「reference diode」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A diode is connected between the second electrode of a transistor and the reference potential, an anode of the diode is connected to the second electrode reference potential and a cathode of the diode is connected to the reference potential for a PNP transistor.例文帳に追加

トランジスタの第２の電極と基準電位との間にはダイオードが連結されており、ダイオードのアノードは第２の電極基準電位に連結され、ダイオードのカソードはＮＰＮトランジスタ用の基準電位に連結されている。 - 特許庁

The intensity of the output laser light is compared with the reference output value, and the reference stimulation value of the laser diode 5 is changed based on the comparison result.例文帳に追加

出力レーザ光の強さを出力基準値と比較し、レーザダイオード５の励起基準値を変更する。 - 特許庁

In this high frequency detector, a plurality of reference diode elements connected in parallel are placed in the vicinity of a detection diode element.例文帳に追加

本発明の高周波検波器では、検波ダイオード素子の近傍に、複数の基準ダイオード素子を並列に接続して設置する。 - 特許庁

In the circuit 1, a reference voltage is produced as the voltage across a diode D1.例文帳に追加

定電流回路２ではダイオードＤ１の両端電圧として基準電圧を生成する。 - 特許庁

By compensating the temperature characteristics of the first diode with the temperature characteristics of the second diode, temperature dependency in the reference voltage is removed.例文帳に追加

第１ダイオードの温度特性を第２ダイオードの温度特性で補償することで、基準電圧における温度依存性が除去される。 - 特許庁

In the reference voltage output line, a first diode and a capacitor are parallel-connected, so that induced voltage is not detected by the first diode.例文帳に追加

基準電圧出力ラインには、第１ダイオードとコンデンサを並列接続して設け、第１ダイオードにより誘導電圧を検波しないようにする。 - 特許庁

When a detected value reaches a measuring reference value, a light emitting diode 1 and a buzzer 3 inform a measuring person of the completion of measurement of a measured brake clearance.例文帳に追加

測定基準値に達すると、発光ダイオード１、ブザー３でブレーキすきまを知らせる。 - 特許庁

The reference of the light emission area of the light emitting diode element 10 is located on the center axis of the circular arc.例文帳に追加

発光ダイオード素子１０の発光領域の基準は上記円弧の中心軸上にある。 - 特許庁

An accurate offset amount is calculated based on the shift amounts, and a deviation amount between the reference mark 130a and an imaging reference position of the laser diode.例文帳に追加

これらのずれ量と、リファレンスマーク１３０ａとレーザダイオードの撮像基準位置とのずれ量から正確なオフセット量を算出する。 - 特許庁

A base current starts to flow from a transistor 12 to a diode 8 when a forward voltage Vf of the diode 8 approaches a reference voltage Vref as the temperature rises.例文帳に追加

温度が上昇してダイオード８の順方向電圧Ｖｆが基準電圧Ｖrefに近づくと、トランジスタ１２からダイオード８にベース電流が流れ始める。 - 特許庁

To suitably indicate the life-time of a light source comprising a light emitting diode without reference to in-use conditions.例文帳に追加

使用される条件に関わらず、発光ダイオードからなる光源の寿命を適切に報知する。 - 特許庁

A reference laser diode 10 generates a reference optical signal with a carrier frequency fopt0, a laser diode 11 generates a 1st optical signal with a subcarrier frequency fopt1, and a laser diode 12 generates a 2nd optical signal with a subcarrier frequency fopt2.例文帳に追加

基準レーザダイオード１０は搬送波周波数ｆ_opt0を有する基準光信号を発生し、レーザダイオード１１は副搬送波周波数ｆ_opt1を有する第１の光信号を発生し、レーザダイオード１２は副搬送波周波数ｆ_opt2を有する第２の光信号を発生する。 - 特許庁

A band gap reference circuit 30 is provided with an amplification part 31, Pch MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistors PMT 2-4, a diode D1, a diode D11, a diode D1n, and resistors R1-6, and the reference voltage Vbgr is output from a drain of the Pch MOS transistor PMT4.例文帳に追加

バンドギャップリファレンス回路３０には、増幅部３１、Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタＰＭＴ２乃至４、ダイオードＤ１、ダイオードＤ１１、ダイオードＤ１ｎ、及び抵抗Ｒ１乃至６が設けられ、Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタＰＭＴ４のドレインから基準電圧Ｖｂｇｒが出力される。 - 特許庁

The second light emitting diode 5 is arranged such that the reference light beam transmitted by the light emitting diode 5 does not substantially enter the photodiode 3 from the side.例文帳に追加

第二発光ダイオード５は、該発光ダイオード５によって伝送される参照光ビームが側方からフォトダイオード３に実質的に入射しないように配置される。 - 特許庁

The integrated circuit is configured to set a first valid terminal of at least one rectifier diode into a reference potential.例文帳に追加

少なくとも１つの整流器ダイオードの第１の有効端子が基準電位におかれるように構成する。 - 特許庁

A distance L1 between the end face of the laser diode 19 and the lens main-face of the lens 25 is longer than a reference value L0.例文帳に追加

レーザダイオード１９の端面とレンズ２５のレンズ主面との距離Ｌ１は基準値Ｌ０よりも大きい。 - 特許庁

A third resistor R3 is provided between the anode of the second zener diode ZD2 and the reference voltage terminal 106.例文帳に追加

第３抵抗Ｒ３は、第２ツェナーダイオードＺＤ２のアノードと基準電圧端子１０６の間に設けられる。 - 特許庁

A bandgap reference circuit 30 inputs a reference potential trimming signal RTM and generates a first temperature dependent potential VTEMPM depending on temperature, while generating a reference potential REF utilizing properties of P-N junction diode.例文帳に追加

バンドギャップリファレンス回路３０は、基準電位トリミング信号RTMを入力し、PN接合ダイオード特性を利用して基準電位REFを生成すると共に、温度に依存した第１の温度依存電位VTEMPMを生成する。 - 特許庁

In one embodiment, the transient protection circuit is provided with a reference diode whose cathode is connected to the ground, the transistor which is biased as a current source and whose output terminal is operably connected to an anode of the reference diode, and at least a second diode operably connected between the anode of the reference diode and the bus pin, and the transistor supplies a current when module grounding is not damaged.例文帳に追加

一実施例のトランジェント保護回路は、陰極が接地に接続されている参照ダイオードと、電流源としてバイアスされ、出力端子が上記参照ダイオードの陽極に作動可能に接続されるトランジスタと、上記参照ダイオードの陽極とバスピンとの間に作動可能に接続されている少なくとも第２のダイオードとを備え、上記トランジスタはモジュール接地が損なわれていない時に電流を供給する。 - 特許庁

The reference voltage generating circuit has a diode 204 and two loading resistors R1 and R2, and a power source voltage VDD is potentially divided by the diode 204 and the loading resistors R1 and R2, and is outputted as the reference voltage V_ref.例文帳に追加

基準電圧発生回路は、ダイオード２０４と、２つの負荷抵抗Ｒ１，Ｒ２とを有し、電源電圧ＶＤＤをダイオード２０４と負荷抵抗Ｒ１，Ｒ２とによって分圧して基準電圧Ｖ_ｒｅｆとして出力する。 - 特許庁

The reference voltage setting circuit supplies the current of the reference diode to the reference current reading circuit, and the output of the reference current reading circuit is connected to the other end of the resistive element in the voltage setting circuit through a buffer circuit.例文帳に追加

参照用電圧設定回路は、参照ダイオードの電流を参照用電流読み取り回路に供給し、参照用電流読み取り回路の出力はバッファ回路を介して電圧設定回路内の抵抗素子の他端に接続される。 - 特許庁

This device is provided with a reference voltage generating circuit 7 having a Zener diode 13, thermistor 11 having dependency on power supply voltage and temperature, resistors R1-R5 having power supply voltage dependency and Schottky barrier diode(SBD) 12 of a diode having temperature dependency.例文帳に追加

ツェナーダイオード１３と、電源電圧及び温度依存性のあるサーミスタ１１と、電源電圧依存性のある抵抗Ｒ１〜Ｒ５と、温度依存性のあるダイオードＳＢＤ１２を有する基準電圧発生回路７を備える。 - 特許庁

To improve temperature characteristics of reference voltage by controlling an influence of leak current of parasitic diode at high temperature in a bandgap reference voltage generating circuit.例文帳に追加

バンドギャップ型基準電圧発生回路において、高温における寄生ダイオードのリーク電流の影響を制御して、基準電圧の温度特性の向上を図る。 - 特許庁

To obtain a reference voltage by compensating temperature nonlinearity of a diode without increasing a circuit scale, and to provide a low current-consumptive reference voltage circuit that operates at a low voltage.例文帳に追加

回路規模を増やさないでダイオードの持つ温度非直線性を補償した基準電圧を得、低電圧で動作する低消費電流の基準電圧回路を提供する。 - 特許庁

When a level of a waveform at a point A is higher than a reference voltage (positive) of a reference voltage generator 18, a transistor(TR) 17c is turned on so as to fix the potential of waveform at the point A to the reference voltage (positive) via a diode 17a and a TR 17b.例文帳に追加

波形Ａの電位は１８の基準電圧（正）よりも高い時に１７ｃをＯＮさせ、波形Ａの電位を１７ａのダイオードと１７ｂのトランジスタを経由して基準電圧（正）に固定する。 - 特許庁

This system comprises a light emitting diode; a 1st reference fiber which receives beam from the light-emitting diode and not to be in contact with the sample; a sensing fiber; an additional reference fiber; a 1st detector for sensing outputs from both the 1st reference fiber and the additional reference fiber; and a 2nd detector for sensing output from the sensing fiber.例文帳に追加

本発明のシステムは、発光ダイオードと、発光ダイオードからのビームを受光しかつ試料に接触していない第１基準ファイバと、センシングファイバと、追加基準ファイバと、第１基準ファイバおよび追加基準ファイバからの出力をセンシングする第１の検出器と、センシングファイバからの出力をセンシングする第２の検出器とを有する。 - 特許庁

A voltage clamp circuit has a PIN diode which connects a first end to a signal line; a capacitor connected between a second end of the PIN diode and a ground, and a reference voltage which is applied to a connection part between the PIN diode and the capacitor.例文帳に追加

電圧クランプ回路は、第一端部を信号線へ接続したＰＩＮダイオード、該ＰＩＮダイードの第二端部と接地との間に接続されているコンデンサ、該ＰＩＮダイオードと該コンデンサの接続部へ印加される基準電圧を有している。 - 特許庁

For the positioning projections 24, it is preferable that each relative position thereof to the reference of the emission area of the light emitting diode element 10 is known.例文帳に追加

位置決め突起２４は、発光ダイオード素子１０の発光領域の基準との相対位置が既知であることが望ましい。 - 特許庁

An emitter of a high-frequency amplifying transistor 1 and a cathode of a reference voltage generating diode 5 are grounded via an inductor 20.例文帳に追加

高周波増幅用トランジスタ１のエミッタと基準電圧発生用ダイオード５のカソードをインダクタ２０を介して接地する。 - 特許庁

Each fiber of the additional reference fiber has a plasmon sensor of the shape, suitable for the one associated with the sensing fiber, and each additional reference fiber receives beam from this light-emitting diode.例文帳に追加

追加基準ファイバの各ファイバは、センシングファイバの対応するプラズモンセンサに相応する形状のプラズモンセンサを有し、各追加基準ファイバは前記発光ダイオードからビームを受信する。 - 特許庁

The axis center 4a of a tool 4 is made access to a reference member 30, a reference pattern L is cast on the tool 4 by turning on a laser diode 15 and the shift quantity of the reference member 30 and the tool 4 in X-direction is measured based on the image of the reference pattern L projected on the tool 4.例文帳に追加

ツール４の軸心４ａをリファレンス部材３０に近接させ、レーザダイオード１５を点灯して基準パターンＬをツール４に照射し、リファレンス部材３０およびツール４のＸ方向のずれ量を、ツール４に投影された基準パターンＬの画像に基づいて測定する。 - 特許庁

The alternating current component signal is rectified by a rectifying diode D1 inside a reference voltage generating circuit 5, followed by smoothing, so as to generate a reference voltage Vref low in its voltage by a forward-directional voltage drop Vf of the diode D1 compared with a high level voltage thereof.例文帳に追加

この交流成分信号は基準電圧生成回路５内の整流用ダイオードＤ１で整流され、平滑化されると、そのハイレベル電圧よりダイオードＤ１の順方向降下電圧Ｖｆ分だけ低い基準電圧Ｖｒｅｆが生成される。 - 特許庁

An optical scanner 10 has a sample hold mode of allowing a laser diode 11A to emit light with a predetermined reference intensity P1 on the basis of the output result of a monitor, and a data light emission mode of allowing the laser diode 11A to light emit with an intensity on the basis of the reference intensity P1.例文帳に追加

光走査装置１０は、モニタの出力結果に基づいてレーザダイオード１１Ａを所定の基準強度Ｐ１で発光させるサンプルホールドモードと、基準強度Ｐ１に基づく強度でレーザダイオード１１Ａを発光させるデータ発光モードとを有する。 - 特許庁

The noise voltage included in reference voltage Vref output from a reference voltage generation circuit 10 is divided based on a ratio of voltages generated at diode D1 - diode D3 and a resistor R12 to a voltage generated at a resistor R11 at a node N12.例文帳に追加

基準電圧発生回路１０から出力される基準電圧Ｖｒｅｆに含まれたノイズ電圧は、ノードＮ１２において、ダイオードＤ１〜ダイオードＤ３および抵抗Ｒ１２に発生する電圧と抵抗Ｒ１１に発生する電圧との比に応じて分圧される。 - 特許庁

The detection means measures light output from the laser diode and the control means (1) compares the measured light with a spectral reference and (2) sets a drive signal of the laser diode in response to the comparison result.例文帳に追加

検知手段は、レーザーダイオードから出力された光を計測し、制御手段は（１）計測された光をスペクトル基準と比較し、（２）比較結果に応答して、レーザーダイオードの駆動信号を設定する。 - 特許庁

To provide a reference current generation circuit which does not require a P-N junction diode and in which the temperature dependence of circuit current becomes substantially zero.例文帳に追加

ＰＮ接合ダイオードを必要とせず、回路電流の温度依存性が概略零となる基準電流生成回路を提供する。 - 特許庁

A laser diode driving circuit compares the digital value with a preselected digital reference value 150 and generates a driving signal 156.例文帳に追加

レーザ・ダイオード駆動回路は、ディジタル値をあらかじめ選択されたディジタル基準値１５０と比較して、駆動信号１５６を発生する。 - 特許庁

Reference voltage is generated by a resistor 8 and a constant-voltage diode 9 and is applied to the non-reverse input terminal of the comparator IC10.例文帳に追加

一方、抵抗８と定電圧ダイオード９により基準電圧が生成され、コンパレータＩＣ１０の反転入力端子に印加される。 - 特許庁

A signal which synchronizes with a reference clock is sent from a high-frequency transmitter 10 and received by an antenna block 11 composed of a Schottky diode.例文帳に追加

高周波送信機１０から基準クロックに同期した信号を送信して、ショットキーダイオードによるアンテナブロック１１で受信する。 - 特許庁

The reference terminal E of the switching transistor 1, the source terminal of the SiC-MOSFET 3, and an anode terminal of the recovery diode 2 are connected together.例文帳に追加

スイッチングトランジスタ１の基準端子Ｅ、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ３のソース端子、リカバリーダイオード２のアノード端子が共通接続される。 - 特許庁

The semiconductor device includes an input/output terminal V1, a reference voltage terminal VSS, a semiconductor element 1 unnecessary for a pair of power source lines like a thermal diode, and a thylistor SR1 and a diode D1 which are connected between the input/output terminal V1 and the reference voltage terminal VSS, respectively.例文帳に追加

半導体装置は、入出力端子Ｖ１と、基準電圧端子ＶSSと、サーマルダイオードのような対の電源線を必要としない半導体素子１と、入出力端子Ｖ１および基準電圧端子ＶSSの間にそれぞれ接続されるサイリスタＳＲ１およびダイオードＤ１とを備えている。 - 特許庁

When the distance between the laser diode 19 and the lens 25 and the distance between the lens 25 and the fiber stub 15 are changed experimentally or virtually, the reference value L0 is decided so as for an output power P1 of a light L passing through the lens 25 from the laser diode 19 to be the maximum in the reference value L0.例文帳に追加

基準値Ｌ０は、実験的に或いは仮想的に、レーザダイオード１９とレンズ２５との距離およびレンズ２５とファイバスタブ１５との距離を変化させたときに、レーザダイオード１９からレンズ２５を通した光Ｌの出力パワーＰ１が基準値Ｌ０において最大であるように決定される。 - 特許庁

If the detected value differs from the reference value as the result of comparison, a detection value is in agreement with a reference value, a correcting unit 33 corrects the power to each light emitting diode 10, 11, 12 respectively.例文帳に追加

上記比較結果より検出値が基準値と異なる場合に、検出値が基準値と一致するように、補正部３３が各発光ダイオード１０，１１，１２のそれぞれへの電力を補正する。 - 特許庁

An input diode 16 is provided in a direction where an anode is on the side of a reference voltage terminal 106, between a node N1, between the reverse flow preventing transistor 12 and the main transistor 10, and a reference voltage terminal 106.例文帳に追加

入力ダイオード１６は、逆流防止トランジスタ１２とメイントランジスタ１０の接続点Ｎ１と基準電圧端子１０６との間に、アノードが基準電圧端子１０６側となる向きで設けられる。 - 特許庁

On the basis of difference between the forward voltage of the diode 3 at the raised temperature and the forward voltage of the diode 3 at the peripheral temperature of the IC1 as the reference, and temperature characteristic of the forward voltage of the diode 3, the junction temperature of the IC1 is measured.例文帳に追加

そして、その上昇した温度におけるダイオード３の順方向電圧と、基準となる被温度測定ＩＣ１の周辺温度におけるダイオード３の順方向電圧との差と、ダイオード３の順方向電圧の温度特性とに基づき、被温度測定ＩＣ１のジャンクション温度を測定する。 - 特許庁