「solvent etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

At the time of conditioning the etching liquid, TEOS (tetraethoxy silane), or the like, is previously dissolved into a solvent, e.g. ethanol, especially alcohol compatible with phosphoric acid before a compound containing silicon, e.g. TEOS, is added to phosphoric acid liquid thus dissolving the compound.例文帳に追加

エッチング液の調整時には、りん酸液にＴＥＯＳなどのシリコンを含む化合物を添加する前に、あらかじめＴＥＯＳ等をエタノールなどの溶媒，特にりん酸と相溶性のアルコールに溶解させてから、この混合液をりん酸液に添加し溶解させる。 - 特許庁

To provide a method of producing electronic parts at low cost without using organic solvent which involves disposal problem, the method employing wet etching polyimide insulation layer of sheet laminate using dry film, the laminate having a conductive inorganic layer and an insulation layer.例文帳に追加

導電性無機物層、絶縁層を有する枚葉の積層体のポリイミドの絶縁層をドライフィルムを用いたウェットエッチングにより電子部品を製造するのに、低コストで、廃棄処理に問題のある有機溶剤を使用することがなく製造する方法を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing such a porous polyimide body, related to the method for improving an air permeation rate, as is obtained by use of a polyimide solution or a polymic acid solution and by means of a solvent substitution induced-phase separation method or a thermally induced-phase separation method, is characterized by dry-etching treatment.例文帳に追加

ポリイミド溶液若しくはポリミック酸溶液を用いて溶媒置換誘起相分離法若しくは熱誘起相分離法により得られるポリイミド多孔質体をドライエッチング処理することを特徴とするポリイミド多孔質体の通気速度向上方法に関する。 - 特許庁

The method for cleaning a semiconductor wafer has steps of cleaning with a cleaning solution of an organic alkaline group, having a slight etching function, and cleaning with a high-purity organic solvent, for example isopropyl alcohol, in order to remove Ca and Mg on the surface of the wafer.例文帳に追加

半導体ウェハの洗浄方法において、極わずかなエッチング作用を持つ洗浄液である有機アルカリ系洗浄液で洗浄した後、ウェハ表面のＣａ、Ｍｇを除去することを目的として高純度有機溶剤、例えばイソプロピルアルコールで洗浄する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for an ArF excimer laser which excels in basic physical properties as a resist, such as transparency, sensitivity, resolution, dry etching resistance and pattern profile, in particular, excels in solubility in a resist solvent, and reduces the roughness on a pattern side wall after development.例文帳に追加

透明性、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に、レジスト溶剤への溶解性に優れ、現像後のパターン側壁のラフネスを低減するＡｒＦエキシマレーザー用感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a new tetracarboxylic acid-based compound which has superior characteristics such as high transparency, low dielectricity, low water absorption, low thermal expansion, superior solubility in a solvent and good etching characteristics, while keeping high heat resistance, and thus is useful as a raw material monomer for manufacturing its polyimide.例文帳に追加

高い耐熱性を保ちつつ、高透明性、低誘電性、低吸水性、低熱膨張性、溶媒溶解性およびエッチング特性等の優れた特性を併せ持つポリイミド製造用原料モノマーとして有用な新規テトラカルボン酸系化合物を提供する。 - 特許庁

After a wiring layer 4 having a prescribed pattern is formed by dry-etching a metallic film or a semiconductor film formed on a semiconductor substrate, or after forming an insulating layer on the semiconductor substrate on which the wiring layer 4 is formed, followed by a dry-etching of the insulating layer to a prescribed pattern, cleaning is performed with a cleaning agent including a fluorine compound, an organic solvent, and water.例文帳に追加

半導体基板上の金属膜又は半導体膜をドライエッチングし、所定のパターンを有する配線層４を形成した後、あるいは、配線層４が形成された半導体基板上に絶縁層を形成し、これを所定のパターンにドライエッチングした後、フッ素化合物、有機溶剤及び水を含有し、フッ素化合物の含有量が０．００１〜０．２重量％である洗浄剤により洗浄処理する。 - 特許庁

To provide a resin having high solubility in an organic solvent in the case of applying to a resin for resist, etc., having good adhesiveness to a substrate, exhibiting high etching resistance and advantageous from the industrial viewpoint, cost merit and availability, and to provide a monomer usable as a raw material for the resin.例文帳に追加

レジスト用樹脂等に応用した場合に有機溶媒への溶解性が良好で、基板への密着性が良く、更に高い耐エッチング性を発揮できるものであり、また、工業的見地からコストや入手の面で優位にある樹脂、更にはその原料である単量体を提供する。 - 特許庁

A capacitor element is formed (etching to cut end formation/carbonization treatment) having an anode object wherein anodic oxidation film is formed in the surface, the capacitor element is impregnated with an oxidant (oxidant impregnation), and then the capacitor element is impregnated with a monomer wherein an oxidant is diluted with a soluble dilution solvent (monomer impregnation).例文帳に追加

表面に陽極酸化皮膜が形成された陽極体を有するコンデンサ素子を形成し（エッチング〜切り口化成・炭化処理）、該コンデンサ素子に酸化剤を含浸させ（酸化剤含浸）、その後、該コンデンサ素子に酸化剤が可溶な希釈溶剤で希釈されたモノマーを含浸させる（モノマー含浸）。 - 特許庁

The microfabrication processing agent consisting of hydrogen fluoride, at least two components, and a solvent with acceptor number of each component of 35 or less and specific inductive capacity of 40 or less, and etching rate to the high permittivity film at 25°C twice or more than that to the silicone oxide film at 25°C.例文帳に追加

本発明の微細加工処理剤は、フッ化水素と、少なくとも２成分からなり、各成分のアクセプター数が３５以下、比誘電率が４０以下の溶媒とを含み、高誘電率膜に対する２５℃でのエッチレートがシリコン酸化膜に対する２５℃でのエッチレートの２倍以上であることを特徴とする。 - 特許庁

In 100 wt.% of the components excluding the solvent in the coating material for etching, the content of the styrene block copolymer is 50 to 90 wt.%; the content of the thermoplastic resin is 1 to 20 wt.%; and the content of the tackifier resin is 2 to 30 wt.%.例文帳に追加

エッチング用コーティング材中の上記溶剤を除く成分１００重量％中、上記スチレンブロック共重合体の含有量は５０〜９０重量％、上記熱可塑性樹脂の含有量は１〜２０重量％、かつ上記粘着付与樹脂の含有量は２〜３０重量％である。 - 特許庁

The chemical polymerization reaction can be promoted by stages by executing at least twice or more of heat treatment for a fixed time, the solid-state electrolytic layer is formed into the etching pit 8 of the anode electrode foil 1, and the residue of the solvent can also be removed effectively.例文帳に追加

少なくとも２回以上の熱処理を一定時間ほど超すことで、化学重合反応を段階的に促進させることができ、陽極電極箔１のエッチングピット８内部に固体電解質層が生成され、溶媒の残留物を効果的に除去することもできる。 - 特許庁

The shield film has resistance against surface-active processing liquid containing defatting liquid, acid chemical, alkaline chemical, solvent, alcohol, plating liquid and etching liquid, and may have, in some cases, moisture resistance, resistance to gas permeability, and corrosion resistance; for example, the shielding film has Cr, Ni, Ti, Cu, W, Ag or Al as the main components.例文帳に追加

シールド膜は、脱脂液を含む表面活性処理液、酸性薬液、アルカリ性薬液、溶剤、アルコール、めっき液及びエッチング液に対する耐性を有し、耐湿性、耐ガス透過性、耐腐食性を有する場合があり、例えばＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｇ又はＡｌを主成分とする。 - 特許庁

In the method for producing electrically conductive fine particles in which the surface of high polymer fine spheres are coated with a metallic layer by electroless plating, the high polymer fine spheres are subjected to preetching with a water soluble organic solvent before an etching stage to improve their adhesion for plating.例文帳に追加

高分子微球体の表面を、無電解メッキにより金属層で被覆してなる導電性微粒子の製造方法であって、前記高分子微球体に、エッチング工程前に水溶性有機溶媒でプリエッチングを行いメッキ密着性が向上した導電性微粒子の製造方法。 - 特許庁

An aqueous and semi-aqueous composition, useful for removing residue after etching and ashing from a Cu low K dielectric semiconductor devices, contains a polyprotic acid buffer system, a fluoride system, water, and an water-miscible organic solvent for an aqueous composition, and may freely contain a chelating agent, a metal corrosion inhibitor and a surfactant.例文帳に追加

多塩基酸緩衝系、フッ化物系、水、該水溶性組成物用の水混和性有機溶媒を含み、随意に、キレート剤、金属腐食防止剤及び界面活性剤を含んでいてもよいCu低K誘電性半導体装置からエッチング及びアッシング後の残渣を除去するのに有用な水溶性及び半水溶性配合物。 - 特許庁

The substrate treatment apparatus, which performs prescribed treatment on a wafer W, is provided with a treating section 10 which performs etching on the wafer W, another treating section 27 which supplies a fluorine- based inert liquid, isopropyl alcohol(IPA) which is an organic solvent, and a processing solution containing hydrofluoric acid to the wafer W set up in the treating section 10.例文帳に追加

ウエハＷに所定の処理を行う基板処理装置において、ウエハＷにエッチング処理を行うための処理部１０と、処理部１０にあるウエハＷにフッ素系不活性液体、有機溶媒であるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）及びフッ酸を含む処理液を供給する処理部２７と、を備える。 - 特許庁

The method for removing residues such as photoresist and/or etching residue, etc., from an article by the composition comprising a specified organic solvent containing at least 50 wt.% of a glycol ether and at least 0.5 wt.% of a quaternary ammonium compound comprises bringing the composition into contact with a substrate.例文帳に追加

少なくとも５０ｗｔ％のグリコールエーテルを含む特定の有機溶媒と少なくとも０．５％の第四級アンモニウム化合物とを含む組成物により、フォトレジスト及び／又はエッチング残留物などの残留物を物品から除去する方法であり、基材をその組成物と接触させることを含む方法。 - 特許庁

To provide a (meth)acrylic polymer high in transparency to radiation, excellent in basic properties as a resist such as sensitivity, resolution, dry etching resistance, pattern form, etc. especially excellent in the solubility to a resist solvent, and suitable for a radiation-sensitive resin compound which reduces the roughness on a pattern sidewall after developing.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に、レジスト溶剤への溶解性に優れ、現像後のパターン側壁のラフネスを低減する感放射線性樹脂組成物に適した（メタ）アクリル系重合体を提供する。 - 特許庁

To provide a (meth)acrylic polymer high in transparency to radiation, excellent in basic properties as a resist such as sensitivity, resolution, dry etching resistance, pattern form, etc. especially excellent in the solubility to a resist solvent, and suitable for a radiation-sensitive resin compound which reduces the roughness on a pattern side wall after developing.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に、レジスト溶剤への溶解性に優れ、現像後のパターン側壁のラフネスを低減する感放射線性樹脂組成物に適した（メタ）アクリル系重合体を提供する。 - 特許庁

The surface treatment method includes a process for treating the surface of a resin pattern formed on a substrate or an etched pattern formed on the substrate by etching with a surface treatment liquid containing a silylation agent and a solvent, and a process for cleaning the resin pattern obtained after treatment by the surface treatment liquid, or the etched pattern.例文帳に追加

本発明に係る表面処理方法は、基板上に設けられた樹脂パターン、又はエッチングにより基板に形成された被エッチングパターンの表面を、シリル化剤及び溶剤を含有する表面処理液で処理する工程と、表面処理液による処理後の樹脂パターン又は被エッチングパターンを洗浄する工程と、を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of semiconductor device comprises a process (a) for forming the organic reflection preventing film 10 on the surface of a semiconductor substrate 1, a process (b) for applying organic solvent 11 on the surface of semiconductor substrate 1 to effect washing by wet etching the surface of the organic reflection preventing film 10, and a process (c) for forming a resist film 12 after the process (b).例文帳に追加

半導体基板１の表面に有機反射防止膜１０を形成する工程（ａ）と、半導体基板１の表面に有機溶剤１１を塗布し有機反射防止膜１０の表面をウエットエッチング洗浄する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、レジスト膜１２を形成する工程（ｃ）とを含む。 - 特許庁

To stably incorporate a water-insoluble compound having a mercapto or thione group into a neutralizing solution (stabilizing solution) or an etching solution as a plate surface treating solution for a planographic printing plate utilizing image silver as ink receptivity without substantially using an organic solvent and to prevent the deposition of the compound in storage at a low temperature.例文帳に追加

画像銀をインキ受理性として利用する平版印刷版の版面処理液である中和液（安定液）やエッチ液に於いて、実質的に有機溶剤を使用せずに、メルカプト基またはチオン基を有する水不溶性の化合物を安定に含有させ、かつ、低温保管中における前記化合物の析出を防止する。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode sheet has a process of forming a conductive coating film by a conductive polymer solution containing π-conjugated conductive polymer, a soluble polymer, and a solvent on one face or both faces of an insulating transparent base material, and a process of forming the electrode part by dry-etching the conductive coating film.例文帳に追加

本発明の電極シートの製造方法は、絶縁性透明基材の片面または両面に、π共役系導電性高分子、可溶化高分子及び溶媒を含有する導電性高分子溶液により導電性塗膜を形成する工程と、該導電性塗膜をドライエッチングして電極部を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a positive radiation sensitive resin composition which excels in application property and radiation sensitivity, provides good pattern form and can form an interlayer insulating film having excellent heat resistance, solvent resistance, light transmittance, dry-etching resistance, and the interlayer insulating film obtained from the composition and a method for forming the film.例文帳に追加

塗布性に優れ、放射線感度、及び良好なパターン形状が得られると共に、耐熱性、耐溶剤性、光線透過率、耐ドライエッチング性に優れた層間絶縁膜を形成することが可能なポジ型感放射線性樹脂組成物、その組成物から得られた層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法を提供することである。 - 特許庁

The chemical amplification-type negative-working photoresist composition for low-temperature dry etching comprises (A) a photoacid generating agent, (B) at least one resin component selected from novolak resins, polyhydroxy styrene resins and acrylic resins, (C) at least one plasticizer selected from acrylic resins and polyvinyl resins, (D) a crosslinking agent and (E) an organic solvent.例文帳に追加

（Ａ）光酸発生剤、（Ｂ）ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン樹脂、およびアクリル樹脂の中から選ばれる少なくとも一種の樹脂成分、（Ｃ）アクリル樹脂およびポリビニル樹脂の中から選ばれる少なくとも一種の可塑剤、（Ｄ）架橋剤、（Ｅ）有機溶剤を含むことを特徴とする低温ドライエッチング用化学増幅型ネガ型ホトレジスト組成物。 - 特許庁

A photosensitive resin composition for an etching resist contains (component A) a polymer having a monomer unit (a1) having a residue in which a carboxy group or a phenolic hydroxyl group is protected by an acid-decomposable group and a monomer unit (a2) having an epoxy group and/or an oxetanyl group, (component B) an optical acid-generating agent, and (component C) a solvent.例文帳に追加

（成分Ａ）カルボキシ基又はフェノール性水酸基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位（ａ１）と、エポキシ基及び／又はオキセタニル基を有するモノマー単位（ａ２）とを有する重合体、（成分Ｂ）光酸発生剤、並びに、（成分Ｃ）溶剤、を含むことを特徴とするエッチングレジスト用感光性樹脂組成物。 - 特許庁

To provide a new fluorine-containing polymerizable monomer and fluorine-containing high polymer compound that has high transparency in a very wide wavelength area from the ultraviolet area to the near infrared area, additionally have high adhesion to substrate, film-forming properties, heat resistance, solvent resistance, dielectric property, mechanical stability, further has high etching resistance and is useful as a resist material and photographic sensitive material.例文帳に追加

紫外線領域から近赤外線領域に至るまでの幅広い波長領域で高い透明性を有し、かつ基板への高い密着性及び成膜性、耐熱性、耐溶剤性、誘電特性、機械的安定性、さらには高いエッチング耐性を有したレジスト材料や感光性材料に有用な新規な含フッ素重合性単量体、含フッ素高分子化合物を提供する。 - 特許庁

To provide a new polycarbosilane insolubilizable by high energy ray irradiation or heating in an inert gas atmosphere or in a reduced pressure atmosphere, having excellent etching resistance and solvent resistance and giving a film having excellent mechanical strength and low relative dielectric constant, a method for producing the polycarbosilane, a film-forming composition, a film and a method for forming the film.例文帳に追加

高エネルギー線照射、あるいは不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下での加熱による不溶化が可能であり、エッチング耐性および溶剤耐性に優れており、かつ、機械的強度に優れた低比誘電率膜を製造することができる新規ポリカルボシランおよびその製造方法、膜形成用組成物、ならびに膜およびその形成方法を提供する。 - 特許庁

The resist pattern formed on a board comprises a first resist layer made of an organic material having high solubility in water or a solvent containing water as a main component, a second resist layer made of an organic material having high light absorbability to an exposure wavelength, and a third resist layer formed on the second resist layer and made of an organic material having high resistance to dry etching of at least three layers.例文帳に追加

基板上に形成されたレジストパターンであって、前記レジストパターンは、有機溶剤、水または水を主成分とする溶剤に対する溶解度の高い有機材料からなる第１のレジスト層と、前記第１のレジスト層上に形成され、露光波長に対する吸光性の高い有機材料からなる第２のレジスト層と、前記第２のレジスト層上に形成され、ドライエッチングに対する耐性の高い有機材料からなる第３のレジスト層と、の少なくとも３層を有してなる。 - 特許庁