「semi-insulating」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ELECTROMAGNETIC STEEL SHEET WITH SEMI-ORGANIC INSULATING FILM例文帳に追加

半有機絶縁被膜付き電磁鋼板 - 特許庁

To provide a semi-insulating GaAs wafer without causing any slip after annealing treatment during the production of a device, and to provide a method for producing the semi-insulating GaAs wafer.例文帳に追加

デバイス製造時アニール処理後にスリップが発生しない半絶縁性ＧａＡｓウエハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING SEMI-INSULATING GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法および装置 - 特許庁

To form a resistor having a high resistance on a semi-insulating substrate.例文帳に追加

半絶縁性基板上の高抵抗の抵抗体を形成する。 - 特許庁

In the semi-insulating semiconductor embedded layer, Fe is doped.例文帳に追加

半絶縁性半導体埋込層には、Ｆｅがドープされている。 - 特許庁

SEMI-INSULATING NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, SEMI-INSULATING NITRIDE SEMICONDUCTOR SELF-SUPPORTING SUBSTRATE AND TRANSISTOR, AND METHOD AND APPARATUS FOR GROWING SEMI-INSULATING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

半絶縁性窒化物半導体ウエハ、半絶縁性窒化物半導体自立基板及びトランジスタ、並びに半絶縁性窒化物半導体層の成長方法及び成長装置 - 特許庁

PEELABLE, SEMI-CONDUCTIVE RESIN COMPOSITION FOR, OUTER SEMI-CONDUCTIVE LAYER OF CHEMICALLY CROSS-LINKED POLYETHYLENE INSULATING POWER CABLE例文帳に追加

化学架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル外部半導電層用剥離性半導電性樹脂組成物 - 特許庁

PEELABLE, SEMI-CONDUCTIVE, WATER-CROSSLINKABLE RESIN COMPOSITION FOR, OUTER SEMI-CONDUCTIVE LAYER OF CHEMICALLY CROSSLINKED POLYETHYLENE INSULATING POWER CABLE例文帳に追加

化学架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの外部半導電層用剥離性半導電性水架橋性樹脂組成物 - 特許庁

The semiconductor optical element of the waveguide type with the high mesa ridge structure has a semi-insulating substrate and a ridge part which is formed on the semi-insulating substrate and includes a lower clad layer, a core layer, and an upper clad layer layered in order on the semi-insulating substrate.例文帳に追加

ハイメサリッジ構造を有する導波路型の半導体光素子が、半絶縁性基板と、半絶縁性基板上に形成されたリッジ部であって、半絶縁性基板上に順次積層された下部クラッド層、コア層、及び上部クラッド層とを含むリッジ部とを備える。 - 特許庁

This method for growing the nitride semiconductor layer comprises: supplying GaCl of group III raw material continuously or intermittently on a substrate; and also supplying NH_3 of nitrogen raw material and Cp_2Fe of semi-insulating dopant raw material imparting semi-insulating property alternately to grow the semi-insulating nitride semiconductor layer on the substrate.例文帳に追加

窒化物半導体層の成長方法は、基板上にIII族原料ＧａＣｌを連続的又は断続的に供給するとともに、窒素原料ＮＨ_３と半絶縁性を付与する半絶縁性ドーパント原料Ｃｐ_２Ｆｅとを交互に供給して基板上に半絶縁性窒化物半導体層を成長させる。 - 特許庁

The semiconductor device is constructed in such a manner that a back metal electrode film 7a on the back of the semi-insulating GaAs substrate 1 is ohmic-joined with the semi-insulating GaAs substrate 1, and a side metal electrode film 7b on the side of a via hole 6 is ohmic-joined on the interface with the semi-insulating GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性GaAs基板１の裏面に形成された裏面金属電極膜７ａが、半絶縁性GaAs基板１とオーミック接合し、バイアホール６の側面に形成された側面金属電極膜７ｂが、半絶縁性GaAs基板１との界面でオーミック接合した構造とする。 - 特許庁

Semiconductor layers 2 to 6 which are processes into mesa structures are formed on a semi-insulating board 1.例文帳に追加

半絶縁性基板１の上にメサ構造に加工した半導体層２〜６を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming iron-added gallium nitride useful for a semi-insulating GaN substrate.例文帳に追加

鉄が添加されており半絶縁性のＧａＮ基板のための窒化ガリウムを形成する方法を提供する。 - 特許庁

A compound semiconductor region 2 is formed on a semi-insulating SiC substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性のＳｉＣ基板１上に化合物半導体領域２が形成されている。 - 特許庁

It further includes a first isolated layer 106a and a second isolated layer 106b made of semi-insulating InP.例文帳に追加

また、半絶縁性のＩｎＰからなる第１分離層１０６ａおよび第２分離層１０６ｂを備える。 - 特許庁

SEMI-INSULATING InP SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT AS WELL AS METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR THIN FILM例文帳に追加

半絶縁性ＩｎＰ基板及び半導体光素子並びに半導体薄膜形成法 - 特許庁

To prevent increase of the number of production processes in a light modulator having a semi-insulating clad layer.例文帳に追加

半絶縁性クラッド層を有する光変調器において、作製工程数を増やさない。 - 特許庁

A semi-fabricated product 4 is fabricated by inserting a coil 3 and an insulating sheet into an outer can 2.例文帳に追加

コイル３と絶縁シートとをアウタ缶２に挿入して、半製品４を構成する。 - 特許庁

Meanwhile, a semi-insulating buffer layer 120 is interposed between the thermally conductive substrate and the light emitting cells.例文帳に追加

一方、熱伝導性基板と発光セルとの間に半絶縁性バッファ層１２０が介在する。 - 特許庁

In this method for heat-treating the semi-insulating GaAs single crystal by sealing the semi-insulating GaAs single crystal in the quartz ampule and heating the quartz ampule from the outside, a part of the quartz ampule is provided with a low-temperature zone having ≤0.9 heat treatment temperature of the semi-insulating GaAs single crystal and the semi-insulating GaAs single crystal is heat-treated.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ単結晶を石英アンプルに封じ込み、該石英アンプルに外部から熱を加える半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の熱処理方法において、前記石英アンプルの一部に前記半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の熱処理温度の０．９倍以下の温度の低温領域を設けて熱処理を施したことにある。 - 特許庁

To provide a method for producing a semi-insulating gallium oxide single crystal, by which the semi-insulating gallium oxide single crystal can be easily obtained at a low cost.例文帳に追加

簡便且つ低コストで半絶縁性の酸化ガリウム単結晶を得ることができる半絶縁性酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method, the semi-insulating semiconductor layer 23 between the semiconductor thin lines 16 is collectively grown with the semi-insulating semiconductor layer 23 for constricting electric current.例文帳に追加

この方法では、半導体細線１６間の半絶縁半導体層２３が、電流狭窄のための半絶縁半導体層２３と一括して成長される。 - 特許庁

To provide a method for heat-treating a semi-insulating GaAs single crystal, capable of obtaining a high-purity semi-insulating GaAs single crystal having slight contamination of heavy metal without using an expensive specific quartz ampule.例文帳に追加

高価で特殊な石英アンプルを用いること無く、重金属汚染の少ない高純度な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶を得ることが可能な、半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の熱処理方法を提供すること。 - 特許庁

The electrical conductivity monitor measures the electrical conductivity of a semi-insulating film for measurement formed from the same material as the semi-insulating film.例文帳に追加

そして、該導電率モニターは該半絶縁膜と同じ材料で形成された測定用半絶縁膜の導電率を測定するモニターであることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for suppressing a leakage current, even when a negative voltage is applied to a gate pad formed on a semi-insulating substrate and a positive voltage is applied to a back electrode formed on the backside of the semi-insulating substrate.例文帳に追加

半絶縁性基板に形成されたゲートパッドにマイナスの電圧が印加され、半絶縁性基板の裏面に形成された裏面電極にプラスの電圧が印加されても、リーク電流を抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The conductor wire (3) has a semi-conductive layer which is formed by directly coating a semi-conductive paint in which a conductive substance such as carbon black powder is kneaded in an insulating paint, on the outer surface of a conductor, and baking it; and an insulating wire (5) which has formed an insulating layer on the outer surface of this conductor wire.例文帳に追加

カーボンブラック粉末のような導電性物質を絶縁塗料中に混練した半導電性塗料を導体の外表面に直接塗布焼付して形成した半導電層を有する導体線（３）、及び、この導体線の外表面に絶縁層を形成した絶縁電線（５）。 - 特許庁

A dopant for semi-insulation and a material are supplied to a growth furnace 10c, and the mask 29 is used to grow a second embedded semiconductor layer 37 on the first semi-insulating embedded layer 35.例文帳に追加

半絶縁性のためのドーパント及び原料を成長炉１０ｃに供給して、マスク２９を用いて第１の半絶縁埋込層３５上に第２の埋込半導体層３７を成長する。 - 特許庁

When a short circuit occurs between the contactors 42, 43, a positioning error or a defect is assumed on the insulating sheet 8 in the semi-fabricated product 4, and so the semi-fabricated product 4 is removed from the fabrication process.例文帳に追加

コンタクタ71，72間が短絡している場合は、半製品４の絶縁シート８の位置のずれあるいは欠品があるため、半製品４を製造工程から排除する。 - 特許庁

A semi-insulating film 13 is patterned so as not to enter parasitic resistance by a semi-insulation film 13 between a gate and a source of a MOSFET 14, and between the gate of the MOSFET 14 and a cathode of a thyrister 30.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１４のゲートとソース、およびＭＯＳＦＥＴ１４のゲートとサイリスタ３０のカソードとの間に半絶縁膜１３による寄生抵抗が入らないように半絶縁膜１３をパターンニングする。 - 特許庁

A part of the substrate 10 consisting of semi-insulating material GaAs is utilized for a dielectric substance between the electrodes 13A and 13B.例文帳に追加

また、半絶縁性物質ＧａＡｓから成る基板１０の一部を電極１３Ａおよび１３Ｂ間の誘電体に利用する。 - 特許庁

This molding material for casting the metal is the one containing semi-water gypsum and heat-insulating material and contains a water-insoluble oxo-acid salt of phosphorus.例文帳に追加

半水石膏と耐熱材を含む金属鋳造用鋳型材において、水に不溶なリンのオキソ酸塩を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Another ESC includes an insulating or semi-conducting body and a clamping electrode having a high resistivity or a high lateral impedance.例文帳に追加

他のＥＳＣは、絶縁性の又は半導体の本体と、高抵抗又は高い横方向インピーダンスを有するクランプ電極と、を含む。 - 特許庁

A semi-insulating BCN film 19 containing boron, carbon, and nitrogen is formed on a layer of the AlGaAs layer 13.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ層１３の表面には、ホウ素、炭素及び窒素を含む半絶縁性のＢＣＮ膜１９が形成されている。 - 特許庁

This semiconductor optical element includes a p-type semiconductor substrate, a mesa structure part, a semi-insulating semiconductor embedded layer, and a diffusion prevention layer.例文帳に追加

半導体光素子は、ｐ型半導体基板、メサ構造部、半絶縁性半導体埋込層、及び、拡散防止層を備えている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a semiconductor layer; and a semi-insulating layer formed on the semiconductor layer and having electric conductivity lower than that of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置であって、半導体層と、半導体層上に形成されており、半導体層よりも電気伝導率が低い半絶縁層を有している。 - 特許庁

SEMI-INSULATING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

半絶縁性窒化物半導体基板とその製造方法並びに窒化物半導体エピタキシャル基板及び電界効果トランジスタ - 特許庁

As the insulating sheets 2 and 3, a thermosetting epoxy resin sheet in the semi-hardened state (stage B) including inorganic filler is used.例文帳に追加

なお、絶縁シート２及び３としては、無機フィラーを含んだ半硬化状態（Ｂステージ）の熱硬化性エポキシ樹脂シートを用いる。 - 特許庁

The semi-insulating semiconductor embedded layer is formed on both sides of the mesa structure part in the direction crossing the lamination direction.例文帳に追加

半絶縁性半導体埋込層は、上記積層の方向に交差する方向においてメサ構造部の両側に設けられている。 - 特許庁

To avoid a breakdown between a circuit element and a metal electrode in a semiconductor device, such as MMIC using a semi-insulating GaAs substrate.例文帳に追加

半絶縁性GaAs基板を用いたMMICなどの半導体装置において、回路素子と金属電極の間のブレイクダウンを回避する。 - 特許庁

A gate electrode 32, a source electrode 33 and a drain electrode 34 are arranged on a semi-insulating substrate 31 to form a transistor cell 35.例文帳に追加

半絶縁性の基板３１上にゲート電極３２、ソース電極３３及びドレイン電極３４を配置してトランジスタセル３５を形成する。 - 特許庁

An n-type clad layer 102 is stacked on a semi-insulating semiconductor substrate 101, on which an optical waveguide layer 103 is formed.例文帳に追加

半絶縁性の半導体基板１０１上にｎ型クラッド層１０２を積層し、この上に光導波路層１０３を形成する。 - 特許庁

An AlSi layer 14c and a semi-insulating silicon nitride film 17 are formed in the second region R2, and further, an overcoat film 18 is formed.例文帳に追加

第２領域Ｒ２には、ＡｌＳｉ層１４ｃと半絶縁性シリコン窒化膜１７が形成され、さらに、オーバーコート膜１８が形成されている。 - 特許庁

The spacer 160 contains a semi-conductive rubber part 161 having a bell-mouth-like tip 161a and an insulating rubber part 162.例文帳に追加

スペーサ１６０は、ベルマウス状の先端１６１ａを有する半導電ゴム部１６１と絶縁ゴム部１６２とを有する。 - 特許庁

A second silicon oxide film 54 is formed on an oxygen doped semi-insulating polysilicon film 39 deposited on a silicon oxide film 51.例文帳に追加

酸化シリコン膜５１上に形成された酸素ドープ半絶縁性多結晶シリコン膜３９の上に、第２の酸化シリコン膜５４を形成する。 - 特許庁

An undope AlGaAs layer 2 and an n+-GaAs high-density anode layer 3 are successively laminated on a semi-insulating GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性ＧaＡs基板１上に、ノンドープＡlＧaＡs層２およびｎ^+-ＧaＡs高濃度アノード層３をＭＢＥ法で順次積層形成する。 - 特許庁