「reflected electron」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The electron beam control device is equipped with an electron gun which emits an electron beam, and a reflected electron beam detector which detects an electron beam reflected from a specimen provided with a prescribed pattern so as to evaluate a reflected electron beam and to control an electron beam.例文帳に追加

電子ビーム管理装置は、電子ビームを放射する電子銃と、所定のパターンを有する試料から反射した反射電子ビームを検出する反射ビーム検出器とを有し、反射電子ビームを評価し、電子ビームを管理する。 - 特許庁

To provide a reflected-electron trap which has an improved capturing rate for reflected electrons.例文帳に追加

反射電子トラップの反射電子捕獲率を大幅に向上させる。 - 特許庁

To reduce an erroneous signal caused by reflected electron of higher order or secondary electron which lower the detection accuracy of the reflected electron.例文帳に追加

反射電子の検出精度を低下させる高次の反射電子や高次の二次電子に起因する誤信号を低減する。 - 特許庁

By repeating this sequentially, the reflected electron image or the transmission electron image of the electron beam scanning range can be obtained.例文帳に追加

これを順次繰り返し電子線走査範囲の反射電子像または透過電子像を得ることができる。 - 特許庁

The membrane sample having no substrate is irradiated with an electron beam to measure a reflected electron image.例文帳に追加

下地の無い薄膜試料に電子線を照射して反射電子像を測定する。 - 特許庁

The reflected- electron detector cover 51 is turned by a driving device 65, reflected beams 33 passed through the reflected-electron pass holes 55b are adjusted so as to collide with a reflected-electron detector 22, and the position of a mark is confirmed.例文帳に追加

反射電子検出器カバー５１を駆動装置６５で回動し、反射電子通路孔５５ｂを通過した反射電子３３が反射電子検出器２２に当たるように調整し、マーク位置の確認を行う。 - 特許庁

To provide an electron beam irradiation device for easily detecting defects of a reflected electron detector.例文帳に追加

簡易に反射電子検出器の不良を検出できる電子ビーム照射装置を提供する。 - 特許庁

To display a composition status due to a reflected electron image in real time by the synchronous decision of gradation calculation with scanning of an electron beam, in displaying the reflected electron image.例文帳に追加

反射電子像の表示において、階調算出の判断を電子線の走査と同期して行い、反射電子像による組成状態の表示をリアルタイムで行う。 - 特許庁

The electron beam device having a radiation mechanism that generates the electron beam and radiates the same to the object and a re-reflection preventive mechanism that re-reflects the reflected electron reflected from the object in a direction different from the direction that the reflected electron beam comes in.例文帳に追加

電子線を発生し、かつ標的に照射する照射機構と、前記標的に向くところに位置し、かつ標的から反射して来る反射電子が来た方向と異なる方向に再反射する再反射防止機構とを有する電子線装置。 - 特許庁

To lessen the re-incidence of re-reflected electron on an object in an electron beam device.例文帳に追加

電子線装置において、再反射電子の標的への再入射を少なくすることを目的とする。 - 特許庁

A reflected electron waveform 75 is stored sequentially, at each specified irradiating position on a sample, in a storage device through a reflected electron detector 63.例文帳に追加

反射電子検出器６３を介して反射電子波形７５が試料上での所定照射位置毎に、順次記憶装置に記憶される。 - 特許庁

In the pattern inspection method, the circuit pattern is partitioned using the brightness of a reflected electron image to correlate an area in the reflected electron image belonging to each partition with an area in a secondary electron image.例文帳に追加

パターン検査方法は、反射電子像の輝度を用いて回路パターンを区分し、各区分に属する反射電子像内の領域と、２次電子像内の領域とを対応付ける。 - 特許庁

The intensity of the reflected electron signal from a sample with a known membrane thickness under the condition equal to the measuring condition of the reflected electron image is measured to be set to reference intensity and the distribution of the intensity ratio of the reflected election intensity of the reflected electron image and the reference intensity is displayed as an image.例文帳に追加

反射電子像を測定した条件と同等の条件で膜厚既知の試料からの反射電子信号強度を測定して基準強度とし、反射電子像の反射電子強度と基準強度との強度比の分布を画像表示する。 - 特許庁

The cylinder or the spinning part with not intended intake angle catches the reflected electron or the like traveled from the sample so as not to make them become the reflected electron of higher order or the like, and also catches the reflected electron of higher order collided against the top end part of the cylinder or the spinning part, and prevents the detector from receiving the reflected electron of higher order.例文帳に追加

採取角度範囲の外の筒もしくはへら絞り部は、試料から飛来した反射電子などが高次の反射電子などとならない様に捕獲し、これら筒もしくはへら絞り部の先端に当たった反射電子などによる高次の反射電子などをも捕獲し、検出器へ導入されるのを防ぐ。 - 特許庁

The electron beam inspection device irradiates electron beam from an electron gun in an electron gun chamber onto samples placed in a sample room and detects secondary electron and reflected electron generated from the samples.例文帳に追加

電子ビーム検査装置は、試料室に置かれた試料に電子銃室の電子銃から電子線を照射し、試料から発生する二次電子および反射電子を検出することにより、試料の形状観察または寸法測定を行う。 - 特許庁

This X-ray generator 1 includes an electron gun 3 to emit an electron beam, a target T, a coil 9 capable of changing the course of the electron beam emitted from the electron gun 3, a reflected electron detector 31 to detect reflected electrons, and a controller 33 to control the coil 9 based on the detected signal of the reflected electron detector 31.例文帳に追加

Ｘ線発生装置１は、電子ビームを出射する電子銃部３と、ターゲット部Ｔと、電子銃部３から出射された電子ビームの進路を変更可能なコイル部９と、反射電子を検出する反射電子検出器３１と、反射電子検出器３１の検出信号に基づいてコイル部９を制御するコントローラ３３と、を備えている。 - 特許庁

In order to obtain the reflected electron image, this detector is arranged directly under an object lens.例文帳に追加

反射電子像を得るにはこの検出器を対物レンズ直下に配置する。 - 特許庁

To prevent a reflected electron and a secondary electron from turning in around a rear side of an anode, and to enhance stability of a generator operation.例文帳に追加

アノードの後方への反射電子や２次電子の回り込みを防止して、装置動作の安定性を向上させる。 - 特許庁

An electric field and a magnetic field are sealed within the each electronic optical system by a shielding electrode capable of vacuum-evacuating highly an electron beam passage, a negative voltage is set to a sample to accelerate a secondary electron and a reflected electron to a direction of an electron source side in an electron beam optical axis, and the secondary electron and the reflected electron are thereby detected within the same electronic optical system.例文帳に追加

また、電子線通路を高真空排気可能な遮蔽電極で電界および磁界を各電子光学系内に封じ込めることとともに、試料に負の電圧を設定して二次電子や反射電子を電子線光軸の電子源側の方向に加速することによって、二次電子や反射電子を同一光学系内で検出する。 - 特許庁

To provide a downsized and highly efficient/highly functional detector to achieve downsizing of the detector, equipping of an energy filter mechanism, and equipping of a secondary electron/reflected electron selection mechanism or the like in detecting the secondary electron and the reflected electron in an electron beam application device such as a scanning electron beam microscope.例文帳に追加

本発明は走査電子顕微鏡など電子線応用装置において二次電子および反射電子の検出において検出器の小形化、エネルギーフィルタ機構の装備、二次電子/反射電子選別機構の装備などを実現し小形で高効率/高機能の検出器を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

This electron beam device is equipped with a reflected electron detecting means 50 of an integrated double detection type where a reflected electron detecting element 31, which uses a scintillator element or a semiconductor element that has a high detection sensitivity of high energy reflected electrons and a long life, and a secondary electron generating electrode 33, which is advantageous in detect reflected electrons of low energy at high efficiency, are arranged adjacently.例文帳に追加

高エネルギーの反射電子の検出感度が高く、長寿命なシンチレータ素子、あるいは半導体素子を用いた反射電子検出素子３１と低エネルギーの反射電子の高効率検出に有利な二次電子発生電極３３とを隣接して配置した、２検出方式一体型の反射電子検出手段５０を設ける。 - 特許庁

In addition, by bringing the sample S close to the electron-permeable membrane (collodion membrane) 132, electrons R (and secondary electrons) reflected from the sample S by radiation of the electron beam B are detected by using an upper reflected electron detector 304 on the high vacuum side and a lower reflected electron detector 306 on the atmospheric-pressure side (and a secondary electron detector 302 on the high vacuum side).例文帳に追加

さらに、試料Ｓを電子透過膜（コロジオン膜）１３２に近づけて、電子線Ｂの照射による試料Ｓからの反射電子Ｒ（および二次電子）を、高真空側の上部反射電子検出器３０４と大気圧側の下部反射電子検出器３０６（ならびに高真空側の二次電子検出器３０２）を用いて検出する。 - 特許庁

The incident electron beam was tilted so that Bragg-reflected electrons were on-axis. 例文帳に追加

入射電子ビームは、ブラッグ反射した電子が光軸上に来るように傾けられた。 - 科学技術論文動詞集

A sample of the magnetic recording medium is irradiated with an electron beam as an area beam and the electron beam is reflected in the vicinity of the pole of the sample to obtain an image.例文帳に追加

磁気記録媒体に面積ビームとした電子線を試料に照射し、試料の極近傍で反射させ像を得る。 - 特許庁

The restriction of the reflected electron beam using the restriction diaphragm 14 improves the contrast of a mirror electron microscope image.例文帳に追加

この制限絞り１４を用いて反射電子線を制限することにより、ミラー電子顕微鏡像のコントラストを改善させる。 - 特許庁

This tension testing device is attached to an inside of a scanning electron microscope mounted with a reflected electron detector, a test piece is tensioned while photographing a reflected electron image, and a change of a shape in a crystal grain appearing in the reflected electron image is measured to compute sequentially a strain amount in each crystal grain and a cross section with respect to a tensioned direction.例文帳に追加

反射電子検出器を装着した走査電子顕微鏡内に引張り装置を取り付け、反射電子像を撮影しながら試験片を引張り、反射電子像に現れる結晶粒の形の変化を測定し、結晶粒毎の歪量及び引張り方向に対する断面積を逐次演算する。 - 特許庁

To provide a TTL-mode scanning electron microscope capable of giving high resolution to a secondary electron image and effectively providing a reflected electron image with good contrast.例文帳に追加

二次電子像での高分解能化が可能であり、かつＴＴＬ方式の走査型電子顕微鏡にてコントラストの良い反射電子像を効果的に得ることが課題である。 - 特許庁

An electric field and a magnetic field are sealed within the respective electronic optical systems by a shielding electrode for vacuum-evacuating an electron beam path, and a negative voltage is set to a sample to accelerate a secondary electron and a reflected electron to a direction of an electron source side in an electron beam optical axis, so as to detect the secondary electron and the reflected electron within the same electronic optical system.例文帳に追加

また、電子線通路を高真空排気可能な遮蔽電極で電界および磁界を各電子光学系内に封じ込めることとともに、試料に負の電圧を設定して二次電子や反射電子を電子線光軸の電子源側の方向に加速することによって、二次電子や反射電子を同一光学系内で検出することを特徴とする。 - 特許庁

An electric field and a magnetic field are sealed within the each electronic optical system by a shielding electrode capable of vacuum-evacuating an electron beam path, and a negative voltage is set to a sample to accelerate a secondary electron and a reflected electron to a direction of an electron source side in an electron beam optical axis, so as to detect the secondary electron and the the reflected electron within the same electronic optical system.例文帳に追加

また、電子線通路を高真空排気可能な遮蔽電極で電界および磁界を各電子光学系内に封じ込めるとともに、試料に負の電圧を設定して二次電子や反射電子を電子線光軸の電子源側の方向に加速することによって、二次電子や反射電子を同一光学系内で検出することを特徴とする。 - 特許庁

An electric field and a magnetic field are sealed within the each electronic optical system by a shielding electrode capable of vacuum-evacuating highly an electron beam path, and a negative voltage is set to a sample to accelerate a secondary electron and a reflected electron to a direction of an electron source side in an electron beam optical axis, so as to detect the secondary electron and the the reflected electron within the same electronic optical system.例文帳に追加

また、電子線通路を高真空排気可能な遮蔽電極で電界および磁界を各電子光学系内に封じ込めることとともに、試料に負の電圧を設定して二次電子や反射電子を電子線光軸の電子源側の方向に加速することによって、二次電子や反射電子を同一光学系内で検出することを特徴とする。 - 特許庁

Since not the reflected electrons but the very electrons of the electron beam are detected directly, the detected amount of the electron beam is large.例文帳に追加

反射電子でなく電子線の電子そのものを直接検出することができるので、検出される電子線の量が多くなる。 - 特許庁

A secondary electron conversion electrode 7 for generating a secondary electron 9a caused by collision of the reflected electron 8a is arranged further toward an electron source side than an object lens 4 and toward a sample side than a secondary electron detector 5a.例文帳に追加

本発明は、反射電子（８ａ）の衝突によって二次電子（９ａ）を発生させる二次電子変換電極（７）を、対物レンズ（４）より電子源側であり且つ、二次電子検出器（５ａ）より試料（６）側に配置したことを特徴とする。 - 特許庁

There is a slender cylindrical section 53 at the central section of a reflected-electron detector cover 51.例文帳に追加

反射電子検出器カバー５１の中心部には、細長い円筒部分５３が存在する。 - 特許庁

The semiconductor wafer is irradiated with an electron beam and electrons reflected extremely nearby the wafer are detected.例文帳に追加

半導体ウェハに電子線を照射し、ウェハの極近傍で反射した電子を検出する。 - 特許庁

The cover 51 is turned by approximately 45° from the position of the mark, the reflected electrons 33 are adjusted so as not to collide with the reflected-electron detector 22, and exposure is conducted.例文帳に追加

また、そこから約４５度だけ回動し、反射電子３３が反射電子検出器２２に当たらないように調整し、露光を行う。 - 特許庁

The secondary electron generated through the irradiation of the electron beam on the sample 32 or reflected electron is detected by a detector 37 arranged in the vicinity of a rear focus of the objective lens 38.例文帳に追加

試料３２への電子ビームの照射によって発生した２次電子あるいは反射電子は、対物レンズ３８の後方焦点近傍に配置された検出器３７により検出される。 - 特許庁

The X-ray generator generates X-rays by incident or reflected electron beams radiated from an electron source to a target (1).例文帳に追加

Ｘ線発生装置は、電子源から照射される電子ビームをターゲット(1) に入射しまたは反射させることによりＸ線を発生させる。 - 特許庁

Four square reflected- electron pass holes 55b are formed at the four quarters of the pass hole 55a of electron beams in the cover plate 55 so as to be penetrated.例文帳に追加

カバー板５５の電子ビームの通路孔５５ａの四方には、四角い反射電子通路孔５５ｂが４個貫通するように設けられている。 - 特許庁

The kind of the material of the microbody variable layer is discriminated from a difference of brightness of a reflected electron image acquired from the microbody by electron beam irradiation.例文帳に追加

電子線照射により微小体から得られる反射電子像の輝度の差から、微小体可変層の素材の種類を識別する。 - 特許庁

A separator 4 for separating an irradiated electron beam 101 and a reflected electron beam 102 of the mirror electron microscope is positioned between an objective lens 5 and an intermediate lens 8, and a restriction diaphragm 14 is positioned in a position 43 where the intermediate lens 8 projects an electron beam diffraction image of the reflected electron beam 102 formed in a focus position 41 of the objective lens 5.例文帳に追加

ミラー電子顕微鏡の照射電子線１０１と反射電子線１０２を分離させるセパレータ４を対物レンズ５と中間レンズ８の間に配置し、反射電子線１０２の対物レンズ５の焦点位置４１に形成される電子線回折像が中間レンズ８により投影される位置４３に制限絞り１４を配置する。 - 特許庁

To provide a microfocus X-ray tube with focusing efficiency of electron beams improved and preventing electrostatic charge on an insulator of a negative electrode due to reflected electron from a target.例文帳に追加

電子ビームの集束効率を向上させ、ターゲットからの反射電子による陰極の絶縁物への帯電を防止したマイクロフォーカスX線管を提供する。 - 特許庁

At the same time, reflected electrons 7 are generated from the wafer 6 and the resist, these reflected electrons 7 is made incident on an electrode plate 8a, and the current value I_r thereof is detected by a reflected electron detector 8.例文帳に追加

それと共に、ウエハ６とレジストからは、反射電子７が発生するが、この反射電子７が電極板８ａに入射し、その電流値Ｉ_ｒが反射電子検出器８で検出される。 - 特許庁

To provide an electron beam exposing method, with which sufficient accuracy in overlapping can be provided by correcting the position of an electron beam corresponding to an electron beam position drift quantity reflected with the charge-up of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハのチャージアップを反映した電子線位置ドリフト量による電子線の位置補正を可能にし、十分な重ね合わせの精度を得ることのできる電子線露光方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor electron beam detector with a simple structure sensitively and responsively detecting an electron beam accelerated by high acceleration voltage or reflected electron having energy similar to the electrons of the beam.例文帳に追加

高い加速電圧で加速された電子線又はこれと同等のエネルギーを有する反射電子を、簡単な構造にて高感度で応答性よく検出する半導体電子線検出器を提供する。 - 特許庁

R1-R3 in Fig.(e) are measuring objective areas satisfying the condition where the reflected electron intensity is a threshold value H or more, when only the analytical points having the threshold value H or more of reflected electron intensity are used as measuring objects.例文帳に追加

閾値Ｈ以上の反射電子強度を持つ分析点のみを測定対象とすると、（ｅ）中のＲ１〜Ｒ３は反射電子強度が閾値Ｈ以上の条件を満たす測定対象領域である。 - 特許庁