「sputtering method」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method capable of easily reducing the generation of dust by deposits on a backing plate indicating a target when forming a thin film by a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法で薄膜を形成する際に、ターゲットを指示するバッキングプレート上の付着物によるダストの発生を簡便に低減できる方法を提供する。 - 特許庁

For example, the protective film 7 is formed of PMMA or polyimide, and the protective film 8 made of silicon nitride is formed by a plasma CVD method or a sputtering method.例文帳に追加

例えば、保護膜７をＰＭＭＡやポリイミドを用いて形成し、窒化シリコンからなる保護膜８をプラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法で形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a sputtering target which remarkably improves the distribution in resistivity on a substrate, and to provide a method for forming a transparent conductive film using the same.例文帳に追加

基体上での抵抗率分布を大幅に改善するスパッタリングターゲットの作製方法及びそれを用いる透明導電膜形成方法を提供する。 - 特許庁

When depositing a second insulating layer 9 by sputtering method on a 2nd wiring layer 8 in which a wiring form or the like is formed, a 2nd insulating narrow recessed part 9a of thin film thickness is formed on a 2nd wiring narrow recessed part 8a according to nature of the sputtering method.例文帳に追加

配線形状などが形成された第２配線層８の上に、スパッタリング法により第２絶縁層９を成膜すると、第２配線狭凹部８ａにはスパッタリング法の性質により膜厚の薄い第２絶縁狭凹部９ａが形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a cylindrical sputtering target in which deviation and bending of outer peripheral surfaces of adjacent cylindrical target materials are eliminated or reduced, in the method for manufacturing the cylindrical sputtering target made of a plurality of cylindrical target materials.例文帳に追加

複数の円筒形ターゲット材からなる円筒形スパッタリングターゲットの製造方法において、隣り合う円筒形ターゲット材の外周面のズレや折れ曲がりがない又は極めて小さい円筒形スパッタリングターゲットを製造する方法を提供する。 - 特許庁

A Ti film or a Ta film is formed as the barrier metal film on a substrate by a sputtering method, a nitride film is formed on the barrier metal film by the sputtering method, and the Cu film is formed on the nitride film by a CVD method, and thereafter, annealing is performed at 100-400°C.例文帳に追加

基板上に、スパッタ法によりバリアメタル膜としてＴｉ膜又はＴａ膜を形成し、このバリアメタル膜上にスパッタ法により窒化物膜を形成し、この窒化物膜の上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を形成した後、１００〜４００℃でアニール処理を行う。 - 特許庁

To provide a method capable of depositing a thin film having a uniform film thickness distribution in a thin film production method by emitted particles from a target by a laser abrasion method, an ion beam sputtering method or the like.例文帳に追加

レーザーアブレーション法やイオンビームスパッタ法などのターゲットからの放出粒子による薄膜作製法において、均一な膜厚分布を有する薄膜を堆積可能とする方法の提供。 - 特許庁

The ITO deposition device is successively provided with an ITO deposition treatment part which forms an sputtering deposition ITO membrane by a low temperature method; a high frequency wave measuring part which measures the resistance or reactance of the sputtering deposition ITO membrane by the predetermined frequency in a high frequency AC four terminal method; and an annealing treatment part which applies annealing treatment on the sputtering deposition ITO membrane.例文帳に追加

順に、低温成膜法によりＩＴＯ膜をスパッタ成膜するＩＴＯ成膜処理部と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜について、高周波の交流４端子法により、所定の周波数でその抵抗およびまたはリアクタンスを測定する高周波測定部と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜をアニール処理するアニール処理部とを、備えている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an IZO sputtering target which makes it possible to improve the productivity and reduce the cost by curtailing the processes while maintaining the characteristics as an IZO sputtering target.例文帳に追加

ＩＺＯスパッタリングターゲットの製造において、ＩＺＯスパッタリングターゲットとしての特性を維持しつつ、工程を削減することにより生産性の向上及び製造コストの低減が可能となる製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering method capable of forming a thin film of uniform thickness on the surface of a substrate in a rotary type sputtering device having a rectangular planar target provided with a magnetic circuit for magnetron discharge and to provide the device.例文帳に追加

マグネトロン放電用磁気回路が設けられた矩形平板ターゲットを有するロータリ式スパッタリング装置において、基板の表面に均一な膜厚の薄膜が形成できるスパッタリング方法とその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a magnetic recording medium film which can obtain high PTF to improve a sputter rate, and can also eliminate the risk when handling the raw material powder, and to provide a method for manufacturing the sputtering target.例文帳に追加

高いＰＴＦが得られてスパッタレートの向上を図ることができ、原料粉末の取り扱い時の危険性も排除できる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering target that can form a GaN thin film having high purity and excellent crystallinity at low cost by a sputtering method to obtain the GaN thin film excellent in properties as a fluorophor and communication element.例文帳に追加

蛍光体や通信素子としての特性に優れたＧａＮ薄膜を得るために、スパッタ法により、低コストで高純度かつ結晶性が良好なＧａＮ薄膜が形成可能なスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Specifically, when forming the piezoelectric thin film layer 16 by a sputtering method, a bias not less than -30V nor more than 0V is applied to the substrate 11 at the time of sputtering to apply compressive stress to the piezoelectric thin film layer 16.例文帳に追加

具体的には、スパッタ法により圧電体薄膜層１６を形成する場合、そのスパッタ時に、基板１１に−３０Ｖ以上０Ｖ以下のバイアスを印加することで、圧電体薄膜層１６に圧縮応力を付与する。 - 特許庁

A method of manufacturing a piezoelectric thin film with an aluminum nitride thin film containing scandium, includes a sputtering process wherein sputtering is carried out with aluminum and scandium in an atmosphere including at least nitrogen gas.例文帳に追加

本発明に係るスカンジウムを含有する窒化アルミニウム薄膜を備えた圧電体薄膜の製造方法は、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気下において、アルミニウムとスカンジウムとでスパッタリングするスパッタリング工程を含む。 - 特許庁

To provide a sputtering target for a highly resistant transparent conductive film which can be basically used in a DC magnetron sputtering apparatus, and can deposit a transparent and highly resistant film, and to provide a method of manufacturing the highly resistant transparent conductive film.例文帳に追加

基本的にはＤＣマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of forming a film sufficiently containing Se by sputtering as a laminated film for forming a Cu-In-Ga-Se quaternary alloy film, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金膜を形成するための積層膜として、スパッタ法により十分にＳｅを含有した膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering method capable of inexpensively forming a film with high productivity while both the improvement of the utilizing efficiency of a target and the good film thickness uniformity of the thin film are achieved and to provide a sputtering device.例文帳に追加

ターゲットの利用効率の向上と薄膜の良好な膜厚均一性とを両立させながら安価、且つ生産性良く成膜することのできるスパッタリング方法およびスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high-density, low-cost tungsten sputtering target capable of reducing the occurrence of particles at the time of sputtering and also capable of depositing a sputter film having low resistivity, and its manufacturing method.例文帳に追加

スパッタリング時におけるパーティクルの発生を低減でき、しかも比抵抗が低いスパッタ膜を形成することが可能であり、かつ高密度で低コストのタングステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This thin film deposition method by catalyst sputtering consists in arranging a thermal catalyst body 5 between the substrate 10 and target 4 in a vacuum vessel 1 and depositing the thin films on the substrate by sputtering.例文帳に追加

本発明に係る触媒スパッタリングによる薄膜形成方法では、真空容器１中において、基板１０とターゲット４との間に熱触媒体５を配置して、スパッタリングにより基板に薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for a high resistance transparent conductive film which can be used by a DC magnetron sputtering apparatus, and deposit a transparent and high resistance film, and to provide a manufacturing method of high resistance transparent conductive film.例文帳に追加

ＤＣマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering method which can provide a high sputtering rate and achieve high mass-productivity when forming a film containing a highly volatile substance such as Li on a substrate S to be treated, while preventing the film from being damaged.例文帳に追加

被処理基板Ｓに、Ｌｉ等を含有する高揮発性膜を形成する場合に、当該膜へのダメージを防止しつつ、高いスパッタレートが得られ、高い量産性が達成できるスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for coating a substrate by both processes of arc deposition and sputtering in a single coating chamber.例文帳に追加

同一の被覆チャンバの中でアーク蒸着とスパッタリング工程の両方で基体を被覆する方法および被覆装置の提供。 - 特許庁

A translucent film 1 containing neodymium is formed on the surface of a glass bulb 2 with a distortion point of not more than 550°C by a sputtering method.例文帳に追加

歪点が５５０℃以下のガラスバルブ２の表面に、ネオジウムを含む透光性膜１をスパッタリング法によって形成する。 - 特許庁

Here, in the step for forming the multilayer film interference filter 306, the films 401-412 are laminated by using a sputtering method.例文帳に追加

ここで、積層膜干渉フィルタ３０６を形成するステップでは、スパッタリング法を用い、膜４０１〜４１２を積層形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high purity Ga-sputtering target in which impurities such as oxygen are removed.例文帳に追加

酸素等からなる不純物を除去した、純度の高いＧａスパッタターゲットの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a dual cathode type sputtering apparatus which can be downsized and can reduce production cost, and to provide a film deposition method.例文帳に追加

装置を小型化でき且つ生産コストを低減できるデュアルカソード型のスパッタリング装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing indium oxide-based sputtering targets which has a reduced environmental load and gives inexpensive and yet high density products.例文帳に追加

環境負荷が少なく、安価でありながら、高密度が得られる酸化インジウム系スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a transparent thin-film superior in electroconductivity on a glass substrate with a plasma sputtering vapor-deposition technique.例文帳に追加

プラズマスパッタ蒸着による、ガラス基板上への透明なかつ導電性に優れた薄膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

The protective film is formed as a thin film by a sputtering method, etc., using a noble metal alloy containing ≥1 kind of elements, such as platinum(Pt).例文帳に追加

保護膜は、白金(Pt)等の元素を一種以上含有した貴金属系合金をスパッタリング法等により薄膜に形成する。 - 特許庁

To provide a ZnO target capable of producing a ZnO film having high resistance even by the DC sputtering, and a method for producing the same.例文帳に追加

ＤＣスパッタリングでも高抵抗なＺｎＯ膜を作製可能なＺｎＯターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a Cu-Ga alloy material with a small amount of a segregation phase, sputtering target, and a method of producing a Cu-Ga alloy material.例文帳に追加

偏析相が少ないＣｕ−Ｇａ合金材、スパッタリングターゲット、及びＣｕ−Ｇａ合金材の製造方法を提供する。 - 特許庁

A dielectric layer 20 is formed by a bias-sputtering method on the piezoelectric substrate 10 to cover the first conductive film 18.例文帳に追加

第１の導電膜１８を覆うように圧電基板１０の上に誘電体層２０をバイアススパッタリング法により形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a magnetic recording medium film where PTF can be improved, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ＰＴＦを改善することができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target which has the extended life and high density.例文帳に追加

ターゲットのライフを伸ばすことができ、また、高密度なスパッタリングターゲットを得ることができるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR SPUTTERING SUPERCONDUCTING THIN FILM OF NIOBIUM ON QUARTER-WAVE RESONANT CAVITY MADE OF COPPER FOR HEAVY ION ACCELERATION例文帳に追加

重イオン加速用銅製１／４波長共振空洞にニオビウムの超伝導薄膜をスパッタリングするための方法および装置 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for forming a copper layer on a substrate preferably by using a sputtering process.例文帳に追加

本発明は、好ましくはスパッタリングプロセスを用いて、基板上に銅の層を形成するための方法および装置を提供する。 - 特許庁

To improve the uniformity in film thickness within the plane of a substrate in a rotary type sputtering method and device having a rectangular flat target.例文帳に追加

矩形平板ターゲットを有するロータリー式のスパッタ方法及び装置において、基板面内での膜厚均一性を向上する。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET, INTERLAYER FILM FOR PHASE CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM USING THE SAME AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND PHASE CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM例文帳に追加

スパッタリングターゲット、それを用いた相変化光記録媒体用界面層膜とその製造方法、および相変化光記録媒体 - 特許庁

To realize a sputtering method and a system capable of obtaining uniformity of a high-accuracy film thickness distribution in the entire region of a substrate.例文帳に追加

基板の全領域で高精度な膜厚分布の均一性を得ることのできるスパッタリング方法及び装置を実現する。 - 特許庁

The method for producing the spattered staple fiber comprises subjecting the fiber in a drawn fiber bundle shape to sputtering, and cutting the sputtered product.例文帳に追加

および、延伸された繊維束の状態でスパッタリング加工を施したのち、カットするスパッタリング加工短繊維の製造方法。 - 特許庁

To provide a suitable condition, under which a III nitride compound semiconductor layer is formed on a substrate through a sputtering method.例文帳に追加

スパッタ法を用いてIII族窒化物系化合物半導体層を基板上に形成する際の好適な条件を提案する。 - 特許庁

A method and apparatus for sputtering a target material (such as PZT) include positioning a conductive grid between a target and a substrate.例文帳に追加

ターゲット物質（例えば、ＰＺＴ）をスパッタリングする方法及び装置であって、ターゲットと基板との間に導電グリッドを配置する。 - 特許庁

BARRIER FILM FOR SEMICONDUCTOR WIRING, COPPER WIRING FOR SEMICONDUCTOR, MANUFACTURING METHOD OF THIS WIRING, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING SEMICONDUCTOR BARRIER FILM例文帳に追加

半導体配線用バリア膜、半導体用銅配線、同配線の製造方法及び半導体バリア膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁

UNIDIRECTIONAL SOLIDIFIED SILICON INGOT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, SILICON PLATE, SUBSTRATE FOR SOLAR CELL AND TARGET BASE MATERIAL FOR SPUTTERING例文帳に追加

一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板及びスパッタリング用ターゲット素材 - 特許庁

METHOD OF FORMING SILICON NANOPARTICLES FROM SILICON RICH-OXIDE BY DC REACTIVE SPUTTERING FOR ELECTROLUMINESCENCE APPLICATION例文帳に追加

エレクトロルミネセンスへの応用を目的とし、シリコン過剰酸化物からシリコンナノ粒子をＤＣ反応性スパッタリングによって形成する方法 - 特許庁