「si amorphous」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The electrophotographic device uses a-Si(amorphous silicon) photoreceptors as photosensitive drums (image carriers).例文帳に追加

感光ドラム（像担持体）として、a−Si感光体からなるものを使用した電子写真装置。 - 特許庁

The magnetic sheet for the RFID antenna comprises at least one kind of amorphous alloy selected from the group consisting of Fe-Si-B, Fe-Si-B-Cu-Nb, Fe-Zr-B and Co-Fe-Si-B.例文帳に追加

本発明に係るＲＦＩＤアンテナ用磁性シートは、Fe-Si-B、Fe-Si-B-Cu-Nb、Fe-Zr-B及びCo-Fe-Si-Bからなる群から選択される少なくとも１種の非晶質合金を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The amorphous Si film 4 is made to contact an Si-contained atmosphere while it is heated to a prescribed temperature, for growing a polycrystal Si particles 5 on the amorphous Si film 4.例文帳に追加

そして、非晶質Ｓｉ膜４を所定の温度に加熱した状態においてＳｉ含有雰囲気に接触させ、非晶質Ｓｉ膜４上に多結晶Ｓｉ粒子５を成長させる。 - 特許庁

A film containing Ar in a Si oxide amorphous insulator film wherein a quantity of Ar in the film is 3% or more in an atomicity ratio for Si (Ar/Si≥3 at.%) is prepared.例文帳に追加

Si酸化物アモルファス絶縁体膜中にＡｒを含有し、その膜中のＡｒ量がＳｉに対して原子数比で３％以上(Ar/Si ≧ 3 at.%)である膜を作製する。 - 特許庁

An intermediate layer containing at least any one of an amorphous Si oxide layer, an amorphous Si nitride film and an amorphous Si oxide nitride film may be provided between the gate insulating film and the semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート絶縁層と半導体層との間に、アモルファスＳｉ酸化膜、アモルファスＳｉ窒化膜およびアモルファスＳｉ酸窒化膜の少なくともいずれか１つを含む中間層を設けることもできる。 - 特許庁

The dust core contains a mixture of amorphous alloy powder of at least one selected from Fe-Si-B, Fe-Si-B-Cu-Nb, Fe-Zr-B and Co-Fe-Si-B and pure Fe powder having Fe exceeding 99.5% by mass.例文帳に追加

Fe-Si-B、Fe-Si-B-Cu-Nb、Fe-Zr-B及びCo-Fe-Si-Bからなる群から選択される少なくとも１種の非晶質合金粉末と９９．５質量％超がＦｅの純Ｆｅ粉末が混合された圧粉磁心を用いる。 - 特許庁

A p/i interfacial layer 5 such as amorphous silicon (a-Si) of p-type and low impurity concentration whose band gap is wider than that of a p-layer 6 is held between the μc-Si p-layer 6 and an amorphous silicon germanium (a-SiGe) i-layer 4.例文帳に追加

μc-Siのｐ層６と非晶質シリコンゲルマニウム（a-SiGe）のｉ層４との間に、ｐ層６よりバンドギャップが広く、ｐ型で低不純物濃度の例えば非晶質シリコン（a-Si）のｐ／ｉ界面層５を挟む。 - 特許庁

The method of crystallizing the amorphous Si film 22 includes doping the amorphous Si film 22 formed on a substrate 20 with predetermined metal ions, and annealing the amorphous Si film 22 doped with the metal ions, to crystallize the amorphous Si film 22.例文帳に追加

基板２０上に形成された非晶質シリコン層２２に所定の金属イオンをドーピングする段階と、金属イオンがドーピングされた非晶質シリコン層２２をアニーリングして非晶質シリコン層２２を結晶化する段階と、を有する非晶質シリコン層２２の結晶化方法である。 - 特許庁

To improve irregularity of a color in a color copying machine using an a-Si (amorphous silicon) photoreceptor.例文帳に追加

ａーＳｉ系感光体を使うカラー複写機の色ムラの改善。 - 特許庁

This new improved method is the method, where, from an Si substrate accompanied on its surface by an amorphous silicon dioxide, a crystalline alkaline-earth-metal oxide is obtained on the Si substrate.例文帳に追加

Si基板上に結晶性アルカリ土類金属酸化物を作成する方法であって、表面に非晶質二酸化シリコンを伴うSi基板が得られる方法が提供される。 - 特許庁

The surface of the multi-crystal Si film 6 is exposed by washing treatment, and then an amorphous Si film 7 is formed on the multi-crystal Si film 6.例文帳に追加

洗浄処理により多結晶Ｓｉ膜６の表面が露出した状態にした後、多結晶Ｓｉ膜６上に非晶質Ｓｉ膜７を形成する。 - 特許庁

The amorphous Si film 23 is laser-annealed in this state, and a single crystal of the same orientation as the Si pillar 13 is formed at the contact part with the Si pillar 13.例文帳に追加

この状態でアモルファスＳｉ膜２３をレーザアニールして、Ｓｉ柱１３との接触部に、Ｓｉ柱１３と同一方位の単結晶を形成する。 - 特許庁

There are provided a amorphous carbon film containing 1 atom% or less of Si and a solar cell using the amorphous carbon film.例文帳に追加

Ｓｉ含有量が１ａｔ％以下である、アモルファスカーボン膜とし、該アモルファスカーボン膜を用いた太陽電池とする。 - 特許庁

The amorphous film (a-Si film) 3 is formed through a sputtering method using Ar gas.例文帳に追加

非晶質膜（ａ−Ｓｉ膜）３は、Ａｒガスを用いたスパッタ法にて形成する。 - 特許庁

The amorphous phase is made by an amorphous metal manufacturing method or by removing Li from lithium compound of Si and/or Ge by discharge or the like.例文帳に追加

上記非結晶質相は、アモルファスメタルの製造法に従って形成するか、Siおよび／またはGeのLi化物からLiを放電等により抜くことにより形成することができる。 - 特許庁

A cylinder core film, having an aperture for forming a capacitor electrode, is formed on a semiconductor substrate 1 formed via a prescribed semiconductor manufacturing process and thereafter, a first non-doped amorphous Si film 9a, a second impurity-containing amorphous Si film 9b and a third non-doped amorphous Si film 9c are formed, in order to form an amorphous Si film 9 on the silicon core film.例文帳に追加

所定の半導体製造プロセスを経た半導体基板１上に、キャパシタ電極形成用の開口を有するシリンダコア膜を形成した後、ノンドープの第１の非晶質Ｓｉ膜９ａ、不純物を含む第２の非晶質Ｓｉ膜９ｂおよびノンドープの第３の非晶質Ｓｉ膜９ｃを順次形成して、非晶質Ｓｉ膜９を形成する。 - 特許庁

The type of the amorphous metal magnetic substance 10a is not particularly limited provided that the amorphous metal contains Fe, Si, and B.例文帳に追加

アモルファス金属磁性体１０ａの種類としては、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系のアモルファス金属であれば、特に制限されない。 - 特許庁

To produce an amorphous silicon (a-Si) electrophotographic photoreceptor by a plasma spraying method.例文帳に追加

アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系電子写真感光体をプラズマ溶射法によって製造する。 - 特許庁

An amorphous film made of Si is formed on a substrate 11 via a protective film 12.例文帳に追加

基板１１の上に保護膜１２を介してＳｉよりなる非晶質膜を形成する。 - 特許庁

An Si substrate 10 is stuck on the SiC substrate 30 with the amorphous silicon 20 interposed therebetween.例文帳に追加

このアモルファスシリコン２０を介してＳｉＣ基板３０にＳｉ基板１０を貼り合わせる。 - 特許庁

Si-C-O AMORPHOUS MATERIAL AND NEGATIVE ELECTRODE FOR LITHIUM SECONDARY BATTERY USING THE MATERIAL例文帳に追加

Ｓｉ−Ｃ−Ｏ無定形材料およびこの材料を用いたリチウム二次電池用負極 - 特許庁

The polycrystalline thin film Si depositing method includes a process for depositing a polycrystalline Si thin film serving as a base on a substrate, a process for depositing an amorphous Si layer on the surface of the polycrystalline Si thin film, a process for partially removing the amorphous Si layer and partially exposing polycrystalline Si, and a process for growing crystal Si by setting a part where polycrystalline Si is exposed as a core.例文帳に追加

多結晶薄膜Ｓｉ堆積法において、少なくとも 下地となる多結晶Ｓｉ薄膜を基板上に堆積する工程と 該多結晶Ｓｉ薄膜表面に非晶質Ｓｉ層を堆積する工程と 該非晶質Ｓｉ層を部分的に除去し、多結晶Ｓｉを部分的に露出させる工程と 該多結晶Ｓｉが露出した部分を核として結晶Ｓｉを成長させる工程とを含むことを特徴とする - 特許庁

To improve efficiency of a pin-type amorphous thin film solar battery with a layer of amorphous silicon (μc-Si) comprising fine crystalline phase by restraining characteristics of deterioration after optical irradiation.例文帳に追加

微結晶相を含む非晶質シリコン（μc-Si）の層を有するｐｉｎ型非晶質薄膜太陽電池において、光照射後の劣化を特性抑制し、効率の向上を図る。 - 特許庁

To provide a plasma CVD apparatus capable of forming a Si-based amorphous film with high compactness without necessity of increasing a temperature of a substrate and with excellent stability and to provide a method for forming the Si-based amorphous film.例文帳に追加

基体の温度を高くしなくも緻密なＳｉ系アモルファス膜を形成でき安定性に優れるプラズマＣＶＤ装置及びＳｉ系アモルファス膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To form a high-quality thin film such as an amorphous silicon thin film by improving the quality of the amorphous silicon thin film, particularly the Si-H bond ratio of the film.例文帳に追加

アモルファスシリコン薄膜の膜質、特にＳｉ−Ｈ結合比を改善し、良質なアモルファスシリコン膜等の薄膜を形成する。 - 特許庁

P is ion-implanted into the amorphous Si film 7 of an n channel MOS transistor part, and B is ion-implanted into the amorphous Si film 7 of a p channel MOS transistor part, and then heat treatment is carried out so that the amorphous Si film 7 can be crystallized, and impurity can be activated.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタ部の非晶質Ｓｉ膜７にＰをイオン注入し、ｐチャネルＭＯＳトランジスタ部の非晶質Ｓｉ膜７にＢをイオン注入した後、熱処理を行うことにより、非晶質Ｓｉ膜７を結晶化させるとともに、不純物の活性化を行う。 - 特許庁

A rust preventive film using Zn as a base, and in which the outermost surface layer is an amorphous oxide layer of Zn, P and Si is formed on the surface of a cold rolled steel sheet.例文帳に追加

冷延鋼板の表面に、最表層がZnとＰとSiの非晶質酸化物層であるZnを基地とする防錆膜を形成する。 - 特許庁

DEVICE INCLUDING EPITAXIAL NICKEL SILICIDE FILM ON Si OF (100) FACE OR STABLE NICKEL SILICIDE FILM ON AMORPHOUS Si AND METHOD OF MANUFACTURING IT例文帳に追加

（１００）面のＳｉ上のエピタキシャルニッケルシリサイドまたはアモルファスＳｉ上の安定したニッケルシリサイドを含むデバイスおよびその製造方法 - 特許庁

An amorphous Si film 4 is formed on a first SiO2 film 3 formed by thermal oxidation on a p-type Si substrate 1.例文帳に追加

ｐ型Ｓｉ基板１上の、熱酸化によって形成された第１のＳｉＯ_２膜３上に、非晶質Ｓｉ膜４を形成する。 - 特許庁

The respective bonding films 31 and 32 are made of amorphous silicon including Si-H joint respectively.例文帳に追加

各接合膜３１、３２は、それぞれＳｉ−Ｈ結合を含むアモルファスシリコンで構成されている。 - 特許庁

The anode active substance layer 13 has an amorphous phase containing Si as a component element.例文帳に追加

負極活物質層１３は、構成元素としてＳｉを含む非晶質相を有している。 - 特許庁

A Si wafer 10 having the surface on which an amorphous silicon film 12 is formed is inserted into a diffusion furnace.例文帳に追加

表面にアモルファスシリコン膜１２が形成されたＳｉウェーハ１０を拡散炉に挿入する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR THIN FILM AND FORMING METHOD THEREOF, AMORPHOUS Si SOLAR CELL USING THE SEMICONDUCTOR THIN FILM例文帳に追加

半導体薄膜及びその形成方法，半導体薄膜を使用したアモルファスＳｉ太陽電池 - 特許庁

A linearly polarized beam light 13 is applied to an amorphous Si film 11 for laser annealing to form a polycrystal Si film 12.例文帳に追加

非晶質Ｓｉ膜１１に直線偏光のビーム光１３を照射してレーザアニールをすることにより、多結晶Ｓｉ膜１２を形成する。 - 特許庁

The inside face of a copper or copper alloy tube 1 is deposited with an amorphous ceramics film 3 having an Si-CH3 bond and an Si-O bond.例文帳に追加

銅又は銅合金管１の内面にＳｉ−ＣＨ_3結合及びＳｉ−Ｏ結合を有する非晶質のセラミックス皮膜３を形成する。 - 特許庁

A surface of the sliding member is covered with the amorphous hard carbon coat 3 containing no hydrogen through an intermediate layer 2 made of Cr, Fi, Si or W.例文帳に追加

摺動材表面に、Cr,Fi,Si又はWからなる中間層２を介して水素を含有しない非晶質硬質炭素皮膜３を被覆する。 - 特許庁

An amorphous Si thin film in film thickness of 35 nm is formed with reference to a substrate 2, it is patterned to be in a prescribed shape, and then an amorphous Si thin film in a film thickness of 50 nm is formed additionally.例文帳に追加

基板２に対して３５ｎｍの膜厚で非晶質Ｓｉ薄膜を形成し、これを所定形状にパターニングしてから５０ｎｍの膜厚で非晶質Ｓｉ薄膜を更に形成する。 - 特許庁

Or, the c-BP film is formed as a buffer layer on the Si substrate, and a film of amorphous SiC or amorphous GaN is formed on the c-BP film.例文帳に追加

また、Ｓｉ基板の上にｃ−ＢＰの膜をバッファー層として成形し、そのｃ−ＢＰの膜の上にアモルファスＳｉＣ又はＧａＮの膜を形成する。 - 特許庁

A WSi film is formed on the amorphous Si film 7, and patterning is carried out so that a gate electrode can be formed.例文帳に追加

非晶質Ｓｉ膜７上にＷＳｉ膜を形成し、パターンニングしてゲート電極を形成する。 - 特許庁

The amorphous Si film 3 may be made thinner in film thickness than the usual one and hence the productivity is improved.例文帳に追加

さらに、ａ−Ｓｉ膜３の膜厚を通常よりも薄くできるため生産性が向上する。 - 特許庁

The grains, constituting the inorganic compound film 2 consist of Co3O4 (spinel type) with solid solution of Si and Ti, and the intergranular phase consists of an amorphous oxide consisting of Co, Si, Ti and O.例文帳に追加

無機化合物膜２を構成する粒子はＳｉ，Ｔｉを固溶したＣｏ_3Ｏ_4（スピネル型）であり、粒界相はＣｏ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｏからなる非晶質酸化物である。 - 特許庁

An amorphous Si film where short distance order structure of the semiconductor thin film is improved significantly is thereby attained, and a high efficiency low photodegradation rate photoelectric converter can be realized by employing the amorphous Si film.例文帳に追加

これにより、半導体薄膜の短距離秩序構造が大幅に改善された非晶質系Ｓｉ膜が得られ、それを用いる光電変換装置の高効率化、および光劣化率の低減を図ることができる。 - 特許庁

An array includes cells, each cell 16 has a bottom gate amorphous silicon thin film transistor (a-Si TFT) 20.例文帳に追加

アレイはセルを含み、各セル１６が底部ゲートアモルファスシリコン薄膜トランジスタ（ａ−ＳｉＴＦＴ）２０を有する。 - 特許庁

The coating (c) is a precise and nondefective amorphous inorganic compound film comprising Si and O as main components.例文帳に追加

被覆膜（ｃ）は、緻密で欠陥のないＳｉとＯとを主成分とする非晶質の無機化合物膜である。 - 特許庁

A gate electrode 2, a gate insulating film 4, an amorphous silicon (a-Si) film 5 and a mask 6a are formed on a glass substrate 1.例文帳に追加

ガラス基板１上にゲート電極２,ゲート絶縁膜４,ａ−Ｓi膜５およびマスク６aを形成する。 - 特許庁