「reference diode」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The comparator IC10 outputs LOW to turn on a light-emitting diode LED12, when comparison voltage is lower than the reference voltage and outputs HIGH to turn off the light-emitting diode LED12, when it is higher.例文帳に追加

コンパレータＩＣ１０は比較電圧が基準電圧より低いとＬＯＷを出力して発光ダイオードＬＥＤ１２を点灯させ、高いとＨＩＧＨを出力して発光ダイオードＬＥＤ１２を消灯させる。 - 特許庁

Changing only the wiring is enough to easily and cheaply make the division photo diode adaptable to the scale slit having a resolution, a half of the reference resolution, without changing the shape of the division photo diode.例文帳に追加

したがって、上記分割フォトダイオードの形状を変えることなく配線の変更のみによって、容易に且つ安価に、分解能が上記基準分解能の１／２であるスケールスリットに対応することができる。 - 特許庁

By connecting a resistance element 13 and a diode 14 in series with each other between the power supply and ground, a reference voltage VR is fed out from its junction point.例文帳に追加

電源接地間に抵抗素子１３及びダイオード１４を直列に接続し、その接続点から基準電位となる電位Ｖ_Rを取り出す。 - 特許庁

A diode D1 is connected to the base of the transistor Q8 so as to clamp the base voltage Vin1 so that the base voltage Vin1 is not lower than a voltage Vref1 supplied from a clamp reference power supply.例文帳に追加

Ｑ８のベースにダイオードＤ１を接続し、Ｖin1がクランプ基準電源の供給する電圧Ｖref1より下がらないようにクランプする。 - 特許庁

The comparator 5 compares a peak voltage of the inter-terminal voltage of semiconductor laser diode 1 with the reference voltage 7, and outputs the comparing result.例文帳に追加

コンパレータ５は、半導体レーザーダイオード１の端子間電圧のピーク電圧と基準電圧７とを比較し、その比較結果を外部に出力する。 - 特許庁

In an optical disk device, a microcomputer 1 compares the quality of measured reproduction RF signals with reference values as targets to control the reproduction power of a laser diode 3.例文帳に追加

マイコン１は、測定される再生ＲＦ信号の品質を目標とする参照値と比較してレーザダイオード３の再生パワーを制御する。 - 特許庁

This electrostatic protecting circuit for semiconductor has a first voltage supply terminal (VDD1), second voltage supply terminal (VDD2), first reference supply terminal (VSS1), second reference supply terminal (VSS2), first diode connected between the first voltage supply terminal and the second voltage supply terminal, and second diode connected between the first reference supply terminal and the second reference supply terminal.例文帳に追加

本発明の半導体静電保護回路が、第１の電圧供給端子（ＶＤＤ１）、第２の電圧供給端子（ＶＤＤ２）、第１の基準供給端子（ＶＳＳ１）、第２の基準供給端子（ＶＳＳ２）、第１の電圧供給端子と第２の電圧供給端子との間に接続された第１のダイオード、および第１の基準供給端子と第２の基準供給端子との間に接続された第２のダイオードを有する。 - 特許庁

The organic light emitting diode display device includes: an organic light emitting diode element which emits light by an electric current; a driving element which drives the organic light emitting diode element by a gate voltage applied to a gate electrode; and a data driver which supplies a data voltage and an inversion voltage symmetric to the data voltage relative to a reference voltage as a reference to the gate electrode of the driving element.例文帳に追加

本発明に係る有機発光ダイオード表示装置は、電流によって発光する有機発光ダイオード素子、ゲート電極に印加されるゲート電圧によって前記有機発光ダイオード素子を駆動する駆動素子、及び前記駆動素子のゲート電極にデータ電圧と、基準電圧を基準として、前記データ電圧と対称的な反転電圧を供給するデータ駆動部を備える。 - 特許庁

A diode 13 and a resistance element 14 are connected in series between the power source and the earth, and a potential VR used as a reference potential is taken out from the connection point.例文帳に追加

電源接地間にダイオード１３及び抵抗素子１４を直列に接続し、その接続点から基準電位となる電位Ｖ_Rを取り出す。 - 特許庁

The display drive circuit 34 drives a light emitting diode 35 to emit light when the detection output reaches a reference voltage, thus displaying the generation of distortion.例文帳に追加

表示駆動回路３４は、検波出力が基準電圧以上となったときに発光ダイオード３５を発光駆動し、歪みの発生を表示する。 - 特許庁

If it exceeds its reference value, a Zener diode 73 of a voltage monitor circuit 7 is turned on, so that a transistor 74 is turned on, and an operation stopping command signal is supplied to the on/off control terminal of a control circuit 3.例文帳に追加

電圧監視回路７は、直列接続された抵抗７１，抵抗７２，ツェナーダイオード７３と、トランジスタ７４と、抵抗７５とを含んでいる。 - 特許庁

A triangular wave generated by a triangular waveform generating circuit 43 is converted into a trapezoidal waveform signal limited by a reference signal Vref by a diode 42.例文帳に追加

三角波発生回路４３によって発生される三角波は、ダイオード４２の働きによって、基準電圧Ｖrefで制限された台形波形の信号となる。 - 特許庁

A power supply maintenance part 5 comprises a diode 7 and a capacitance element 8 connected in series between internal power voltage and reference potential.例文帳に追加

電源保持部５は、ダイオード７と静電容量素子８とからなり、内部電源電圧と基準電位との間に直列接続された構成からなる。 - 特許庁

Furthermore, the laser diode chips 61 and 62 are mounted on the optical module 3 as a light source unit 6 which is positioned with surface of a prism 63 as reference.例文帳に追加

また、レーザダイオードチップ６１、６２については、プリズム６３の面を基準に位置決めを行った光源ユニット６として光学モジュール３に搭載する。 - 特許庁

The comparator 5 uses a reference voltage as a threshold being set by a zener diode Z1 and outputs a rectangular-wave pulse having a time width during which an input waveform exceeds the threshold.例文帳に追加

コンパレータ５は、ツェナダイオードZ1で決まる基準電圧を閾値として、入力波形が閾値を越えた時間幅の矩形波状のパルスを出力する。 - 特許庁

To provide a trimming circuit capable of increasing/decreasing a combined resistance value with reference resistance without using a Zener diode, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

ツェナーダイオードを用いることなく基準抵抗との合成抵抗値の増減が可能なトリミング回路及び半導体装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

A voltage/ current conversion circuit 104 controls a drive current Ip of the laser diode 103, so that the amplitude of the monitor voltage Vm approaches the reference amplitude value.例文帳に追加

電圧／電流変換回路１０４は、モニタ電圧Ｖm の振幅が基準振幅値に近づくように、レーザダイオード１０３の駆動電流Ｉ_p を制御する。 - 特許庁

Furthermore, transistors Q4 and Q5 as two diode functional elements are provided in a reference voltage source circuit 5a, and an original reference voltage signal V_ref is obtained by utilizing voltages VBE_4 and VBE_5 between the respective bases and the respective emitters of the transistors Q4 and Q5.例文帳に追加

さらに、基準電圧源回路５a内に２つのダイオード機能素子としてのトランジスタＱ４、Ｑ５を設け、トランジスタＱ４、Ｑ５の各ベース、エミッタ間電圧Ｖ_BE4、Ｖ_BE5を利用して原基準電圧信号Ｖ_refを得る。 - 特許庁

Two transistors Q4, Q5 as diode functional elements are provided inside a reference voltage source circuit 5a to obtain highly stable reference voltage signal Vref by utilizing voltages VBE4, VBE5 between a base and an emitter of the transistors Q4, Q5.例文帳に追加

基準電圧源回路５aの内部に２つのダイオード機能素子としてのトランジスタＱ４、Ｑ５を設け、トランジスタＱ４、Ｑ５の各ベース、エミッタ間電圧Ｖ_BE4、Ｖ_BE5を利用して、安定度の高い基準電圧信号Ｖ_refを得る。 - 特許庁

In the Figure, a reference character 1a shows the current-voltage characteristics of the parasitic diode of the semiconductor device according to the present invention for executing an electron beam irradiation and annealing, and 1b is the current-voltage characteristics of the parasitic diode of a conventional semiconductor device.例文帳に追加

１ａは電子線照射およびアニール処理を施した本発明に係る半導体装置の寄生ダイオードの電流−電圧特性であり、１ｂは従来の半導体装置の寄生ダイオードの電流−電圧特性である。 - 特許庁

When measured RF amplitude levels Henv, Lenv have varied from the reference values, in the case that both a measured modulation degree M and an asymmetry β do not vary from the reference values, the reproduction power of the laser diode is adjusted, and in the case that either of the measured modulation degree M and the asymmetry β varies from the reference values, the reproduction power of the laser diode is not adjusted.例文帳に追加

測定されるＲＦ振幅レベルＨｅｎｖ，Ｌｅｎｖが参照値から変化したとき、測定される変調度Ｍと非対称性βがいずれも参照値から変化しない場合はレーザダイオードの再生パワーを調整し、測定される変調度Ｍと非対称性βのいずれかが参照値から変化した場合はレーザダイオードの再生パワーを調整しない。 - 特許庁

The CMOS image sensor comprises a current source for decreasing constant a voltage of a photo-diode node, a comparator for comparing the output of an amplifier end to a reference voltage and controlling the current source to reset a photo-diode, and a memory for storing a digital value of the reference voltage.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサーのリセット動作時に発生するリセット雑音、検出回路の特性差により発生する固定パターン雑音、及び以前の映像信号の強度が出力信号に影響を与えるイメージラグなどをリセット電圧を制御することによって減少させ、高い信号対雑音比を得ることができる。 - 特許庁

A CPU outputs a reference signal for determining the output level of the semiconductor laser diode 35 corresponding to the ON/OFF operation of an output changeover switch S2 through an I/O port 44 and a D/A converter 471 and this reference signal is amplified by an amplifier 472 to form reference voltage of laser output.例文帳に追加

ＣＰＵ４１が出力切換スイッチＳ２のオン・オフに応じて半導体レーザダイオード３５の出力レベルを決定する基準信号をＩ／Ｏポート４４とＤ／Ａ変換器４７１を介して出力し、これを増幅器４７２で増幅してレーザ出力の基準電圧を生成する。 - 特許庁

A Zener diode 13 is connected to the signal transmission path 14 and a reference voltage part 16, when potential of the signal transmission path 14 becomes at a state that it is higher than Zener voltage in comparison with potential to be a reference, permits current in the direction from the signal transmission path 14 to the reference voltage part 16.例文帳に追加

ツェナーダイオード１３は、信号伝送路１４と基準電圧部１６とに接続され、信号伝送路１４の電位が前記基準となる電位に比べてツェナー電圧よりも高い状態となったときに、信号伝送路１４から基準電圧部１６への向きの電流を許容する。 - 特許庁

The adder circuit 7-2 receives an output voltage of a second detection diode D2 compensating a characteristic change in the first detection diode D1 due to temperature via a reference circuit 7-1 and compensates the temperature by adding a temperature compensation signal to the transmission power detection signal from the first detection diode D1.例文帳に追加

第１の検波ダイオードＤ１の温度による特性変化を補償する第２の検波ダイオードＤ２の出力電圧を、基準値回路７−１を介して加算回路７−２に入力し、第１の検波ダイオードＤ１からの送信電力検波信号に温度補償信号を加え合わせて温度補償する。 - 特許庁

The reference command value is set according to a reference end-to-end voltage that is a difference between a first potential at the anode and a second potential at a cathode of the diode D10 at a predetermined temperature and in a situation in which a predetermined current flows, and to load control.例文帳に追加

基準指令値は、所定温度下及び所定電流が流れる状況下での、ダイオードＤ１０のアノードの第１電位とカソードの第２電位との差である基準両端電圧と、負荷の制御とに基づいて設定される。 - 特許庁

When a voltage VBI (8 V) higher than the voltage Vcc is impressed at the burn-in of IC 12, the Zener diode ZD is turned on, and the reference voltage generating circuit 13 generates a reference voltage Vr (VBI) according to a Zener voltage Vz.例文帳に追加

ＩＣ１２のバーンインにおいて電圧Ｖccよりも高い電圧ＶBI（８Ｖ）が印加されると、ツェナーダイオードＺＤがオンとなり、基準電圧生成回路１３はツェナー電圧Ｖｚに応じた基準電圧Ｖｒ(VBI)を生成する。 - 特許庁

Then, in the LED head, a driving IC which drives LED elements from the reference voltage V_ref generated by the reference voltage generating circuit and the diode 204 are mounted on a specified printed wiring base board.例文帳に追加

そして、ＬＥＤヘッドにおいては、基準電圧発生回路によって発生された基準電圧Ｖ_ｒｅｆに基づいてＬＥＤ素子を駆動する駆動ＩＣとダイオード２０４とを、所定のプリント配線基板上に搭載している。 - 特許庁

In the case that a highly accurate voltage Vcc is impressed on IC 12 at normal operation, a Zener diode ZD is turned off, and a reference voltage generating circuit 13 generates a highly accurate reference voltage Vr (Vcc) acquired by dividing the voltage Vcc (5 V).例文帳に追加

通常動作時において高精度の電圧ＶccがＩＣ１２に印加されている場合、ツェナーダイオードＺＤはオフとなり、基準電圧生成回路１３は電圧Ｖcc（５Ｖ）を分圧した高精度の基準電圧Ｖｒ(Vcc)を生成する。 - 特許庁

The reference voltage generating circuit comprises: an operational amplification circuit OA1; a resistance element R11; a diode D11: a resistance element R12; a diode D12; and PMOS transistors M11, M12 receiving an output of the operational amplification circuit OA1 at a gate.例文帳に追加

基準電圧発生回路が、演算増幅回路ＯＡ１と、抵抗素子Ｒ１１と、ダイオードＤ１１と、抵抗素子Ｒ１２と、ダイオードＤ１２と、演算増幅回路ＯＡ１の出力をゲートに受けるＰＭＯＳトランジスタＭ１１、Ｍ１２とを具備する。 - 特許庁

The capacitor element consists of a variable capacitor configured with a varicap diode (VDi) 42 and a bias resistor 43 for the varicap diode (VDi), so that a frequency used as a reference in the local oscillation component can be variable for a channel having interference symptom.例文帳に追加

容量は、妨害症状を有するチャネルに対して局部発振成分における基準となる周波数を可変すべく、バリキャップダイオード（ＶＤｉ）４２・バリキャップダイオード（ＶＤｉ）用バイアス抵抗４３にて構成される可変容量からなっている。 - 特許庁

To provide an organic light emitting diode display device for changing a gamma reference voltage step by step in accordance with video brightness of a current frame, and to provide a driving method of the device.例文帳に追加

現在のフレームの映像の明るさに応じてガンマ基準電圧を段階的に可変させることのできる有機発光ダイオード表示素子及びその駆動方法を得る。 - 特許庁

After that, a reference value Is and a switching frequency are set again so that the switching element Q is turned on next at a timing when a regenerative current of a diode D comes nearly zero.例文帳に追加

その後、ダイオードＤの回生電流が略ゼロとなるタイミングでスイッチング素子Ｑが次回オンされるように、基準値Ｉｓとスイッチング周波数が設定される。 - 特許庁

When a reference temperature is defined as Tr, the chip surface temperature of an LSI is elevated by ΔTr at start-up, so that the collector/base voltage V1(t) of a diode 1 is varied.例文帳に追加

基準温度をＴｒとするとき、起動時にLSIのチップ表面温度がΔTr上昇し、それによりダイオード１のコレクタ・ベースの電圧V1(t)の変動が発生する。 - 特許庁

As a result, the charged voltage of a capacitor 33 impressed on the light-emitting diode circuit 40 changes so that the both end voltage of the resistor 51 may be same as the reference voltage.例文帳に追加

それに伴い発光ダイオード回路４０に印加するコンデンサ３３の充電電圧は抵抗５１の両端電圧が基準電圧と同じになるように変化する。 - 特許庁

The reference voltages VR1 and VR2 and voltages V1 and V2 varying in voltage corresponding to a thermal characteristic of a diode D are compared respectively by comparators CA and CB.例文帳に追加

そして、これら基準電圧ＶＲ１と、ＶＲ２と、ダイオードＤの温度特性に応じて変化する電圧Ｖ１、Ｖ２をコンパレータＣＡ，ＣＢにおいてそれぞれ比較する。 - 特許庁

A BGR circuit generates as a reference voltage the sum of voltage drops across the resistances R2 and R4 where the current I2 flows and the forward voltage drop VF3 across the diode D3.例文帳に追加

ＢＧＲ回路は、電流Ｉ2が流れる抵抗Ｒ2とＲ4の電圧降下、及び、ダイオードＤ３の順方向電圧降下ＶF3の和を基準電圧として発生する。 - 特許庁

The voltage controlled oscillator 10 includes a package for mounting the piezoelectric vibration piece 12, the variable capacity diode Cv, the reference voltage generation source 16, and the resistances.例文帳に追加

また電圧制御発振器１０は、圧電振動片１２、可変容量ダイオードＣｖ、基準電圧発生源１６および前記抵抗を搭載するパッケージを備えている。 - 特許庁

If the working current of the unbalanced energizing display breaker is larger than a predetermined level, reference, reference voltage is identified by a Zener diode ZD1, and comparators IC1, IC2 for comparing the voltage of a main circuit with the voltage of a voltage line under unbalancing are driven to turn on a light emitting diode if the unbalancing condition is kept.例文帳に追加

不平衡通電表示ブレーカの使用電流が予め設定した値より大きくなったときにツェナダイオードＺＤ１により基準電圧を確定させ、主回路の電圧と不平衡になっている電圧線の電圧を比較するためのコンパレータＩＣ１、ＩＣ２を駆動させ、不平衡状態であれば発光ダイオードを点灯させる。 - 特許庁

A step for comparing a value of a power/current characteristic curve of a laser diode which shows an incline of an operative part of the power/ current characteristic curve with a corresponding reference incline value determined previously, and a step for varying a modulation current to the laser diode according to the incline value which does not correspond properly to the reference incline value, are included.例文帳に追加

レーザダイオードのパワー／電流特性曲線の動作部分の勾配を表す前記パワー／電流特性曲線の値を、予め決められた対応する基準勾配値と比較するステップと、前記レーザダイオードに対する変調電流を、前記基準勾配値に適切に対応しない前記勾配値に応じて変化させるステップとを含む。 - 特許庁

When a cathode side voltage V104 of a Zener diode ZD101 of a reference voltage generating circuit 100 is reduced, as compared to a Zener voltage which is to be originally generated, first and second reference voltage support circuits 200, 300 makes a replenishment current flow through a voltage division resistor 103 on a low-voltage side of the reference voltage generation circuit 100.例文帳に追加

基準電圧発生回路１００のツェナーダイオードＺＤ１０１のカソード側電圧Ｖ１０４が、本来発生すべきツェナー電圧よりも低下すると、第１及び第２の基準電圧サポート回路２００，３００が、基準電圧発生回路１００の低電圧側の分圧抵抗１０３に補充電流を流し込む。 - 特許庁

When it is determined that the voltage exceeds the upper reference value V1 or is lower than the lower limit reference value V2, the determination circuit 20 controls the lighting circuit 30 to turn off or dims the light emitting diode elements 91A-91D.例文帳に追加

上限基準値Ｖ１を超えていると判定した場合、又は、下限基準値Ｖ２を下回っていると判定した場合、判定回路２０は、点灯回路３０を制御して発光ダイオード素子９１Ａ〜９１Ｄを消灯又は減光させる。 - 特許庁

The trimming circuit 411 is connected in series with reference resistance Rs, and the trimming circuit 412 is connected in parallel with the reference resistance Rs, whereby the combined resistance value between a terminal P1 and the ground can be increased/decreased without using a Zener diode.例文帳に追加

そして、トリミング回路４１１を基準抵抗Ｒｓと直列に接続し、トリミング回路４１２を基準抵抗Ｒｓと並列に接続することにより、ツェナーダイオードを用いずに端子Ｐ１−接地間の合成抵抗値の増減を可能とした。 - 特許庁

A CPU 21 outputs the reference signal for deciding the output level of a semiconductor laser diode 13 through an I/O interface 22 and a D/A converter 23, and an amplifier 24 amplifies the signal so as to output the reference voltage of the laser output.例文帳に追加

ＣＰＵ２１が半導体レーザダイオード１３の出力レベルを決定する基準信号をＩ／Ｏインタフェース２２とＤ／Ａ変換器２３を介して出力し、これを増幅器２４で増幅してレーザ出力の基準電圧を生成する。 - 特許庁

This constant voltage generation circuit is provided with a reference current source circuit 10B, a diode DX, an amplifier circuit AMP for amplifying a voltage at both terminals of the diode DX and outputting the voltage VCS and a current control circuit 20 for controlling a current flowing to a node N1.例文帳に追加

定電圧発生回路は、基準電流源回路１０Ｂと、ダイオードＤＸと、ダイオードＤＸの両端の電圧を増幅して電圧Ｖ_CSを出力する増幅回路ＡＭＰと、ノードＮ１に流れる電流を制御する電流制御回路２０とを有する。 - 特許庁