「reflected electron」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The most important feature is to match electron beams incident to a sample, with an optical axis from the optical imaging device by using a mirror-combined reflected electron detector.例文帳に追加

ミラー兼用反射電子検出器を使用し、試料に入射する電子ビームと、光学画像装置からの光軸を一致させることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

Further, a negative electrode cover 68 made of a metal material is arranged to cover an electron-focusing insulator 66 supporting the electron focusing system 56 to prevent reflected electron from the target 18 from colliding with an insulator 66a.例文帳に追加

また、電子集束系56を支持する電子集束絶縁体66を覆うように金属材料から成る陰極カバー68を配置してターゲット18からの反射電子が絶縁物66aに衝突するのを防止している。 - 特許庁

That is, shapes of an irradiated region of the electron beam and the irradiated region of the ultraviolet rays are made to be matched on a display screen, and strength of ultraviolet rays in the irradiated region of the electron beam is adjusted as retaining reflection electron image formation conditions of the reflected electron image.例文帳に追加

すなわち、電子線の照射領域と紫外線の照射領域の形状を表示画面上で一致させ、電子線の照射領域における紫外線の強度を、反射電子像の反射電子結像条件を保持しながら調整するよう構成した。 - 特許庁

Upon using a scanning electron microscope which is loaded with a spin-polarized electron source having a laser 201 and a semiconductor 202, a chirality structure and magnetized vector of polymer inside a testpiece 208 can be visualized by measuring intensity and the degree of spin-polarization of reflected electrons 209 from the testpiece 208 which is irradiated by a spin-polarized electron beam 203 by using a reflected electron detector 210.例文帳に追加

レーザー201と半導体202を備えたスピン偏極電子源等を搭載した走査電子顕微鏡を用いて、スピン偏極電子線203を照射した試料208からの反射電子209の強度やスピン偏極度を反射電子検出器210などを用いて測定することにより、試料208内部の高分子のカイラリティ構造や磁化ベクトルを可視化することができる。 - 特許庁

A bar graph in Fig.(d) shows reflected electron intensities in the analytical points L1-L12 positioned on a straight line L in Fig.(c).例文帳に追加

（ｄ）の棒グラフは、（ｃ）の直線Ｌ上に位置する分析点Ｌ１〜Ｌ１２における反射電子強度を表す。 - 特許庁

Thus, the reflected electron generated from the sample at a low angle can be effectively detected on the basis of the formation.例文帳に追加

以上の構成により、試料から低い角度で発生する反射電子を高率良く検出することが可能になる。 - 特許庁

Reflected electron coefficients are made smaller according as the atom weight of a colliding object is getting smaller, so that the repeated collision of the reflected electrons 9 with the low atom weight member 10 can result in the sharp decrease of the number of reflected electrons and the extreme reduction of reflected electrons reaching an insulating insulator 2.例文帳に追加

反射電子係数は、衝突する物体の原子量が小さいほど小さいので、低原子量部材１０との衝突を繰り返すことにより、急激に反射電子の数が減少し、結局、絶縁碍子２に到達する反射電子は極端に少なくなる。 - 特許庁

The sample holder 14 is equipped with a means, having a mechanism of inclination and rotation, in addition to the movement of the position of the sample or a means for altering the position of the lens barrel 1 of the scanning electron microscope and a reflected electron detector 12, to make the lens barrel 1 and the reflected electron detector 12 face the surface of the sample.例文帳に追加

前記試料ホルダ１４は、試料位置の移動に加え傾斜と回転の機構を有するか、前記走査型電子顕微鏡の鏡筒１と反射電子検出器１２の位置を変更し、前記鏡筒１と反射電子検出器１２を前記試料表面に対向させるための手段を備える。 - 特許庁

The electron beam drawing apparatus is provided with a movable stage for moving the base material within the plane parallel to the base material surface and an electron detector for seizing the reflected electrons emitted from the base material surface.例文帳に追加

電子ビーム描画装置は、基体を基体表面と平行な面内に移動させる可動ステージと、基体表面から放出される反射電子を捕捉する電子検出器とを具備する。 - 特許庁

By using a CCD type detector composed of a CCD element in which a scintillator is closely fixed as the detector, a reflected electron image or a transmission electron image is obtained by following means.例文帳に追加

検出器としてシンチレータを近接して固定したＣＣＤ素子からなるＣＣＤ形検出器を用い、次のような手段で反射電子像あるいは走査透過像を得る。 - 特許庁

The electron beam detecting mechanism 40 detects secondary electrons, generated by irradiating the recording medium with the electron beam or electrons which have been reflected or scattered by the recording medium.例文帳に追加

電子線検出機構４０は、電子線を記録媒体に照射することによって発生する２次電子或いは記録媒体で反射或いは散乱された電子を検出する。 - 特許庁

Setting is performed so that the laser beam 17 is reflected on a reflection mirror 18 and collided with the high-energy electron pulse 15 at a collision point 19.例文帳に追加

レーザー光１７は、反射鏡１８で反射されて、高エネルギー電子パルス１５と衝突点１９で衝突する設定とされる。 - 特許庁

By adding a function of an optical mirror to the reflected electron detector, total structure of the device is simplified and can match the beam axis of the electron microscope with the optical axis of the optical imaging device.例文帳に追加

反射電子検出器に光学ミラーの機能を付加することで装置の全体の構造を簡略化するとともに、電子顕微鏡のビーム軸と光学画像装置の光軸を一致させる。 - 特許庁

To provide a scanning electron microscope capable of effectively detecting a reflected electron generated from a sample at a low angle while realizing a short focus distance and forming a sample image.例文帳に追加

本発明は、短い焦点距離を実現しつつ、試料から低い角度で発生する反射電子を高率良く検出し、試料像を形成する走査形電子顕微鏡の提供を目的とする。 - 特許庁

The current value I_r detected by the reflected electron detector 8 is sent to a control unit 9, and the control unit 9 computes the current density of the electron beam incident upon the resist on the wafer 6 from this value.例文帳に追加

反射電子検出器８で検出された電流値Ｉ_ｒは、制御装置０に送られ、制御装置９は、この値から、ウエハ６上のレジストに入射する電子線の電流密度を算出する。 - 特許庁

A reflected-electron trap 21 which is installed in the vacuum chamber for capturing the electron beam reflected by the evaporation material has a box-like shape in which a side for reflected electrons to enter is opened and a plurality of small trap bodies 22A, 22B, 22C and so on are installed on its bottom face opposing to the opened part, which extend perpendicularly to the bottom face.例文帳に追加

真空チャンバ内に設けられ、蒸発材料で反射した電子ビームを捕獲するための反射電子トラップ２１は、反射電子が向かって来る側が開放された箱状の形状を成しており、この開放部に対向する底面に、この底面に垂直に伸びる複数の小トラップ体２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ……が設けられている。 - 特許庁

To provide an electron gun for preventing the charge-up of an insulating insulator due to reflected electrons, and for reducing fine discharge to be generated by the charge-up.例文帳に追加

反射電子による絶縁碍子のチャージアップを防ぎ、チャージアップが引き起こす微小放電を無くすることができる電子銃を提供する。 - 特許庁

A reflected electron image display device 1 has prescribed gradation extracting means 21 for extracting signals of prescribed gradations or a prescribed range of gradations.例文帳に追加

反射電子像表示装置１は、指定した階調値又は階調範囲の信号を抽出する指定階調抽出手段２１を備える。 - 特許庁

In this case, the length of the shading cylinder in the optical axis direction is set approximately so that an electron beam irradiation zones on a target in a certain column and the detection plane of reflected electron detector in an adjacent column are not visible to each other.例文帳に追加

その筒の光軸方向の長さは、或るカラムでのターゲット上の電子ビーム照射領域と隣のカラムの反射電子検出器の検出面が互いに見ることが出来ない程度の長さにする。 - 特許庁

The excimer beam is reflected on the reflection surface 23R of the reflection mirror 23 to go along the electron beam passage to be radiated to an excimer beam radiation range 31 including an electron beam scan range 30 on the sample 3.例文帳に追加

エキシマ光は反射ミラー２３の反射面２３Ｒで反射され、電子ビーム通路に沿って進み、試料３上の電子ビーム走査領域３０を含むエキシマ光照射領域３１に照射されるようにする。 - 特許庁

An optical-microscope unit 24, which detects reflected light while emitting light in an oblique direction to the observation face of a scanning electron microscope, is provided inside or outside a sample chamber of the scanning electron microscope.例文帳に追加

走査電子顕微鏡の試料室外もしくは試料室内に、走査電子顕微鏡の観察面に対して斜め方向に光を照射して反射光を検出する光学顕微鏡ユニット２４を設ける。 - 特許庁

Thus, only electron rays 21 which contribute to image formation are emitted to MCP 8, other electron rays 22 which do not contribute to image formation are cut, so that these electron rays do not reach the detection face of MCP 8 by being reflected by a mirror cylinder 19, and an excellent observation image can be obtained.例文帳に追加

よって、ＭＣＰ８には結像に寄与する電子線２１のみが入射し、結像に寄与しない電子線２２はカットされるので、これらの電子線が鏡筒１９で反射されてＭＣＰ８の検出面に到達することがなく、従って良好な観察像を得ることができる。 - 特許庁

The half of the container on the other side is irradiated with the electron beams reflected by the reflecting plate disposed on the side without conveying devices evenly without shadows.例文帳に追加

搬送機器が存在しない側に配置される反射板で反射される電子線は、容器の片側の概半分に対して均等に陰影なく照射される。 - 特許庁

The detecting light suppressed from emitting to the outside is reflected by the exposed surface of the electron emitting layer 4 and enters the optical absorption layer 3 again and is absorbed.例文帳に追加

外部放出が抑制された被検出光は、電子放出層４の露出表面で反射し、光吸収層３に再び入射して吸収される。 - 特許庁

A reflected electron signal detected by a detector becomes like (b), and the angle of inclination can be calculated by analyzing the output pattern.例文帳に追加

この場合、検出器で検出される反射電子信号は（ｂ）のようになり、出力のパターン（を解析することにより、傾きの角度を算出することができる。 - 特許庁

To discriminate the kind of a microbody whose surface is covered with two or more layers of thin films by measuring the amount of reflected electrons in electron beam inspection.例文帳に追加

表面を２層以上の薄膜で被覆された微小体の種類を、電子線検査における反射電子の量を計測することにより識別する。 - 特許庁

Therefore, when a reflected electron signal is selected by the mouse cursor and an image thereof is displayed thereafter, readjustment of the contrast and the brightness of the image is not required.例文帳に追加

よって、その後マウスカ−ソルで反射電子信号を選択してその像を表示した場合は、その像のコントラスト及びブライトネスの再調整は不要となる。 - 特許庁

To provide a reantireflection plate which does not cause an aberration even in the case where the reantireflection plate is used jointly with a secondary electron detector and can lessen the amount of reflected electrons.例文帳に追加

２次電子検出器と併用した場合にも収差の原因とならず、反射電子量を少なくできる再反射防止板を提供する。 - 特許庁

The condition of the orbit shift correcting means 20 is set such that total action to the reflected electron beams of the electric field and the magnetic field of the orbit shift correcting means 20 has the same intensity of the total action to the reflected electron beams of the electric field and the magnetic field of the beam separator 10, but directions of both actions are opposite.例文帳に追加

軌道ずれ補正手段２０の条件は、軌道ずれ補正手段２０の電場と磁場の反射電子ビームに対する総合的な作用は、ビームセパレータ１０の電場と磁場の反射電子ビームに対する総合的な作用と強さが同じで、方向が反対の作用を行うように設定される。 - 特許庁

The electron beam emitted from an electron gun 11 is throttled narrow and scans a sample formed with a film and detects the defect existing inside the film of the sample by detecting the reflected electrons or the secondary electrons emitted from the scanning point.例文帳に追加

電子銃１１から放出された電子線を細く絞り、膜形成された試料上を走査し、走査点から放出された反射電子又は二次電子を検出して試料の膜内部に存在する欠陥を検出する。 - 特許庁

On the other hand, a laser beam 13 emitted by a laser light source 12 is set so as to be transmitted through a rotary wavelength plate 14, reflected by a reflector 113, and frontally collide with a high energy electron in the electron beam 112.例文帳に追加

一方、レーザー光源１２によって発せられたレーザー光１３は、回転式波長板１４を透過し、反射鏡１１３で反射され、電子線１１２中の高エネルギー電子と正面衝突するように設定される。 - 特許庁

An electron source is disposed in the container VC, enters a high-energy electron beam into the inside wall surface of the target tube from the entrance opening of the X-ray target tube to generate an X ray, and is so disposed that the electron beam is totally reflected when entered into the inside wall surface of the X-ray target tube.例文帳に追加

電子源は前記容器内ＶＣに配置され、前記Ｘ線ターゲット管の入口開口から前記ターゲット管の内壁面に高エネルギー電子ビームを入射してＸ線を発生させ、前記Ｘ線にターゲット管の内壁面に入射するときに全反射させられるように配置されている。 - 特許庁

The electron beam control device is equipped with a selecting means which selects one or more parameters that specify a curve to approximate by the curve waveforms that represent the strength of the reflected electron beam, and a modifying means which modifies, at least, either the irradiation conditions or the reflection conditions of the electron beam.例文帳に追加

本装置は、反射電子ビームの強度を表す波形を曲線で近似するために、曲線を規定する１以上のパラメータの値を選択する手段と、前記１以上のパラメータの値が許容値でない場合に、電子ビームの放射条件及び反射条件の少なくとも一方を変更する手段とを備える。 - 特許庁

When an electron beam is irradiated on one point of a sample, the reflected electrons or the transmission electrons generated from the sample are collided with the scintillator, and a light-emitting pattern is formed.例文帳に追加

試料の一点に電子線を照射すると試料から発生した反射電子または透過電子はシンチレータに衝突して発光パターンが形成される。 - 特許庁

A orbit shift correcting means 20 compositionally applies an electric field and a magnetic field perpendicularly crossing each other to reflected electron beams which have passed almost straight the beam separator 10.例文帳に追加

軌道ずれ補正手段２０は、ビームセパレータ１０を略直進通過した反射電子ビームに対して、互いに直交する電場と磁場を複合的に作用させる。 - 特許庁

A reflection electron microscope 4 irradiates incident beams 15 on the surface of bio cells 12, and photographs continuous images as a two-dimensional intensity distribution of their reflected and scattered beams 21.例文帳に追加

反射型電子顕微鏡４は、バイオセル１２の表面に入射線１５を照射し、その反射散乱線２１の二次元強度分布である連続画像を撮影する。 - 特許庁

To prevent re-reflection of reflected electrons or secondary electrons emitted from a sample surface to the sample surface side, and to increase the amount of electrons detected by an electron detector.例文帳に追加

試料面から放出される反射電子や二次電子の試料面側への再反射を防止すると共に、電子検出器での電子検出量を増大させる。 - 特許庁

To stably form a film having uniform film thickness and film quality in a plasma treatment apparatus having a plurality of UR-type plasma guns including reflected electron return electrodes.例文帳に追加

反射電子帰還電極を含むＵＲ式プラズマガンを複数有するプラズマ処理装置において、膜厚及び膜質の均一な膜を安定的に成膜できるようにする - 特許庁

The electron beam lithography device 100 includes a first measuring instrument 4 which irradiates a mark formed on a substrate 6 with light and detects reflected light of the irradiation light to measures the position of the mark, a second measuring instrument 24 which detects a secondary electron generated from an electron beam irradiating the mark from an electron source through an electrooptical system to measure the position of the mark, and a controller 12.例文帳に追加

電子線描画装置１００は、基板６に形成されたマークに光を照射し、照射された光の反射光を検出して前記マークの位置を計測する第１計測器４と、電子源から電子光学系を介して前記マークに照射された電子線から発生する二次電子を検出して前記マークの位置を計測する第２計測器２４と、制御器１２と、を備える。 - 特許庁

An insulating tube provided on an inner surface portion of the reflected electron feedback electrode which is grounded and has a potential higher than a potential of the hollow cathode is in electrical contact with the intermediate electrode placed closest to the reflected electrode feedback electrode.例文帳に追加

ホローカソードの電位より高い電位を有し接地された反射電子帰還電極の内周部に設けられた絶縁管が、反射電子帰還電極に対して最も近い位置に配置されている中間電極と電気的に接触している。 - 特許庁

This charged particle beam device has a shielding cylinder fitted to a column support member 8 so as to surround each of detector support members 10i, 10j and 10k, and reflected electron detectors 11i, 11j and 11k laid immediately below each of electron beam columns 1i, 1j and 1k.例文帳に追加

各電子ビームカラム１ｉ，１ｊ，１ｋの直下に設けられた各検出器支持部材１０ｉ，１０ｊ，１０ｋと反射電子検出器１１ｉ，１１ｊ，１１ｋをそれぞれ取り囲むようにカラム支持部材８に遮蔽筒を取り付ける。 - 特許庁

The thin-film-forming apparatus makes the reflected electron emitted from the first crucible accommodating the first sample to be irradiated with the electron beam directly be incident on the second sample placed in the second crucible to improve the heating efficiency for the samples.例文帳に追加

本発明の薄膜形成装置は、電子ビ−ムを照射する第１試料を収めた第１ルツボから放射される反射電子を第２ルツボ内に収めた第２試料に直接照射することにより、試料の過熱効率を改善したものである。 - 特許庁

Since a backscattered electron scattering coefficient of beryllium is smaller compared with that of soft iron or the like, the re-reflecting rate of the electron reflected from the charged beam irradiation surface of the wafer to the opposing surface becomes low, thereby preventing fogging exposure due to a fogging effect.例文帳に追加

ベリリウムは軟鉄等に比べ反射電子散乱係数が小さいので、ウェハの荷電ビーム照射面から対向面に反射した電子が、ウェハ方向に再反射される率が低くなり、ｆｏｇｇｉｎｇ効果によるかぶり露光を防ぐ。 - 特許庁

A portion where electrons reflected vertically from a sample 104 are formed is shielded by a shielding object 117, on a diffraction spot formed on a rear focal plane of an electron lens 111, and other reflected electron beams are detected by a detector 112, and its integration intensity is monitored by an input/output device 115, to thereby determine a foreign matter or a flaw.例文帳に追加

電子レンズ１１１の後焦点面に形成される回折スポットのうち、試料１０４から垂直に反射される電子が形成する部分を遮蔽物１１７で遮蔽し、その他の反射電子線を検出器１１２で検出し、その積分強度を入出力装置１１５でモニタすることにより異物や欠陥の判定を行う。 - 特許庁

The noise signals reflected at the distal end of the distal end open type line 102b are transmitted to the distal end open type line 102a, reflected at the distal end of the distal end open type line 102a, made incident on the gate of the high electron mobility transistor 101 and amplified again.例文帳に追加

先端開放型線路１０２ｂの先端で反射した雑音信号は、先端開放型線路１０２ａへ伝送され、先端開放型線路１０２ａの先端で反射され、高電子移動度トランジスタ１０１のゲートに入射され、再度増幅される。 - 特許庁