また、補助陽極２には第１スイッチング素子ＳＷ１を介して放電電源１２が接続され、プラズマ処理が行われていない待機状態においてプラズマ発生用陰極１と補助陽極２との間でプラズマ（種火）を保持することができる。 - 特許庁

The container 17 is installed in the lengthwise direction of the line state plasma, and includes a first adjustment mechanism 21 to adjust the plasma concentration in the lengthwise direction, a second adjustment mechanism 22 to adjust the plasma concentration in the widthwise direction, and a third adjustment mechanism 23 for fine adjustment.例文帳に追加

容器１７はライン状プラズマの長さ方向に設けられており、長さ方向のプラズマ濃度を調整する第１の調整機構２１、幅方向のプラズマ濃度を調整する第２の調整機構２２、微調整のための第３の調整機構２３を有している。 - 特許庁

The plasma treatment apparatus 10 is provided with an inner chamber 20 housing the plasma source 30 and the treated substrate 2 and an outer chamber 12 housing the inner chamber 20 and plasma treatment is carried out in a state that the interior pressure of the inner chamber 20 is greater than the interior pressure of the outer chamber 12.例文帳に追加

プラズマ処理装置１０は、プラズマソース３０および被処理基材２を収納する内チャンバ２０と、内チャンバ２０を収納する外チャンバ１２とを備え、内チャンバ２０の内圧が外チャンバ１２の内圧よりも大きい状態で被処理基材２をプラズマ処理する。 - 特許庁

The exhaust emission control device for the internal combustion engine is provided with an exhaust after treatment device 4 arranged in an exhaust passage 2, a plasma generator (a high voltage generator 58) changing into a plasma state the exhaust gas flowing through the exhaust after treatment device 4 and generating activated species, and an ECU 60 controlling operation of the plasma generator.例文帳に追加

内燃機関の排気浄化装置は、排気通路２に配設された排気後処理装置４と、この排気後処理装置４を流れる排気ガスをプラズマ状態として活性種を生成するプラズマ発生装置（高電圧発生器５８）と、プラズマ発生装置の作動を制御するＥＣＵ６０とを備えている。 - 特許庁

The plasma etching device of the crystal plate 7 for reducing the plate 7 in an ultra-thin manner by plasma etching provided a recess on a mounting part for mounting the plate 7 to be treated, and plasma treats the plate 7 in the recess in a state in which the plate 7 is individually held.例文帳に追加

水晶板７をプラズマエッチングにより薄化する水晶板７のプラズマエッチング装置において、処理対象の水晶板７を載置する載置部に凹部を設けこの凹部内に水晶板７を個別に保持させた状態でプラズマ処理を行う。 - 特許庁