「single layer method」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In growing polycrystalline silicon layer and single crystal silicon layer by the catalytic CVD method, at least a catalyst with its surface formed by nitride is used.例文帳に追加

触媒ＣＶＤ法により多結晶シリコン層や単結晶シリコン層を成長させる場合に、少なくとも表面が窒化物からなる触媒体を用いる。 - 特許庁

To provide a single laminated SOI substrate equipped with an SOI layer with an insulating layer varying in its thickness because cavities are included in the insulating layer, and further provide its manufacturing method and a semiconductor device using the substrate.例文帳に追加

絶縁層に空洞を含むことで、単一のＳＯＩ基板にて絶縁層厚さの異なるＳＯＩ層を有する貼り合わせＳＯＩ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The single cell for the solid oxide fuel battery made by pinching an electrolyte layer by a fuel electrode layer and an air electrode layer, and with the electrolyte layer coated on a base plate equipped in a gap between itself and the fuel electrode layer or the air electrode layer by a sputtering method.例文帳に追加

電解質層を燃料極層及び空気極層で挟持して成り、電解質層が電解質層と燃料極層又は空気極層との間隙に設けた基板部にスパッタ法を用いて被覆されて成る固体酸化物形燃料電池用単セルである。 - 特許庁

To provide a single-sided multilayer optical disk wherein a BCA (Burst Cutting Area) can be easily formed in a single-sided two-layer disk, and to provide a BCA recording device, a BCA recording method, and an optical disk drive.例文帳に追加

片面２層ディスクにおいて容易にＢＣＡが作成可能な片面多層光ディスク、ＢＣＡ記録装置、ＢＣＡ記録方法及び光ディスク装置を提供する。 - 特許庁

PURE-METAL OR ALLOY PLATING LAYER HAVING BIAXIAL TEXTURE AND FORMED BY ELECTROPLATING ON SURFACE OF METAL HAVING SINGLE CRYSTAL OR QUASI-SINGLE CRYSTAL ORIENTATION, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

単結晶又は準単結晶配向性を有する金属表面に電気鍍金により二軸集合組織を有する純金属又は合金鍍金層及びその製造方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic single crystal transistor capable of forming an organic semiconductor layer consisting of a microcrystal assembly of organic single crystals without using a vacuum process.例文帳に追加

本発明は、真空プロセスを使用せずに、有機単結晶の微結晶集合体からなる有機半導体層を製造できる有機単結晶トランジスタを提供すること。 - 特許庁

Also, a method of video encoding that includes selecting data for encoding in a first layer and a second layer so as to allow decoding of the data in a single combined layer, and encoding the selected data in the first layer and in the second layer by encoding a coefficient in the first layer and encoding a differential refinement to the first layer coefficient in the second layer.例文帳に追加

ビデオ符号化方法では、第一層および第二層内で符号化して単一組み合わせ層中で復号化するためにデータを選択し、第一層中の係数を符号化するとともに第一層係数に対する微差を第二層中で符号化することにより選択されたデータを第一層、第二層中で符号化する。 - 特許庁

The optical waveguide 3 consists of an electro-optic single crystal film formed by a liquid phase epitaxial method or sol-gel method and the over clad layer 2a consists of an electro-optic single crystal film formed by the sol-gel method.例文帳に追加

光導波路３が液相エピタキシャル法またはゾル−ゲル法によって形成された電気光学単結晶膜からなり、オーバークラッド層２ａがゾル−ゲル法によって形成された電気光学単結晶膜からなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film solar battery capable of controlling a composition of an optical absorption layer using a single precursor.例文帳に追加

単一前駆体を用いて光吸収層の組成を制御できる薄膜太陽電池の製法を提供する。 - 特許庁

On this, using single damascene method, an upper layer interconnection 6 is formed which intersects in the intersection 4a or in the connection 3a.例文帳に追加

この上にシングルダマシン法を用いて、交差部４ａ又は接続部３ａで交差する上層配線６を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a single crystal SiC layer with excellent crystallity and surface morphology on an Si substrate.例文帳に追加

本願の目的は、Ｓｉ基板上に結晶性と表面モフォロジーの良い単結晶ＳｉＣ層を形成することにある。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a single-layer fine particle film having a uniform thickness in a particle size level.例文帳に追加

粒子サイズレベルで均一な厚みを有する単層微粒子膜の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this manufacturing method, fullerene/CNT hybrid structures are prepared, wherein assembled fullerenes, these being fullerenes that are linked, have been housed within single-layer CNTs.例文帳に追加

フラーレンが連なったフラーレン集合物が単層ＣＮＴに収容されたフラーレン／ＣＮＴ複合体を用意する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a fine particle accumulated mass by which fine particles are accumulated as a single layer at a high density.例文帳に追加

微粒子を高密度に単層で集積することができる微粒子集積体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for thin-film solar cells that allows control of the composition of a light absorbing layer by using a single precursor.例文帳に追加

単一前駆体を用いて光吸収層の組成を制御できる薄膜太陽電池の製法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, BASE CRYSTAL SUBSTRATE HAVING METAL NITRIDE LAYER AND MULTILAYERED WAFER例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法、金属窒化物層を有する下地結晶基板、および多層構造ウエハ - 特許庁

ARRANGEMENT-CONTROLLED PATTERNED SINGLE-LAYER INSULATING PARTICULATE FILM, INSULATING PARTICULATE BUILT UP FILM, AND FORMING METHOD THEREOF例文帳に追加

配置制御されたパターン状の単層絶縁性微粒子膜と絶縁性微粒子累積膜およびそれらの製造方法 - 特許庁

To provide a method, etc., for producing a conjugated spinning nozzle enhancing the coaxial accuracy of a nozzle hole of each single-layer nozzle.例文帳に追加

各単層ノズルのノズル孔の同軸精度を高められる複合紡糸ノズルの製造方法等を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate and method of manufacturing the same which improve device performance by suppressing the roughness of the interface between an insulating layer and a semiconductor single-crystal layer in a semiconductor substrate having the semiconductor single-crystal layer for forming a device on the insulating layer.例文帳に追加

絶縁層上にデバイス形成用の半導体単結晶層を有する半導体基板において、絶縁層と半導体単結晶層の界面のラフネスを抑制することにより、デバイス特性を向上させる半導体基板および半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing metal single crystal includes a step of bringing the solution of a salt containing the metal into contact with the surface of a tannin layer disposed on an epoxy resin cured layer to precipitate the single crystal of the metal on the surface of the tannin layer.例文帳に追加

エポキシ樹脂硬化層の上に配置されたタンニン層の表面に、前記金属を含む塩の溶液を接触させ、前記タンニン層の表面に前記金属の単結晶を析出させる工程を含む、金属の単結晶を製造する方法。 - 特許庁

The method of forming a single-crystal silicon-on-insulator (SOI) structure on a silicon substrate comprises a process in which an amorphous silicon layer is formed on an insulating layer and a process in which the amorphous silicon layer is brought into contact with the substrate via the insulating layer.例文帳に追加

シリコン基板の上に単結晶シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）構造を形成する方法が、絶縁層の上にアモルファス・シリコン層を形成すること、および絶縁層を介して基板に接触させることを含む。 - 特許庁

After a wetting layer is formed on topography by the ion metal plasma deposition method, nearly the entire portion of a bulk metal layer is formed on the wetting layer, in a single deposition chamber by the sputter deposition method.例文帳に追加

トポグラフィ上にウェッティング層をイオン金属プラズマ蒸着法によって形成した後、単一のディポジション・チャンバ内で該ウェッティング層上にバルク金属層のほぼ全体をスパッタ蒸着法により形成する。 - 特許庁

SINGLE-AND MULTIPLE-LAYER BAR ARRANGEMENT SPACER, LAYOUT AND ARRANGING METHOD FOR BAR ARRANGEMENT SPACER, AND TRANSPORTATION AND ARRANGING METHOD FOR SCREEN TYPE ERECTION BAR例文帳に追加

単層配筋用スぺーサーと複層配筋用スぺーサーと配筋用スぺーサーの配置・配筋方法及びスダレ式組鉄筋の搬送・配筋方法 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon carbide single crystal, which is based on a solution method and by which morphology of the surface of a crystal growth layer can be improved.例文帳に追加

溶液法による結晶成長層表面のモフォロジーの向上を実現する炭化珪素単結晶の成長法を提供する。 - 特許庁

The porous electrode 2b is formed by using a material such as a multi-layer carbon nano-tube of a single layer or two layers or more and by an electro-deposition method or a compression bonding method of this on the electrode 2a.例文帳に追加

ポーラス電極２ｂは、単層、もしくは二層以上の多層カーボンナノチューブなどを材料として用い、電極２ａの上に電着法や圧着法によって形成する。 - 特許庁

In a process of pulling up silicon single-crystal to which nitrogen and carbon are added by a CZ method and working the silicon single-crystal before forming an epitaxial layer to a wafer, a silicon single-crystal layer is deposited by an epitaxial method on the surface of a silicon single-crystal wafer to which heat treatment is carried out for one hour to three hours at 750°C to 850°C.例文帳に追加

ＣＺ法により窒素と炭素を添加したシリコン単結晶を引き上げ、エピタキシャル層を形成する前のシリコン単結晶をウェーハに加工する工程の中で７５０℃以上８５０℃以下の温度で、１時間以上３時間以下の熱処理を行ったシリコン単結晶ウェーハの表面にエピタキシャル法によりシリコン単結晶層を堆積させる。 - 特許庁

To provide a substrate for the growth of a single crystal diamond layer by which a uniform highly crystalline single crystal diamond can be produced with high reproducibility at a low cost and to provide a method for producing a single crystal diamond substrate.例文帳に追加

均一で結晶性の高い単結晶ダイヤモンドを再現性良く、低コストで製造することができる単結晶ダイヤモンド層成長用基板及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for pulling a silicon single crystal capable of improving yield by preventing exfoliation of cristobalitized crystallized layer and its mingling into the single crystal in particular in producing the silicon single crystal by a CZ process.例文帳に追加

ＣＺ法によるシリコン単結晶を製造する際、特に、クリストバライト化した結晶化層の剥離と、単結晶中への混入を防止して、歩留まりを向上させ得るシリコン単結晶の引上方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate containing a single crystal semiconductor layer of large area by efficiently implanting ion into a plurality of insulating layer covering single crystal semiconductor substrates.例文帳に追加

複数枚の絶縁層被覆単結晶半導体基板に対して効率よくイオン注入を行い、大面積の単結晶半導体層を備えた半導体基板の作製方法を提供することを課題の一とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor thin-film element including a semiconductor single-crystal layer other than Si including a semiconductor element on an Si single-crystal layer, to provide a semiconductor wafer, and to provide the semiconductor thin-film element.例文帳に追加

Ｓｉ結晶層上に半導体素子を備えたＳｉ以外の半導体単結晶層を備えた半導体薄膜素子の製造方法並びに半導体ウエハ、及び、半導体薄膜素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of efficiently repairing a region with a defect caused in a single-crystal semiconductor layer in forming the single-crystal semiconductor layer on a support substrate, and preventing a transistor characteristic in the region from being impaired.例文帳に追加

単結晶半導体層を支持基板上に形成する際に、単結晶半導体層に欠損が生じた領域を、効率的に修復し、かつ該領域のトランジスタ特性を損なわない方法を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor physical quantity sensor by using an SOI substrate 1, a single crystal silicon substrate 2 and buried oxide film 4 are removed after bonding the SOI substrate 1 to a sensor wafer 11 so that a single crystal layer 3 becomes a cap layer.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１を用い、ＳＯＩ基板１をセンサウェハ１１に貼り合わせてから単結晶シリコン基台２および埋め込み酸化膜４を除去し、単結晶シリコン層３がキャップ層となるようにする。 - 特許庁

To provide a new method for manufacturing a nitride-based single crystal substrate by which a high-quality crystal can be grown based on a ZnO single crystal layer, and to provide a nitride-based semiconductor light emitting element using the above method.例文帳に追加

ＺｎＯ単結晶層に基づく良質の結晶成長が可能な、新たな窒化物単結晶基板の製造方法及びこれを利用した窒化物半導体発光素子を提供すること - 特許庁

In this method, the SiC film is grown by using the single-layered BP film formed by the method or multilayered BP and SiC films formed by repeating the method as the buffer layer.例文帳に追加

（２）上記の方法によるＢＰ単層膜もしくは上記を２回以上繰り返し行いＢＰ，ＳｉＣ多層膜をバッファー層としてＳｉＣ膜を成長させる方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing a gallium oxide single crystal complex having a nitrided gallium modification layer containing gallium nitride (GaN) on a surface layer part of the gallium oxide (Ga_2O_3) single crystal, nitrogen ions are implanted in the surface of the gallium oxide single crystal to form a gallium nitride modification layer.例文帳に追加

酸化ガリウム（Ga_2O_3）単結晶の表層部に窒化ガリウム（GaN）を含有した窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、酸化ガリウム単結晶の表面に窒素イオンをイオン注入して窒化ガリウム変性層を形成する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法である。 - 特許庁

To provide a vibrating film for a condenser electroacoustic transducing element consisting of a single layer vibration thin film and to provide its manufacture method.例文帳に追加

単層の振動薄膜より成る静電型電気音響変換素子用振動膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize an efficient exchange a first material for a third material in the molding method of a synthetic resin molding having a single layer structure.例文帳に追加

単層構造の合成樹脂成形体の成形方法において，第１，第３の材料の交換を能率良く行う。 - 特許庁

A seed crystal film 5 comprising a group III nitride single crystal is formed on the intermediate layer 3 by a vapor-phase growth method.例文帳に追加

中間層３上に、ＩＩＩ族窒化物単結晶からなる種結晶膜５を気相成長法によって形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a single layer carbon nanotube having a relatively uniform diameter and length at a low temperature.例文帳に追加

径や長さが比較的揃った単層カーボンナノチューブを低温で合成するためのカーボンナノチューブの製造方法を提供する。 - 特許庁

ORIENTATIONAL SINGLE LAYER FERROELECTRIC OXIDE THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND SWITCHING ELEMENT USING THE THIN FILM例文帳に追加

配向性単層強誘電体酸化物薄膜およびその製造方法並びに該強誘電体薄膜を用いたスイッチング素子 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING NON-SINGLE CRYSTAL SILICON FILM, ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR HAVING PHOTOCONDUCTIVE LAYER FORMED BY THE PRODUCTION METHOD, AND ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS USING THE SAME例文帳に追加

非単結晶シリコン膜の製造方法、該製造方法により形成された光導電層を有する電子写真感光体、及び、それを用いた電子写真装置 - 特許庁

To provide a method of forming a particulate pattern by which a particulate pattern can be formed in a single layer with positional selectivity, and to provide a method of processing a substrate.例文帳に追加

微粒子パターンを単層で、かつ位置選択的に形成可能な微粒子パターンの形成方法および基板の加工方法を提供する。 - 特許庁

An intermediate layer 3 having a lower hardness than a group III nitride single crystal 6 grown by a flux method is formed on the base film 2 by a vapor-phase growth method.例文帳に追加

下地膜２上に、フラックス法で育成されたＩＩＩ族窒化物単結晶６よりも硬度の低い中間層３を気相成長法で形成する。 - 特許庁

To provide a method for determining the degree of dispersion of a single-layer carbon nanotube in a carbon nanotube-containing material, and to provide a device for the method.例文帳に追加

カーボンナノチューブ含有物中での単層カーボンナノチューブの分散度を明確に判定する方法、及び単層カーボンナノチューブの分散度判定装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor substrate that has low resistance and is excellent in crystallinity of a nitride semiconductor single-crystal layer without forming an SiN_x layer between an Si substrate and the nitride semiconductor single-crystal layer formed thereupon, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

Ｓｉ基板とその上に形成される窒化物半導体単結晶層との間に、ＳｉＮ_x層を生成することなく、低抵抗であり、窒化物半導体単結晶層の結晶性に優れた窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁